JP2002529552A - 部分的に架橋されたポリマーの製造およびパターン形成でのその使用 - Google Patents

部分的に架橋されたポリマーの製造およびパターン形成でのその使用

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Abstract

(57)【要約】 本発明はそれに従って、有機溶媒に可溶な、部分的に架橋された酸に不安定なポリマーを生成する方法に関し、この方法は、１つまたはそれ以上のモノマー単位を有するポリマーであってモノマー単位の少なくとも１つが１つまたはそれ以上の懸垂ＣＯＯＨ基またはヒドロキシル基を含むものを用意し、そしてこのポリマーを酸触媒の存在下でポリビニルエーテルと反応させて少なくとも２つのポリマー鎖の間に結合を形成する工程からなる。得られるポリマーはフォトレジスト処方物中の成分として使用し得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の分野】
本発明は画像を形成するのに使用されるポリマーを生成するための方法に関す
る。より特定的に本発明は、ヒドロキシル基またはＣＯＯＨ基、酸に不安定な保
護基および酸に不安定なポリマー鎖結合基を含む部分的に架橋された酸に不安定
なポリマーの製造に関する。
【０００２】
【発明の背景】
リトグラフィーのための光線の波長は、現在および将来の電子デバイスにとっ
て必要な特徴的寸法（feature size）を作り出すために深紫外（ＤＵＶ）範囲内
へと短くなっている。電子工業では、ＤＵＶ範囲に適合した新規なレジストが開
発されている。このような種類のレジストの１つは化学的に増強されたレジスト
である。
【０００３】 化学的に増幅されたレジスト処方物の主な成分はフォトアシッド生成剤化合物
、ポリマー樹脂およびフォトアシッド生成剤と樹脂とを溶解することができる溶
媒である。化学的に増幅された多くのポジレジストの場合、ポリマー樹脂はポリ
マー樹脂を水性現像剤中に不溶にする酸に不安定な基を含む。照射に際して、フ
ォトアシッド生成剤化合物は酸に不安定な基を開裂させる酸を生成する。化学的
に増幅されたレジストは、大きな興味を惹き、例えば、米国特許第５,０６９,９
９７；５,０３５,９７９；５,６７０,２９９；５,５５８,９７８；５,４６８,５
８９；および５,３８９,４９４号のように、これらの組成物を論じる特許は多数
ある。
【０００４】 化学的に増幅されたレジスト中で樹脂として使用し得る１群のポリマーは、ア
セタール官能性化またはケタール官能性化されたポリマーである。フェノール樹
脂のアルカリ溶解性は、ヒドロキシル基をアセタールまたはケタール基に転化す
ることにより著しく阻害される。典型的にアセタールフェノール樹脂またはケタ
ールフェノール樹脂は、フェノール樹脂を酸触媒の存在下でビニルエーテルと反
応させることにより製造される。
【０００５】 加えて、Imaiらの米国特許第５,６７０,２５９号（Imai）およびSchachtらの
米国特許第５,７１４,５５９号（Schacht）のような特許は、２つのポリマー鎖
の間に架橋された基を用いることを開示している。Imaiでは、架橋基は、基板を
（ｉ）フェノール基またはカルボキシル基を含むポリマーおよび（ii）ビニルエ
ーテル基を２〜４個有する化合物でコートすることにより生成される。基板は次
いで加熱されてポリマー鎖の間に架橋を形成する。
【０００６】 Schachtでは、酸に不安定な架橋はヒドロキシスチレンの反復単位とビニルシ
クロヘキサノールとを含むポリマーを酸触媒の存在下で反応させてアセタールま
たはケタールの架橋を形成することにより形成される。
【０００７】 酸に不安定なポリマーは、フォトアシッド生成剤化合物とともに処方されて化
学的に増幅されたレジスト製品がつくられる。照射に際して、生成された酸が酸
に不安定な保護基を開裂させる結果、水性の現像剤中に可溶なフォトレジストが
生成され、これによって露光されない領域を溶解することなく露光された領域に
おけるポリマーの溶解性が増大する。
【０００８】 Imaiの発明に関する問題は、架橋がベーキング条件に対して感受性が極めて高
い程度であることである。ベーキング条件が厳密に制御されないならば、架橋の
程度には再現性がない。これによってレジストの溶解および露光の特性が変化す
る結果、リトグラフィーのプロセスウインドー（process window）が小さくなる
。
【０００９】 Schachtの特許では、ポリ（ヒドロキシスチレン）、モノビニルエーテルおよ
び酸を使用することにより、異なる２つのポリマーの２つのフェノール単位の間
の架橋が可能であることが示された。しかしながら、２つのポリ（ヒドロキシス
チレン）ポリマー鎖の間の架橋は、モノビニルエーテルと酸との存在下では効率
的で再現性あるプロセスではない。重要な熱的特性およびリトグラフィー特性は
再現性および架橋の程度に依存するので、一貫性のある架橋が必要である。
【００１０】 Schachtはまた、モノビニル−エーテルおよび酸の存在下でフェノール単位と
アルコール単位との間に（シクロヘキサノールのように）架橋が形成されること
を示した。この架橋様式は、ヒドロキシスチレンとヒドロキシ−シクロヘキシル
ビニルモノマーとのポリマーを必要とする。この種のコポリマーはポリ（ヒドロ
キシスチレン）を部分的に水素化することにより製造され、またこのような水素
化ではポリマー中のヒドロキシ−シクロヘキシル部分の濃度に再現性がない。従
って、シクロヘキシル部分の百分率の変動性は架橋の程度および再現性に劇的な
影響を与える。
【００１１】 酸に不安定な、アセタールをベースとするレジストに関する別の問題は、化学
放射線への露光の後に揮発性の副生物が生成することである。この揮発性の副生
物は露光機器のレンズをコートして信頼性に問題を生じる。加えて、揮発性の副
生物はレジストを収縮させ、これは半導体製造にとって好ましくない。
【００１２】 従って、化学的に増幅されたフォトレジスト中の成分として使用するのに好適
な部分的に架橋された酸に不安定なポリマーを再現性をもって製造する方法を提
供することが本発明の目的である。このフォトレジストは強いコントラスト、増
大した感度および改良された高温流動特性を有する。
【００１３】 放射線に露光される時に低揮発性の副生物を有するフォトレジストを与えるこ
とが本発明の別の目的であり、これによって、露光機器の信頼性の問題が緩和さ
れる結果、レジストの収縮が減少する。
【００１４】
【発明の概要】
本発明は有機溶媒に可溶な（organically soluble）、部分的に架橋された酸
に不安定なポリマーを製造する方法に関する。得られる部分的に架橋された酸に
不安定なポリマーは、電子デバイスの製造に使用される化学的に増幅されたレジ
スト組成物を処方するために、溶媒中のフォトアシッド生成剤と配合されること
ができる。得られるレジスト組成物は再現性が著しくまた大きなプロセスウイン
ドーを有する。
【００１５】 本発明に従う有機溶媒に可溶な部分的に架橋された酸に不安定なポリマーを生
成するための一般的な方法は、１つまたはそれ以上のモノマー単位を有するポリ
マーであってモノマー単位の少なくとも１つが１つまたはそれ以上の懸垂ＣＯＯ
Ｈ基またはヒドロキシル基を含むものを用意し、そしてこのポリマーを酸触媒の
存在下でポリビニルエーテルと反応させて少なくとも２つのポリマー鎖の間に結
合を形成する工程を包含する。本発明では、ポリビニルエーテルとは２つまたは
それ以上のビニルエーテルを有する化合物を意味する。
【００１６】 本発明の別の態様では、ＣＯＯＨ基またはヒドロキシ懸垂基を有するモノマー
単位を官能性化することによりケタールまたはアセタールの保護基を形成するた
めにモノビニルエーテルが上記の工程に加えられる。本発明では、モノビニルエ
ーテルとは、ビニルエーテルをただ１つ有する化合物を意味する。
【００１７】 本方法の１つの利点は架橋の程度の再現性が極めて高いことである。ポリマー
を架橋するのに感受性のベークを必要とするImaiの米国特許第５,６７０,２５９
号とは異なり、本発明はその場での架橋を実施し、反応で使用される反応性が大
きいポリビニルエーテルの量を緊密に制御することにより、架橋の程度を再現性
をもって制御することができる。架橋の程度に再現性があるのはまた、反応性が
大きいポリビニルエーテルはポリ（ヒドロキシスチレン）鎖の２つのフェノール
単位の間に架橋を効率的に再現性をもって形成できるからである。このことは、
モノビニルエーテルおよび酸が２つのポリ（ヒドロキシスチレン）鎖の間に架橋
を再現性をもって形成しないSchachtの特許と対照的である。
【００１８】 本発明は、得られる部分的に架橋された酸に不安定なポリマーが、フォトアシ
ッド生成剤と配合され、溶媒中に溶解されて、化学的に増幅されたレジスト組成
物が生成されることも提供する。レジスト組成物には、染料、界面活性剤、安定
化剤などのような他の成分が添加されることができる。
【００１９】 本発明は、有機溶媒に可溶な部分的に架橋された酸に不安定なポリマーによっ
て化学的に増幅されたレジスト組成物を与え、レジスト組成物で基板をコートし
、レジストでコートされた基板を化学放射線に像様に露光し、そしてレジストで
コートされた基板を現像することによりレジスト画像を形成する工程を包含する
