JPH02293340A - 光屈折性の異なる領域を有するガラス物体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は基本物体と、該基本物体に焼結され、少なくと
も部分的に前記基本物体を被覆し、かつドーピング処理
を施した際に前記基本物体のガラスとは異なる屈折率を
有するガラスから作られているコーティング層とからな
る光屈折性の異なる領域を有するガラス物体を製造する
方法に関するものである。

特に、本発明は基本物体とコーティング層とから形成さ
れた焼結ガラス物体をさらに光導波体製造用のコアガラ
スとクラッドガラスとからなるプリフォームとして使用
する方法に関するものである。しかし、本発明方法によ
って製造されたガラス物体は、反射特性の異なる領域を
有するガラス物体を必要とする光学系、例えばレンズ系
を製造する一般的な方法において使用することができる
。

このような場合には、コーティング層が基本物体をジャ
ケットのように取囲む必要はないが、コーティング層が
基本物体の表面積の主要な領域を被覆すると共に屈折特
性の異なる２種のガラスの間に明瞭に画成された界面が
形成されていることのみが必要である。ガラス物体は例
えば平行六面体とすることができ、さらに機械的な処理
を施すことができる。

（背景技術） 欧州特許出願ＥＰ第１８２２５０号明細書は、ガラス棒
とタラッドガラス棒との同心に組合せることにより光フ
ァイバ製造（ロンド・イン・チューブ法）用プリフォー
ムを製造することができることを開示している。この方
法の欠点は、先ず２種の予備成形したガラス物体を作り
、次いでこれら２種の構成部品を一体に焼結する前に該
構成部品間の界面を多額の費用をかけて清浄処理する必
要があることである。この方法は、２種の構成部品を一
体に焼結する処理を比較的高い温度（＞２０００℃）で
行う必要があり；この結果組合せ物体の形状に望ましく
ない変化が生じることがあり、すなわちコアガラスおよ
びクラッドガラスが一体に焼結される前に流れて、これ
らのガラス間の境界がもはや明瞭に画成されないという
追加の欠点を有する。

欧州特許出ＨＥＰ第２２８０８２号明細書から、開放孔
を有するしら地のコア領域およびクラッド領域における
屈折率勾配が焼結操作中のフッ素分圧を制御することに
より達成されることが知られている。この方法の欠点は
、屈折率の異なる領域間の明瞭に画成された境界を得る
ことができないことである。また、この特許出願は、生
密度（ｇｒｅｅｎｄｅｒ＋ｓｉｔｙ）の勾配、粒径又は
焼結比（コア領域におけるコ・ドーピングによる粘度の
変化）により異なる屈折率をつ《り出す他の方法にも言
及している。この方法は屈折率の異なる領域間に明瞭な
境界が得られないという同じ限界を有する。

欧州特許出願ＥＰ第２４９２３０号明細書は、ＶＡＤ法
（ｖａｐｏｕｒ　ａｘｉａｌ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
によって製造され、緻密なガラスに焼結された異なるト
ーピング処理を施した２本の棒のうち、第ｌの棒を超音
波ドリルによって管に形成し、次いで、第２の棒を伸長
してから前記管に挿入し、その後にこの組合せ物体を一
体に焼結する方法を開示している。

この方法は、焼結ガラスの機械的処理が非常に費用のか
かる複雑なものであり、また棒と管との間に誤差のない
界面を確実に保証することができないという欠点を有す
る。

本発明の目的は、光屈折性の異なる正確に画成された領
域を有し、全体的に、特に屈折率の異なるガラスの境界
領域において、望ましくない汚染物質をｐｐｂ範囲の極
めて小さい濃度で含有するにすぎず、泡および筋のない
状態で製造できるガラス物体を小数の簡単な製造工程を
用いて製造することができる方法を提供することにある
。

