JPS61203553A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS61203553A JPS61203553A JP60045058A JP4505885A JPS61203553A JP S61203553 A JPS61203553 A JP S61203553A JP 60045058 A JP60045058 A JP 60045058A JP 4505885 A JP4505885 A JP 4505885A JP S61203553 A JPS61203553 A JP S61203553A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- electron beam
- ion beam
- irradiation
- ion
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 37
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 description 1
- 241000243321 Cnidaria Species 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野ｊ
この発明はイオン注入装置に関し、特にイオン注入中の
半導体ウェハの絶縁膜のチャージアップを防止すること
ができるイオン注入装置に関するものである。
半導体ウェハの絶縁膜のチャージアップを防止すること
ができるイオン注入装置に関するものである。
〔従来の技術ｌ
第２図は、従来の半導体ウェハの製造に用いられるイオ
ン注入装置の構成を示す図である。初めに、この＠１の
構成について説明する。半導体ウェハ１の表面の一部に
は絶縁膜が形成されており、この半導体ウェハ１は、真
空室８のエンドステーション部２に設けられる台６に接
地から絶縁された状態で置かれる。真空室８は真空ポン
プ５につながれており、真空室８は真空ポンプ５により
所定の真空度に排気される。真空室８の側部に陽イオン
ビーム３を発生する陽イオンビーム発生装置３２が設け
られており、陽イオン＃ｉ３１で半導体ウェハ１に注入
する不純物が陽イオン化される。
ン注入装置の構成を示す図である。初めに、この＠１の
構成について説明する。半導体ウェハ１の表面の一部に
は絶縁膜が形成されており、この半導体ウェハ１は、真
空室８のエンドステーション部２に設けられる台６に接
地から絶縁された状態で置かれる。真空室８は真空ポン
プ５につながれており、真空室８は真空ポンプ５により
所定の真空度に排気される。真空室８の側部に陽イオン
ビーム３を発生する陽イオンビーム発生装置３２が設け
られており、陽イオン＃ｉ３１で半導体ウェハ１に注入
する不純物が陽イオン化される。
また、真空室８の側部には注入量カウンタ７が設けられ
ており、その一方の端子は台６に、その他方の端子は真
空室８の側壁に接続されている。
ており、その一方の端子は台６に、その他方の端子は真
空室８の側壁に接続されている。
次に、この装置の動作について説明する。陽イオンｌ［
ｉ３１からの不純物の陽イオンビーム３は、質量分析を
受けて目的の質量のイオンだけが選択され、その侵加速
器で加速されて必要なフォーカシングを受けた侵真空至
８内のエンドステーション部２に入り、半導体ウェハ１
全面に照射される。
ｉ３１からの不純物の陽イオンビーム３は、質量分析を
受けて目的の質量のイオンだけが選択され、その侵加速
器で加速されて必要なフォーカシングを受けた侵真空至
８内のエンドステーション部２に入り、半導体ウェハ１
全面に照射される。
このようにして、不純物が半導体ウェハ１に注入され、
半導体ウェハ１に機能領域が形成される。
半導体ウェハ１に機能領域が形成される。
またこのとき、絶縁膜の分極作用を利用して、半導体ウ
ェハ１に注入された不純物量が注入量カウンタ７によっ
て測定される。
ェハ１に注入された不純物量が注入量カウンタ７によっ
て測定される。
［発明が解決しようとする問題点］
従来のイオン注入装置は以上のように構成されているの
で、不純物の陽イオンビーム３は半導体ウェハ１全面に
照射され、半導体ウェハ１の絶縁膜上では陽イオンによ
りチャージアップ１０が生じる。このため、半導体ウェ
ハ１の絶縁膜と基板間に放電現象が発生し、半導体ウェ
ハ１の製造の歩留りを低下させるという問題点があった
。
で、不純物の陽イオンビーム３は半導体ウェハ１全面に
照射され、半導体ウェハ１の絶縁膜上では陽イオンによ
りチャージアップ１０が生じる。このため、半導体ウェ
ハ１の絶縁膜と基板間に放電現象が発生し、半導体ウェ
ハ１の製造の歩留りを低下させるという問題点があった
。
この発明はかかる問題点を解消するためになされたもの
で、半導体ウェハの製造の歩留りを向上させることがで
きるイオン注入装量を提供することを目的とする。
で、半導体ウェハの製造の歩留りを向上させることがで