、パターンを形成する方法をさらに提供する。基板のさらなる処理はレジスト画
像の形成後に行うことができる。
【００２０】 レジストシステム中に部分的に架橋された酸に不安定なポリマーを使用する利
点は、このポリマーが、高温のプロセス条件に際して流動抵抗を増大するより高
いガラス転移温度を有することである。架橋の程度を緊密に制御できるので、得
られるレジストの所望の熱的特性を容易に得ることができる。加えて、架橋によ
って最終的なポリマーの分子量もまた増大する。ポリマーの露光された領域と露
光されていない領域との間の分子量の大きな差異は、レジストのより大きなコン
トラストおよび改良された解像度およびプロフィールを生じる。さらにまた、架
橋されたポリマーは、現像後にウェーハへの接着がより良い傾向がある。
【００２１】 加えて、酸に不安定なケタールまたはアセタールの保護基が部分的に架橋され
たポリマーに対して利用される場合、コントラストおよび解像度が増大する。酸
に不安定な官能性化された単位が水溶液中に不溶であり、従って、露光されてい
ない領域での現像が防止され、より垂直なプロフィールが得られる。
【００２２】 本発明の別の利点は、有機溶媒に可溶な部分的に架橋されたポリマーが放射線
に露光される時、炭素をより多く含むアセタールまたはケタールの保護基が揮発
性のより低い分解アルコール副生物を有することである。従って、揮発性のアル
コール副生物の量が減少するので、レジストの収縮がより少なく、これによって
露光機器のレンズをコートする可能性がより少ない。また、炭素をより多く含む
アセタール基またはケタール基のアルコール副生物は揮発性でなくまたレジスト
中に残留するので、レジストはより水溶性になる。これによって、露光されたレ
ジストの溶解速度が露光されていないレジストに比べて増大し、より大きいコン
トラストとより良い解像度が得られる。 本発明の別のそしてさらなる目的、利点および特徴は以下の明細書を参照する
ことにより理解されるであろう。
【００２３】
【詳述および態様】
部分的に架橋された酸に不安定なポリマーを製造する方法、部分的に架橋され
た酸に不安定なポリマーを含むフォトレジスト組成物、および本発明に従って、
レジスト画像を形成するためのプロセス工程は以下の通りである。
【００２４】 本発明に従う有機溶媒に可溶な部分的に架橋された酸に不安定なポリマーを生
成するための一般的な方法は、１つまたはそれ以上のモノマー単位を有する反応
体ポリマーであってモノマー単位の少なくとも１つが１つまたはそれ以上の懸垂
ＣＯＯＨ基またはヒドロキシル基を含むものを用意し、そしてこの反応体ポリマ
ーを酸触媒の存在下でポリビニルエーテルと反応させて少なくとも２つのポリマ
ー鎖の間に結合を形成する工程を包含する。ヒドロキシルをベースとする好まし
い反応体ポリマーはフェノール性の、またはヒドロキシシクロアルキルをベース
とするポリマーあるいはこれらの混合物である。フェノールをベースとするより
好ましい反応体ポリマーはポリヒドロキシスチレン（ＰＨＳ）およびノボラック
であり、より好ましいヒドロキシシクロアルキルをベースとする反応体ポリマー
はポリビニルシクロヘキサノールである。
【００２５】 この架橋プロセスには、好適な任意のポリビニルエーテルが使用されてよい。
好ましいポリビニルエーテルは一般式
【化１３】 （式中、Ｙは多価の基であり、Ｒ1、Ｒ2およびＲ19はそれぞれ、水素、線状また
は分枝鎖状のＣ1〜Ｃ18のアルキルまたはハロアルキル、Ｃ3〜Ｃ18のシクロアル
キル、Ｃ6〜Ｃ14の芳香族、Ｃ6〜Ｃ30のアルカリールまたはＣ6〜Ｃ30のアルア
ルキルから独立して選択され、ｎは２またはそれ以上の整数である） を有する。Ｙは線状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ30のアルキレン、ハロアルキレン
またはオキシアルキレン、Ｃ6〜Ｃ10のシクロアルキレンまたは置換されたシク
ロアルキレン、Ｃ6〜Ｃ14の芳香族、Ｃ6〜Ｃ30のアルカリーレンまたはＣ6〜Ｃ3 0 のアルアルキレンであるのが好ましい。
【００２６】 Ｒ1、Ｒ2およびＲ19によって表されるアルキル基には、メチル、エチル、プロ
ピル、ブチル、アミル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウン
デシル、ドデシルなどが含まれるが、これらに限定されない。Ｒ1、Ｒ2およびＲ 19 によって表されるハロアルキルのハロゲンには、塩素、臭素、フッ素およびヨ
ウ素がある。Ｒ1、Ｒ2およびＲ19によって表されるアルアルキル基にはベンジル
、フェネチル、フェニルプロピル、メチルベンジル、メチルフェネチルおよびエ
チルベンジルが含まれるが、これらに限定されない。Ｒ1、Ｒ2およびＲ19は水素
であるのが好ましい。
【００２７】 Ｙによって表されるアルキレン基には、メチレン、エチレン、プロピレン、ブ
チレン、アミレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン、ノニレン、デシレン
、ウンデシレン、ドデシレンなどが含まれるが、これらに限定されない。Ｙによ
って表されるオキシアルキレン基には、オキシメチレン、オキシエチレン、オキ
シプロピレン、オキシブチレン、オキシアミレン、オキシヘキシレンなどがある
。Ｙによって表されるアルアルキル基には、ベンジレン、フェネチレン、フェニ
ルプロピレン、メチルベンジレン、メチルフェネチレンおよびエチルベンジレン
が含まれるが、これらに限定されない。Ｙによって表されるシクロアルキレン基
にはシクロヘキシレンおよび置換されたシクロヘキシレンがある。好ましいＹは
、
【化１４】 である。
【００２８】 ポリビニルエーテルは、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、エチ
レングリコールジビニルエーテル、ブタンジオールジビニルエーテル、ヘキサン
ジメタノールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリ
エチレングリコールジビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエー
テル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、エリスリトールテトラビニ
ルエーテル、ポリ−エチレンオキサイドジビニルエーテルおよびポリ−ブチレン
オキサイドジビニルエーテルからなる群から選択されるのがより好ましい。
【００２９】 本発明の別の態様では、モノビニルエーテルがヒドロキシル基またはＣＯＯＨ
基を官能性化しそしてアセタールまたはケタール保護基を生成するために、上記
したプロセスに加えられる。アセタール化またはケタール化プロセスのために、
好適な任意のビニルエーテルが使用されてよい。モノビニルエーテルは式
【化１５】 (式中、Ｒ3、Ｒ4およびＲ20はそれぞれ、水素、線状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ18 のアルキルまたはハロアルキル、Ｃ3〜Ｃ18のシクロアルキル、Ｃ6〜Ｃ14の芳香
族、Ｃ6〜Ｃ30のアルカリールまたはＣ6〜Ｃ30のアルアルキルから独立して選択
され、またＲ5は、線状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ18のアルキルまたはハロアルキ
ル、Ｃ3〜Ｃ18のシクロアルキル、Ｃ6〜Ｃ14の芳香族、Ｃ6〜Ｃ30のアルカリー
ル、Ｃ6〜Ｃ30のアルアルキルまたは線状、分枝鎖状、環状の芳香族基またはオ
レフィン基である）を有する。
【００３０】 Ｒ3、Ｒ4およびＲ20によって表されるアルキル基には、メチル、エチル、プロ
ピル、ブチル、アミル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウン
デシル、ドデシルなどが含まれるが、これらに限定されない。Ｒ3、Ｒ4およびＲ 20 によって表されるハロアルキルのハロゲンには、塩素、臭素、フッ素およびヨ
ウ素がある。Ｒ3、Ｒ4およびＲ20によって表されるアルアルキル基にはベンジル
、フェネチル、フェニルプロピル、メチルベンジル、メチルフェネチルおよびエ
チルベンジルが含まれるが、これらに限定されない。Ｒ3、Ｒ4およびＲ20は水素
であるのが好ましい。
【００３１】 Ｒ5によって表されるアルキル基には、メチル、エチル、プロピル、ブチル、
アミル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシ
ルなどが含まれるが、これらに限定されない。Ｒ5によって表されるハロアルキ
ルのハロゲンには、塩素、臭素、フッ素およびヨウ素がある。Ｒ5によって表さ
れるアルアルキル基にはベンジル、フェネチル、フェニルプロピル、メチルベン
ジル、メチルフェネチルおよびエチルベンジルが含まれるが、これらに限定され
ない。好ましいＲ5基は、好ましくは６個より多い炭素原子を有する２級および
３級のアルキルである。より好ましいＲ5基は、光分解生成物が１００℃より高
い沸点を有するＣ6〜Ｃ30のアルキル、アルアルキル、またはアルカリールであ
る。沸点がより高い分解副生物は、上記したように、より低い揮発性、レジスト