本発明においては、コーティング層を生成するための粉
末セラミック材料を主成分とする出発原ギ４を自己支持
性で未焼結の多孔質しら地に変え、乾燥し、加熱ガス相
中で清浄処理し、しかる後に基本物体に結合されたコー
ティング層を次のドーピングと焼結との組合せ処理にお
いてドーパントを含有するガス相中で１１５０〜１５０
０℃の範囲の温度においてガラスに溶融し、次いで前記
基本物体に焼結させることによって、上述の目的を達成
する。

？発明方法の他の有利な例においては、基本物体として
円柱形ガラス棒を使用し、コーティング層として中空円
筒形物体を使用し、基本物体を構成する円柱形ガラス棒
を、コーティング層を構成する中空円筒形物体中に挿入
し、基本物体およびコーティング層を一端において互に
同心に固定し、次いでドーピング／焼結処理を行う。こ
のようなガラス物体は光導波体用プリフォームとして使
用することができる。

本発明方法の他の有利な例においては、コーティング層
を構成するしら地を、酸素および１０容量％の塩化チオ
ニルｓｏｃ　ｇ　２を含有する雰囲気中で約４００’Ｃ
の温度において２時間の期間、次いで酸素および１０容
量％の塩素ガスＣ２■を含有する雰囲気中で約１１００
℃の温度において４時間の期間清浄処理する。清浄処理
を繰り返し行い、しかる後に基本物体とコーティング層
を構成するしら地とからなる組合せ物体を焼結処理する
。

この例は純度の一層高し・ガラス物体を製造するのに特
に有利であり、例えば完全に緻宙には焼結？れていない
基本物体を使用する場合、および例えば基本物体もプラ
ズマ活性化化学気相堆積（ＰＣＶＤ）法または改良化学
気相堆積（ＭＣＶＤ）法によってケイ質ガス相から堆積
させることにより得たプリフォームから製造する場合に
特に有利である。この場合には、基本物体の材料として
、収縮程度がコーティング層の材料より有意に小さい材
料を使用するのが好ましい。

本発明方法の他の有利な例においては、ドーパントであ
るフノ素含有ガスを１０〜１００容量％、不活性ガスを
Ｏ〜９０容量％および塩素ガスＣＩ！２を０〜５容量％
含有するガス雰囲気中で、ドーパントとしてＣ，Ｆ．，
ＳＦ６，Ｓｏ■Ｆ２，ＣＦ．および〜Ｆ，からなる群か
ら選択した少なくとも１種を使用してドーピング焼結処
理を行う。ドーピング／焼結処理しはｃｐ４５０容量％
、塩素ガスｃｐ．ｉ容量％および残部ヘリウムを含有す
るガス雰囲気中で行うのが有利である。

このようなドーピング処理によって未ドープ石英ガラス
より屈折率の低いガラスが得られる。あるいはまた、低
い屈折率はホウ素含存ドーパントを使用してドーピング
処理を行った場合に得ることができる。例えば、ゲルマ
ニウム又はアルミニウムを使用した場合には、未ドープ
石英ガラスの屈折率より高い屈折率を得ることができる
。

比較的高度のフッ素ドーピングが望ましい場合には特に
、ガス相からのドーピングによってのみこれを達成する
ことができ、このようなドーピング処理に適した条件は
未焼結の多孔質しら地によって提供される。ドーパント
としてＣＦ４を使用した場合には特に、良好な結果が得
られ、揮発性のケイ素一フッ素化合物は生成せず、従っ
てドーピング処理を受けるケイ素含有しら地のエッチン
グが実質的に起らない（測定した結果、Ｓｔの重Ｍ…失
は≦０．５重量％であることが分った）。フッ素ドーピ
ングは石英ガラスの屈折率を低下させるだけでなく、粘
度も低下させる。さらに、綿膨脹係数が小さくなり、こ
の結果未ドープ基本物体にフッ素ドープ・コーティング
層をクラッドさせた場合には、クラッド領域における圧
縮歪が小さくなる。これは、光ファイバの形態の光導波
体を製造する場合に、光ファイバの強さが増大する利点
を有する。このほか、フッ素ドーピングはＯＨイオンの
浸透を阻止するので、このような光導波体の長時間耐水
性も改善される。

