JPS58190052A - 半導体抵抗の製造方法 - Google Patents
半導体抵抗の製造方法Info
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- JPS58190052A JPS58190052A JP57181693A JP18169382A JPS58190052A JP S58190052 A JPS58190052 A JP S58190052A JP 57181693 A JP57181693 A JP 57181693A JP 18169382 A JP18169382 A JP 18169382A JP S58190052 A JPS58190052 A JP S58190052A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低雑音特性を有する半導体抵抗の製造方法に関
するものである。
するものである。
半導体集積回路（以下ＩＣと記す）の高集積度化に伴い
高ｎ度の高抵抗がイオン注入抵抗として製作され、工Ｃ
の同一チダブ上に内蔵されるようになった。このイオン
注入技術の抵抗形成への導入は、従来の熱拡散技術によ
る場合と比較してチップサイズを小さくする事ができる
利点を有するのけ周知の如くである。しかしながらイオ
ン注入抵抗は、従来用いられている熱拡散抵抗と比べ、
抵抗体に電流を流したとき、抵抗体より発生する低周波
雑音が非ｔＫ大である。それ放散しい雑音特性の請求さ
れているアナログＩＯにはほとんど使用されていないの
が現状である。動作状態にある抵抗体よシ発生する総合
雑音電圧θＴＲは（１）式で表示できる。
高ｎ度の高抵抗がイオン注入抵抗として製作され、工Ｃ
の同一チダブ上に内蔵されるようになった。このイオン
注入技術の抵抗形成への導入は、従来の熱拡散技術によ
る場合と比較してチップサイズを小さくする事ができる
利点を有するのけ周知の如くである。しかしながらイオ
ン注入抵抗は、従来用いられている熱拡散抵抗と比べ、
抵抗体に電流を流したとき、抵抗体より発生する低周波
雑音が非ｔＫ大である。それ放散しい雑音特性の請求さ
れているアナログＩＯにはほとんど使用されていないの
が現状である。動作状態にある抵抗体よシ発生する総合
雑音電圧θＴＲは（１）式で表示できる。
ｅＴＲ” ＝ ４ ｋＴＲｘ△ｆ十工ｅｑ、” Ｒ”ｘ
（１）ただし ｋ：ボルツマン定数 Ｔ：絶対
温度Ｒｘ：抵抗（試料） Δｆ−周波数帯域Ｉｅｑ
：抵抗体の等価雑音電流 抵抗体に直流電流を流さないときの雑音値は、どの抵抗
体も（１）式の第１項のみで与えられるが、直流電流を
流すと工ｅｑの違いにより各抵抗体に差があられれる。
（１）ただし ｋ：ボルツマン定数 Ｔ：絶対
温度Ｒｘ：抵抗（試料） Δｆ−周波数帯域Ｉｅｑ
：抵抗体の等価雑音電流 抵抗体に直流電流を流さないときの雑音値は、どの抵抗
体も（１）式の第１項のみで与えられるが、直流電流を
流すと工ｅｑの違いにより各抵抗体に差があられれる。
第１図は、金属皮膜抵抗、熱拡散抵抗、イオン注入抵抗
およびカーボンソリッド抵抗に直流電流よりｏを流した
時の工ｅｑを示した本のである。第１図において、１は
信号源抵抗、２は試料の抵抗、３，４はバイアスコンデ
ンサ、５は立に直流電流を流すための直流電源、６はｅ
ＴＲを増幅するための、周波数ｆ ＝＝ ｌ ＫＨｚで
９４ｄＢの電圧オ０得を有するＲ工ＡＡ特性増幅器であ
る。
およびカーボンソリッド抵抗に直流電流よりｏを流した
時の工ｅｑを示した本のである。第１図において、１は
信号源抵抗、２は試料の抵抗、３，４はバイアスコンデ
ンサ、５は立に直流電流を流すための直流電源、６はｅ
ＴＲを増幅するための、周波数ｆ ＝＝ ｌ ＫＨｚで
９４ｄＢの電圧オ０得を有するＲ工ＡＡ特性増幅器であ
る。
ところでイオン注入抵抗の雑音値は打込エネルギー兄と
イオン注入量φへの依存性を有する事がわかった。この
関係を第２図、第３図に示す。
イオン注入量φへの依存性を有する事がわかった。この
関係を第２図、第３図に示す。
第２図は抵抗体の等価雑音電流工θｑと打込エネルギー
Ｅとの関係を示したものである。工ｅｑはアナログＩＣ
として許容できる等価雑音電流の上限値であり約１５ｐ
ＶＶ訂である。従って打込エネルギＥの上限値Ｎｉｔは
６０）（ｅＶである事がわかる。
Ｅとの関係を示したものである。工ｅｑはアナログＩＣ
として許容できる等価雑音電流の上限値であり約１５ｐ
ＶＶ訂である。従って打込エネルギＥの上限値Ｎｉｔは
６０）（ｅＶである事がわかる。
第３図は工θｑとイオン注入量φとの関係を示したもの
である。等価雑音電流の許容値工ｅｑ＋内圧するために
はφの下限値φは４ Ｘ Ｉ Ｏ”ｉｏｎθ肩となる事
がわかる。
である。等価雑音電流の許容値工ｅｑ＋内圧するために
はφの下限値φは４ Ｘ Ｉ Ｏ”ｉｏｎθ肩となる事
がわかる。
以上の事からイオン注入抵抗の低雑音化のためには打込