のより少ない収縮およびより強いコントラストを生む。
【００３２】 より好ましいビニルエーテルはエチルビニルエーテル、ｔ−ブチルビニルエー
テル、シクロヘキシルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテルおよ
びドデシルビニルエーテルである。
【００３３】 本方法にとって好適な他の反応体ポリマーは、フォトレジストのための樹脂と
して典型的に使用されるノボラックである。ノボラックのヒドロキシルの部位は
、酸に不安定な保護基または架橋基を生成するように本方法によって官能性化さ
れてもよい。
【００３４】 ポリマーの反復単位はそれぞれ１つまたはそれ以上のヒドロキシ基またはＣＯ
ＯＨ基を含んでよいことにも注目すべきである。例えば、反応体ポリマーはジヒ
ドロキシフェニル反復単位を含んでよい。酸に不安定な官能性化反応は、官能性
化の全体的な程度に応じてヒドロキシル部位でおきないか、この部位の一方また
は両方で起きる。
【００３５】 ヒドロキシル部位またはＣＯＯＨ部位の官能性化および誘導体化の全体的な程
度は、供給原料中でそれぞれ使用されるモノビニルエーテルおよびポリビニルエ
ーテルの量によって制御される。架橋の程度はポリビニルエーテルの量が増加す
るにつれ増加し、一方アセタール化またはケタール化の程度はモノビニルエーテ
ルの量が増加するにつれ増加する。
【００３６】 反応は好適な任意の順序で実施されることができることに留意すべきである。
例えば、反応体ポリマーはアセタール官能性化またはケタール官能性化されるこ
とができ、その後、得られるポリマーがポリビニルエーテルを利用して架橋され
る。他方、反応体ポリマーはモノビニルエーテルでのアセタールまたはケタール
の保護反応に先立って、最初に架橋されることができる。酸触媒、モノビニルエ
ーテルおよびポリビニルエーテルが、一緒に添加されるのが好ましく、従ってた
だ１つの合成が必要になる。
【００３７】 典型的な合成方式では、ヒドロキシルまたはＣＯＯＨをベースとする反応体ポ
リマーまたはコポリマーが好適な溶媒または溶媒混合物中に溶解される。存在す
る溶媒は反応条件下で不活性であるべきである。好適な溶媒には、芳香族炭化水
素、塩素化炭化水素、エステル、およびエーテル例えばテトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）、１,４−ジオキサン、メチレンクロライド、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、およびジメトキシエタンがある。反
応にとって好ましい溶媒はＴＨＦおよびＰＧＭＥＡである。
【００３８】 上記したこのようなポリマー溶液には、ポリビニルエーテルおよびモノビニル
エーテルが室温で添加される。溶媒中に溶解される反応体ポリマーおよびコポリ
マーの所望の濃度は約１０〜６０重量％である。ポリビニルエーテルの量は、ポ
リマー中のＣＯＯＨ基またはヒドロキシル基の全モル数の約０.０００１〜５モ
ル％で変化するが、一方モノビニルエーテルはＣＯＯＨ基またはヒドロキシル基
の全モル数の約０.０１〜６０モル％で変化する。ポリビニルエーテルの好まし
い範囲は０.１〜１.５モル％であるが、一方モノビニルエーテルは約５〜４０モ
ル％である。
【００３９】 酸触媒が添加され、そして反応混合物が約４〜２４時間撹拌される。好ましい
反応時間は約２０時間である。塩酸、硫酸、マロン酸、蓚酸、パラ−トルエンス
ルホン酸およびピリジニウムパラ−トルエンスルホネート酸のような好適な任意
の酸触媒が使用されてよい。好ましい酸触媒は蓚酸である。酸触媒はポリマーの
重量に基づき約０.０００１〜３.０重量％の範囲の量で添加されてよい。添加さ
れる酸触媒の好ましい量は約０.００１〜０.１重量％である。通常、酸触媒は有
機または無機の塩基によってクエンチされる。誘導されたヒドロキシスチレンを
ベースとする、酸に不安定なポリマーは、非溶媒中での沈殿によるなどの好適な
任意のポリマー単離方法によって単離される。
【００４０】 好ましい態様において、ヒドロキシルをベースとする反応体ポリマーは、式
【化１６】 （式中、Ｘは
【化１７】 あるいはこれらの混合基と定義され、Ｒ6、Ｒ8およびＲ9はそれぞれ独立して、
水素、Ｃ1〜Ｃ4アルキル、ハロゲン、ニトロ、シアノ、またはこれらの組み合わ
せである）を有する。
【００４１】 好ましい反応体ポリマーはヒドロキシルをベースとするポリマー、例えばポリ
ヒドロキシスチレン、ノボラックまたはポリビニルシクロヘキサノールおよびこ
れらの混合物である。
【００４２】 本発明の別の態様では、反応体ポリマーの主鎖の構造は水不溶性モノマー、例
えば、
【化１８】 （式中、Ｒ10は水素、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル、ハロゲン、ニトロ、シアノまたはこ
れらの組み合わせであり、Ｒ11は水素、線状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ18のアル
キルまたはハロアルキル、Ｃ3〜Ｃ18のシクロアルキル、Ｃ6〜Ｃ14の芳香族、Ｃ 6 〜Ｃ30のアルカリールまたはＣ6〜Ｃ30のアルアルキルであり、Ｒ12は水素、メ
チルまたはエチル基、あるいは式−ＣＨ2−ＣＯＯＲ7を有する基であり、Ｒ7は
アルキル基または芳香族基に結合した１級、２級または３級炭素であり、Ｒ13は
価標（valent bond）またはメチレンであり、Ｒ14はアルキル基または芳香族基
に結合した１級、２級または３級炭素であり、Ｘ1は
【化１９】 と定義される） を含むようにさらに変性されてよい。
【００４３】 本発明の別の態様では、ポリヒドロキシスチレンまたはポリビニルシクロヘキ
サノールをベースとするポリマーのような反応体ポリマーは、ｔ−ブトキシカル
ボニルオキシ（ｔ−ＢＯＣ）またはｔ−ブトキシカルボニル−メトキシ（ＢＯＣ
Ｍｅ）官能基を含むようにさらに変性されることができる。ｔ−ＢＯＣ官能基は
ヒドロキシルを含むポリマーおよびコポリマーをジメチルアミノピリジンのよう
な好適な任意の有機または無機の塩基の存在下でジ−ｔ−ブチルジカーボネート
と反応させることによって導入されることができる。同様に、ＢＯＣＭｅ官能基
はポリマーまたはコポリマーをｔ−ブチルブロモアセテートを反応させることに
より導入されることができる。これらの反応の場合、例えば、ヒドロキシスチレ
ンの官能性化されたポリマーのモノマー単位の１つは以下のとおりである：
【００４４】
【化２０】 （式中、Ｒ6は上記で定義したとおりであり、Ｒ16はｔ−ＢＯＣまたはＢＯＣＭ
ｅである）。
【００４５】 従って、アルカリに不溶なモノマー単位は酸感受性であるかまたは酸感受性で
ない基のいずれかを含む。酸感受性の基を有する好ましいモノマー単位には、ｔ
−ブトキシスチレン、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ（ｔ−ＢＯＣ）スチレン、
アセタールで保護されたヒドロキシスチレン、またはｔ−ブチルオキシカルボニ
ル−メチル（ＢＯＣＭｅ）で保護されたヒドロキシスチレン、および／または酸
感受性の（メタ）アクリレート、例えばｔ−ブチル（メタ）アクリレートがある
。酸感受性でない好ましいモノマーには、様々な（メタ）アクリレート、および
置換されたまたは置換されていないスチレン（例えば、スチレン、４−アセトキ
シスチレン）がある。
【００４６】 好ましい他の態様では、反応体ポリマーは以下の反復モノマー単位
【化２１】 を有し、以下に示す式
【化２２】 のいずれかを有する場合による反復単位を有する。
【００４７】 ポリビニルエーテル、酸触媒、モノビニルエーテル、そして場合によるジ−ｔ
−ブチルジカーボネートおよび／またはｔ−ブチルブロモアセテートを、例えば
上記の３つのモノマー反復単位のすべてを有する反応体ポリマーと反応させた後
、得られる有機溶媒に可溶な部分的に架橋されたポリマーは以下のモノマー反復
単位
【化２３】 と、式
【化２４】 （式中、Ｘ、Ｘ1、Ｒ1からＲ20は上記に定義したものであり、ｋは１またはそれ
以上の整数である） から選択される少なくとも１つのモノマー単位とを有する。
【００４８】 より好ましい有機溶媒に可溶な架橋されたポリマーはＩ、II、IIIおよびVIの
反復単位を有する。 有機溶媒に可溶で架橋され酸に不安定なポリマーの反復モノマー単位に関する
好ましいモル％濃度を表Ｉに示す。
【００４９】
【表１】
【００５０】 本発明はさらに、上記のように製造される部分的に架橋された酸に不安定なポ
リマー、フォトアシッド生成剤および、部分的に架橋された酸に不安定なポリマ
ーとフォトアシッド生成剤とをともに溶解することができる溶媒を含むフォトレ
ジスト組成物の処方に関する。フォトレジスト組成物にとって好ましい部分的に
架橋された酸に不安定なポリマーは、部分的に架橋された酸に不安定な好ましい
ポリマーのプロセスおよび上記の組成物の態様にすでに述べたものである。
【００５１】 すでに述べたように、本発明の有機溶媒に可溶な部分的に架橋されたポリマー
は、フォトレジスト中で使用される場合多くの利点をもつ。レジストシステム中
に部分的に架橋された酸に不安定なポリマーを使用する利点は、このポリマーが
より高いガラス転移温度を有し、このため高温のプロセス条件に際して流動抵抗
