JPS58192033A - 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、放射線感応性組成物及びそれを用いたパター
ン形成方法に関する。

従来のパターン形成方法は、放射線感応性組成物の塗膜
に所定のパターンの放射線を照射したのち、塗膜を現像
液（主に有機溶剤）に浸漬するか。

またはこれをスプレー法で塗膜表面に噴霧するいわゆる
湿式現像法によりパターンを形成していた。

このような湿式現像は、特に架橋反応を利用するネガ型
の組成物に対して膨潤させる欠点があり。

これが微細パターンを得ることの大きな障害となってい
た。

この欠点を除くため、プラズマを用いて現像する。いわ
ゆるドライ現像法も提案されているが。

除去すべき部分、すなわちネガ型の組成物のとき未露光
部を完全に除去するまでドライ現像すると。

残存するべき露光部も多量に表面が工、チングされ、残
膜率（初期の膜厚に対し残っている膜厚の比率）は極め
て小さくなシ、実用上使用することは種々の問題が生じ
た。

本発明の目的は、改良された放射線感応性組成物及びそ
れを用いたパターン形成方法を提供することにある。

本発明の放射線感応性組成物は、アジド化合物。

放射線の照射により少なくと本化合物の一部が実質的に
高分子化合物層中に固定され得る有機ヨウ素化合物及び
上記アジド化合物とヨウ素化合物と実質的に相溶性を有
する高分子化合物からなることを特徴とする。

本発明の放射線感応性組成物は、優れた耐酸素プラズマ
特性を有する。それ故この性質を用いてつぎに述べるよ
うなドライ現象が可能である。また通常の湿式現象も可
能である。

本発明のパターン形成方法は、上記アジド化合物、上記
ヨウ素化合物及び上記高分子化合物からなる放射線感応
性組成物の塗膜を形成する工程と。

該塗膜に所望のパターンを有する放射線を照射する工程
と、上記塗膜を加熱し未照射部の上記ヨウ素化合物を散
失させる工程と、上記塗膜に酸素を含むプラズマを照射
して未照射部を除去する工程を含むことを特徴とする。

また、湿式現像を行なう場合には、上述の放射線照射工
程ののちに２通常の如く溶媒によシ未照射部を除去すれ
ばよい。

いずれの方法によってもヨウ素を塗膜中に含むネガ型の
パターンが得られる。

上記の放射線とは、可視光、六外光、Ｘ線、電子線、イ
オンビームなど広義の放射線を意味する。

上記放射線の照射を受けて、上記ヨウ素化合物とアジド
化合物とがどのような反応又は分解をするか明らかでは
ないが、少なくとも上記化合物のヨウ素を含む部分が高
分子化合物層中に実質的に固定される。この固定される
理由としては、アジド化合物がヨウ素化合物と高分子化
合物の両方に直接結合する場合（とくにアジド化合物が
ジアジド化合物である場合）、アジド化合物のある部分
がヨウ素化合物に結合してヨウ素化合物が加熱によって
散失しない状態になり、一方他の部分が高分子化合物と
結合してその溶解性を変化させる場合などが考えられる
。上記アジド化合物とは、光により分解した化合物の一
部あるいは変化した化金物をも含むものである。いずれ
にしても上述の説明は、単に推定したものであり、この
説明が正しいか否かは９本発明の構成になんの影響を与
えるものではない。

本発明においてドライ現像を行なうには、前述の如くヨ
ウ素化合物を加熱によシ散失させる必要がある。この場
合の加熱の温度は、未露光部のヨウ素化合物が散失し得
る温度以上にすること、すなわち化合物の昇華温度又は
沸点以上にすることが必要である。従って用いるヨウ素
化合物によって異なり、ｔた塗膜を減圧下におけば加熱
温度をある程度下げることも可能である。加熱温度の上
限は、高分子化合物の分解温度以下であることが必要で
ある。それ故、ヨウ素化合物と高分子化合物との組合せ
は、このような点から選ぶことが好ましい。

