JPS59116744A - 感電離放射線樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、遠紫外線、軟Ｘ線、γ線、電子線。

イオン線等の電離放射線に感応するネガ型レジストとし
て好適な樹脂組成物に関する。

従来、半導体集積回路等の製造においては、基板の上に
ホトレジストを塗布し、ホトマスクを通して光を照射し
、現像することにより微細パターンを形成し、次いでバ
タン部以外の基板をウェットエツチングすることが行な
われている。しかしこのような光による一連の工程では
、光の回折現象等のために解像度に限界があり、寸だウ
ェットエツチングではすゆイドエッチ（バタン部の下に
エッチャントがまわり込みエツチングされてしまう現象
）やエッチャントの不純物の影響のために微細パタンの
エツチングが十分にできなかった。このため近年、光に
代わり波長の短い遠紫外線、電子線等の高エネルギーの
電離放射線を用いて高精度のパタンを形成する技術が開
発さり、ている。またウェットエツチングに代わってガ
スプラズマ、反応性スパッタリング、イオンミリング等
を用いたドライエツチングにより微細パタンのエツチン
グを行なう技術が開発されている。

このように電離放射線を用いてパタンを形成し、ドライ
エツチングを行なう場合に使用するレジストは、電離放
射線に対して高感度に感応し、微細パタンを高精度に形
成することができ、かつドライエツチングに対して高い
耐性を有することが必要である。

従来、電離放射線に感応するレジスト材料とし丁は、例
えばポリスチレンが知られているが・電離放射線に対す
る感度が低いという欠点を有している。

本発明の目的は、電離放射線に対する感度が高く、極微
細パタンを高精度に形成させることができ、かつドライ
エツチングに対して、高り耐性を有する電離放射線感応
性材料を提供することにある。

すなわち、本発明の要旨は、■下記一般式（１）（Ｒ’
　、　Ｒ２，Ｒ３，Ｒ’、　Ｒ５およびＲ６は同一また
は異なり、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロ
ケン原子、ハロアルキル基型たはハロアルコキシ基であ
り、かつＲ２＋　Ｒ３＋　Ｒ４，Ｒ５および■も６の少
なくとも１つがアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、ハロアルキル基型たはハロアルコキシ基である。）
で示される繰り返し構造単位を有する重合体重たは共重
合体、および■ハロアルキル基を有する化合物を含むこ
とを特徴とする感電離放射線樹脂組成物にある。

本発明で使用する重合体重ｆｃは共重合体におりて、前
記一般式（１）で示される繰り返し構造単位の好ましい
割合は、重合体重たは共重合体中の全繰り返し構造単位
数の２０％以上、特に５０％以上である。一般式（Ｉ）
で示される繰り返し構造単位が少ないと、本発明組成物
の電離放射線に対する感度およびドライエツチングに対
する耐性が低下する。

一般式ＣＩ）で示される繰り返し構造単位における好捷
しいＲ１としては、水素原子、メチル基。

メトキシ基、塩素原子、臭素原子、塩化メチル基または
臭化メチル基であり、特に水素またはメチル基が好まし
い。才だ一般式（Ｉ）で示される繰り返し構造単位にお
ける好甘しいＲ２，Ｒ３゜Ｒ，ＲおよびＲとしては水素
原子、メチル基５エチル基、メトキシ基、エトキシ基、
塩素原子、臭累原子、塩化メチル基または臭化メチル基
であり、特に水素原子、メチル基、塩化メチル基が好甘
し込。

捷だ一般式（Ｉ）で示される繰り返し構造単位における
Ｒ２＋　Ｒ３，Ｒ’、　Ｒ５およびＲ６の少なくとも１
つ、好ましくは１〜２つがアルキル基、アルコキシ基、
ハロゲン原子、ノ飄ロアルキル基マたはハロアルコキシ
基であるが、一般式（Ｉ）で示される繰り返し構造単位
を有する重合体才たは共重合体の製造の容易さおよび本
発明の樹脂組成物とした場合の電離放射側に対する感度
の面カラハアルキル基またはノ・ロアルキル基カ好ｔし
く、特にアルキル基が好址しい。