が増加することである。架橋の程度は緊密に制御されることができるので、得ら
れるレジストに関して所望の熱的特性を達成することができる。加えて、架橋に
よって最終的なポリマーの分子量も増加する。ポリマーの露光された領域および
露光されていない領域の間の分子量の大きな差は、レジストのより強いコントラ
ストおよび改良された解像度およびプロフィールを生む。さらにまた、架橋され
たポリマーは現像後にウェーハへの接着がよくなる傾向をもつ。
【００５２】 加えて、部分的に架橋されたポリマーとともに酸に不安定なケタールまたはア
セタールの保護基が利用される場合、コントラストおよび解像度の増加がある。
酸に不安定な官能性化された単位は水溶液中に不溶であり、従って、露光されて
いない領域での現像を妨げ、より垂直なプロフィールを生じる。
【００５３】 より多くの炭素（６個またはそれ以上の炭素）を含むアセタールまたはケター
ルの保護基は放射線への露光に際して揮発性のより低いアルコール副生物を生成
する。揮発性のアルコール副生物は露光レンズをコートするおそれがあり、その
結果、露光機器の信頼性の問題を増大する。また、炭素をより多く含むアセター
ル基またはケタール基によって生成される非揮発性のアルコール副生物がレジス
ト中に残存し、これによってレジストの収縮が減少し、水溶性が高まる。これに
よって、露光されたレジストの溶解速度が露光されていないレジストと比べて増
加し、より強いコントラストとより良い解像度が生まれる。
【００５４】 フォトレジスト組成物中には好適な任意のフォトアシッド生成剤化合物が使用
されてよい。フォトアシッド生成剤化合物は周知であり、これには例えばジアゾ
ニウム、スルホニウム、スルホキシニウムおよびインドニウム塩のようなオニウ
ム塩、そしてジスルホンが含まれる。好適なフォトアシッド生成剤化合物は例え
ば米国特許第５５５８９７８号および第５４６８５８９号中に開示されており、
これらは参照によって本記載に加入されている。
【００５５】 フォトアシッド生成剤の好適な例は、フェナシルｐ−メチルベンゼンスルホネ
ート、ベンゾインｐ−トルエンスルホネート、α−（ｐ−トルエンスルホニルオ
キシ）メチルベンゾイン３−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−２−ヒドロキ
シ−２−フェニル−１−フェニルプロピルエーテル、Ｎ−（ｐ−ドデシルベンゼ
ンスルホニルオキシ）−１,８−ナフタルイミドおよびＮ−（フェニル−スルホ
ニルオキシ）−１,８−ナフタルイミドである。
【００５６】 好適な別の化合物は、化学放射線の照射に際して再配置されてｏ−ニトロソ安
息香酸、例えば１−ニトロベンズアルデヒドおよび２,６−ニトロベンズアルデ
ヒド、α−ハロアシルフェノン、例えばα,α,α−トリクロロアセトフェノンお
よびｐ−ｔ−ブチル−α,α,α−トリクロロアセトフェノン、そしてｏ−ヒドロ
キシアシルフェノンのスルホン酸エステル、例えば、２−ヒドロキシベンゾフェ
ノンメタンスルホネートおよび２,４−ヒドロキシベンゾフェノンビス（メタン
スルホネート）を生成するｏ−ニトロベンズアルデヒドである。
【００５７】 フォトアシッド生成剤のさらに好適な例は、トリフェニルスルホニウムブロマ
イド、トリフェニルスルホニウムクロライド、トリフェニルスルホニウムヨーダ
イド、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルス
ルホニウムヘキサフルオロアーセネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ジフェニルエチルスルホニウムクロライド、フェナシル
ジメチルスルホニウムクロライド、フェナシルテトラヒドロチオフェニウムクロ
ライド、４−ニトロフェナシルテトラヒドロチオフェニウムクロライドおよび４
−ヒドロキシ−２−メチルフェニルヘキサヒドロチオピリリウムクロライドであ
る。
【００５８】 本発明で使用するための好適なフォトアシッド生成剤の別の例は、ビス（ｐ−
トルエンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニルｐ−トルエンスルホニル
ジアゾメタン、１−シクロ−ヘキシルスルホニル−１−（１,１−ジメチルエチ
ルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１,１−ジメチルエチルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘ
キシルスルホニル）ジアゾメタン、１−ｐ−トルエンスルホニル−１−シクロヘ
キシルカルボニルジアゾメタン、２−メチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）
プロピオフェノン、２−メタンスルホニル−２−メチル−（４−メチルチオプロ
ピオフェノン、２,４−メチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）ペンタ−３−
オン、１−ジアゾ−１−メチルスルホニル−４−フェニル−２−ブタノン、２−
（シクロヘキシルカルボニル）−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、１
−シクロヘキシルスルホニル−１シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１−
ジアゾ−１−シクロヘキシルスルホニル−３,３−ジメチル−２−ブタノン、１
−ジアゾ−１−（１,１−ジメチルエチルスルホニル）−３,３−ジメチル−２−
ブタノン、１−アセチル−１−（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、
１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３,３−ジメチル−２−ブタノ
ン、１−ジアゾ−１−ベンゼンスルホニル−３,３−ジメチル−２−ブタノン、
１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３−メチル−２−ブタノン、シ
クロヘキシル２−ジアゾ−２−（ｐ−トルエンスルホニル）アセテート、ｔ−ブ
チル２−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニルアセテート、イソプロピル−２−ジア
ゾ−２−メタンスルホニルアセテート、シクロヘキシル２−ジアゾ−２−ベンゼ
ンスルホニルアセテート、ｔ−ブチル２ジアゾ−２−(ｐ−トルエンスルホニル)
アセテート、２−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２,６−ジニトロ
ベンジルｐ−トルエンスルホネート、２,６−ジニトロベンジルｐ−トルエンス
ルホネート、２,４−ジニトロベンジルｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホ
ネートである。
【００５９】 フォトアシッド生成剤の好適な他の例は、ヘキサフルオロテトラブロモビスフ
ェノールＡ、１,１,１−トリス（３,５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）
エタンおよびＮ−（２,４,６−トリブロモフェニル）−Ｎ′−（ｐ−トルエンス
ルホニル）尿素である。 フォトアシッド生成剤化合物はポリマー固形物の約０.０００１〜２０重量％
、より好ましくは約１〜１０重量％の量で典型的に使用される。
【００６０】 フォトレジスト組成物のための溶媒およびその濃度に関する選択は、酸に不安
定なポリマー中に含められる官能基の種類、フォトアシッド生成剤、およびコー
ティングの方法に主として依存する。溶媒は不活性であり、フォトレジスト中に
すべての成分を溶解し、成分となんら化学反応をせず、またコーティングの後の
乾燥時に再度除去可能であるべきである。フォトレジスト組成物にとって好適な
溶媒には、ケトン、エーテルおよびエステル、例えばメチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、
２−メトキシ−１−プロピレンアセテート、２−メトキシエタノール、２−エト
キシエタノール、２−エトキシエチルアセテート、１−メトキシ−２−プロピル
アセテート、１,２−ジメトキシエタンエチルアセテート、セロソルブアセテー
ト、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、メチルラクテート、
エチルラクテート、メチルピルベート、エチルピルベート、メチル３−メトキシ
プロピオネート、エチル３−メトキシプロピオネート、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、１,４−ジオキサン、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジ
エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエー
テル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどが含まれるであろう。