上記ヨウ素化合物アジド化合物と実質的相溶性のある高
分子化合物とは、王者の混合物がほぼ均一な組成の塗膜
を形成することが出来ればよいことを示す。また、ある
ヨウ素化合物やアジド化合物に対してＰ、なる高分子化
合物が相溶性がない場合でも、上記Ｐ、と相溶性のある
高分子化合物Ｐ２があり９両者の混合物すなわちＰ、＋
Ｐ、が上記両化合物と相溶性を示せば、このような高分
子化合物を用いることができる。

これらの高分子化合物としては、さらに塗膜性に優れる
ものが好ましい。

高分子化合物、ヨウ素化合物及びアジド化合物の比率は
２重量比で１：０．１〜３：０．０５〜２であることが
好ましく、１：０．４〜２：０．１〜１であることがよ
り好ましい。

本発明の感光性組成物の塗膜の如くヨウ素が存在するこ
とによって酸素を含むプラズマ中で表面層に不揮発性で
かつ酸素を含むプラズマに耐性のある物質が生成するた
めと考えられる。これはヨウ素化合物特有の性質であシ
、塩素や臭素を含む化合物には見られない性質である。

これを実験データによシ示す。表１は、ポリスチレンと
、３．３’−ジアジドジフェニ≠スルホンとヨードホル
ムよりなる感光性組成物の塗膜を光によシ硬化し、その
塗膜の酸素プラズマに対する相対減膜速度を示したもの
である。表にみられるようにヨウ素化合物であるヨード
ホルムの量が増加すると共に酸素プラズマ耐性は、大き
く増加する。それ故１本発明の感光性組成物の塗膜は酸
素プラズマに対する耐性マスクとなシ得ることを示して
いる。

表１ なお、実験は、最大出力６００Ｗ、電極直径６０ｍｍの
平行平板型プラズマ反応容器を有するプラズマ実験装置
の下方の電極上に、試料を塗布したシリコン基板を置き
、排気した後、酸素ガスを導入して反応容器内の圧力を
０．５　ＴｏｒｒＫ調整後。

１３、５６　ＭＨｚで高周波を印加し、出力５５Ｗで酸
素プラズマを発生させて測定した。

また、酸素を含むプラズマとは、酸素のほかに窒素など
を含むプラズマであってもよいが、酸素プラズマである
ことが好ましい。

本発明に用いるヨウ素化合物としては、ショートメタン
、ヨードホルム、ヨードエタン、１−ヨードブタン１．
１−ヨードへブタン、ｌ−ヨードプロパン、２−ヨード
プロパン、　１　、２−ショートエタン、１．４−ショ
ートブタン、ヨードトリメチルシラン、２−ヨード−１
、１、１−）リフルオロエタン、（ヨードメチル）トリ
メチルシラン。

ヨードアセトアミド、ヨード酢酸、３−ヨードプロピオ
ン酸、２−ヨードエタノール、２−ヨード７ニリン、３
−ヨー）”アニリン、４−ヨードアニリン、４−ヨード
アニソール、５−ヨードアントラニル酸、０−ヨード安
息香酸９ｍ−ヨード安息香酸、ｐ−ヨード安息香酸、ｐ
−ヨードベンゼンスルフォニルクロリド、０−ヨードベ
ンジルアルコール、ｍ−ヨードベンジルアルコール、ｐ
−ヨードベンジルアルコール、０−ヨードベンジルクロ
リド、１−ヨード−２−二トロベンゼン　１−ヨード−
３−二トロベンゼン、１−ヨード−４−二トロベンゼン
、２−ヨードフェノール、３−ヨードフェノール、４−
ヨードフェノール、５−ヨードサリチル酸、０−ヨード
トルエン、ｍ−ヨードトルエン、ｐ−ヨードトルエン、
０−ヨード−α、α、α−トリフルオロトルエン、２−
ヨード−６−メチル−３−ビリジノール、２−ヨード−
３−ビリジノール、４−ヨードピラゾール、２−ヨード
チオフェン、３−ヨードチオフェン、２゜６−ジヨード
ー４−ニトロアニリン、２，６−ジヨードー４−二トロ
フェノール、３，５−ショート−４−ピリドン−Ｎ−酢
酸、４−ハイドロキシ−３，５−ショート安息香酸、２
，４．５−）リョード安息香酸、３，４．５−ト１７ヨ
ード安息香酸、２，４．６−ドリヨードフエノールなど
の中から一種又は二種以上を選ぶことが好ましい。

