JPS58190833A - 光フアイバの製造方法 - Google Patents
光フアイバの製造方法Info
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- JPS58190833A JPS58190833A JP58059401A JP5940183A JPS58190833A JP S58190833 A JPS58190833 A JP S58190833A JP 58059401 A JP58059401 A JP 58059401A JP 5940183 A JP5940183 A JP 5940183A JP S58190833 A JPS58190833 A JP S58190833A
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- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 25
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- -1 fluorocarbon compound Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N hexafluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)F WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 16
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 abstract 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWSWMKELFKJMC-UHFFFAOYSA-N CC.F.F.F.F.F.F Chemical compound CC.F.F.F.F.F.F CRWSWMKELFKJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000005495 cold plasma Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- VHPYNVZYZFYVII-UHFFFAOYSA-N fluoroethane Chemical compound [CH2]CF VHPYNVZYZFYVII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical compound C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
- C03B37/01815—Reactant deposition burners or deposition heating means
- C03B37/01823—Plasma deposition burners or heating means
- C03B37/0183—Plasma deposition burners or heating means for plasma within a tube substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01876—Means for heating tubes or rods during or immediately prior to deposition, e.g. electric resistance heaters
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
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- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S65/15—Nonoxygen containing chalogenides
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- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は管の内壁をこ弗素化合物でエツチングを行い、
次いで反応を開始させる為、非等温プラズマを使用しな
がら、このエツチングを行った表面上（こコアガラスを
化学的に蒸着堆積させることに・よる光ファイバの製造
方法に関するものである。
次いで反応を開始させる為、非等温プラズマを使用しな
がら、このエツチングを行った表面上（こコアガラスを
化学的に蒸着堆積させることに・よる光ファイバの製造
方法に関するものである。
本明細書においてコアガラスとは、管の内側上に堆積さ
せるガラスを意味する。従って、この明細書中のコアガ
ラスとは気相より蒸着させる、例えばマツチング層をも
含むものであり、光学的に１・・は光ファイバのコアに