【００６１】 追加の態様では、フォトレジスト組成物に塩基添加剤が添加されてよい。塩基
添加剤の目的は、化学放射線によって照射されるのに先立ってフォトレジスト中
に存在する陽子を除去することである。塩基は、酸に不安定な基が好ましくない
酸によって侵されそして開裂されるのを防止し、これによってレジストの性能お
よび安定性が増大する。フォトレジスト組成物が照射された後に酸に不安定な基
の開裂を塩基が妨げるのは好ましくないであろうから、組成物中の塩基の百分率
はフォトアシッド生成剤より著しく低くなければならない。塩基化合物が存在す
る場合、その好ましい範囲は、フォトアシッド生成剤化合物の約３〜５０重量％
である。塩基添加剤の好適な例は２−メチルイミダゾール、トリイソプロピルア
ミン、４−ジメチルアミノピリジン、４,４′−ジアミノジフェニルエーテル、
２,４,５トリフェニルイミダゾールおよび１,５−ジアゾビシクロ［４.３.０］
ノナ−５−エンである。
【００６２】 化学放射線の波長への組成物の吸収を増大するためにフォトレジストに染料が
添加されてよい。染料は組成物を被毒してはならず、またなんらかの熱的な処理
を含めてプロセス条件に耐えることができねばならない。好適な染料の例は、フ
ルオレノン誘導体、アントラセン誘導体またはピレン誘導体である。フォトレジ
スト組成物にとって好適な特定の他の染料は米国特許第５５９３８１２号に記載
されている。
【００６３】 フォトレジスト組成物は接着促進剤およびその界面活性剤のような慣用の添加
剤をさらに含んでよい。当業者なら所望の適切な添加剤およびその濃度を選ぶこ
とができる。
【００６４】 本発明はさらに、以下の工程つまり上記した組成物の１つを含むフォトレジス
トコーティングを基板に施す工程、コーティングを化学放射線に画像様に露光す
る工程、コーティングの放射線の露光されている領域が基板から離れそして画像
形成されたフォトレジストの構造化されたコーティングが基板上に残留するまで
、アルカリ水溶液現像剤によりコーティングを処理する工程からなる、基板上に
パターンを形成する方法に関する。
【００６５】 フォトレジスト組成物は既知のコーティング方法によって基板に均一に施され
る。例えば、コーティングはスピンコーティング、浸漬、ナイフコーティング、
積層、刷毛塗り、噴霧、および逆ロールコーティングによって施されてよい。コ
ーティングの厚さの範囲は一般に、約０.１μmから１０μm以上までにわたる。
コーティングの操作の後、溶媒は一般に乾燥によって除去される。乾燥工程は典
型的に、ソフトベークと称される加熱工程であり、この場合、厚さ、加熱要素お
よびレジストの最終用途に応じて数秒から数分間、好ましくは約５秒〜３０分間
、レジストおよび基板が約５０〜１５０℃の温度まで加熱される。
【００６６】 フォトレジスト組成物は電子工業で異なる多くの用途にとって好適である。例
えば、これは電気メッキレジスト、プラズマエッチレジスト、ソルダレジスト、
印刷板を製造するためのレジスト、ケミカルミリングのためのレジストまたは集
積回路を製造する際のレジストとして使用されることができる。コートされた基
板の可能なコーティングおよびプロセス条件はそれに応じて異なる。
【００６７】 レリーフ構造体を製造するために、フォトレジスト組成物でコートされた基板
は画像様に露光される。『画像様』露光という用語には、予め決定されたパター
ンがあるフォトマスクを通じての露光、コートされた基板の表面上を移動するコ
ンピュータ制御されたレーザービームによる露光、コンピュータ制御された電子
ビームによる露光、そして対応するマスクを通じてのＸ線またはＵＶ線による露
光がすべて含まれる。
【００６８】 使用し得る放射線源は、フォトアシッド生成剤の感受性がある放射線を発する
あらゆる源泉である。例はアルゴンイオン、クリプトンイオン、電子ビームおよ
びｘ線の源泉である。
【００６９】 レリーフ構造体を製造するために上記した方法は、さらなるプロセス的手段と
して、露光と現像剤での処理との間でのコーティング加熱を含むのが好ましい。
『露光後ベーク』と称されるこの熱処理のたすけにより、ポリマー樹脂中の酸に
不安定な基を露光によって発生される酸と事実上完全に反応させることが達せら
れる。この露光後ベークの継続時間および温度は、広い範囲内で変化してよく、
ポリマー樹脂の官能基、酸生成剤の種類およびこれら２つの成分の濃度に本質的
に依存する。露光されたレジストは典型的に数秒から数分間、約５０〜１５０℃
の温度に付される。好ましい露光後ベークは約５秒から３００秒にわたる約８０
〜１３０℃である。
【００７０】 画像様の露光および材料のなんらかの熱処理の後、フォトレジストの露光され
た領域は現像剤中への溶解によって除去される。特定の現像剤の選定は、フォト
レジストの種類に依存し、特にポリマー樹脂の性質または発生する光分解生成物
に依存する。現像剤は有機溶媒またはその混合物が添加されている塩基の水溶液
を含有してよい。特に好ましい現像剤はアルカリ水溶液である。これには、例え
ばアルカリ金属の珪酸塩、燐酸塩、水酸化物および炭酸塩の水溶液が含まれるが
、特にテトラアルキルアンモニウム水酸化物の、より好ましくはテトラメチルア
ンモニウム水酸化物（ＴＭＡＨ）の水溶液が含まれる。所望ならば比較的少量の
湿潤剤および／または有機溶媒もまたこれらの溶液に添加されてよい。
【００７１】 現像工程の後、レジストコーティングを担持する基板は一般に、フォトレジス
トコーティングによって被覆されていない領域で基板を変化させる少なくとも１
つの別の処理工程に付される。これは典型的には、ドーパントのインプランテー
ション、基板上への別の物質の付着または基板のエッチングであってよい。通常
この後に引き続いて、酸素プラズマエッチまたは湿潤溶媒ストリップによって基
板からレジストコーティングが典型的に除去される。
【００７２】 限定するのではなく例示するものである実施例を参照しつつ以下に本発明をさ
らに詳細に説明する。 以下の実施例１および２はアセタールポリマーを生成するのに関わる合成方法
を例示する。
【００７３】 実施例１ 部分的に架橋されたポリ［ｐ−（２−エチルヘキシルオキシエトキシ）スチレン
／ｐ−ヒドロキシスチレン］の合成 ９０ｇのポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（ＰＨＳ）を３１０ｇのプロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）中に室温で溶解するこ
とによりポリマー溶液を調製した。ＰＨＳの重量平均分子量は８０００であり、
また多分散性（ＰＤ）は１.１７であった。６０〜７０℃で蒸留することにより
溶液を濃縮して固形分３０％の溶液をつくった。濃縮されたこの溶液に、１.４
７ｇのシクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、２９.１２ｇの２−エチ
ルヘキシルビニルエーテル（ＥＨＶＥ）および１２０mgの蓚酸を添加しそして室
温で約１６〜２４時間撹拌した。反応の後、４ｇのピリジンを添加しそして２時
間撹拌した。次いで溶液をヘキサン／アセトン／水の溶液で洗浄した。ＰＧＭＥ
Ａ層を分離しそして蒸留して残留するヘキサン／アセトン／水を除去した。ポリ
マーは13Ｃ−ＮＭＲによってＥＨＶＥ基のブロッキング水準が２０〜２２％であ
ることが分かった。ポリマーの分子量は約３４０００であり、ＰＤは約１.７３
であった。
【００７４】 実施例２ 部分的に架橋されたポリ［ｐ−（シクロヘキシルオキシエトキシ）スチレン／ｐ
−ヒドロキシスチレン］の合成 ６０ｇのポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（ＰＨＳ）を３１０ｇのプロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）中に室温で溶解するこ
とによりポリマー溶液を調製した。ＰＨＳの重量平均分子量は８０００であり、
また多分散性は１.１７であった。６０〜７０℃で蒸留することにより溶液を濃
縮して固形分３０％の溶液をつくった。濃縮されたこの溶液に、１.４７ｇのシ
クロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、１５.７５ｇのシクロヘキシルビ
ニルエーテル（ＣＨＶＥ）および９０mgの蓚酸を添加しそして室温で約１６〜２
４時間撹拌した。反応の後、４ｇのピリジンを添加しそして２時間撹拌した。次
いで溶液をヘキサン／アセトン／水の溶液で洗浄した。ＰＧＭＥＡ層を分離しそ
して蒸留して残留するヘキサン／アセトン／水を除去した。ポリマーは13Ｃ−Ｎ
ＭＲによってＣＨＶＥ基のブロッキング水準が２０〜２２％であることが分かっ
た。最終的なポリマーの分子量は約３４０００であり、またＰＤは約１.７３で
あった。
【００７５】 実施例３および４ 実施例１および２で合成されたポリマーのための処方およびリトグラフィーの手
順 実施例１および２で合成されたポリマー（９６.８７５重量％）を、ともに３
重量％のトリフェニルスルホニウム塩（フォトアシッド生成剤）と０.１２５重
量％の塩基添加剤を用いて処方した。上記の成分の濃度は固形物全体の百分率を
基準とする。上記の成分をＰＧＭＥＡ中に溶解して、固形物１６重量％の溶液を