エネルギーを低く、イオン注入量を大にすればよい事が
わかる。
エネルギーを低く、イオン注入量を大にすればよい事が
わかる。
しかしながら注入量φに関しては、余り犬にすると注入
層の層抵抗が減少してしまい、高抵抗を製作する事が出
来なくなる。従って、実用上は、φの上限値φ、は約Ｉ
Ｘ １０１４ｉｏ陣−となる。
層の層抵抗が減少してしまい、高抵抗を製作する事が出
来なくなる。従って、実用上は、φの上限値φ、は約Ｉ
Ｘ １０１４ｉｏ陣−となる。
これらの関係を第４図に示す。貌ｅＩＩＦ’ｌｌφ１．
φ。
φ。
で囲まれた斜線部が低雑音イオン注入抵抗製作のだめの
実用的な注入条件範囲である。
実用的な注入条件範囲である。
本発明による半導体抵抗の一実施例を示す。
第５図に示す如く、所定の比抵抗を７宍面に、拡散孔を
有する酸化膜１０を備えたＮ型シリコン基板９に選択的
にφ： ５ Ｘ Ｉ Ｏ”１ｏｎ−、Ｋ：５０ ＫｅＶ
の条件によりイオン注入する事によりイオン注入層８を
形成する。注入時にはＳ、 Ｏ，膜を通してイオン注入
する場合もある。
有する酸化膜１０を備えたＮ型シリコン基板９に選択的
にφ： ５ Ｘ Ｉ Ｏ”１ｏｎ−、Ｋ：５０ ＫｅＶ
の条件によりイオン注入する事によりイオン注入層８を
形成する。注入時にはＳ、 Ｏ，膜を通してイオン注入
する場合もある。
次に第６図に示す如く拡散孔を有する酸化膜１１を新し
く設け、低抵抗領域１２を塩化ボロンＢＯＩ、の熱拡散
法によシ形成する。この領域は抵抗のコンタクトをとる
ものでアシ、通常３ Ｘ １０Ｉｓ／ｃＩｌの濃度を有
する。その後９００℃窒素雰囲気中にて３０分間の熱処
理を行う。この様な条件で製作式れたイオン注入抵抗は
第７図に示すように熱拡散抵抗の雑音値レベルと同等で
ある。従って従来は雑音特性上問題があったため工０の
外付部品とされてきた第８図の前置増幅器における抵抗
１３．１４等をＩＣの同一チヴプ上に内蔵する事が出来
る。抵抗１３．１４等の高抵抗は熱拡散抵抗ではチップ
サイズが非常に犬になるので内蔵は不可能である事はい
うまでもない。
く設け、低抵抗領域１２を塩化ボロンＢＯＩ、の熱拡散
法によシ形成する。この領域は抵抗のコンタクトをとる
ものでアシ、通常３ Ｘ １０Ｉｓ／ｃＩｌの濃度を有
する。その後９００℃窒素雰囲気中にて３０分間の熱処
理を行う。この様な条件で製作式れたイオン注入抵抗は
第７図に示すように熱拡散抵抗の雑音値レベルと同等で
ある。従って従来は雑音特性上問題があったため工０の
外付部品とされてきた第８図の前置増幅器における抵抗
１３．１４等をＩＣの同一チヴプ上に内蔵する事が出来
る。抵抗１３．１４等の高抵抗は熱拡散抵抗ではチップ
サイズが非常に犬になるので内蔵は不可能である事はい
うまでもない。
以上述べてきたように本発明によるイオン注入抵抗は従
来用いられてきた熱拡散抵抗の雑音レベルと同等であシ
抵抗体に電流を流したときもほとんど過剰雑音を示さな
い。従って厳しい雑音特性の要求されるアナログＩＣに
充分適用でき工０の高集積度化をはかる事ができる。
来用いられてきた熱拡散抵抗の雑音レベルと同等であシ
抵抗体に電流を流したときもほとんど過剰雑音を示さな
い。従って厳しい雑音特性の要求されるアナログＩＣに
充分適用でき工０の高集積度化をはかる事ができる。
第１図は各種抵抗体に直流電流を流したときの総合雑音
電圧を示すグラフ及びその測定回路である０ 第２図は抵抗体の等価雑音電流と打込エネルギーとの関
係を示すグラフである。 第３図は抵抗体の等価雑音１！流とイオンを注入量との
関係を示すグラフである。 （５） 第４図はイオン注入抵抗の低雑音化のための最適条件範
囲を示すグラフである。 第５〜６図は本発明の一実施例における断面図である。 第７図は本発明の一実施例における抵抗体の等価雑音電
流対周波数特性を示したグラフである。 第８図は本発明によるイオン注入抵抗を内蔵した前置増
幅回路である。 Ｌ・・・信号源抵抗、 ２・・・試料の抵抗４番・・・
バイスコンデンサ、 ＆・・・直流電源ｄ・・・増幅器
、 ｔ・・・基板光面ａ・・・イオン注入層、ｉａ
・・・シリコン基板１０・・・イオン注入層形成のため
の酸化膜１１・・・コンタクト領域形成のための酸化膜
ＩＳＬ・・・コンタクト領域 １５ｍ＆・・・イオン注入抵抗 （６） ｆ久りシ） １２ｊ−−一 （ｒｔｔｔ、ｔ、４） ｌｔｙσ−ａｌｊ −□（〃
／ｙ、ｉ ） ｌｐｉ □ 第５ 目 第６ Ｂ ｌσ Ｉｌｌρ ｔｒ
ｔｌ）ｆ円５反救 〔〃ハ モ δ 目 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第１８１
６９３号２、発明の名称 半導体抵抗の製造方法３
、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
Ｉ’に１３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 ｄ 補正の対象 願書、明細書および図面 ｔ 補正の内容 （１）特許出願人代理人の記名のあとに鮮明に捺印した