きるイオン注入装量を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係るイオン注入装置は、従来のイオン注入装
置に電子ビーム発生手段を付加し、測定手段により半導
体ウェハに注入された不純物の量を測定し、この測定量
が予め定める量を越えたときにイオンビームの上記半導
体ウェハへのＰ、＠ ｔｌｌを停止し、これに代わって
電子ビームを該半導体ウェハに照射するようにしたもの
である。
置に電子ビーム発生手段を付加し、測定手段により半導
体ウェハに注入された不純物の量を測定し、この測定量
が予め定める量を越えたときにイオンビームの上記半導
体ウェハへのＰ、＠ ｔｌｌを停止し、これに代わって
電子ビームを該半導体ウェハに照射するようにしたもの
である。
［作用］
この発明においては、陽イオンビームの照射により陽イ
オンでチャージアップされた半導体ウェハの絶縁層は、
電子ビームの照射によりそのチャージアップが軽減され
、半導体ウェハの絶縁膜と基板間の放電現象がなくなる
。
オンでチャージアップされた半導体ウェハの絶縁層は、
電子ビームの照射によりそのチャージアップが軽減され
、半導体ウェハの絶縁膜と基板間の放電現象がなくなる
。
［実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明する。
なお、この実施例の説明において、従来の技術のＩ明と
重襖する部分については適宜その説明を省略する。
重襖する部分については適宜その説明を省略する。
第１図は、この発明の実施例であるイオン注入装置の構
成を示す図である。この実施例においては、新たに電子
ビーム発生装［４２が設けられており、この点を除いて
は、第１図の構成は第２図の構成と同じである。電子ビ
ーム発生装［４２は電子Ｗ、４１から電子ビーム４を発
生する。
成を示す図である。この実施例においては、新たに電子
ビーム発生装［４２が設けられており、この点を除いて
は、第１図の構成は第２図の構成と同じである。電子ビ
ーム発生装［４２は電子Ｗ、４１から電子ビーム４を発
生する。
次に、この装置の動作について説明する。半導体ウェハ
１は不純物の陽イオンビーム３の照射を受け、その絶Ｉ
ＩＩは前述したようにチャージアップされる。このとき
、注入−カウンタ７により半導体ウェハ１に注入された
不純物の量が測定される。この測定された不純物の注入
量が設定量を越えたどき、陽イオンビーム３の半導体ウ
ェハ１への照射を停止し、これに代わって電子ｗ、４１
からの電子ビーム４を半導体ウェハ１に照射する。これ
によって、陽イオンでチャージアップされた絶縁−はチ
ャージダウンされる。この電子ビーム４の照射量を、そ
の照射時の電気量が陽イオンビーム３の照射時の電気量
と同一となるような照射量にすると、絶縁層のチャージ
量をＯとすることができる。また、半導体ウェハ１に注
入された不純物の量が不足するときは、再び不純物の陽
イオンビーム３でイオン注入し、その侵上記と同様に電
子ビーム４を照射し、必要であればさらにこれを繰返し
ながら半導体ウェハ１に不ｌ１ｌｉｖＩＪを注入して、
半導体ウェハ１に機能領域を形成する。このように、陽
イオンビーム３と電子ビーム４を交互に半導体ウェハ１
に照射することにより、絶縁膜のチャージ層が一定値以
下になり、このため、半導体ウェハの絶縁層と基板間の
放電現象がなくなり半導体ウェハの製造の歩留りが向上
する。
１は不純物の陽イオンビーム３の照射を受け、その絶Ｉ
ＩＩは前述したようにチャージアップされる。このとき
、注入−カウンタ７により半導体ウェハ１に注入された
不純物の量が測定される。この測定された不純物の注入
量が設定量を越えたどき、陽イオンビーム３の半導体ウ
ェハ１への照射を停止し、これに代わって電子ｗ、４１
からの電子ビーム４を半導体ウェハ１に照射する。これ
によって、陽イオンでチャージアップされた絶縁−はチ
ャージダウンされる。この電子ビーム４の照射量を、そ
の照射時の電気量が陽イオンビーム３の照射時の電気量
と同一となるような照射量にすると、絶縁層のチャージ
量をＯとすることができる。また、半導体ウェハ１に注
入された不純物の量が不足するときは、再び不純物の陽
イオンビーム３でイオン注入し、その侵上記と同様に電
子ビーム４を照射し、必要であればさらにこれを繰返し
ながら半導体ウェハ１に不ｌ１ｌｉｖＩＪを注入して、
半導体ウェハ１に機能領域を形成する。このように、陽
イオンビーム３と電子ビーム４を交互に半導体ウェハ１
に照射することにより、絶縁膜のチャージ層が一定値以
下になり、このため、半導体ウェハの絶縁層と基板間の
放電現象がなくなり半導体ウェハの製造の歩留りが向上
する。
なお、上記実施例では、電子ビーム４が不純物の陽イオ
ンビーム３の照射経路と異なる照射経路を通っているが
、半導体ウェハ１上に電子ビームが照射されればよく、
電子ビームの照射経路は、陽イオンビームの照射経路と
同一もしくは一部が同一であってもよい。