つくった。
【００７６】 処方の後、０.２ｕmのフィルターを通じて濾過しそしてリトグラフィーに直接
使用した。次いで約７８００Åの均一な層厚さを得るようにウェーハを旋回させ
た。フォトレジストでコートしたこのウェーハを１１５℃で６０秒間ソフトベー
クした。フォトレジストでコートされソフトベークされたウェーハを次いでＩＳ
Ｉ ＸＬＳ ７８００ ０.５３ ＮＡステッパー上で波長２４８nmの光線に露光し
た。露光線量は１５mj／cm2であった。露光を完了した後、ウェーハを１００℃
で６０秒、露光後ベーク（ＰＥＢ）にかけた。ＰＥＢに続いて、０.２６Ｎのテ
トラメチルアンモニウム水酸化物水性現像剤を使用することによりウェーハをパ
ドル現像または噴霧現像した。
【００７７】 フォトレジストでコートされ画像形成された各々の基板を、定常波、フィルム
収縮百分率、等しい線／間隔の組の解像度（res.）のようないくつかの重要な特
性に関して評価した。酸に不安定な副生物の揮発性の指標であるフィルム収縮百
分率は、露光前の厚さＴ１と露光後の厚さＴ２とを測定することにより算出した
。フィルム収縮百分率は露光の前後での厚さの差異であり、式（(Ｔ１―Ｔ２)／
Ｔ１）×１００によって算出される。結果を表IIに要約する。
【００７８】
【表２】
【００７９】 結果はフォトレジスト組成物は０.２μmまたはそれ以下の優れた解像度を良好
な感度とともに有することを示す。この組成物は良好なフィルム収縮特性および
定常波特性もまた有する。
【００８０】 実施例５ レジストのプロフィールおよび熱的流動に対する架橋の影響 レジストのプロフィールおよび熱的流動特性に対する架橋の影響を知るために
、架橋のあるそして架橋のないアセタールを含む２つのポリマー試料を合成した
。両方のポリマーはほとんど等しいモル％のＥＨＶＥ基とｔ−ｂｏｃ基とを含ん
だ。架橋のないポリマーは８０００の分子量を有したが、部分的に架橋されたポ
リマーは約３４,０００の分子量を有した。２つのポリマーを実施例１および２
と類似する条件下で合成したが、架橋されないポリマーの合成ではジビニルエー
テルは含まれなかった。両ポリマーをやはり実施例３および４と同じ条件下で処
方しそしてリトグラフィーによって処理した。レジストの露光および現像の後、
ＳＥＭ分析によって類似の解像度が示されたが、部分的に架橋されたポリマーの
プロフィールはより垂直であった。
【００８１】 加えて、部分的に架橋されたポリマーを有するレジストの熱安定性は架橋のな
いレジストより良好であった。このことは、両方のレジストを様々な温度で４分
間ベークすることにより知った。架橋されていないポリマーのレジストのプロフ
ィールは悪化を始め、そして１２０℃で垂直性が減った（より丸みを帯びた）。
対照的に、部分的に架橋されたポリマーのレジストのプロフィールは１３０℃ま
で悪化を開始しなかった。熱的流動が１０℃変化することはプロセスの温度ウィ
ンドーの性能に関する顕著な改善である。 以上は本発明を例示するものであり、これを限定するものとは解されない。本
発明は前記した特許請求の範囲およびこれに包含されるべき同等なものによって
定義される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０８Ｊ 3/24 ＣＥＲ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 ドナルド・フランク・ペリー アメリカ合衆国ロードアイランド州02911． ノースプロヴィデンス．ジョスリンストリ ート30 (72)発明者 ジャクリーン・マリー・マーシャル アメリカ合衆国ロードアイランド州02878． ティヴァートン．メイフラワーウェイ５ (72)発明者 ティモシー・マイクル・ホルト アメリカ合衆国ロードアイランド州02909． プロヴィデンス．パレイドストリート89． フローア２ Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AB16 AB17 AD03 BE00 BE07 BG00 CC03 CC04 CC11 CC20 FA03 FA12 FA17 4F070 AA12 AA18 AA19 AA33 AA38 AB03 AC36 AC63 GA08 GB09 4J100 AB02Q AB03Q AB04Q AB07P AC00P AC00Q AD07P AL02R AL08R AM01P AM01Q AN01P BA03P BA20H BB00P BC23P BC23Q BC43R CA01 CA03 CA04 CA05 CA31 HA13 HA61 HC33 HC63 JA38

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 １つまたはそれ以上のモノマー単位を有する反応体ポリマー
    であってモノマー単位の少なくとも１つが１つまたはそれ以上の懸垂ＣＯＯＨ基
    またはヒドロキシル基を含むものを用意し、そしてこのポリマーを酸触媒の存在
    下でポリビニルエーテルと反応させて少なくとも２つのポリマー鎖の間に結合を
    形成する工程からなる有機溶媒に可溶な部分的に架橋されたポリマーを製造する
    方法。
  2. 【請求項２】 ポリビニルエーテルが、式 【化１】 （式中、Ｙは多価の基であり、Ｒ1、Ｒ2およびＲ19はそれぞれ、水素、線状また
    は分枝鎖状のＣ1〜Ｃ18のアルキルまたはハロアルキル、Ｃ3〜Ｃ18のシクロアル
    キル、Ｃ6〜Ｃ14の芳香族、Ｃ6〜Ｃ30のアルカリールまたはＣ6〜Ｃ30のアルア
    ルキルから独立して選択され、ｎは１またはそれ以上の整数である） を有する請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 Ｙが線状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ18のアルキル、ハロアル
    キルまたはアルコキシ、Ｃ6〜Ｃ10のシクロアルキル、Ｃ6〜Ｃ14の芳香族、Ｃ6
    〜Ｃ30のアルカリールまたはＣ6〜Ｃ30のアルアルキルである請求項２に記載の
    方法。
  4. 【請求項４】 反応体ポリマーがフェノールをベースとするポリマー、ヒド
    ロキシシクロアルキルをベースとするポリマーまたはこれらの混合物である請求
    項３に記載の方法。
  5. 【請求項５】 反応体ポリマーがヒドロキシスチレンをベースとするポリマ
    ーである請求項４に記載の方法。
  6. 【請求項６】 式 【化２】 (式中、Ｒ3、Ｒ4およびＲ20はそれぞれ、水素、線状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ18 のアルキルまたはハロアルキル、Ｃ3〜Ｃ18のシクロアルキル、Ｃ6〜Ｃ14の芳香
    族、Ｃ6〜Ｃ30のアルカリールまたはＣ6〜Ｃ30のアルアルキルから独立して選択
    され、Ｒ5は、線状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ18のアルキルまたはハロアルキル、
    Ｃ3〜Ｃ18のシクロアルキル、Ｃ6〜Ｃ14の芳香族、Ｃ6〜Ｃ30のアルカリール、
    Ｃ6〜Ｃ30のアルアルキルまたは線状、分枝鎖状、環状の芳香族基またはオレフ
    ィン基である） を有するモノビニルエーテルを反応体ポリマーと反応させて、このポリマーのヒ
    ドロキシル基を酸に不安定な保護基と部分的に置き換えることをさらに含む請求
    項４に記載の方法。
  7. 【請求項７】 反応体ポリマーが、式 【化３】 （式中、Ｘは 【化４】 あるいはこれらの混合基と定義され、Ｒ6、Ｒ8およびＲ9はそれぞれ独立して、
    水素、Ｃ1〜Ｃ4アルキル、ハロゲン、ニトロ、シアノ、またはこれらの組み合わ
    せである） の少なくとも１つのモノマー単位を有する請求項６に記載の方法。
  8. 【請求項８】 反応体ポリマーが、式 【化５】 （式中、Ｒ10は水素、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル、ハロゲン、ニトロ、シアノまたはこ
    れらの組み合わせであり、Ｒ11は水素、線状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ18のアル
    キルまたはハロアルキル、Ｃ3〜Ｃ18のシクロアルキル、Ｃ6〜Ｃ14の芳香族、Ｃ 6 〜Ｃ30のアルカリールまたはＣ6〜Ｃ30のアルアルキルであり、Ｘ1は 【化６】 そしてＲ17およびＲ18はそれぞれ独立して水素、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル、ハロゲン
    、ニトロ、シアノまたはこれらの組み合わせである） の少なくとも１つのモノマー単位を有することをさらに含む請求項７に記載の方
    法。
  9. 【請求項９】 反応体ポリマーが、式 【化７】 （式中、Ｒ12は水素、メチルまたはエチル基、あるいは式−ＣＨ2−ＣＯＯＲ7を
    有する基であり、Ｒ7はアルキル基または芳香族基に結合した１級、２級または
    ３級炭素であり、Ｒ13は結合またはメチレンであり、Ｒ14はアルキル基または芳
