JPS58189952A - イオン注入用試料保持装置 - Google Patents
イオン注入用試料保持装置Info
- Publication number
- JPS58189952A JPS58189952A JP7311382A JP7311382A JPS58189952A JP S58189952 A JPS58189952 A JP S58189952A JP 7311382 A JP7311382 A JP 7311382A JP 7311382 A JP7311382 A JP 7311382A JP S58189952 A JPS58189952 A JP S58189952A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- ion
- ion implantation
- sample holding
- holding device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明線イオン注入装置における被イオン注入試料を保
持する装置に関する。
持する装置に関する。
近年、被イオン注入試料（以下試料という）として、シ
リコン等の半導体、あるいは金属の他にＳＯ８あるいは
鉄置換ガリウムガーネット等絶縁性物質にイオン注入さ
れるようになってきた。また、イオン注入量もｔｘｔｏ
／ｄ以上の高濃度イオン注入が行なわれるようにな
り、それに伴ない数畝以上のイオン電流を得られる装置
も市販されている。
リコン等の半導体、あるいは金属の他にＳＯ８あるいは
鉄置換ガリウムガーネット等絶縁性物質にイオン注入さ
れるようになってきた。また、イオン注入量もｔｘｔｏ
／ｄ以上の高濃度イオン注入が行なわれるようにな
り、それに伴ない数畝以上のイオン電流を得られる装置
も市販されている。
このような従来のイオン注入装置で絶縁性の試料にイオ
ン注入する場合、注入された電荷はイオンが照射された
試料表面に生じる低抵抗層を通じて試料端より試料取付
治具に流出するかあるいは試料端外の導電性の試料保持
装置にイオンが照射されることによシ発生する二次電子
により試料のチャージアップが防がれていると考えられ
る。
ン注入する場合、注入された電荷はイオンが照射された
試料表面に生じる低抵抗層を通じて試料端より試料取付
治具に流出するかあるいは試料端外の導電性の試料保持
装置にイオンが照射されることによシ発生する二次電子
により試料のチャージアップが防がれていると考えられ
る。
しかしながら、ｒ゛−ム照射面積より大きな面積の絶縁
性試料に数社以上のイオン電流でイオン注入する場合き
わめて短時間内に多量の電荷が蓄積し、チャージアップ
を生じやすい。このため、従来チャージアップ防止の対
策としては試料表面に導電性薄膜を設ける等して電荷を
流出させることがなされている。しかじな、がら、試料
表面に薄膜を設けることは、製作工程の増加となり、又
、イオン注入の条件も変更しなければならず、困雛が伴
なう。
性試料に数社以上のイオン電流でイオン注入する場合き
わめて短時間内に多量の電荷が蓄積し、チャージアップ
を生じやすい。このため、従来チャージアップ防止の対
策としては試料表面に導電性薄膜を設ける等して電荷を
流出させることがなされている。しかじな、がら、試料
表面に薄膜を設けることは、製作工程の増加となり、又
、イオン注入の条件も変更しなければならず、困雛が伴
なう。
本発明はこのような点に鑑拳てなされたもので、その目
的は大Ｉなイオン電ｆＩ！、ｏイオン注入によりても絶
縁性試料がチャージアップしないようなイオン注入用試
料保持装置をＩＩ供するにある。
的は大Ｉなイオン電ｆＩ！、ｏイオン注入によりても絶
縁性試料がチャージアップしないようなイオン注入用試
料保持装置をＩＩ供するにある。
すなわち、本発明は注入イオンによシ、試料上に蓄積さ
れた正電荷を打消す 電子を、導電性物質への注入イオンの照射によって発生
する二次電子、あるいは抵抗体の加熱による熱電子とし
て与えるととＫよりチャージアップ防止をなすものであ
る。
れた正電荷を打消す 電子を、導電性物質への注入イオンの照射によって発生
する二次電子、あるいは抵抗体の加熱による熱電子とし
て与えるととＫよりチャージアップ防止をなすものであ
る。
具体的には、試料の部間に導電性材料によって格子状あ
るいは縞状の構造を設けることによシ、照射イオンによ
って二次電子が発生し、試料に蓄積した正電荷を打消す
ことがで暑る。
るいは縞状の構造を設けることによシ、照射イオンによ
って二次電子が発生し、試料に蓄積した正電荷を打消す
ことがで暑る。
本発明の構造によって、イオン注入性中ドーズ量のカウ