一般式（Ｉ）で示される繰り返し構造単位と共重合体を
形成できる他の繰り返し構造単位としては、スチレン単
位、α−メチルスチレン単位、１−ビニルナフタレン単
位、２−ビニルナフタレン単位、２−ビニルピリジン単
位％　４−ビニルピリジン単位等の芳香族ビニル化合物
単位、メタクリル酸メチル単位、メタクリル酸エチル単
位、メタクリル酸ブチル単位、メタクリル酸グリシジル
単位、アクリル酸メチル単位、アクリル酸エチル単位、
アクリル酸ブチル単位、アクリル酸グリシジル単位等の
（メタ）アクリル酸エステル単位、その他の不飽和エチ
レン化合物単位、例えばメチルイソプロペニルケトン単
位、エチルイソプロペニルケトン単位、無水７１／イン
酸単位、酢酸ビニル単位等、およびブタジェン単位、イ
ソプレン単位等の共役ジエン化合物単位等の構成成分を
挙げることができるが、電離放射線に対する感度および
ドライエツチングに対する耐４生を向上させるためには
、これらの繰り返し構造即位は共重合体中の全繰り返し
構造単位数の８０％未満が好才しぐ、特に５０チ未渦が
好賛しい。

本発明に用いるＩＦ合体才たは共重合体の分子ｉ暑につ
いて、特に制限はないが、本発明組成物の電離放射線に
対する感度をさらに高めるためには１分子量は高い方が
好ｔ　１．、　＜、レジスト等と１−での塗膜形成のた
めの取扱面からは分子量がかい方が好捷しい。２つの相
反する要求を満たすための分子：ｈｌは５数平均分子量
でＪ万から３５０万が好１し、く、より好寸しくは２万
から７０万である。

本発明に用いる沖合体または共重合体は例えば下記の方
法で得ることができる。すなわちＣＨ＝　ＣＲ７ １０ （Ｒ，Ｒ、Ｒ、Ｒ、ＲおよびＲは同−才たは異なり、水
沫原子、アルキル基型たはアルコキシ基を示し、Ｒ８、
Ｒ’ｌ　、　ＲＩＯ、Ｒ１＋およびＲ１２の少がくとも
１つがハロゲン原子、アルキル基捷たはアルコキシ基で
ある）で示される単元体１才たは一般式（Ｉｎで示され
る単量体および一般式（ＩＩ）々共重合可能な他の単量
体を重合捷たは共重合することにより得ることができる
。まり得らｈ、た重合体重たは共重合体を、例えばジャ
ーナル・オブ・アメリカン・り−ミカル・ソサエティー
、７３．２９４０　（１９５１）に記載されているよう
に。

溶媒の存在下、塩化スルフリル、ヨウ素、臭素等のハロ
ゲンラジカル発生能のある化合物および過酸化ベンゾイ
ル、過酸化ラウロイル等のラジカル発生剤を用いてラジ
カル的にハロゲン化することにより、ハロアルキル基ま
たはハロアルコキシ基を有する重合体重たは共重合体を
得ることができ、これらの重合体または共重合体も本発
明に用いることができる。

上記方法において一般式（ＩＪ）で示される単量体とし
ては、例えば、０−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレ
ン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−エチルスチレン、ｍ−エ
チルスチレン、ｐ−エチルスチレン、α、ｍ−ジメチル
スチレン、２゜４−ジメチルスチレン、ｏ−プロピルス
チレン。

ｍ−プロピルスチレン、ｐ−プロピルスチレン。

Ｄ〕−ブチルスチレン、ｐ−ブチルスチレン等の核置換
アルキルスチレン、０−メトキシスチレン、ｍ−メトキ
シスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｍ−エチルスチレ
ン、ｐ−エトキシスチレン＊ｍ−グロボコキシスチレン
、ｐ−グロボキシスチレン、ｐ−ブトキシスチレン等の
核ｆｉｌ　換フルコキシスチレン、０−クロロスチレン
−ｍ−クロロスチレン、ｐ−クロロスチレン、２゜４−
　ジクロロスチレン、ｍ−ブロモスチレン、ｐ−ブロモ
スチレン、２．４−シフロモヌチレン。