    香族基に結合した１級、２級または３級炭素である） のモノマー単位を有することをさらに含む請求項７に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 反応体ポリマーを有機または無機の塩基の存在下で少なく
    とも１つのジ−ｔ−ブチルジカーボネートおよびｔ−ブチルハロアセテートと反
    応させて、ｔ−ブトキシカルボニル基および／またはｔ−ブトキシカルボニルメ
    チル基を生成する請求項７に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 ポリビニルエーテルがシクロヘキサンジメタノールジビニ
    ルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、ブタンジオールジビニルエ
    ーテル、ヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニ
    ルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、テトラエチレングリコ
    ールジビニルエーテル、トリメトイルプロパントリビニルエーテル、エリスリト
    ールテトラビニルエーテル、ポリ−エチレンオキサイドジビニルエーテルおよび
    ポリ−ブチレンオキサイドジビニルエーテルからなる群から選択される請求項７
    に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 酸触媒が、塩酸、硫酸、蓚酸、安息香酸、ｐ−ニトロ安息
    香酸、マロン酸、パラ−トルエンスルホン酸、およびピリジニウム−パラ−トル
    エンスルホネートからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 Ｒ5が６個またはそれ以上炭素原子を含む請求項７に記載
    の方法。
  14. 【請求項１４】 モノビニルエーテルが、エチルヘキシルビニルエーテル、
    シクロヘキシルビニルエーテル、ｔ−ブチルビニルエーテルおよびドデシルビニ
    ルエーテルからなる群から選択される請求項７に記載の方法。
  15. 【請求項１５】ポリビニルエーテルがシクロヘキサンジメタノールジビニル
    エーテルであり、モノビニルエーテルがエチルヘキシルビニルエーテルである請
    求項１４に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 以下の式 【化８】 のモノマー単位と、式 【化９】 （式中、Ｘ、Ｘ1、Ｙ、Ｒ1からＲ20は上記の請求項２、３および６から９に定義
    したものであり、ｋは１またはそれ以上の整数である） から選択される少なくとも１つのモノマー単位とを含む有機溶媒に可溶な部分的
    に架橋されたポリマー。
  17. 【請求項１７】 モノマー単位Ｉの量が約０.００１〜５モル％であり、モ
    ノマー単位IIの量が約４０〜９０モル％であり、モノマー単位IIIの量が約１０
    〜５０モル％であり、モノマー単位IVの量が約０〜４０モル％であり、モノマー
    単位Ｖの量が約０〜４０モル％であり、そしてモノマー単位VIの量が約０〜２０
    モル％である請求項１６に記載のポリマー。
  18. 【請求項１８】 モノマー単位Ｉの量が約０.１〜１.５モル％であり、モノ
    マー単位IIの量が約５０〜９０モル％であり、モノマー単位IIIの量が約１０〜
    ３５モル％であり、モノマー単位IVの量が約０〜２５モル％であり、モノマー単
    位Ｖの量が約０〜１０モル％であり、そしてモノマー単位VIの量が約５〜１５モ
    ル％である請求項１６に記載のポリマー。
  19. 【請求項１９】 (ａ) 請求項１の反応によって生成される有機溶媒に可溶
    な部分的に架橋されたポリマー、 (ｂ) フォトアシッド生成剤化合物、そして (ｃ) 成分（ａ）および（ｂ）を溶解することができる溶媒 を含む放射線感受性組成物。
  20. 【請求項２０】 (ａ) 請求項７の反応によって生成される有機溶媒に可溶
    な部分的に架橋されたポリマー、 (ｂ) フォトアシッド生成剤化合物、そして (ｃ) 成分（ａ）および（ｂ）を溶解することができる溶媒 を含む放射線感受性組成物。
  21. 【請求項２１】 (ａ) 式 【化１０】 のモノマー単位と、式 【化１１】 （式中、Ｘ、Ｘ1、Ｙ、Ｒ1からＲ20は上記の請求項２、３および６から９に定義
    したものであり、ｋは１またはそれ以上の整数である） から選択される少なくとも１つのモノマー単位とを含む有機溶媒に可溶な部分的
    に架橋されたポリマー、 (ｂ) フォトアシッド生成剤化合物、そして (ｃ) 成分（ａ）および（ｂ）を溶解することができる溶媒を含む放射線感受
    性組成物。
  22. 【請求項２２】 Ｒ1からＲ4、Ｒ6、Ｒ15、Ｒ19およびＲ20が水素であり、
    Ｒ5がエチルヘキシルであり、Ｒ16がｔ−ｂｏｃであり、Ｘがフェニルであり、
    Ｙが 【化１２】 であり、モノマー単位IVおよびＶのモル％が０％である請求項２１に記載の組成
    物。
  23. 【請求項２３】 フォトアシッド生成剤がオニウム塩である請求項２０に記
    載の組成物。
  24. 【請求項２４】 フォトアシッド生成剤の量が、有機溶媒に可溶な部分的に
    架橋されたポリマーの重量の約１〜１０％である請求項２０に記載の組成物。
  25. 【請求項２５】 塩基添加剤をさらに含む請求項２０に記載の組成物。
  26. 【請求項２６】 界面活性剤をさらに含む請求項２０に記載の組成物。
  27. 【請求項２７】 染料をさらに含む請求項２０に記載の組成物。
  28. 【請求項２８】 ａ) 請求項１９の放射線感受性組成物で基板をコートし、 ｂ) フォトレジスト組成物を化学放射線に像様に露光し、そして ｃ) フォトレジスト組成物を現像剤で現像してレジスト画像を形成する ことからなる基板上にレジスト画像を形成する方法。
  29. 【請求項２９】 化学放射線が深ＵＶ放射線である請求項２８に記載の方法
    。
  30. 【請求項３０】 現像剤がテトラメチルアンモニウム水酸化物を含む請求項
    ２８に記載の方法。
  31. 【請求項３１】 工程（ｂ）および（ｃ）の間で、フォトレジストと基板と
    を約５０〜１５０℃に約５〜３００秒間加熱する工程をさらに包含する請求項２
    ８に記載の方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7105265B2 (en) 2003-12-12 2006-09-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method for removing resist pattern
US7329478B2 (en) 2003-05-22 2008-02-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical amplified positive photo resist composition and method for forming resist pattern
WO2019054136A1 (ja) * 2017-09-14 2019-03-21 共栄社化学株式会社 熱硬化性樹脂組成物

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100421034B1 (ko) * 1999-04-21 2004-03-04 삼성전자주식회사 레지스트 조성물과 이를 이용한 미세패턴 형성방법
JP3285086B2 (ja) * 1999-05-20 2002-05-27 日本電気株式会社 化学増幅型レジスト組成物
EP1126321A1 (en) * 2000-02-10 2001-08-22 Shipley Company LLC Positive photoresists containing crosslinked polymers
JP2002122986A (ja) * 2000-10-16 2002-04-26 Kansai Paint Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性ドライフィルム、その組成物を使用して得られる材料及びパターン形成方法
KR100813458B1 (ko) * 2003-05-20 2008-03-13 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 레지스트패턴형성방법
JP4893270B2 (ja) * 2006-11-29 2012-03-07 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
US8715918B2 (en) * 2007-09-25 2014-05-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Thick film resists