ントはとくに不正確にはならない。
ントはとくに不正確にはならない。
注入され九イオン電流のうち一部は従来の装置と同様試
料から試料保持部を経て電流積算針へと流れる。イオン
電流のうち電子によって電荷が打消され九分は、試料か
ら導電性の格子状あるいは縞状構造を経て本構造と電気
的に導電した試料保持部へ流れ、同様に電流積算針によ
〉正常にカウントされる。丸だし、導電性の格子状わる
いは縞状構造へ照射されたイオン電流も同様にカウント
されるので、電流積算計でカウントされ九電流量奥際の
イオン電流積算量の補正量である。
料から試料保持部を経て電流積算針へと流れる。イオン
電流のうち電子によって電荷が打消され九分は、試料か
ら導電性の格子状あるいは縞状構造を経て本構造と電気
的に導電した試料保持部へ流れ、同様に電流積算針によ
〉正常にカウントされる。丸だし、導電性の格子状わる
いは縞状構造へ照射されたイオン電流も同様にカウント
されるので、電流積算計でカウントされ九電流量奥際の
イオン電流積算量の補正量である。
本導電性格子状（縞状）構造を試料前面、かつ、イオン
ビームに対し固定して保持し、一方試料及び試料保持部
は回転らるい社並進等によりて、その位置を変位させる
ことにより、注入量の均一化を図ることができる。
ビームに対し固定して保持し、一方試料及び試料保持部
は回転らるい社並進等によりて、その位置を変位させる
ことにより、注入量の均一化を図ることができる。
このよう゛に本発明によシ、絶縁性試料に対する高濃度
イオン注入時のトラブル防止に対する寄与は非常に大き
い。
イオン注入時のトラブル防止に対する寄与は非常に大き
い。
以下では実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例
図は本発明のイオン注入用試料保持装置の一例を示す。
絶縁性の直径２インチのガドリニウムガリウムガーネッ
ト（以下ではＧ（）Ｇと云う）ウェハが螺旋状に動く試
料保持部にとりつけられており、試料前面には、イオン
ビームに対し固定され、ステンレスからなる試料保持部
と電気的に接続された縞状の構造を有している。
ト（以下ではＧ（）Ｇと云う）ウェハが螺旋状に動く試
料保持部にとりつけられており、試料前面には、イオン
ビームに対し固定され、ステンレスからなる試料保持部
と電気的に接続された縞状の構造を有している。
０、５３Ｘ ４３ Ｏ矩形状イオンビームにより、加速
エネルギー５０ＫｅＶ 、 １．２ｍＡのイオン電流の
条件でＡ「＋イオン１×１０ 個／−注入しても何らチ
ャージアップは生じなかった。
エネルギー５０ＫｅＶ 、 １．２ｍＡのイオン電流の
条件でＡ「＋イオン１×１０ 個／−注入しても何らチ
ャージアップは生じなかった。
一方従来から知られている試料前面に導電性の格子状（
おるいは縞状）の構造を有しないイオン注入用試料保持
装置により、上記ＧＧＧウェハと同一形状のＧＧＧウェ
ハに同一条件のイオン注入を行なったところ、ウェハは
チャージアップによる放電のためクラックが生じた。
おるいは縞状）の構造を有しないイオン注入用試料保持
装置により、上記ＧＧＧウェハと同一形状のＧＧＧウェ
ハに同一条件のイオン注入を行なったところ、ウェハは
チャージアップによる放電のためクラックが生じた。
本実施例の場合、試料前面に設けた構造はビーム形状に
対し斜めに間隔１１：Ｉｗで中１藺Ｏ縞状形状である。
対し斜めに間隔１１：Ｉｗで中１藺Ｏ縞状形状である。
したがって全ビームのうち、縞状構造体によって捕獲さ
れるイオンは１０％であり、たとえ縞状構造の効果を無
視してもイオン電流積算量の誤差は１０％を越えること
はない。
れるイオンは１０％であり、たとえ縞状構造の効果を無
視してもイオン電流積算量の誤差は１０％を越えること
はない。
上記Ｏように、縞状構造の効果を考慮し、イオン電流積
算量を補正すれば誤差は無視しうる程度となる。
算量を補正すれば誤差は無視しうる程度となる。
父、縞状構造によって、注入のウェハー内の均一性は何
ら損なわれない。
ら損なわれない。
試料保持部は一回転に対し、１ジ以下のピッチで上下す
る螺旋運動をしておシ、イオン電流量に比例し九速度で
螺旋運動するように試料保持部の駆動を制御することに
より、縞状構造による矩形ビームＯ不均一性にかかわり
なく試料に均一に注入される。
る螺旋運動をしておシ、イオン電流量に比例し九速度で
螺旋運動するように試料保持部の駆動を制御することに
より、縞状構造による矩形ビームＯ不均一性にかかわり
なく試料に均一に注入される。
この挺身に本発明によれば！献以上の大イオ／電流での
絶縁性試料へＯイオン注入プロセスに於て、チャージア
ップを防止するうえで、その効果はきわめて著しい。