属さないものを含むものである。光ファイバのコアとは
、光ファイバの一部分であって、その屈折率がこの部分
を囲んでいる光ファイバの他の部分に比較して階段状に
増加する（ステップ付インデックス）、又は徐々に増加
１・する（グラディエンドインデックス）部分を意味す
るものである。この管はドープした、又はドープしない
溶融珪素（シリカ）を含むガラスより成る。
せるガラスを意味する。従って、この明細書中のコアガ
ラスとは気相より蒸着させる、例えばマツチング層をも
含むものであり、光学的に１・・は光ファイバのコアに
属さないものを含むものである。光ファイバのコアとは
、光ファイバの一部分であって、その屈折率がこの部分
を囲んでいる光ファイバの他の部分に比較して階段状に
増加する（ステップ付インデックス）、又は徐々に増加
１・する（グラディエンドインデックス）部分を意味す
るものである。この管はドープした、又はドープしない
溶融珪素（シリカ）を含むガラスより成る。
非等温プラズマを利用する化学的蒸着堆積工程・・＋８
ノ とは本明細書Ｏこおいては冷プラズマを管に対し往１復
させながら酸素と四塩化珪素を管に通過させて行う工程
を意味するものである。この混合ガス０こは、蒸着ガラ
スの屈折率を増加させ、或いは減少させるドーパントを
加えることができる。管内のガス圧は１．．５Ｘ １０
ｐａ（１５０ミリバール）より小とし、特に１０２
と８×１０８Ｐａ（１〜８０ミリバール）の間とするを
可とする。この蒸着堆積中には、ガラス管を１０００°
Ｃと１２００°Ｃの間の温度に加熱する。この温度にお
いて上述の如く使用１゛□する圧力の下では、気相内で
ガラスのすす（スート）を形成すするような熱反応は生
じない。然しなから、加熱を行っている為、塩素は蒸着
堆積するガラス層内に含有されることがない。このガラ
ス管を圧潰し、プレフォームを形成し、又この圧ｆＩ！
′により形成したプレフォームより光ファイバを引抜き
で形成する工程中に塩素が含まれると、塩素はガラスに
気泡（バブル）を生ずることとなる。
ノ とは本明細書Ｏこおいては冷プラズマを管に対し往１復
させながら酸素と四塩化珪素を管に通過させて行う工程
を意味するものである。この混合ガス０こは、蒸着ガラ
スの屈折率を増加させ、或いは減少させるドーパントを
加えることができる。管内のガス圧は１．．５Ｘ １０
ｐａ（１５０ミリバール）より小とし、特に１０２
と８×１０８Ｐａ（１〜８０ミリバール）の間とするを
可とする。この蒸着堆積中には、ガラス管を１０００°
Ｃと１２００°Ｃの間の温度に加熱する。この温度にお
いて上述の如く使用１゛□する圧力の下では、気相内で
ガラスのすす（スート）を形成すするような熱反応は生
じない。然しなから、加熱を行っている為、塩素は蒸着
堆積するガラス層内に含有されることがない。このガラ
ス管を圧潰し、プレフォームを形成し、又この圧ｆＩ！
′により形成したプレフォームより光ファイバを引抜き
で形成する工程中に塩素が含まれると、塩素はガラスに
気泡（バブル）を生ずることとなる。
蒸着堆積中に加熱を行うと圧潰工程中に蒸着堆積層にク
ラック（′＃ｌれ目）が生ずることが防止され□゛（４
） る。
ラック（′＃ｌれ目）が生ずることが防止され□゛（４
） る。
従来ガラスによる光ファイバを製造する。こあたっては
、ガラス管又は基体として作用するドープした、又はド
ープしない溶融珪素管の内面を充分に清浄化するのが普
通であった。従来既知の方法・は、弗化水素酸溶液を用
いてリンスを行うものであり、管のごくわずかな厚さが
エツチングＧこより除去されていた。このエツチング処
理の後、水による長時間のリンス工程を加え、更に乾燥
を行っていた。
、ガラス管又は基体として作用するドープした、又はド
ープしない溶融珪素管の内面を充分に清浄化するのが普
通であった。従来既知の方法・は、弗化水素酸溶液を用
いてリンスを行うものであり、管のごくわずかな厚さが
エツチングＧこより除去されていた。このエツチング処
理の後、水による長時間のリンス工程を加え、更に乾燥
を行っていた。
本発明の目的は、上述のように手間のかがるリンスおよ
び乾燥工程を省略し得る弗素化合物を用イタエツチング
方法を得るにある。
び乾燥工程を省略し得る弗素化合物を用イタエツチング
方法を得るにある。
反応を開始させるため、管に沿って往復する熱源を使用
する光ファイバの製造方法において、こ１′のような熱
源を使用し、弗素と水素を有する１又は１以上の炭化水
素化合物より弗化水素酸を形成することは、すでに提案
がなされている（例えばドイツ国特許第８０００９５４
号）。気相弗化水素（ＨＦ）は、強力なエツチング剤で
あって、この−“ため遊離した弗化水素が雰囲気に漏れ
ることを防Ｉぐため、特別の注意を払う必要がある。
する光ファイバの製造方法において、こ１′のような熱
源を使用し、弗素と水素を有する１又は１以上の炭化水
素化合物より弗化水素酸を形成することは、すでに提案
がなされている（例えばドイツ国特許第８０００９５４
号）。気相弗化水素（ＨＦ）は、強力なエツチング剤で
あって、この−“ため遊離した弗化水素が雰囲気に漏れ
ることを防Ｉぐため、特別の注意を払う必要がある。