願書を提出します。 （２）明細書および図面の浄書（内容に変更なし）（２
）
電圧を示すグラフ及びその測定回路である０ 第２図は抵抗体の等価雑音電流と打込エネルギーとの関
係を示すグラフである。 第３図は抵抗体の等価雑音１！流とイオンを注入量との
関係を示すグラフである。 （５） 第４図はイオン注入抵抗の低雑音化のための最適条件範
囲を示すグラフである。 第５〜６図は本発明の一実施例における断面図である。 第７図は本発明の一実施例における抵抗体の等価雑音電
流対周波数特性を示したグラフである。 第８図は本発明によるイオン注入抵抗を内蔵した前置増
幅回路である。 Ｌ・・・信号源抵抗、 ２・・・試料の抵抗４番・・・
バイスコンデンサ、 ＆・・・直流電源ｄ・・・増幅器
、 ｔ・・・基板光面ａ・・・イオン注入層、ｉａ
・・・シリコン基板１０・・・イオン注入層形成のため
の酸化膜１１・・・コンタクト領域形成のための酸化膜
ＩＳＬ・・・コンタクト領域 １５ｍ＆・・・イオン注入抵抗 （６） ｆ久りシ） １２ｊ−−一 （ｒｔｔｔ、ｔ、４） ｌｔｙσ−ａｌｊ −□（〃
／ｙ、ｉ ） ｌｐｉ □ 第５ 目 第６ Ｂ ｌσ Ｉｌｌρ ｔｒ
ｔｌ）ｆ円５反救 〔〃ハ モ δ 目 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第１８１
６９３号２、発明の名称 半導体抵抗の製造方法３
、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
Ｉ’に１３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 ｄ 補正の対象 願書、明細書および図面 ｔ 補正の内容 （１）特許出願人代理人の記名のあとに鮮明に捺印した
願書を提出します。 （２）明細書および図面の浄書（内容に変更なし）（２
）
Claims (1)
- 所定の導電型の半導体基板に、選択的に反則の導電型を
提する不純物イオンを６０ Ｋｅｙ以下の打込エネルギ
ーで、かつ４ｘｌＯ”ｉ−一乃至ｌＸｌ０”ｊ、ｃｒ＋
ｅ−のイオン注入量で注入し、その後、該半導体基板を
熱処理する事により約１５ｐｖＶ百以下の等価雑音電流
値を有する抵抗領域を形成する半導体抵抗の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181693A JPS58190052A (ja) | 1982-10-16 | 1982-10-16 | 半導体抵抗の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181693A JPS58190052A (ja) | 1982-10-16 | 1982-10-16 | 半導体抵抗の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7158275A Division JPS524184A (en) | 1975-06-12 | 1975-06-12 | Manufacturing method of semiconductor resistors |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58190052A true JPS58190052A (ja) | 1983-11-05 |
Family
ID=16105212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57181693A Pending JPS58190052A (ja) | 1982-10-16 | 1982-10-16 | 半導体抵抗の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58190052A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008099794A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Matsushita Electric Works Ltd | キッチン設備 |
-
1982
- 1982-10-16 JP JP57181693A patent/JPS58190052A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008099794A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Matsushita Electric Works Ltd | キッチン設備 |
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