アジド化合物としては、一般式 Ｎ３　　　　Ｘ （ここにＡは、　Ｏ、Ｓ　、　ＯＨ２，０Ｈ２０Ｈ２，
Ｓｏ、。

Ｓ２，００．ＣＯｏ、８０３，０Ｈ＝ＯＨ及び０Ｈ＝Ｏ
ＨＯＯからなる群から選ばれた元素または置換基を表わ
し、ｘ、ｙ、ｚは　アジド基、水素、アルキル基、ニト
ロ基、ハロゲン基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、
アルコキシ基、ヒドロキシ基、スルホン酸基、スルホン
酸のエステル、カルボン酸基、カルボン酸のエステルか
ら選ばれた元素または置換基を表わす）で表わされるア
ジド化合物、あるいは一般式 （ここにＸ、Ｙ、Ｚは、上述と同じ意味を表わす）で表
わされるアジド化合物などが用いられる。またこれ以外
の有機アジド化合物も用いることができる。これらのア
ジド化合物を二種以上同時に用いることができる。

具体的にこれらのアジド化合物を示すと、（Ｉ）式で表
わされる化合物としては１例えば４，４′−ジアジドジ
フェニルエーテル、４．４’−ジアジドジフェニルスル
フィド、４．４’−ジアジドジフェニルスルホン、３．
３’　−ジアジドジフェニルスルホン、４．４’−ジア
ジドジフェニルメタン、３．３’−ジクロロ−４，４′
−ジアジドジフェニルメタン。

４．４′−ジアジドジフェニルジスルフィド、４゜４′
−ジアジドベンジル、４−アジド安息香酸−２′。

４′、６′−トリヨードフェニル、４−アジド安息香酸
−３′−ヨードフェニル、４−アジド−４′−ヨードジ
フェニルスルフィド及び４−アジド−４′−ヨードベン
ゾフェノンなどがある。

また（ｎ）式で表わされる化合物としては９例えばｐ−
アジドヨードベンゼン、２．６−ジヨードー４−二トロ
アシトベンゼン、２−クロロ−４−ヨードアジドベンゼ
ン、２．６−ジクロロ−４−ヨードアジドベンゼン、２
−プロモー４−ヨードアジドベンゼン、２．６−ジブロ
モ−４−ヨードアジドベンゼン、２−メチル−４−ヨー
ドアシトヘンゼン、２−メトキシ−４−ヨードアジドベ
ンゼンなどがある。

その他のアジド化合物としては９例えば４−アジド安息
香酸−２−ヨードメチルなどがある。

これらのアジド化合物の中にはヨウ素を含む化合物もあ
るが、これらの化合物も加熱によシ未照射部の塗膜から
散失し得る。

高分子化合物としては９例えばボＩＪ　（Ｎ−ビニルカ
ルバゾール）、ポリ（アセナフタレン）、ポリ（フッ化
ビニリデン）、ポリ（Ｎ−ビニルピロリドン）、ポリ（
メタクリル酸グリシジル）、ポリスチレン、ポリ（メタ
クリル酸アルキル）、ｆｊ化ポリイソプレン、ポリ（４
−メチルスチレン）。

ポリメタクリロニトリル、ポリ（４−ビニルピリジン）
、ポリ（４−臭化スチレン）、ポリ（ビニルベンジルク
ロリド）、ポリブタジェン、ポリ（４−塩化スチレン）
、エポキシ化ポリプタジエ７、ｙｔ？’）Ｃ酢酸ビニル
）、ポリ（ビニルアルコ−ル）、ポリ（塩化ビニル）、
ポリ（塩化プレン）。