コアガラスの蒸着堆積のため非等温プラズマ工程を使用
する場合、上述の独国特許第８０００９４５ ＠に記載
したような方法は、使用することができな・い。これは
、この独国特許に記載されたようなガスよりは、遊１ｉ
ＪＩＩＨＦが形成されるような温度に管をその全長に亘
って加熱するからである。
する場合、上述の独国特許第８０００９４５ ＠に記載
したような方法は、使用することができな・い。これは
、この独国特許に記載されたようなガスよりは、遊１ｉ
ＪＩＩＨＦが形成されるような温度に管をその全長に亘
って加熱するからである。
非等温プラズマ蒸着工程では、真空ポンプを用いて低圧
を維持する。このような場合、ポンプにｉ・・ＨＦが到
達するようなことがあると、これはポンプの良好な作動
を妨害するため、極めて有害である。
を維持する。このような場合、ポンプにｉ・・ＨＦが到
達するようなことがあると、これはポンプの良好な作動
を妨害するため、極めて有害である。
このため、本発明の方法においては、管に沿って非等温
プラズマを往復させながら、管に水素を１含有しない弗
繁化合物を通過させて管の内壁をエツチング除去するこ
とを特徴とする。
プラズマを往復させながら、管に水素を１含有しない弗
繁化合物を通過させて管の内壁をエツチング除去するこ
とを特徴とする。
この目的に対し、適当な化合物はＦ２０Ｆ、であり、蒸
発させるべき、気相および液相の水素を含有しない弗素
化合物は例えば、ＯＦ、およびＯＦ６である６この水素
を含有しない弗素化合物は、酸素と混合１させて使用し
遊離炭素が形成さｎることを防止し、又ポリマーが生ず
ることを防止するのが好ましい。
発させるべき、気相および液相の水素を含有しない弗素
化合物は例えば、ＯＦ、およびＯＦ６である６この水素
を含有しない弗素化合物は、酸素と混合１させて使用し
遊離炭素が形成さｎることを防止し、又ポリマーが生ず
ることを防止するのが好ましい。
この混合気中の酸素の量は、弗化炭素化合物内Ｇこ存す
る全ての炭素を二階化炭素（Ｄｏ、）に変換する・に充
分な量とするのが好ましい。
る全ての炭素を二階化炭素（Ｄｏ、）に変換する・に充
分な量とするのが好ましい。
本発明者等の研究によると、非等温プラズマの影響によ
り、管壁のエツチングが行われ、ｓｉ、ｉｒ。
り、管壁のエツチングが行われ、ｓｉ、ｉｒ。
が形成され、かつガラス管壁土又は壁内にあもゆる不純
物は、分解しやすい弗素化合物となることＩｎがわかっ
た。
物は、分解しやすい弗素化合物となることＩｎがわかっ
た。
以下回向により本発明を説明する。
図面は管の内面を清掃し、その内側にコーティングを行
う装置の略図を示すものである。この管は後に圧潰して
プレフォームを形成し、このプレ１′フオームは引抜き
Ｑこより光ファイバを製造する。
う装置の略図を示すものである。この管は後に圧潰して
プレフォームを形成し、このプレ１′フオームは引抜き
Ｑこより光ファイバを製造する。
図面の装置は内径が６ｍでガラス層を有する石英ガラス
（溶融シリカ）等の管１の内側にコーティングを設ける
装置を示す。管１は、炉ｚ内に配置する。このガラス層
に堆積を行う間において炉−″の温度は１１５０°Ｃに
保持する。酸素と５ｉＯｊ４の１混合気および必要なド
°−バントをこれに混ぜたものを管１内（こ通過さけ、
また共振キャビティ８を管１＆こ沿って往復させ管・１
内にプラズマを発生させることにより、ガラス層に蒸着
を行う。頁空ポンプ４によって、２．５ ｘ １０ Ｐ
ａ （２５ミリバール）の圧力を維持する。実際の蒸着
堆積工程を開始する前に六弗化エタンを貯槽１０より制
御装置６を通じて供給し、又酸素を貯槽１１より制御装
置７を通じこれら全ガス混合装＠６に供給し、これよ１
・・り管ｌ内昏ここれらの混合気を導入する。Ｏ，Ｆ、
：０□の混合比は最大でｌ：２とするを可とし、遊離
する全ての炭素はこれを００２Ｇこ変え得るようにする
と好都合である。共振キャビティ３は８ｍ／分の速度で
管に対し往復移動させ、又これによりこのＩ・管には２
．４５ Ｇｌ（Ｚの周波数で２００Ｗ（ワット）のエネ
ルギーを結合供給する。この管内の圧力は２．５Ｘ１０
Ｐａ（２５ミリバー／ｌ／）Ｇこ維持するが、もしプラ
ズマの非等温特性を変化させず、等温プラズマとした場
合Ｇこは、この圧力は遥かに高くな・・る。これは一般
に１．５ Ｘ １０ Ｐａ （１５０ミリバ１−ル）
より上となる。このような場合には、５ＩＦ４＋０２の
反応によって気相内に粉末Ｓｉｎ、が形成される危険が
ある。プラズマの影響により８２Ｆ６より特に弗素原子
が形成され、プラズマの牟じて。
（溶融シリカ）等の管１の内側にコーティングを設ける
装置を示す。管１は、炉ｚ内に配置する。このガラス層
に堆積を行う間において炉−″の温度は１１５０°Ｃに
保持する。酸素と５ｉＯｊ４の１混合気および必要なド
°−バントをこれに混ぜたものを管１内（こ通過さけ、
また共振キャビティ８を管１＆こ沿って往復させ管・１
内にプラズマを発生させることにより、ガラス層に蒸着
を行う。頁空ポンプ４によって、２．５ ｘ １０ Ｐ
ａ （２５ミリバール）の圧力を維持する。実際の蒸着
堆積工程を開始する前に六弗化エタンを貯槽１０より制
