JP2936950B2 - イオン注入方法 - Google Patents

イオン注入方法

Info

Publication number
JP2936950B2
JP2936950B2 JP5082607A JP8260793A JP2936950B2 JP 2936950 B2 JP2936950 B2 JP 2936950B2 JP 5082607 A JP5082607 A JP 5082607A JP 8260793 A JP8260793 A JP 8260793A JP 2936950 B2 JP2936950 B2 JP 2936950B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
phosphorus
ion
sample
ion source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP5082607A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06267494A (ja
Inventor
正明 糠山
靖典 安東
浩史 森本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP5082607A priority Critical patent/JP2936950B2/ja
Publication of JPH06267494A publication Critical patent/JPH06267494A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2936950B2 publication Critical patent/JP2936950B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、イオン源から引き出
したイオンビームを質量分離を行うことなく試料に照射
してイオン注入を行う非質量分離型のイオン注入装置を
用いて、少なくとも、リンイオンを含むイオンビームを
引き出して試料にリンを注入するイオン注入方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】非質量分離型のイオン注入装置の一例を
図1に示す。この装置は、イオンドーピング装置とも呼
ばれるものであり、処理室34と、それに取り付けられ
たイオン源2とを備えている。
【0003】処理室34には、注入対象物である試料3
6が収納される。またこの処理室34は、図示しない真
空排気装置によって真空排気される。
【0004】イオン源2は、この例ではいわゆる容量結
合型の高周波イオン源であり、高周波放電によってプラ
ズマ8を発生かつ保持するためのプラズマ室4と、この
プラズマ室4内のプラズマ8から電界の作用でイオンビ
ーム22を引き出す引出し電極系10とを備えている。
【0005】プラズマ室4は、側壁4a、背面板4bお
よび引出し電極系10の引出し電極12によって囲まれ
ており、この例ではこの側壁4aおよび背面板4bがそ
れぞれ電極(放電電極)を兼ねており、両者間に高周波
電源24が接続されている。
【0006】引出し電極系10は、この例では4枚の多
孔電極、即ち引出し電極12、加速電極13、抑制電極
14および接地電極15で構成されている。引出し電極
12には引出し電源28からイオンビーム引出し用の正
電圧が、加速電極13には加速電源30からイオンビー
ム加速用の正電圧が、抑制電極14には抑制電源32か
ら逆流電子抑制用の負電圧が、それぞれ供給される。接
地電極15は接地されている。18〜21は絶縁碍子で
ある。
【0007】動作例を説明すると、処理室34内に試料
36を収納してそこを真空排気しながら、イオン源2の
プラズマ室4内にガス導入口5から所望のガス6を導入
し、側壁4aと背面板4b間に高周波電源24から高周
波電力を供給すると、側壁4aと背面板4b間で高周波
放電が起こりそれによってガス6が分解されてプラズマ
8が作られる。このプラズマ8中のイオンは、高電圧を
印加した引出し電極系10によってイオンビーム22と
して引き出される。引き出されたイオンビーム22は、
質量分離を行うことなくそのまま試料36に照射され、
イオン注入が行われる。
【0008】例えば、ガス6としてPH3/H2(水素希
釈のホスフィン)を導入して、リンイオンを含むイオン
ビーム22を引き出して、試料36にリンをドーパント
として注入したり、あるいは同じ装置を用いて、ガス6
をB26/H2(水素希釈のジボラン)に切り換えて、
ホウ素を含むイオンビーム22を引き出して、試料36
にホウ素をドーパントとして注入したりしている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにしてイオ
ン源2を長期間使用すると、プラズマ室4の壁面(即ち
側壁4a、背面板4b、絶縁碍子18および引出し電極
12の内側の面。以下同じ)に、分解されたリンやホウ
素等が付着堆積する。その内、リンは、蒸気圧が比較的
高いので、プラズマ8からの加熱によって再蒸発して、
プラズマ8中に混入するという問題がある。
【0010】このようにしてリンがプラズマ8中に混入
すると、リンの注入後に同じ装置を用いて他のイオン
(例えばホウ素)の注入を行う場合、イオンビーム22
中にリンイオンが含まれてしまい、質量分離を行わない
本件のような装置では、不必要なリンイオンが試料36