ポリ（臭化ビニル）、ポリ（エピクロルヒドリン）。

ポリ（ビニルフェノール）、ポリ（ビニルアルコール）
、ポリ（塩化ビニリデン）、ポリ（アクリルニトリル）
、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（メチルイソプロ
ペニルケトン）、ポリ（アクリルアミド）、ポリ（ビニ
ルメチルケトン）、ポリ（フテンスルホン）、ポリ（ス
チレンスルホン）。

ポリ（インブチレン）、ノポラ、り樹脂などのフェノー
ル樹脂、スチレン・無水マレイン酸共重合体、酢酸セル
ロースハイ°ドロジエンフタレート。

ポリビニルヒドロキシベンザ−ル、ポリビニルヒドロキ
シベンザール、アクリル樹脂などが用いられる。これら
の高分子化合物は、共重合体として用いることもでき、
また上記以外の高分子化合物であっても通常用いられる
ポリマーで塗膜性があり、かつ前記ヨウ素化合物、アジ
ド化合物と相溶性があれば使用可能である。またこれら
の高分子化合物を二種以上同時に用いることができる。

高分子化合物としては、ベンゼン環を含むもの又はゴム
系のものが耐ドライエ、チング性の点から好ましい。

本発明のパターン形成法として、ドライ現像法を行なう
ときは、上記高分子化合物として実質的にヨウ素を含む
高分子化合物は、用いることができない。なぜならば、
未照射部の塗膜から加熱によりヨウ素化合物を散失させ
ても、ヨウ素を有する高分子化合物が塗膜として残るの
で酸素プラズマに対し耐性を示すからである。しかし、
前述の表１から理解できるように、ヨウ素の含有量が少
なければ、酸素プラズマに対する相対減膜速度は。

ヨウ素を有しないものとあまり大きな差はない。

一方照射部にはヨウ素化合物が存在するので、このヨウ
素と高分子化合物の有するヨウ素との合計量は比較的大
きくなシ、相対減膜速度は小さくなる。それ故、少量で
あるならば高分子化合物中にヨウ素が含まれていても、
ドライ現像により塗膜のパターンを形成することができ
る。

一方、湿式現像を行なうときは、高分子化合物がヨウ素
を含んでいてもなんらさしつかえない。

前述のヨウ素化合物がカルボン酸基のような極性基をも
つものであるとき、又はアジド化合物がヨウ素を有しか
つカルボン酸基のような極性基をもつものであるとき、
ポリマーとして、ポリビニルフェノール、ノボラ、り樹
脂、スチレン・無水マレイン酸共重合体、酢酸セルロー
スハイドロジエンフタレート、ポリビニルヒドロキシベ
ンゾアート、ポリビニルヒドロキシベンザール、ポリメ
タクリル酸、ポリアクリル酸などの極性基をもつものを
用いることは好ましくない。ドライ現像を行なうとき、
加熱によシ上記化合物が散失しにくくなるためである。

しかし、湿式現像を行なうならば、上記の組合せでもさ
しつかえない。

アジド化合物としては、ジアジド化合物を用いることが
、ヨウ素化合物を強く固定するので好ましい。とくに湿
式現像を行なう場合にはジアジド化合物を用いることが
極めて好ましい。

一方、高分子化合物として、前述のポリビニルフェノー
ル、ノボラック樹脂、ポリメタクリル酸。

ポリアクリル酸などのように極性基を有する高分子化合
物、とくにアルカリ性水溶液に可溶なものは、モノアジ
ド化合物を用いても湿式現像を行すうに適している。

しかし上記以外の組成物の場合、すなわちアジド化合物
がモノアジド化合物であり、高分子化合物が極性基をも
たないものであるときは、湿式現像を行なうのは好まし
くない。