御装置６を通じて供給し、又酸素を貯槽１１より制御装
置７を通じこれら全ガス混合装＠６に供給し、これよ１
・・り管ｌ内昏ここれらの混合気を導入する。Ｏ，Ｆ、
：０□の混合比は最大でｌ：２とするを可とし、遊離
する全ての炭素はこれを００２Ｇこ変え得るようにする
と好都合である。共振キャビティ３は８ｍ／分の速度で
管に対し往復移動させ、又これによりこのＩ・管には２
．４５ Ｇｌ（Ｚの周波数で２００Ｗ（ワット）のエネ
ルギーを結合供給する。この管内の圧力は２．５Ｘ１０
Ｐａ（２５ミリバー／ｌ／）Ｇこ維持するが、もしプラ
ズマの非等温特性を変化させず、等温プラズマとした場
合Ｇこは、この圧力は遥かに高くな・・る。これは一般
に１．５ Ｘ １０ Ｐａ （１５０ミリバ１−ル）
より上となる。このような場合には、５ＩＦ４＋０２の
反応によって気相内に粉末Ｓｉｎ、が形成される危険が
ある。プラズマの影響により８２Ｆ６より特に弗素原子
が形成され、プラズマの牟じて。
いる部分の管壁にエツチングを行い、又ＳｉＦ、が形成
される。かく形成されたＳｉＦ、は酸素と共に、また存
している場合には変換されない０．ａＦ６と００２およ
びその他のガス反応成分はポンプ４により吸引排出され
る。このエツチング工程は炉２の１、・加熱中（こ行う
を可とし、この加熱は例えば１５分間で行う。所望の温
度に到達した後、弗素化合物の流通を停止させ、ガラス
層の堆積を従来の方法と同様にして行う。この目的Ｇこ
対しては、５ｉａｚ。
される。かく形成されたＳｉＦ、は酸素と共に、また存
している場合には変換されない０．ａＦ６と００２およ
びその他のガス反応成分はポンプ４により吸引排出され
る。このエツチング工程は炉２の１、・加熱中（こ行う
を可とし、この加熱は例えば１５分間で行う。所望の温
度に到達した後、弗素化合物の流通を停止させ、ガラス
層の堆積を従来の方法と同様にして行う。この目的Ｇこ
対しては、５ｉａｚ。
を設けである貯槽１２を通じ酸素を、更に制御装置５置
８を通じガス混合装置すに導入し、これに必要に応じ貯
槽１８と制御装置９を通じガス混合装置に送られるドー
パントを酸素と混合させ、これを管に流通させる。これ
らの全ての工程は、ヨーロッパ笥許出１Ｉｆｔ００２８
０６６および米国特許第 ・・４．８１４，８８８
号（ＳＮ １６９ ａ４ｓ）に記載されている。１この
ような層を充分な数設けた後、管を通常の方法で圧潰さ
せ、プレフォームを形成し、次いでソリッド状のプレフ
ォームを引抜いて、光ファイバを作る。
８を通じガス混合装置すに導入し、これに必要に応じ貯
槽１８と制御装置９を通じガス混合装置に送られるドー
パントを酸素と混合させ、これを管に流通させる。これ
らの全ての工程は、ヨーロッパ笥許出１Ｉｆｔ００２８
０６６および米国特許第 ・・４．８１４，８８８
号（ＳＮ １６９ ａ４ｓ）に記載されている。１この
ような層を充分な数設けた後、管を通常の方法で圧潰さ
せ、プレフォームを形成し、次いでソリッド状のプレフ
ォームを引抜いて、光ファイバを作る。
本発明方法の利点は、水素が全く存在しない間Ｏこ、す
なわち水素を全く存在させずにエツチング工程が行われ
るので、管壁のいずれの材料にも水素が混ざる恐れがな
く、例えば水酸基（−ＯＨ，／−イドロキシル）群の形
状で存することがないことであ１′□る。
なわち水素を全く存在させずにエツチング工程が行われ
るので、管壁のいずれの材料にも水素が混ざる恐れがな
く、例えば水酸基（−ＯＨ，／−イドロキシル）群の形
状で存することがないことであ１′□る。
また、他の利点は任意の適当な・ガス混合物を使用し得
ることである。
ることである。
更Ｇこ他の利点は円囲温度においても、すぐＧこエツチ
ングを開始し得ることである。この管がその１′□全長
に亘りコアガラス材料の蒸着堆積に必要とする所望温度
にまで加熱されるまでの間にも、このエツチング工程は
継続される。この結果、製造工程の所要時間が大幅に短
縮される。これは、従来の工程においては、管のエツチ
ング（こは別な単独′□゛工程を用い、次いでこれを弗
化水素酸溶液でリン１スを行い、また水で洗浄し乾燥す
る工程をとっていたが、本発明ではこれらが省略される
がらである。
ングを開始し得ることである。この管がその１′□全長
に亘りコアガラス材料の蒸着堆積に必要とする所望温度
にまで加熱されるまでの間にも、このエツチング工程は
継続される。この結果、製造工程の所要時間が大幅に短
縮される。これは、従来の工程においては、管のエツチ
ング（こは別な単独′□゛工程を用い、次いでこれを弗
化水素酸溶液でリン１スを行い、また水で洗浄し乾燥す
る工程をとっていたが、本発明ではこれらが省略される
がらである。
本発明方法Ｇこよるときは、管の内側は極めて効−゛率
的にエツチングされ、又研摩される。これによって、良
質の光ファイバが得られる。
的にエツチングされ、又研摩される。これによって、良
質の光ファイバが得られる。
図面は管の内面を清浄化し、かつコーティングを行う本
発明の製造方法に用いる装置の簡略化しく′た断面図で
ある。 １・・・管 ２・・・炉８・・・共振キ