に注入されることになり、必要とするイオンの注入量の
制御性を悪化させると共に、試料36に形成される半導
体素子の特性に悪影響を及ぼす。
【0011】また、リンイオンばかりを注入する場合で
も、プラズマ8中のリンの濃度が、ガス6中の予め定め
たリンの濃度以上になるため、しかもその増加の割合が
不確定なため、注入量の制御性を悪化させる。これは特
に、リンの低濃度注入時に問題になる。
【0012】上記のような問題は、イオン源2を頻繁に
分解・清掃すれば防げるが、それには多くの時間と手間
がかかる。またその間、装置が停止するので、装置の稼
働率も低下する。
【0013】そこでこの発明は、イオン源のプラズマ室
の壁面に付着堆積したリンがプラズマ中に混入するのを
簡単に防止することができるイオン注入方法を提供する
ことを主たる目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のイオン注入方法は、試料に対するイオン
注入時以外の時に、ジボラン(B 2 6 )ガスを用いて
イオン源においてプラズマを発生させて、前記イオン源
のプラズマ室の壁面に付着堆積しているリンの表面をホ
ウ素で覆う処理を行うことを特徴とする。
【0015】
【作用】上記方法によれば、イオン源のプラズマ室の壁
面に付着堆積しているリンの表面をリンよりも蒸気圧の
低いホウ素で覆っておくことができるので、プラズマ室
内でプラズマを発生させたときのリンの再蒸発を抑え
て、リンのプラズマ中への混入を防止することができ
る。また、リンを覆っているホウ素は蒸気圧が低いた
め、そのホウ素自身が再蒸発してプラズマ中に混入する
可能性は少ない。
【0016】上記の結果、イオンビーム中に不要なイオ
ンが混じらなくなり、注入量の制御性が向上する。ま
た、試料に形成する半導体素子等の特性も向上する。
【0017】しかも、ジボランガスを用いてプラズマを
発生させる処理は、通常のイオン注入処理と同様に行え
るため、簡単に実施することができる。また、イオン源
を分解せずに済むため、時間も手間も多くかからない。
また、上記のような処理は、本来の処理の合間に行うこ
とができるので、装置の稼働率の低下を防ぐことができ
る。
【0018】
【実施例】この実施例では、図1の装置において、試料
36に対するリンイオンの注入後に、リンよりも蒸気圧
の低い元素の化合物ガスの一例として、5%B26/H
2 ガスをガス6としてプラズマ室4に供給して、このガ
スを用いてイオン源2内でプラズマ8を発生させる処理
を行った。このとき、ガス6の流量は20ccm、高周
波電源24から供給する高周波電力は100W、処理時
間は30分とした。
【0019】このような処理前は、100%H2 ガスで
プラズマ8を作ってもイオンビーム22中にリンイオン
が含まれていたけれども、上記処理後は、100%H2
ガスでプラズマ8を作ったときにイオンビーム22中に
含まれるリンイオンが殆どなくなったことが確かめられ
た。
【0020】なお、上記のリンよりも蒸気圧の低い元素
の化合物ガスとしては、当該元素自身のプラズマ8によ
る壁面からの再蒸発を防止する観点から、リンよりも十
分に蒸気圧の低い元素の化合物ガスを用いるのが好まし
い。より具体的には、26 用いるのが好ましい。
【0021】また、イオン源2は、上記例のような高周
波イオン源に限られるものではなく、他のタイプのイオ
ン源、例えばマイクロ波を用いるマイクロ波イオン源
や、フィラメントを有する多極磁場型のバケット型イオ
ン源等でも良いのは勿論である。
【0022】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、試料に
対するイオン注入時以外の時に、ジボランガスを用いて
イオン源においてプラズマを発生させて、イオン源のプ
ラズマ室の壁面に付着堆積しているリンの表面をホウ素
で覆う処理を行うようにしたので、イオン源のプラズマ
室の壁面に付着堆積したリンの表面をリンよりも蒸気圧
の低いホウ素で覆っておくことができ、それによって、
プラズマ室内でプラズマを発生させたときのリンの再蒸
発を抑えて、リンのプラズマ中への混入を防止すること
ができる。その結果、イオンビーム中に不要なイオンが
混じらなくなり、注入量の制御性が向上する。また、試
料に形成する半導体素子等の特性も向上する。
【0023】しかも、ジボランガスを用いてプラズマを
発生させる処理は、通常のイオン注入処理と同様に行え
るため、簡単に実施することができる。また、イオン源
を分解せずに済むため、時間も手間も多くかからない。
また、上記のような処理は本来の処理の合間に行うこと
ができるので、装置の稼働率の低下を防ぐことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】非質量分離型のイオン注入装置の一例を示す断
面図である。
【符号の説明】
2 イオン源 4 プラズマ室 6 ガス 8 プラズマ 10 引出し電極系 22 イオンビーム 24 高周波電源 34 処理室 36 試料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−135037(JP,A) 特開 平3−210746(JP,A) 特開 平3−255622(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01J 37/317 C23C 14/48 H01J 37/08 - 37/30 H01L 21/265