本発明の放射線感応性組成物は、前述の如く耐酸素プラ
ズマ性に優れるので、これを利用して印刷板などをつく
ることができる。例えばナイロン基板上に本発明の組成
物による塗膜を形成し、所定パターンとしてから酸素プ
ラズマにより基板をエツチングすることができる。それ
故溶媒によるエツチングでは基板が膨潤してｗ４＠度を
低下させるのを防ぐことができる。

また半導体素子の微細加工に用いる場合について述べる
と、素子の基板面は、必ずしも平坦ではなく、様々な凹
凸の段差を待つことが多い。こうした段差を有する基板
上に塗布された塗膜は、この段差をおおうに充分な厚さ
を必要とするために不均一な厚さをもち、パターンの微
細化に伴って。

その解像ｔＬ、精度は１段差の影響を大きく受ける。

すなわち放射線感応性組成物の溶液を通常よく用いられ
るスピナによる回転塗布法を用いて塗布すると、塗膜の
表面は平坦となるのでその膜厚は。

基板面の凹凸に従って不均一となる。この塗膜に。

微細な所望のパターンを有する放射線を照射した場合、
凹凸のある基板面からの反射、散乱等が生じ、照射パタ
ーンの精度が悪化したり、あるいは特に、架橋反応を利
用するネガ型レジストでは。

現像時の膨潤性が、膜厚の不均一の影響を大きく受けて
、やはりパターン精度や解像度を悪化させる。それ故パ
ターンの精度や解像度に関しては。

膜厚は、小さく均一であることが望ましい。そのため酸
素プラズマによシ除去可能な高分子化合物の塗膜を基板
上に形成し、その上に本発明の組成物の薄い塗膜を形成
し、上層の塗膜を所定パターンとしてから＃Ｘプラズマ
によシ下層の塗膜を除去すれば高解像度のパターンを得
ることができる。

なお、前記アジド化合物のうちには新規化合物もあるの
でその合成法の一例を示す。他の化合物も有機合成化学
の通常の手法に従って、同様に合成することができた。

ｐ−アジドヨードベンゼン； 亜硝酸ナトリウム２．１ｇを水１３１Ｍに溶解し。

前記溶液に徐々に滴下する。これによりジアゾ化反応が
進行する。アジ化ナトリウム２．５ｇを水１８ｍ／に溶
解し滴下する。１時間攪拌後、ベンゼンで抽出し、′硫
酸ナトリウムで脱水した後ベンゼンを蒸発させｐ−アジ
ドヨードベンゼンを得る。

λ。、ｘ；２６０ｎｍ　、ｍ−９３３℃。

以下実施例を用いて本発明を説明する。

実施例１ ジフェニルスルホンと２．４．６トリヨードフエノール
を添加し、レジスト溶液とした。　ポリビニルフェノー
ルと３．３′−ジアジドジフェニルスルホンと２．４．
６）リョードフェノールとの混合比率は重量比で１　：
　０．２　：　０．７とした。このレジストをシリコン
ウェハ上にスピナを用いて塗布し。

厚さ０．８５μｍの膜を作成した。次いでＸｅ−Ｈｇラ
ンプからの光を用いてテストパターンマスクを介して２
０秒照射した後、１４０℃６０分間ポストベークし、プ
ラズマ現像用試料とした。最大出力６００Ｗ、電極直径
６０ｍｍ平行平板型プラズマ反応容器を有するプラズマ
発生装置を用いて以下の工程にて現像を行なっ九。すな
わち、試料を下方の電極上に置き、排気した後、酸素ガ
スを導入して反応容器の圧力を０．５ｔｏｒｒ　　に調
整した後。

１３．５６ＭＨｚで高周波を印加し、出力５５Ｗでプラ
ズマ反応容器内に８分間酸素プラズマを発生させた。一
度１反応容器内を排気してから大気圧に戻し、試料を取
り出して顕微鏡検査したところ。