ｍ−ヨウ化スチレン、ｐ−ヨウ化スチレン等の核置換ハ
ロゲン化スチレン等を挙けることができ、これらの単量
体を２種以上併用１−でもよい。

一般式（］］）で示される単量体と共重合することので
きる単量体としては、スチレン、α−メチルスチレン、
１−ビニルナフタレン、２−ビニルナフタレン、２−ビ
ニルヒリシン、４−ビニルピリジン等の芳香族ビニル化
合物、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタ
クリル酸ブチル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸
メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリ
ル酸グリシジル等の（メタ）アクリル酸エステル、その
他の不飽和エチレン化合物、例えばメチルイソプロペニ
ルケトン、エチルインプロペニルケトン、無水マレイン
酸、酢酸ビニル等、およびブタジェン、イソプレン等の
共役ジエン化合物等を挙げることができる。

上記方法例おいて、得られた重合体重たは共重合体をラ
ジカル的に／・ロゲン化するときの溶媒としては、ハロ
ゲンラジカルとの相互作用のないものが奸才し２（、四
塩化炭素、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素が特に好
適に用いられる。捷た）・ロゲン化の程度は、通常ノ・
ロケンラジカル発生能のある化合物の使用量によってコ
ントロールすることができる。上記方法の一般的なハロ
ゲン化反応争件ｌ−１、反応溶液中のノ・ロゲン化する
重合体または共重合体の６′々度として３〜２０車ｔ％
、ラジカル発生剤の使用量としてハロゲン化する重合体
重だは共重合体１００重量部に対して０．０１〜５重量
部、反Ｃ５，、活０度として６０〜２００Ｃを挙げるこ
とができる。

本発明に使用する・・ロアルキル基を不する化合物とし
ては、例えば、１，４−ジ（クロロメチル）ベンゼン、
　　１．３−シ（クロロメチル）ベンゼン、　　２．４
−シ（クロロメチル）トルエン、２゜５−ジ（クロロメ
チル）トルエン、３，５−ジ（クロロメチル）トルエン
％　２．５−シ（クロロメチル）−ｐ−キシレン、３，
５−ジ（クロロメチル）−ｐ−キシレン、　　２．４−
シ＜クロロメチル）−３−メチルトルエン、２．５−ジ
（クロロメチル）−３−メｆルトルエン、４．６−シ（
クロロメチル）−３−）ルエン、３，６−ジ（クロロメ
チル）−２−メチルトルエン、　３．５−シ（クロロメ
チル）−２−メチルトルエン、１，２．３−トリ（クロ
ロメチル）ベンゼン＆　　１，２．４−）　’Ｊ　（ク
ロロメチル）ベンゼン％　　１１３１５−　）　１）　
（クロロメチル）ベンゼン、　　２，３．４−）’Ｊ　
（クロロメチル）トルエン、　　２，４．５−）　ＩＪ
　（クロロメチル）ト　ル　エ　ン　、　　　２，５．
６−　　）　　ＩＪ　　（り　ロ　ロ　メ　チ　ル　）
ト　　ルエン、２，４．６−　）す（クロロメチル）ト
ルエン、２．４．６−　トリ（クロロメチル）キシレン
、２，４−シメチル−５−クロロメチルトルエ／　＊　
　１　＋　２＋４．５−テトラ（クロロメチル）ベンゼ
ン、４．４’−ジ（クロロメチル）ビフェニル、３．３
’−ジ（クロロメチル）ビフェニル、　　ｌ、４−シ（
クロロメチル）ナフタレン、１，５−ジ（クロロメチル
）ナフタレン、２，６−ジ（クロロメチル）ナフタレン
、２，７−シ（クロロメチル）ナフタレン、２．３，６
．７−テトラ（クロロメチル）ナフタレン、１．４，５
．８−テトラ（クロロメチル）ナフタレン、４．４’−
シ（クロロメチル）フェニルメタン、３゜３’　−シ（
クロロメチル）フェニルメタン、４．４’−シ（／ロロ
メチル）フェニルエタン、　　３．３′−シ（クロロメ
チル）フェニルエタンｓ　　４＋４’−シ（クロロメチ
ル）ジフェニルエーテル、　　３．３’−シ（クロロメ
チル）ジフェニルエーテル、４．４’−シ（クロロメチ
ル）ジフェニルスルフィド、３．３′−シ（クロロメチ
ル）ジフェニルスルフィト１　４．４’−シ（クロロメ
チル）ジフェニルスルホン、　３．３’−シ（クロロメ
チル）ジフェニルスルホン、　　４．４’−シ＜クロロ
メチル）スチルベン、３．３′−ジ（クロロメチル）ス
チルベン、１，４−ン′（）゛ロモメチル）ベンゼン、
１，３−シ（）゛ロモノチル）ベンゼン、　２．５−シ
＜ブロモメチル）−ｐ−キシレン、１，３．５−トリ（
ブロモメチル）ベンゼン、１．２．４＋５−’Ｆ’　ｌ
−ラ（ブロモメチル）ベンゼン、４．４’−シ（ブロモ
メチル）ビフェニル、３，３′−シ（ブロモメチル）ビ
フェニル、２１６−ジ（ブロモメチル）ナフタレン、１
．４−ジ（ブロモメチル）ナフタレン、１．５−ジ（ブ
ロモメチル）ナフタレン、　　４．４’−ジ（ブロモメ
チル）フェニルメタン、　　３．３’−シ（ブロモメチ
ル）フェニルメタン、　　４．４’−ジ（ブロモメチル
）ジフェニルエーテル、　　３．３’−ジ（ブロモメチ
ル）ジフェニルエーテル、４，４′−シ（ブロモメチル
）フェニルエタン、３．３’−シ（ブロモメチル）フェ
ニルエタン、４．４’−ジ（ブロモメチル）ジフェニル
スルフィド、　　３．３’−シ（’ロモメチル）ジフェ
ニルスルフィド、　　４．４’−２（ブロモメチル）ジ
フェニルスルホン、　　３．３’−シ（ブロモメチル）
ジフェニルスルホン、　４．４’−シ（ブロモメチル）
スチルベン、３．３’−ジ（ブロモメチル）スチルベン
、ｌｌ３−シ（α−クロロエチル）ベンゼン、　　１．
４−シ（α−クロロエチル）ベンゼン、３−（α−クロ
ロエチル＞−クロロメチルベンゼン、４−（α−クロロ
エチル）クロロメチルベンゼン、ｚ、ａ−１（α−ブロ
モエチル）ベンゼン、　　ｉ、４−シ（α−ブロモエチ
ル）ベンゼン。