本発明の他の有利な例においては、焼結処理を１３００
〜１３５０℃の範囲の温度において行う。これは焼結処
理中にコーティング層材料にフッ素をドーピングするこ
とにより達成される。焼結される物体を焼結炉内に１０
ｍｍ／分の沈下速度■で沈下させた場合には、０．２モ
ル％のフッ素ドーピングによって石英ガラスの焼結温度
はｌ４５０℃に低下する。

１モル％のフッ素ドーピングによって焼結温度を１３０
０〜１３５０℃の範囲にすることができる。

本発明方法の他の有利な例においては、基本物体および
コーティング層を構成するしら地のうち少なくともコー
ティング層を構成するしら地を、分散媒液体および固体
物質である直径ｌＯ〜５００ｎｍ好ましくは１０〜１０
０ｎｍ，平均粒径４０ｎｍのＳｉｎ．粒子を含有する懸
濁液から製造する。

固体物質：分散媒液体の重量比が０．５：１〜１．２５
：１であり、分散媒液体が水である懸濁液を使用するの
が好ましい。

コーティング層製造用出発原料として、懸濁液を製造す
る場合のように粉末セラミック材料を使用する場合には
、懸濁液から生成したしら地の有する比較的大きい生密
度を得ることができ、この結果収縮が比較的小さくなり
、従って焼結中に亀裂の生じる危険が低くなる。懸濁液
から製造したしら地は３５％より大きい相対生密度を有
する。この結果、焼結中の線収縮が最大で３０％になる
ので、亀裂の発生する危険（これは特に壁強度の比較的
大きい物体に関するものである）は極めて低《なる。例
えば、ガラス物体を製造するために、円柱形ガラス棒を
基本物体として使用し、このガラス棒を包囲する中空の
円筒形しら地をコーティング層として使用した場合には
、コーティング層の内径と基本物体の棒（緻密に焼結し
たガラス棒について）の外径との差は焼結中のコーティ
ング層の収縮より小さいことが必要てある。

本発明方法の有利な例においては、イオン化する添加剤
を懸濁液に添加して懸濁液のｐｌｌ値を塩基性範囲（８
≧ρ１１≧５））に移行させる。イオン化する添加剤と
しては５％ＮＨ４Ｆ水溶液を、好ましくは懸濁液中の固
体物質に対して０．１〜５重量％の割合で添加する。

この場合には、架橋活性剤として働くイオン化する添加
剤を、この添加剤によって懸濁液中の固体物質粒子の表
面が正確に覆われるような量で使用できる利点がある。

イオン化する添加剤の添加量は懸濁液中の固体物質に対
して５重量％を越えてはならない。これは、そうでない
場合には、効果的な均質化が困難になる程度まで懸濁液
の粘度が増大するからである。

本発明方法の他の有利な例においては、清浄処理は１〜
１０％の塩素含有ガスを含有する酸素又は不活性ガスか
らなる雰囲気中で４００〜１１００℃の範囲の温度にお
いて８時間以下の期間行う。不活性ガスとしてヘリウム
を使用し、塩素含有ガスとして塩素ガスＣＰ２および塩
化チオニルＳＯＣ　Ｑ　２を使用するのが好ましい。

光学素子に使用するガラス物体を製造するには、実質的
に汚染されておらず、特に実質的に水を含有していない
石英ガラスが必要である。ガラス溶融物から従来の製造
方法によってこのような純粋なガラスを製造することは
、特に、ガラスマトリック中に含有されている水による
汚染程度が高すぎるので、限界がある。このうよな理由
から、粒度範囲１〜５００　ｎｍの極めて微細に粉砕さ
れた石英ガラス粒子からなる多孔質しら地を焼結するこ
とにより、この種の高純度ガラスを製造するのが有利で
ある。このようなしら地は多孔質であり、従って気体透
過性であるので、しら地は乾燥後に汚染物質と反応する
加熱ガス雰囲気中で清浄処理することができ、従ってし
ら地は清浄な状態で適当な温度において焼結されて透明
ガラスになる。０１１イオンのほかの有害な汚染物質も
遷移金属のイオンおよび粒子である。