ャビティ ４・・・真空ポンプ５・・・ガス混合装置 ６．７，８．９・・・制御装置 １０．１１，１２．１８・・・貯槽（レザーバ）。 手続補正書 昭和５８ 年６ 月 ７ 日 １、事件の表示 昭和５８年 特許 願第５９４・０１号２、発明の名称 光ファイバの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペ
ンファブリケン 電話（５８１） ２２４１番（代表） ５゜ ６、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄 明細書の特許請求の範囲を次のとおりに訂正す・る。 ［２、特許請求の範囲 １ 管の内壁を弗素化合物でエツチングを行い、次いで
反応を開始させる為、非等。 温プラズマを使用しながら気相よりコアガラスを化学的
に蒸着し堆積させ、然る後、管を圧潰させ、ファイバを
形成するように引抜く光ファイバの製造方法において、 管に非等温プラズマを反復通過させな がら、気相状態の水素を含有しない弗素化合物を通過さ
せて管の内壁をエツチングすることを特徴とする光ファ
イバの製造方法。 ＆ 水素を含有しない弗素化合物は水素を含有しない弗
化炭素化合物である特許請求の範囲第１項記載の方法。 ＆ 水素を含有しない弗化炭素は、六弗化エタン（ヘキ
サンフルオルエタン）でアトる特許請求の範囲第２項記
載の方法。 。 ４． 管に対し、非等温プラズマを反復させながら、管
に酸禦と、水素を含有しない弗素化合物を通過させて、
管の内壁をエツチングする特許請求の範囲第１項記載の
方法。 ＆ 水素を含有しない弗素化合物は、水素を含有しない
弗化炭素化合物Ｔある特許請求の範囲第上項記載の方法
。 ＆ 水素を含有しない弗化炭素化合物が六１・・弗化エ
タンである特許請求の範囲第５項記載の方法。」 １８１−
発明の製造方法に用いる装置の簡略化しく′た断面図で
ある。 １・・・管 ２・・・炉８・・・共振キ
ャビティ ４・・・真空ポンプ５・・・ガス混合装置 ６．７，８．９・・・制御装置 １０．１１，１２．１８・・・貯槽（レザーバ）。 手続補正書 昭和５８ 年６ 月 ７ 日 １、事件の表示 昭和５８年 特許 願第５９４・０１号２、発明の名称 光ファイバの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペ
ンファブリケン 電話（５８１） ２２４１番（代表） ５゜ ６、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄 明細書の特許請求の範囲を次のとおりに訂正す・る。 ［２、特許請求の範囲 １ 管の内壁を弗素化合物でエツチングを行い、次いで
反応を開始させる為、非等。 温プラズマを使用しながら気相よりコアガラスを化学的
に蒸着し堆積させ、然る後、管を圧潰させ、ファイバを
形成するように引抜く光ファイバの製造方法において、 管に非等温プラズマを反復通過させな がら、気相状態の水素を含有しない弗素化合物を通過さ
せて管の内壁をエツチングすることを特徴とする光ファ
イバの製造方法。 ＆ 水素を含有しない弗素化合物は水素を含有しない弗
化炭素化合物である特許請求の範囲第１項記載の方法。 ＆ 水素を含有しない弗化炭素は、六弗化エタン（ヘキ
サンフルオルエタン）でアトる特許請求の範囲第２項記
載の方法。 。 ４． 管に対し、非等温プラズマを反復させながら、管
に酸禦と、水素を含有しない弗素化合物を通過させて、
管の内壁をエツチングする特許請求の範囲第１項記載の
方法。 ＆ 水素を含有しない弗素化合物は、水素を含有しない
弗化炭素化合物Ｔある特許請求の範囲第上項記載の方法
。 ＆ 水素を含有しない弗化炭素化合物が六１・・弗化エ
タンである特許請求の範囲第５項記載の方法。」 １８１−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 管の内壁を弗素化合物でエツチングを行い、次いで
反応を開始させる為、非等温プラズマ・・を使用しなが
ら気相よりコアガラスを化学的（こ蒸看し堆積させ、然
る後、管を圧潰させ、ファイバを形成するように引抜く
光ファイバの製造方法において、 管に非等温プラズマを反復通過させながら鬼気相状態の
水素を含有しない弗素化合物を通過させて管の内壁をエ
ツチングすることを特徴とする光ファイバの製造方法。 ＆ 水素を含有しない弗素化合物は水素を含有しない弗
化炭素化合物である特許請求の範囲１・第１項記載の方
法。 ８ 水素を含有しない弗化炭素は、六弗化エタン（ヘキ
サンフルオルエタン）である特許請求の範囲第２項記載
の方法。 ４、 管に対し、非等温プラズマを反復させなが・・ら
、管に酸素と、水素を含有しない弗素化合１物を通過さ
せて、管の内壁をエツチングする特許請求の範囲第１項
記載の方法。 ５ 水素を含有しない弗素化合物は、水素を含有しない
弗化炭素化合物と酸素の混合気体である特許請求の範囲
第１項記載の方法。 ６ 水素を含有しない弗化炭素化合物が六弗化エタンで
ある特許請求の範囲第５項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8201453 | 1982-04-06 | ||