３−（α−ブロモエチル）ブロモメチルベンゼン。

４−（α−ブロモエチル）ブロモメチルベンゼン等の芳
香族ハロゲン化低級アルキル化合物を挙げることができ
、これらを２種以上併用してもよい。これらの化合物は
、上記重合体または共重合体１００重量部に対して好ま
しくは０２〜３０重量部、特に好ましくは０，５〜２０
重量部添加することができる。

本発明組成物は、安定剤、例えばヒドロキノン、メトキ
シフェノール、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、２．２’−
メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール
）等のヒドロキシ芳香族化合物、ベンゾキノン、ｐ−ト
ルキノン、ｐ−キシロキノン等のキノン化合物、フェニ
ル−β−ナフチルアミン％ｐ、ｐ′−ジフェニルフェニ
レンジアミン等のアミン化合物、ジラウリルチオグロピ
オナート、４，４′−チオビス（６−ｔ−ブチル−３−
メチルフェノール）、２．２’−チオビス（４−メチル
−６−ｔ−ブチルフェノール）、２−　（３，５−ジ−
ｔ−ブチル−４−ヒドロ千ジアニリノ）−４，６−ビス
（Ｎ−オクチルナオ）−３−）　ＩＪアジン等の硫黄化
合物等を０．５〜５重景係程度添加することができる。

壕だ本発明組成物は色素、顔料等を添加することもでき
る。

本発明組成物は、一般にキシレン、エチルベンゼン、ト
ルエン等の石油留分に溶解した溶液で取り扱われる。こ
の場合の本発明組成物の濃度は一般には３〜３０重量襲
である。

本発明によれば、電離放射線の照射によって現像液に不
溶となり、高感度で極微細パターンを高精度に形成する
ことができ、かつドライエツチングに対して高い削性を
有する、ネガ型レジストとして好適な樹脂組成物を提供
することができる。