光導波体の製造に使用する多孔質しら地を清浄処理する
方法は、例えば、西独国特許出願ＤＥ第３５１１４３９
号明細書に開示されている。

特に、本発明は異なる光屈折層を有するガラス間の界面
が明瞭に画成されている高純度ガラス物体を製造するこ
とができる利点を有する。ガラス物体をロンド・イン・
チューブ技術によって製造する場合には、先ず２種の別
個の既に焼結されているガラス物体（コアガラスおよび
クラッドガラス）を製造し、次いで２０００℃を超える
高い温度を必要とする追加の溶融／コラプス（ｃｏｌ　
Ｉａｓｐｉｎｇ）処理によって両物体を一体に結合する
操作が不必要になる利点がある。それは、このような高
い温度においてはガラスが流れて屈折特性の異なるガラ
スの間に境界が明瞭に画成されず、また結合操作中に除
去不能な望ましくない汚染物が２種のガラス物体の界面
に吸収される危険があるからである。

粉末セラミックで作られたコーティング層の清浄処理お
よび焼結処理のうち少なくとも焼結処理および基本物体
とコーティング層材料とを一体に結合する焼結処理は、
本発明方法によって一つの単一製造工程にまとめられる
。他の利点は、基本物体とコーティング層とを一体に結
合する前に、別個の費用がかかるが必ずしも絶対的に完
全ではない界面清浄処理を省くことができることである
。

懸濁液から出発してコーティング層材料を粉末セラミッ
クから形成すると、約５０％までの高い生密度が可能に
なり、これにより収縮が起こらず、従って焼結中に亀裂
の生じる危険が減少する。追加の利点は、ドーピング時
に粉末セラミックコーティング層材料には既に形成され
たガラス相が未だ完全に存在していないので、ガス状の
ドーパントが比較的大きい表面積の全体にわたってコー
ティング層材料と接触することができ、従って生成過程
にあるガラス相の全体にわたって均一に分布されること
である。

粉末セラミックからコーティング層材料を形成する操作
は、例えば西独国特許出願ＤＥ第３５１１４５３号明細
書又はＤＥ第３５１１４５０号明細書に記載されるよう
な極めて簡単な方法に従って実施することができる。

光導波体を製造する場合には特に、次のような特別な利
点がある：ＰＶＣＤ法によって製造された屈折率分布を
有するコアと肉厚クランド管とを組合せるハイブリッド
技術による光導波体用大形プリフォームおよび未ドープ
コアガラスと屈折率を変える目的でドーフ゜されている
クラッドガラスとを有するもっぱら粉末セラミックガラ
ス物体から作られた光導波体用プリフォームの両方を低
価格で製造することができる。

（実施例） 次に、本発明を図面を参照して例について説明する。

第１図は基本物体とコーティング層とを一体に結合する
ための焼結処理中に本発明方法によって製造されるガラ
ス物体の断面図である。

基本物体１として用いる予め焼結を行った円柱形ガラス
棒を多孔質しら地として存在する未焼結中空円筒形コー
ティング層２によって同心に包囲した。コーティング層
２を焼結炉３に通して矢で示す方向に送りながら、ヘリ
ウム、塩素ガスＣＩ！．２およびＣＦ４のような少な《
とも１種のフッ素含有ガスの雰囲気中で亀裂を生しるこ
となく基本物体１上に焼結させた。このようにして、基
本物体１とコーティング層２との間に明確に画成された
界面５を有し、異なる光学特性を有するガラスからなる
複合ガラス物体４を得た。

基本物体１は、プラズマ化学気相堆積（ＰＣＶＤ）法又
は改良化学気相堆積（ＭＣＩ／Ｄ）法によってケイ質ガ
ス和から堆積させることにより製造した後に押しつぶし
て得たプリフォームから製造することができる。