全く膨潤のない線幅及び１間隔がいずれも１μｍの〈シ
返しパターンが精度よく形成できた。

実施例２ 実施例１と同じ組成で、ポリビニルフェノール。

３．３′−ジアジドジフェニルスルホン、２，４゜６ト
リヨードフエノールの混合比率が重量比で１：　０．２
　：　１のレジスト溶液を使用した。実施例１と同様に
このレジストをシリコンウェハ上に塗布し、露光後、ポ
ストベークし、酸素プラズマによって現像した。露光時
間と残膜率は、第１図に示す通りであり、残膜率におい
て実施例１より優れていた。試料を顕微鏡検査したとこ
ろ全く膨潤のない線幅および間隔がいずれも１μｍのく
り返しパターンを精度よく形成できた。

実施例３ 重量平均分子量（Ｍｗ）が約２７万のポリスチレンをク
ロルベンゼンに溶解し、７重量パーセント溶液とし、さ
らに３．３′−ジアジドジフェニルスルホンとｍ−ヨー
ドフェノールを添加し、レジスト溶液とした。ポリスチ
レンと３，３′〜ジアジドジフエニルスルホンとｍ−ヨ
ードフェノールとの混合比は重量比で１　：　０．２　
：　０．５とした。このレジストをシリコンウェハ上に
スピナを用いて塗布し、厚さ０．７６μｍ　の膜を作成
した。次いでＸｅ−Ｈｇ　ランプからの光を用いて照射
した後１１０’０．８５分間ポストベークし、プラズマ
現像試料とした。実施例１と同じ方法で酸素プラズマに
よって現像した後、顕微鏡検査をしたところ、湿式現像
法とは異なシ、全く膨潤のない実施例１と同じ微細パタ
ーンが得られた。

実施例４ 重量平均分子量（ＭＷ）が約２７万のポリ２チレンをク
ロルベンゼンに溶解し、７重量パーセント溶液とし、さ
らに３，３′−ジアジドジフェニルスルホンとｍ−ショ
ートベンゼンを添加し、レジスト溶液とした。ポリスチ
レンと３．３′−ジアジドジフェニルスルホンとｍ−シ
ョートベンゼンとの混合比は重量比で１　：　０．２　
：　０．５とした。このレジストをシリコンウェハ上に
スピナを用いて塗布し、厚さ０，８６μｍ　の膜を作成
した。次いでＸｅ−Ｈｇ之ノン２プらの光を用いて照射
した後１１０υ。

６０分間ポストベークし、プラズマ現像試料とした。実
施例１と同じ方法で酸素プラズマによって現像した後、
顕微鏡検査をしたところ、湿式現像法とは異なり、全く
膨潤のない実施例１と同じ微細パターンが得られた。

実施例５ 重量平均分子量（ＭＷ）が約２７万のポリスチレンをク
ロルベンゼンに溶解し、７重量パーセント溶液とし、さ
らに３，３′−ジアジドジフェニルスルホンとヨードホ
ルムを添加し、レジスト溶液とした。ポリスチレンと３
．３′−ジアジドジフェニルスルホンとヨードホルムと
の混合比は重量比で１　：　０．２　：　０．５とした
。このレジストをシリコンウェハ上にスピナを用いて塗
布し、厚さ０．８６μｍの膜を作成した。次いでＸｅ−
Ｈｇランプからの光を用いて照射した後１１０℃、９０
分間ポストベークし、プラズマ現像試料とした。実施例
１と同じ方法で酸゛素プラズマによって現像した後、顕
微鏡検査をしたところ、湿式現像法とは異なり。

全く膨潤のない実施例１と同じ微細パターンが得られた
。

なお、上記実施例１〜５に記載したヨウ素化合物、アジ
ド化合物以外のヨウ素化合物、アジド化合物を用いて実
験しても、同様にドライ現像により微細なパターンを得
る仁とができた。

実施例６ ポリ（ｐ−ビニルフェノール）２０重１ｍ、３゜３′−
ジアジドジフェニルスルホン４重量部、シクロヘキサノ
ン８０重量部の溶液１００重量部に対して、２，４．６
−）リョードフェノール１３重ｔＳを添加し、レジスト
溶液とした。このビジスト溶液をシリコンウェハ上にス
ピナで塗布し、空気中８０℃２０分間ベークすることに
より、厚さ１．１μｍのレジスト膜を形成し、露光試料
とした。