次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。

実施例１ 内容積２ｉの４つ目丸底フラスコにイ」見回転子金入れ
、系内を窒素で置換し、窒素気流下にシクロヘキサン３
２０９、ｐ−メチルスチレン３５．４９を入れ、系内を
均一溶液としたのち内温を６００に保った。ついで窒素
気流下Ｋｎ−ブチルリチウムの０．５モル／ｉシクロヘ
キサン溶液を２０μ加えて重合を開始づせた６０分後に
重合率は９９％になった。反応浴液を２，６−ジーｔ−
ブチル−ｐ−クレゾールを含むメタノール中に入れ、重
合体を回収し、４０′ｃで１６時間、減圧乾燥した。こ
のようにして得られた重合体のメンプランオスモメータ
ーによって測定した数平均分子量は５×１０４であった
。

上記により得られた重合体１００重量部に対し％２．５
−シ（クロロメチル）−ｐ−キシレン１０重量部を添加
し、キシレンに溶解し１固型分濃度８゜８重量％の溶液
とした。この滓渣を０７μｍの熱酸化膜のついたシリコ
ンウユーハ上に乗せ、２００ｒｐｍで２秒、つづいて４
　＋　００Ｏｒｐｍで３０秒間回転塗布した。５ｏｃｃ
循環式クリーンオーブンで３０分間熱処理したのち膜厚
を測定したところ、０５μｍの塗布膜が形成されていた
。キャノン（株）製露光機ＰＬＡ５２１Ｆを用いて、マ
スクを通して７．４　ｍＷ／ｃｍ２０強度の遠紫外線を
約５秒照射したのちメチルイソブチルケトンで１分間現
像し、イングロビルアルコールを用いて１分間リンスし
た。

この結果３７　ｍＪ／ｃｍ”の照射エネルキーで０６μ
ｍのパターンがマスクに忠実に解像できることが判った
。

実施例２〜７ 実施例】において、２，５−ジ（クロロメチル）−ｐ−
キシレンの代りに表１のノへロメチル化合物を用いた以
外は、まったく同様にして、パターンを形成した。

結果を表１に示す。

表−１ 実施例８ 内容積２ノの４つ日丸底フラヌコに磁気回転子を入れ、
系内を窒素に置換し、窒素気流下にシクロヘキサン３２
０９．Ｐ−メチルスチレン１４．２ｇ、ｒｎ−メチルス
チレン２１．２ｇを入れ系内を均一溶液としたのち、内
温を６０Ｃに保った。ついで窒素気流下に、ｎ−ブチル
リチウム０．５モル／ノシクロヘギザン溶液ヲ１、５　
ｍｌ加えて重合を開始ζせた。６０分後に重合率は１０
０％となった。反応溶液を２　、２’−メチレンビス（
６−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール）を含むメタノ
ール中に入ｆＬ１共７ｆｉ合体を回収し、４０Ｃで１６
時間減圧乾燥し／こ。

このようにして得られた共重合体のメンプランオスモメ
ーターによって測定した数平均分子量は１０Ｘ］、Ｏで
あった。

上記により得られた共重合体１００００重量に対し、２
，５−ジ（クロロメチル）−ｐ−キシレン１０重量部を
添加し、キシレンに溶解して固形分濃度８０重量の溶液
とした。この溶液を０．７μｍの熱酸化膜のついたシリ
コンウェーハ上に乗せ、２０Ｏｒｐｍで２秒、つづいて
４＋００Ｏｒｐｍで３０秒間回転塗布した５８０Ｃの循
環式クリーンオーブンで３０分間熱処理したのち膜厚を
測定したところ、０．５μｍであった。加速電圧２０Ｋ
Ｖで電子線を１２μＣ／ｃｍ２照射したのち酢酸セロソ
ルブで１分間現像し、メチルエチルケトン／イソプロピ
ルアルコール＝　３／ｌ　（容量比）および１／１（容
量比）の２種の混合液を用いて順に２０秒問および６０
秒間リンスした。この結果、０．６μｍのパターンがマ
スクに忠実に解像できることが判った。