しかし、基本物体は、別法として、後述の方法と同様に
粉末セラミック法によって懸濁液から製造し、しら地と
して乾燥し、清浄処理し、最後に焼結することができる
。基本物体の製造方法とは関係なく、基本物体が極めて
平滑な表面、すなわち起伏のない表面を有していること
が重要である。

４０　ｎｍの平均粒径および１０〜１００　ｎｒ＠の範
囲の粒度分布を有する粒子である熱分解法シリカ５０重
量％と、懸濁液中の固体物質に対して１．５重量％の？
　１１　．　Ｆの形態のイオン化する添加剤とからなる
架橋水性懸濁液から型によって棒の形のしら地を作り、
脱型、乾燥後に、酸素および１０容量％の塩化チオニル
ｓｏｃｐ２を含有する雰囲気中で約４００”Ｃの温度に
おいて２時間の期間、次いで酸素および１０容量％の塩
素ガスＣ２■を含有する雰囲気中で約１１００℃の温度
において４時間の期間清浄処理した。

この棒の形のしら地をヘリウムおよび１容量％の塩素ガ
スＣｌ，を含有する雰囲気中で約１５００℃において焼
結した後に、泡と筋のないガラス捧（この例では３００
閤の長さと８１ＩＩＩｍの直径を有するガラス棒）が生
成した。焼結はしら地の棒を焼結炉中にｖ＝ｌＱｍｍ／
分の速度で降下させることにより行った。

コーティング層２は焼結段階を除けば上述と同様な方法
で作られるが、この場合には内部コアを有する型を使用
して中空円筒を得た。ここに記載する例で用いた型は内
径３０ｎｕｎであり、内部コアは直径１０ｍｍであった
。上述のように脱型、乾燥および清浄処理を行った後に
、外径２７．３ｒＩｍ、内径９。１ｍｍ、長さ３００　
ｍｍのしら地をコーティング層２として得た。

ガラス棒の形態の基本物体１および中空円筒形しら地の
形態のコーティング層２を炎中で注意して局部的に結合
させることによって互に同心に固定し、この固定端部か
らｖ＝ｌｏｎｖｎ／分の速度でゾーン焼結炉３に通した
。５０容量％のＣＦ．および１容量％のＣｌ２を含有す
るヘリウムを焼結雰囲気として使用した。最高焼結温度
は１３５０℃であった。

コーティング層２の焼結ガラス中へのフッ素ドーピング
は１重量％であった。コーティング層２は亀裂および泡
を発生することなく基本物体に焼結された。屈折率ｎＤ
は、基本物体のガラスについてはｌｎｏ　＝１．４５８
０であり、コーティング層２のガラスについては２ｎｏ
　＝１．４５３０であった。２種のガラスの間の界面は
正確に明瞭に画成されていた。

基本物体１のガラスにおいて、ｌｌｐｐｂ未満のＯＨイ
オン濃度および３ｐｐｂ　　（検出限界）未満のＦｅＣ
ｒおよびＮｉの濃度が測定された。

本発明方法の範囲内において、屈折特性の異なる２種の
ガラスを一体に結合してその界面を明瞭に画成すること
ができるだけでなく、本発明方法を繰り返し使用する場
合には光学特性の異なるガラスからなる多層構造を製造
することも可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は基本物体とコーティング層とを一体に結合する
ための焼結処理中に本発明方法によって製造されるガラ
ス物体の断面図である。 １・・・基本物体 ２・・・コーティング層 ３・・・焼結炉 ４・・・複合ガラス物体 ５・・・界面