| NL8201453A NL8201453A (nl) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | Werkwijze voor de vervaardiging van optische vezels. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58190833A true JPS58190833A (ja) | 1983-11-07 |
| JPH0239460B2 JPH0239460B2 (ja) | 1990-09-05 |
Family
ID=19839538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58059401A Granted JPS58190833A (ja) | 1982-04-06 | 1983-04-06 | 光フアイバの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4493721A (ja) |
| EP (1) | EP0091173B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58190833A (ja) |
| AT (1) | ATE14566T1 (ja) |
| CA (1) | CA1208599A (ja) |
| DE (1) | DE3360461D1 (ja) |
| NL (1) | NL8201453A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009013053A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Draka Comteq Bv | 光ファイバ用の母材を気相成長プロセスによって製造する方法 |
| JP2014114209A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Draka Comteq Bv | 光ファイバプリフォーム製造用に中空ガラス基材チューブの内面を活性化する方法 |
| JP2015027935A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-02-12 | ドラカ・コムテツク・ベー・ベー | プラズマ蒸着プロセスにより光ファイバ用一次プリフォームの前駆体を製造する方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8300650A (nl) * | 1983-02-22 | 1984-09-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een massieve voorvorm voor het trekken van optische vezels. |
| US4709986A (en) * | 1984-06-18 | 1987-12-01 | Polaroid Corporation | Ensheathed optical fiber and coupling method |
| CA1263807A (en) * | 1985-03-19 | 1989-12-12 | Richard James Pilon | Optical waveguide manufacture |
| US4610708A (en) * | 1985-06-24 | 1986-09-09 | Corning Glass Works | Method for making metal halide optical fiber |
| US5188648A (en) * | 1985-07-20 | 1993-02-23 | U.S. Philips Corp. | Method of manufacturing optical fibres |
| DE3528275A1 (de) * | 1985-08-07 | 1987-02-19 | Philips Patentverwaltung | Verfahren und vorrichtung zum innenbeschichten von rohren |
| US4863501A (en) * | 1985-09-26 | 1989-09-05 | Polaroid Corporation, Patent Department | Method of employing plasma for finishing start rods |
| US5069701A (en) * | 1987-07-13 | 1991-12-03 | Hughes Aircraft Company | Preparation of fluoride glass by chemical vapor deposition |