比較例１ 内容積２ノの４つ日丸底フラスコに磁気回転子を入れ、
系内を窒素に置換し、窒素気流下ニジクロヘキサン４８
１ｇ、スチレン５２ｇを入れ系内金均−溶液としたのち
、内温を６０ｔＴに保った。ついで窒素気流下にｎ−ブ
チルリチウムの０．５モル／７！シクロヘギサン溶液を
１．４２１ｄ加えて重合を開始させた。６０分後に重合
率は１００％となった。反応溶液を２゜２′−メチレン
ビス（６−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール）を含む
メタノール中に入れ、重合体を回収し、４０ｒで１６時
間減圧乾燥した。このようにして得られた重合体のメン
ブランオスモメーターによって測定した数平均分子量は
１０　Ｘ　１０’であった。

上記により得られた１合体１００　重ｉｔ部に対シ、４
，４′−シ（クロロメチル）ジフェニルメタン１０重量
部を添加し、キシレンに溶解して固型分濃度８．２重量
％とした。この溶液を０７μｍの熱酸化膜のついたシリ
コンウエーノ・土に乗せ、２００ｒｐｍで２秒、つづい
て４　、００Ｏｒｐｍで３０秒間回転塗布した。８０Ｕ
の循環式クリーンオーブンで３０分間熱処理したのち膜
厚を測定したところ０．５ｊｕｎであった。キャノン（
株）製露光機ＰＬＡ５２１Ｆを用いて、マスクを通して
７．４　ｍＷ／ｃｍ”の強度の遠紫外線を約６３秒照射
したのち酢酸イソアミルで１分間現像しイソプロビルア
ルコールヲ用いて１分間リンスした。この結果、４６５
　ｍ　Ｊ／ｃｔｎ２の照射エネルギーでかろうじてパタ
ーンが形成され、解像度は５μｍであった。

実施例９ ｐ−メチルスチレンのかわりに、ｐ−メチルスチレン１
７．７ｇ、スチレン１７．７９を用いた以外、実施例１
と捷った〈同様にして共重合体を得た。上記共重合体の
重合率は１００％で、メンプランオスモメーターによっ
て測定した数平均分子量は４．５　Ｘ　１０’であった
。この共重合体１００重量部に対し、４，４′−ジ（ク
ロロメチル）ジフェニルエタン１０重量部を添加し、キ
シレンに溶解して固形分濃度９．３重量％の溶液とした
。この溶液を０．７μｍの熱酸化膜のついたシリコンウ
ェーハ上に乗せ、２００ｒｐｍで２秒、つづいて４．０
０Ｏｒｐｍで３０秒間回転塗布した。８０Ｃの循環式ク
リーンオープンで３０分間熱処理したのち膜厚を測定し
たところ、０．５μｍの塗布膜が形成されていた。

マスクを通して、加速電圧２０ＫＶで電子線を２０μＣ
／ｃｍ照射したのち、メチルイソブチルールを用いて、
１分間リンスした。この結果、０．６μｍのパターンが
マスクに忠実に解像できた。

実施例１０ 上記実施例１〜９で得たパターンを平行平板型ドライエ
ツチング装置（電極間隔４０　ｍｍ　）にて、エツチン
グガスとしてＣＦ４１０２（９５１５容量比）を用い、
出力１００Ｗ、ガス圧１５ｐａで耐ドライエツチング性
を調べた。

結果を表２に示す。表２より本発明の樹脂組成物から得
たパターンは耐ドライエツチング性に優れていることが
わかる。

表−２ （注）　エツチング速度：ポリメタクリル酸メチルから
なるレジストのエツチング速度（１０００＾／ｍ１ｎ）
を１としたときの相対的エツチング速度を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■　下記一般式（Ｉ） １ ４ （Ｒ”　、　Ｒ２，Ｒ３，Ｒ’、　Ｒ５およびＲ６は同
   −捷たは異なり、水素原子、アルキル基、アルコキシ基
   、ハロゲン原子、／・ロアルキル基または）・ロアルコ
   キシ基であり、かつＲ，Ｒ，Ｒ，ＲおよびＲ６の少なく
   とも１つがアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、
   ノ＼ロアルキル基またはハロアルコキシ基である。）で
   示される繰り返し構造単位を有する重合体重たは共重合
   体、および■ハロアルキル基を有する化合物を含むこと
   を特徴とする感電離放射線樹脂組成物。