この露光試料に６００Ｗ　Ｘｅ−Ｈｇランプからの光を
用いて、テストバタンマスクを介して５秒間照射した後
、水酸化テトラメチルアンモニウム０．９５重量パーセ
ント水溶液を現像液として３０秒間浸漬することによシ
、レジスト膜を現像した。顕微鏡検査したところ、全く
膨潤のない線瀘及び間隔がいずれも１μｍの〈ｐ返しパ
ターンが精度よく［できた。

実施例７ ｍ、ｐ−クレゾールノボラ、り樹脂２０重量部。

４−アジド−４′−メトキシカルコン６重量部、２゜４
．６−トリヨードフェノール１０重量部を、メチルセロ
ツルでアセテート８０重量部に溶かしてレジスト溶液を
調製した。このレジスト溶液全シリコンウェーハ上に塗
布し、８０℃２０分間べ一りすることによシ、厚さ０．
９μｍのレジスト膜を形成した。次いで、５００　Ｗ超
高圧Ｈｇ　ランプからの光を用いて、テストバタンマス
クを介して、２秒間露光した後、水酸化ナト２メチルア
ンモニウム水溶液を用いて現像したところ、線幅および
間隔がいずれも１μｍのくり返しバタンか精度よく形成
できた。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明の詳細な説明するための図である。 代理人弁理士 第１頁の続き ０発　明　者　野々垣三部 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アジド化合物、放射線の照射により少なくと本化合
   物の一部が実質的に高分子化合物層中に固定され得るヨ
   ウ素化合物及び上記アジド化合物とヨウ素化合物と実質
   的に相溶性を有する高分子化合物からなる放射線感応性
   組成物。 ２、上記高分子化合物、！Ｊつ素化合物及びアジド化合
   物の量が９重量比で１：０．１〜３：０．０５〜２の範
   囲である特許請求の範囲第１項記載の放射線感応性組成
   物。 ３、上記ヨウ素化合物が、ショートメタン、ヨードホル
   ム、ヨードエタン、１−ヨードブタン。 １−ヨードへブタン、１−ヨードプロパン、２−ヨード
   プロパン、１．２−ショートエタン、１゜４−ショート
   ブタン、ヨードトリメチルシラン。 ２−ヨード−１，１，１−）リフルオロエタン。 （ヨードメチル）トリメチルシラン、ヨードアセトアミ
   ド、ヨード酢酸、３−ヨードプロピオン酸。 ２−ヨードエタノール、２−ヨートアニＩ）　ｙ　、　
   ３−ヨードアニリン、４−ヨードアニリン、４−ヨード
   アニソール、５−ヨードアントラニル酸、〇−ヨード安
   息香酸１ｍ−ヨード安息香酸、ｐ−ヨー）”安、１香酸
   、ｐ−ヨードベンゼンスル７オニルクロＩＪ　）”　、
   　Ｏ−ヨードベンジルアルコール、ｍ−ヨードベンジル
   アルコール、ｐ−ヨードベンジルアルコール、０−ヨー
   ドベンジルクロＩＪ）’、１−ヨードー２−二トロベン
   ゼン、１−ヨード−３−二トロベンゼン、１−ヨード−
   ４−二トロベンゼン、２−ヨードフェノール、３−ヨー
   ドフェノール、４−ヨードフェノール、５−ヨー）”　
   ｔ　ＩＪ　チル酸、Ｏ−ヨードトルエン、ｍ−ヨードト
   ルエン。 ｐ−ヨードトルエン、０−ヨード−α、α、α−トリフ
   ルオロトルエン、２−ヨード−６−メチル−３−ビリジ
   ノール、２−ヨード−３−ビリジノール、４−ヨードピ
   ラゾール、２−ヨードチオフェン、３−ヨードチオフェ
   ン、２．６−ジヨードー４−・ニトロアニリン、２，６
   −ジヨードー４−ニトロフェノール、３，５−ショート
   −４−ピリドン−Ｎ−酢酸、４−ハイドロキシ−３，５