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基本物体と、該基本物体に焼結され、少なくとも部
   分的に前記基本物体を被覆し、かつドーピング処理を施
   した際に前記基本物体のガラスとは異なる屈折率を有す
   るガラスから作られているコーティング層とからなる光
   屈折性の異なる領域を有するガラス物体を製造するに当
   り、 前記コーティング層を生成するための粉末 セラミック材料を主成分とする出発原料を自己支持性で
   未焼結の多孔質しら地に変え、乾燥し、加熱ガス相中で
   清浄処理し、 しかる後に前記基本物体に結合されたコー ティング層を次のドーピングと焼結との組合せ処理にお
   いてドーパントを含有するガス相中で１１５０〜１５０
   ０℃の範囲の温度においてガラスに溶融し、次いで前記
   基本物体に焼結させる ことを特徴とする光屈折性の異なる領域を有するガラス
   物体の製造方法。 ２、基本物体として焼結ガラス棒を使用し、コーティン
   グ層として基本物体を取囲む中空物体を使用する請求項
   １記載の方法。 ３、基本物体として円柱形ガラス棒を使用し、コーティ
   ング層として中空円筒形物体を使用する請求項２記載の
   方法。 ４、基本物体として平坦な焼結ガラスブロックを使用し
   、コーティング層として平坦な未焼結しら地を使用し、
   この未焼結しら地によって基本物体をその主表面の一つ
   において被覆する請求項１記載の方法。 ５、基本物体を構成する円柱形ガラス棒を、コーティン
   グ層を構成する中空円筒形物体中に挿入し、基本物体お
   よびコーティング層を一端において互に同心に固定し、
   次いでドーピング／焼結処理を行う請求項３記載の方法
   。 ６、清浄処理は、１〜１０容量％の塩素含有ガスを含有
   する酸素又は活性ガスからなる雰囲気中で、４００〜１
   １００℃の範囲の温度において８時間以下の期間行う請
   求項１〜５のいずれか一つの項に記載の方法。 ７、不活性ガスとしてヘリウムを使用する請求項６記載
   の方法。 ８、塩素含有ガスとして塩素ガスＣｌ＿２を使用する請
   求項６記載の方法。 ９、塩素含有ガスとして塩化チオニルＳＯＣｌ＿２を使
   用する請求項６記載の方法。 １０、コーティング層を構成するしら地を、約４００℃
   の温度において酸素および１０容量％の塩化チオニルＳ
   ＯＣｌ＿２を含有する雰囲気中で２時間、次いで約１１
   ００℃の温度において酸素および１０容量％の塩素ガス
   Ｃｌ＿２を含有する雰囲気中で４時間清浄処理する請求
   項１〜９のいずれか一つの項に記載の方法。 １１、清浄処理を繰り返し行い、しかる後に基本物体と
   コーティング層を構成するしら地とからなる組合せ物体
   を焼結処理する請求項１〜１０のいずれか一つの項に記
   載の方法。 １２、ドーパントであるフッ素含有ガスを１０〜１００
   容量％、不活性ガスを０〜９０容量％および塩素ガスＣ
   ｌ＿２を０〜５容量％含有するガス雰囲気中でドーピン
   グ／焼結処理を行う請求項１〜１１のいずれか一つの項
   に記載の方法。 １３、ドーパントとしてＣ＿２Ｆ＿６、ＳＦ＿６、ＳＯ
   ＿２Ｆ＿２、ＣＦ＿４およびＮＦ＿３からなる群から選
   択した少なくとも１種を使用する請求項１２記載の方法
   。 １４、ＣＦ＿４５０容量％、塩素ガスＣｌ＿２１容量％
   および残部ヘリウムを含有するガス雰囲気中でドーピン
   グ／焼結処理を行う請求項１３記載の方法。 １５、焼結処理を１３００〜１３５０℃の範囲の温度に
   おいて行う請求項１〜１４のいずれか一つの項に記載の
   方法。 １６、基本物体およびコーティング層を構成するしら地
   のうち少なくコーティング層を構成するしら地を、分散
   媒液体および固体物質である直径１０〜５００ｎｍ好ま