US8168691B2 (en) * 2009-02-09 2012-05-01 International Business Machines Corporation Vinyl ether resist formulations for imprint lithography and processes of use
US20110254932A1 (en) * 2010-04-19 2011-10-20 Zoran Corporation 3d display using partial screen illumination and synchronized shutter glass
CN101943862B (zh) * 2010-09-17 2012-05-23 同济大学 一类以二苯乙烯为主体的硫鎓盐类光生酸剂及其制备方法
TW201224190A (en) * 2010-10-06 2012-06-16 Applied Materials Inc Atomic layer deposition of photoresist materials and hard mask precursors
TWI617629B (zh) * 2013-05-01 2018-03-11 Jsr股份有限公司 具有凹圖案的基材的製造方法、組成物、導電膜的形成方法、電子電路及電子元件
US9666427B2 (en) * 2013-06-21 2017-05-30 Lam Research Corporation Method of collapse-free drying of high aspect ratio structures
US9466511B2 (en) 2014-09-18 2016-10-11 Lam Research Corporation Systems and methods for drying high aspect ratio structures without collapse using stimuli-responsive sacrificial bracing material
US10068781B2 (en) 2014-10-06 2018-09-04 Lam Research Corporation Systems and methods for drying high aspect ratio structures without collapse using sacrificial bracing material that is removed using hydrogen-rich plasma
US10008396B2 (en) 2014-10-06 2018-06-26 Lam Research Corporation Method for collapse-free drying of high aspect ratio structures
US11385543B2 (en) 2016-08-09 2022-07-12 Merck Patent Gmbh Enviromentally stable, thick film, chemically amplified resist
TW202043922A (zh) * 2019-02-22 2020-12-01 美商蘭姆研究公司 用於製作極紫外光可圖案化硬遮罩的光阻
WO2022056146A1 (en) 2020-09-14 2022-03-17 Chevron Phillips Chemical Company Lp Transition metal-catalyzed production of alcohol and carbonyl compounds from hydrocarbons

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999015935A1 (fr) * 1997-09-22 1999-04-01 Clariant International Ltd. Nouveau procede de preparation de vernis a couvrir

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2623309B2 (ja) * 1988-02-22 1997-06-25 ユーシービー ソシエテ アノニム レジストパターンを得る方法
DE3817012A1 (de) * 1988-05-19 1989-11-30 Basf Ag Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern
DE3837438A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-10 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE3935451A1 (de) * 1989-10-25 1991-05-02 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
JP3030672B2 (ja) * 1991-06-18 2000-04-10 和光純薬工業株式会社 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法
US5496678A (en) * 1993-04-16 1996-03-05 Kansai Paint Co., Ltd. Photosensitive compositions containing a polymer with carboxyl and hydroxyphenyl groups, a compound with multiple ethylenic unsaturation and a photo-acid generator
EP0659781A3 (de) * 1993-12-21 1995-09-27 Ciba Geigy Ag Maleinimidcopolymere, insbesonder für Photoresists.
EP0718316B1 (en) * 1994-12-20 2000-04-05 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Crosslinked polymers
DE69624968T2 (de) * 1995-04-21 2003-11-06 Arch Specialty Chemicals, Inc. Vernetzte Polymere
US5547812A (en) * 1995-06-05 1996-08-20 International Business Machines Corporation Composition for eliminating microbridging in chemically amplified photoresists comprising a polymer blend of a poly(hydroxystyrene) and a copolymer made of hydroxystyrene and an acrylic monomer
US5648196A (en) * 1995-07-14 1997-07-15 Cornell Research Foundation, Inc. Water-soluble photoinitiators
JP3570477B2 (ja) * 1997-01-24 2004-09-29 信越化学工業株式会社 高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
JPH10268508A (ja) * 1997-01-27 1998-10-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 部分水素化高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999015935A1 (fr) * 1997-09-22 1999-04-01 Clariant International Ltd. Nouveau procede de preparation de vernis a couvrir

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7329478B2 (en) 2003-05-22 2008-02-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical amplified positive photo resist composition and method for forming resist pattern
US7105265B2 (en) 2003-12-12 2006-09-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method for removing resist pattern
WO2019054136A1 (ja) * 2017-09-14 2019-03-21 共栄社化学株式会社 熱硬化性樹脂組成物

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