   −ショート安息香酸、２，４．５−）リミード安息香酸
   、３，４．５−）リョード安息香酸及び２，４゜６−ド
   リヨードフエノールからなる群から選ばれた少なくとも
   一種の化合物である特許請求の範囲第１項又は第２項記
   載の放射線感応性組成物。 ４、上記アジド化合物が、一般式 ％式％ ０ＨＯＯからなる群から選ばれた元素または置換基を表
   わし、ｘ、ｙ、ｚは、アジド基、水素、アルキル基、ニ
   トロ基、ハロゲン基、アミノ基、モノアルキルアミノ基
   、アルコキシ基、ヒドロキシ基、スルホン酸基、スルホ
   ン酸のエステル、カルボン酸基及びカルボン酸のエステ
   ルからなる群から選ばれた元素または置換基を表わす）
   で表わされるアジド化合物である特許請求の範囲第１項
   。 第２項又は第３項記載の放射線感応性組成物。 ５、上記アジド化合物が、一般式 着モ漬＝ｂ−＋ヨｘ、ｙ、ｚはアジド基、水素、アルキ
   ル基、ニトロ基、ノ・ロゲン基、アミノ基、モノアルキ
   ルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基。 スルホン酸基、スルホン酸のエステル、カルボン酸基及
   びカルボン酸のエステルからなる群から選ばれた元素ま
   たは置換基を表わす）で表わされるアジド化合物である
   特許請求の範囲第１項、第２項又はｉ＠３項記載の放射
   線感応性組成物。 ６、アジド化合物、放射線の照射により少なくとも化合
   物の一部が実質的に高分子化合物層中に固定され得るヨ
   ウ素化合物及び上記アジド化合物とヨウ素化合物と実質
   的に相溶性を有する高分子化合物からなる放射線感応性
   組成物の塗膜を形成する工程、該塗膜に所望のパターン
   を有する放射線を照射する工程、上記塗膜を加熱し未照
   射部の上記ヨウ素化合物を塗膜から散失させる工程及び
   上記塗膜に酸素を含むプラズマを照射して未照射部を除
   去する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。 ７、上記高分子化合物、ヨウ素化合物及びアジド化合物
   の量が９重量比で１：０．１〜３：０．０５〜２の範囲
   である特許請求の範囲第６項記載のパターン形成方法。 ８、上記塗膜の加熱温度が上記ヨウ素化合物の昇華温度
   又は沸点以上の温度である特許請求の範囲の第６項又は
   第７項記載のパターン形成方法。 ９、上記放射線は、紫外線である特許請求の範囲第６項
   から第８項までのいずれかに記載のパターン形成方法。 １０、　　アジド化合物、放射線の照射により少なくと
   本化合物の一部が実質的に高分子化合物中に固定され得
   るヨウ素化合物及び上記アジド化合物とヨウ素化合物と
   実質的に相溶性を有し、かつアルカリ性水溶液に可溶の
   高分子化合物よりなる放射線感応性組成物の塗膜を形成
   する工程、該塗膜に所望のパターンを有する放射線管照
   射する工程及び上記塗膜をアルカリ性水溶液によ如現像
   して未照射部を除去する工程を含むことを特徴とするパ
   ターン形成方法。 １１、　　上記アルカリ性水溶液可溶の高分子化合物が
   、ポリビニルフェノール、ノボラック樹脂。 スチレン・無水マレイン酸共重合体、酢酸セルロースハ
   イドロジエンフタレート、ポリビニルヒドロキシヘンシ
   アート、ポリビニルヒドロキシベンザール、ポリメタク
   リル酸及びポリアクリル酸からなる群から選ばれた少な
   くとも一種の高分子化合物である特許請求の範囲第１０
   項記載のパターン形成方法。