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 イオン源から引き出したイオンビームを
    質量分離を行うことなく試料に照射してイオン注入を行
    う非質量分離型のイオン注入装置を用いて、少なくと
    も、リンイオンを含むイオンビームを引き出して試料に
    リンを注入する方法において、試料に対するイオン注入
    時以外の時に、ジボランガスを用いて前記イオン源にお
    いてプラズマを発生させて、前記イオン源のプラズマ室
    の壁面に付着堆積しているリンの表面をホウ素で覆う
    理を行うことを特徴とするイオン注入方法。
JP5082607A 1993-03-16 1993-03-16 イオン注入方法 Expired - Lifetime JP2936950B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5082607A JP2936950B2 (ja) 1993-03-16 1993-03-16 イオン注入方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5082607A JP2936950B2 (ja) 1993-03-16 1993-03-16 イオン注入方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06267494A JPH06267494A (ja) 1994-09-22
JP2936950B2 true JP2936950B2 (ja) 1999-08-23

Family

ID=13779169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5082607A Expired - Lifetime JP2936950B2 (ja) 1993-03-16 1993-03-16 イオン注入方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2936950B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06267494A (ja) 1994-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6458430B1 (en) Pretreatment process for plasma immersion ion implantation
JP4099804B2 (ja) ワークピースの表面を処理する方法及びその装置
KR101065449B1 (ko) 이온원 장치 및 그의 클리닝 최적화 방법
JP2008504687A (ja) プラズマ注入のためのエッチングおよび付着制御
JPH0610348B2 (ja) イオン注入装置
JP4326756B2 (ja) ドーピング方法、ドーピング装置の制御システム、およびドーピング装置
JP2956412B2 (ja) イオン源のクリーニング方法
JP3099819B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2936950B2 (ja) イオン注入方法
JPH01207930A (ja) 表面改質法
JP3769444B2 (ja) イオン注入装置
JPH0834201B2 (ja) エツチング方法およびその装置
JP3577785B2 (ja) イオンビーム発生装置
JPH06349786A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03134947A (ja) イオン注入装置および電荷中和器
JP3473219B2 (ja) イオンビーム発生装置
JPH05259124A (ja) 半導体装置の製造法
JPS63155546A (ja) イオンドーピング装置
JP3087176B1 (ja) イオン源
JPH01243359A (ja) プラズマドーピング方法
JP2538804B2 (ja) 電子ビ―ム源
JP3342382B2 (ja) イオン源及びイオンビーム引出し方法
JP2683509B2 (ja) イオン注入装置
JP3451777B2 (ja) イオンシャワードーピング方法
JPH0793125B2 (ja) 負イオン注入方法