   しくは１０〜１００ｎｍ、平均粒径４０ｎｍのＳｉＯ＿
   ２粒子を含有する懸濁液から製造する請求項１〜１５の
   いずれか一つの項に記載の方法。 １７、固体物質：分散媒液体の重量比が０．５：１〜１
   ．２５：１である懸濁液を使用する請求項１６記載の方
   法。 １８、分散媒液体として水を使用す請求項１７記載の方
   法。 １９、イオン化する添加剤を懸濁液に添加して懸濁液の
   ｐＨ値を塩基性範囲（８≧ｐＨ≧５）に移行させる請求
   項１６〜１８のいずれか一つの項に記載の方法。 ２０、イオン化する添加剤としてアンモニウム化合物を
   使用する請求項１９記載の方法。 ２１、イオン化する添加剤として５％ＮＨ＿４Ｆ水溶液
   を使用する請求項２０記載の方法。 ２２、イオン化する添加剤を懸濁液中の固体物質に対し
   て０．１〜５重量％の割合で添加する請求項１９〜２１
   のいずれか一つの項に記載の方法。 ２３、平均粒径４０ｎｍのＳｉＯ＿２粒子を０．９：１
   〜１．２：１の固体物質：水の重量比で含有する水性懸
   濁液を使用し、この懸濁液に５％ＮＨ＿４Ｆ水溶液を懸
   濁液中の固体物質に対して０．７５〜１．５重量％の割
   合で添加する請求項１６〜２２のいずれか一つの項に記
   載の方法。 ２４、懸濁液を型に注入し、脱型および乾燥後に、先ず
   、酸素および１０容量％の塩素含有ガスを含有する雰囲
   気中で約４００℃の温度において２時間の期間、次いで
   酸素および１０容量％の塩素含有ガスを含有する雰囲気
   中で約１１００℃において４時間の期間清浄処理し、し
   かる後に１容量％の塩素含有ガスを含有する不活性ガス
   雰囲気中で約１５００℃の温度において焼結する方法に
   よって基本物体を製造する請求項１〜２３のいずれか一
   つの項に記載の方法。 ２５、塩素含有ガスとして塩素ガスＣｌ＿２または塩化
   チオニルＳＯＣｌ＿２を使用する請求項２４記載の方法
   。 ２６、不活性ガスとしてヘリウムを使用する請求項２４
   記載の方法。 ２７、プラズマ活性化化学気相堆積（ＰＣＶＤ）法また
   は改良化学気相堆積（ＭＣＶＤ）法によってケイ質ガス
   相から堆積させることにより得たプリフォームから基本
   物体を製造する請求項１〜２３のいずれか一つの項に記
   載の方法。 ２８、基本物体およびコーティング層を構成するしら地
   を局部的溶融によって互に結合させ、次いで基本物体お
   よびコーティング層を構成するしら地からなる組合せ物
   体をこの物体に普通に使用される複数個の処理工程で処
   理する請求項１〜２７のいずれか一つの項に記載の方法
   。 ２９、コーティング層を構成するしら地をガラス棒の形
   態の基本物体上に支持させ、ガラス棒にはその一端に円
   板形に肉厚部を設け、しら地をガラス棒に押し付けた後
   に肉厚部に衝合させ、所要に応じてさらに固定させ、し
   かる後に基本物体とコーティング層を構成するしら地と
   からなる組合せ物体をこの物体に普通に使用される処理
   工程で処理する請求項１〜２７のいずれか一つの項に記
   載の方法。 ３０、基本物体とコーティング層とから形成された焼結
   ガラス物体をさらに光導波体製造用プリフォームとして
   加工する請求項１〜２９のいずれか一つの項に記載の方
   法。 ３１、基本物体とコーティング層とから形成された焼結
   ガラス物体を光学レンズ製造用プリフォームとしてさら
   に加工する請求項１〜２９のいずれか一つの項に記載の
   方法。 ３２、基本物体とコーティング層とから形成された焼結
   ガラス物体を、第１コーティング層とは異なる光学特性
   を有する少なくとも１個の追加コーティング層を設ける
   ための基本物体としてさらに加工する請求項１〜２９の
   いずれか一つの項に記載の方法。