| DE3731604A1 (de) * | 1987-09-19 | 1989-03-30 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung einer monomode-lichtleitfaser |
| NL9100335A (nl) * | 1991-02-26 | 1992-09-16 | Philips Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van buisglas. |
| ES2120467T3 (es) * | 1992-11-19 | 1998-11-01 | Shinetsu Quartz Prod | Procedimiento para fabricar un tubo de vidrio de cuarzo de gran tamaño, una preforma y una fibra optica. |
| US5397372A (en) * | 1993-11-30 | 1995-03-14 | At&T Corp. | MCVD method of making a low OH fiber preform with a hydrogen-free heat source |
| IT1267418B1 (it) * | 1994-03-16 | 1997-02-05 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Procedimento per la realizzazione di fibre ottiche monomodo in vetro fluorurato. |
| FR2725712B1 (fr) * | 1994-10-18 | 1996-12-13 | Alcatel Fibres Optiques | Procede d'amelioration geometrique d'un tube pour realisation de preforme |
| CA2392720C (en) * | 2000-09-21 | 2010-06-29 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Method for manufacturing photonic crystal fiber |
| NL1020358C2 (nl) | 2002-04-10 | 2003-10-13 | Draka Fibre Technology Bv | Werkwijze en inrichting ter vervaardiging van optische voorvormen, alsmede de daarmee verkregen optische vezels. |
| US8857372B2 (en) * | 2007-12-10 | 2014-10-14 | Ofs Fitel, Llc | Method of fabricating optical fiber using an isothermal, low pressure plasma deposition technique |
| NL2004546C2 (nl) | 2010-04-13 | 2011-10-17 | Draka Comteq Bv | Inwendig dampdepositieproces. |
| NL2004544C2 (nl) | 2010-04-13 | 2011-10-17 | Draka Comteq Bv | Inwendig dampdepositieproces. |
| NL2004874C2 (nl) | 2010-06-11 | 2011-12-19 | Draka Comteq Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een primaire voorvorm. |
| NL2015162B1 (en) * | 2015-07-13 | 2017-02-01 | Draka Comteq Bv | Method for activating an inner surface of a substrate tube for the manufacturing of an optical fiber preform. |
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| DE2444100C3 (de) * | 1974-09-14 | 1979-04-12 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur Herstellung von innenbeschichteten Glasrohren zum Ziehen von Lichtleitfasern |
| DE2536456C2 (de) * | 1975-08-16 | 1981-02-05 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Halbzeug für die Herstellung von Lichtleitfasern und Verfahren zur Herstellung des Halbzeugs |