絶縁性試料へＯイオン注入プロセスに於て、チャージア
ップを防止するうえで、その効果はきわめて著しい。
【図面の簡単な説明】
図は本発明のイオン注入用試料保持装置の構成を示す概
念図である。 ｌ 矩形イオンビーム 龜 イオン注入用試料保持装置の試料保持部３ イオン
注入用試料保持装置の縞状構造４、試料保持部の螺旋運
動 １ 試料保持部と縞状構造の電気的接続６− 電流積算
針
念図である。 ｌ 矩形イオンビーム 龜 イオン注入用試料保持装置の試料保持部３ イオン
注入用試料保持装置の縞状構造４、試料保持部の螺旋運
動 １ 試料保持部と縞状構造の電気的接続６− 電流積算
針
Claims (1)
- 被イオン注入試料を保持し９うる構造と、前記構造と電
気的に！Ｉ続され、かつ前記被イオン注入材料の表面上
に、前記被イオン注入試遊接しないように設けられた格
子状ないしは縞状の導電性材料からなる構造から構成さ
れ丸ことを特徴とするイオン注入用試料保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7311382A JPS58189952A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | イオン注入用試料保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7311382A JPS58189952A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | イオン注入用試料保持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58189952A true JPS58189952A (ja) | 1983-11-05 |
Family
ID=13508888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7311382A Pending JPS58189952A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | イオン注入用試料保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58189952A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8354652B2 (en) | 2006-07-20 | 2013-01-15 | Aviza Technology Limited | Ion source including separate support systems for accelerator grids |
| US8400063B2 (en) | 2006-07-20 | 2013-03-19 | Aviza Technology Limited | Plasma sources |
| US8425741B2 (en) | 2006-07-20 | 2013-04-23 | Aviza Technology Limited | Ion deposition apparatus having rotatable carousel for supporting a plurality of targets |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP7311382A patent/JPS58189952A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8354652B2 (en) | 2006-07-20 | 2013-01-15 | Aviza Technology Limited | Ion source including separate support systems for accelerator grids |
| US8400063B2 (en) | 2006-07-20 | 2013-03-19 | Aviza Technology Limited | Plasma sources |
| US8425741B2 (en) | 2006-07-20 | 2013-04-23 | Aviza Technology Limited | Ion deposition apparatus having rotatable carousel for supporting a plurality of targets |
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