ンビーム３の照射経路と異なる照射経路を通っているが
、半導体ウェハ１上に電子ビームが照射されればよく、
電子ビームの照射経路は、陽イオンビームの照射経路と
同一もしくは一部が同一であってもよい。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、従来のイオン注入装置
に電子ビーム発生手段を付加し、測定された不純物の注
入量が予め定める量を越えたときに、イオンビームの半
導体ウェハへの照射を停止し、これに代わって半導体ウ
ェハに電子ビームを照射するようにしたので、半導体ウ
ェハの絶縁膜のチャージアップが防止され、このため半
導体ウェハの絶縁膜と基板間の放電珊象がなくなり半導
体ウェハの製造の歩留りが向上する。
に電子ビーム発生手段を付加し、測定された不純物の注
入量が予め定める量を越えたときに、イオンビームの半
導体ウェハへの照射を停止し、これに代わって半導体ウ
ェハに電子ビームを照射するようにしたので、半導体ウ
ェハの絶縁膜のチャージアップが防止され、このため半
導体ウェハの絶縁膜と基板間の放電珊象がなくなり半導
体ウェハの製造の歩留りが向上する。
第１図はこの発明の実施例であるイオン注入装置の構成
を示す図である。 第２図は従来のイオン注入１ｉ！Ｆの構成を示す図であ
る。 図において、１は半導体ウェハ、２はエンドステーショ
ン部、３は陽イオンビーム、３１は陽イオン源、３２は
陽イオンビーム発生装置、４は電子ビーム、４１は電子
源、４２は電子ビーム発生装置、５は真空ポンプ、６は
台、７は注入量カウンタ、８は真空至、１０はチャージ
アップである。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
を示す図である。 第２図は従来のイオン注入１ｉ！Ｆの構成を示す図であ
る。 図において、１は半導体ウェハ、２はエンドステーショ
ン部、３は陽イオンビーム、３１は陽イオン源、３２は
陽イオンビーム発生装置、４は電子ビーム、４１は電子
源、４２は電子ビーム発生装置、５は真空ポンプ、６は
台、７は注入量カウンタ、８は真空至、１０はチャージ
アップである。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェハに機能領域を形成するために該半導体ウェ
ハに不純物を注入するイオン注入装置であつて、 前記半導体ウェハは絶縁膜を含み、 前記半導体ウェハを入れる真空容器と、 前記真空容器に関して設けられ、前記不純物をイオン化
し該不純物のイオンビームを発生するイオンビーム発生
手段と、 前記真空容器に関して設けられ、電子ビームを発生する
電子ビーム発生手段と、 前記真空容器内に設けられ、前記イオンビームまたは前
記電子ビームを前記半導体ウェハに照射するために前記
半導体ウェハを置く台と、 前記半導体ウエハへの前記イオンビームの照射により、
前記半導体ウェハに注入される前記不純物の量を測定す
る測定手段と、 前記測定された前記不純物の注入量が予め定める量を越
えたときに前記イオンビームの照射を停止し、前記電子
ビームを前記半導体ウェハに照射するよう制御する制御
手段とを備えたイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045058A JPS61203553A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045058A JPS61203553A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61203553A true JPS61203553A (ja) | 1986-09-09 |
Family
ID=12708754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60045058A Pending JPS61203553A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61203553A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0340357A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-21 | Nec Corp | イオン注入装置 |
-
1985
- 1985-03-05 JP JP60045058A patent/JPS61203553A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0340357A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-21 | Nec Corp | イオン注入装置 |
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