| CA1029993A (en) * | 1975-09-11 | 1978-04-25 | Frederick D. King | Optical fibre transmission line |
| JPS5510468A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of glass fiber for light communication |
| US4227975A (en) * | 1979-01-29 | 1980-10-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Selective plasma etching of dielectric masks in the presence of native oxides of group III-V compound semiconductors |
| DE2929166A1 (de) * | 1979-07-19 | 1981-01-29 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung von lichtleitfasern |
| DE3000954C2 (de) * | 1980-01-12 | 1982-04-22 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Verfahren zum Ätzen von Glasoberflächen, insbesondere bei der Glasfaser-Lichtleiter-Herstellung |
| GB2084988B (en) * | 1980-10-02 | 1984-06-06 | Post Office | Methods of etching materials containing silicon |
-
1982
- 1982-04-06 NL NL8201453A patent/NL8201453A/nl not_active Application Discontinuation
-
1983
- 1983-04-05 US US06/482,351 patent/US4493721A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-04-05 AT AT83200469T patent/ATE14566T1/de not_active IP Right Cessation
- 1983-04-05 DE DE8383200469T patent/DE3360461D1/de not_active Expired
- 1983-04-05 EP EP83200469A patent/EP0091173B1/de not_active Expired
- 1983-04-06 CA CA000425286A patent/CA1208599A/en not_active Expired
- 1983-04-06 JP JP58059401A patent/JPS58190833A/ja active Granted
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| JP2009013053A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Draka Comteq Bv | 光ファイバ用の母材を気相成長プロセスによって製造する方法 |
| JP2014114209A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Draka Comteq Bv | 光ファイバプリフォーム製造用に中空ガラス基材チューブの内面を活性化する方法 |
| JP2015027935A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-02-12 | ドラカ・コムテツク・ベー・ベー | プラズマ蒸着プロセスにより光ファイバ用一次プリフォームの前駆体を製造する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0091173B1 (de) | 1985-07-31 |
| DE3360461D1 (en) | 1985-09-05 |
| NL8201453A (nl) | 1983-11-01 |
| EP0091173A1 (de) | 1983-10-12 |
| JPH0239460B2 (ja) | 1990-09-05 |
| ATE14566T1 (de) | 1985-08-15 |
| CA1208599A (en) | 1986-07-29 |
| US4493721A (en) | 1985-01-15 |
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