JPS58182911A - 圧電振動子 - Google Patents
圧電振動子Info
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- JPS58182911A JPS58182911A JP6594782A JP6594782A JPS58182911A JP S58182911 A JPS58182911 A JP S58182911A JP 6594782 A JP6594782 A JP 6594782A JP 6594782 A JP6594782 A JP 6594782A JP S58182911 A JPS58182911 A JP S58182911A
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- pair
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- conductor layer
- conductor
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はＬＩＴａＯｓ 等の圧電振動素子を用いた圧電
振動子の構造に関する。
振動子の構造に関する。
（ｂ） 技術の背景
水晶やＬｉＴＪｌＯｓ等にてなる圧電体に適当な電極を
被１着形成し該電極に交流電界を印加すると、圧電体は
印加電界と叫しい周波数の応力を生じ、かつ、印加電界
の周波数が圧電体の固有振動数に一致すると共振して強
勢な振動が得られる。そして、かかる原理に基づく振動
子は小型高性能である九め、通信ｈａｓの発振回路やフ
ィルタとして広く使用貴れている （Ｃ） 従来技術と問題点 第１図はＬｉＴａＯ３の単結晶にてなる振動素子を支持
するストリップ型圧電振動子の従来構造を示した側面図
であり、振動子ｌは矩形断面の棒状圧電体２の対向主面
（図示表面及び裏面）に蒸着手段で１字形［極パターン
３及び３′を形成した振動＃子４が、基体５及びキヤ、
プロ郷にてなるパッケージに密封されている。九だし、
振動素子４はｔ極パターン３及び３′それぞれの端部に
一端が接続された１対の支持溝＃７及び７′を介して、
基体５に固着された１対のリード端子８及び８′に固着
されている。
被１着形成し該電極に交流電界を印加すると、圧電体は
印加電界と叫しい周波数の応力を生じ、かつ、印加電界
の周波数が圧電体の固有振動数に一致すると共振して強
勢な振動が得られる。そして、かかる原理に基づく振動
子は小型高性能である九め、通信ｈａｓの発振回路やフ
ィルタとして広く使用貴れている （Ｃ） 従来技術と問題点 第１図はＬｉＴａＯ３の単結晶にてなる振動素子を支持
するストリップ型圧電振動子の従来構造を示した側面図
であり、振動子ｌは矩形断面の棒状圧電体２の対向主面
（図示表面及び裏面）に蒸着手段で１字形［極パターン
３及び３′を形成した振動＃子４が、基体５及びキヤ、
プロ郷にてなるパッケージに密封されている。九だし、
振動素子４はｔ極パターン３及び３′それぞれの端部に
一端が接続された１対の支持溝＃７及び７′を介して、
基体５に固着された１対のリード端子８及び８′に固着
されている。
かかる従来構成になる振動子、特に平面視正方形をした
振動素子の対向するコーナ部金支持して収容した振動子
は、他の回路部品に比べてバ、ケージ高さが高く、かつ
、素子支持部の耐振強度が弱い欠点があった。また、該
欠点を多少なりとも補う丸め＠２図に示す如く、振動子
１１ｔ−プリント板１２に搭載したのち、振動子パッケ
ージから導出されたリード端子１３を約９０１［：折曲
げる方法もあるが、核力法の効果は不十分であり、かつ
搭載スペースを広くすると論う新たな欠点が生じる。
振動素子の対向するコーナ部金支持して収容した振動子
は、他の回路部品に比べてバ、ケージ高さが高く、かつ
、素子支持部の耐振強度が弱い欠点があった。また、該
欠点を多少なりとも補う丸め＠２図に示す如く、振動子
１１ｔ−プリント板１２に搭載したのち、振動子パッケ
ージから導出されたリード端子１３を約９０１［：折曲
げる方法もあるが、核力法の効果は不十分であり、かつ
搭載スペースを広くすると論う新たな欠点が生じる。
（ｄ） 発明の目的
本発明の目的は、上記欠を除去した圧電振動子を提供す
ることである。
ることである。
（ｅ） 発明の構成
上記目的は、適宜離れて対向する１対の導体層を表面に
膜形成した基板と、対向主面それぞれに電極パターンを
膜形成した圧電振動素子と、振動素子密封用キャップと
を具え、該導体層の一方とＮｆ＊極パターンの一方並び
に核導体層の他方と該ｔＩＬ極パターンの他方とが核振
動素子の端部に被着形成した１対の端Ｓ電極を介して接
続し、該基板は少なくとも該キャップを搭載する余裕を
もたせて該振動素子より大形であることを特徴とした圧
電振動子により達成される。
膜形成した基板と、対向主面それぞれに電極パターンを
膜形成した圧電振動素子と、振動素子密封用キャップと
を具え、該導体層の一方とＮｆ＊極パターンの一方並び
に核導体層の他方と該ｔＩＬ極パターンの他方とが核振
動素子の端部に被着形成した１対の端Ｓ電極を介して接
続し、該基板は少なくとも該キャップを搭載する余裕を
もたせて該振動素子より大形であることを特徴とした圧
電振動子により達成される。
（ｆ） 発明の実施例
以下、本発明の実施例に係わる図面を用いて本発明を説
明する。
明する。
第３図は本発明の一実施例になるストリップ型圧電振動
子の概略構成を示す側面図、第４図は前記振動子の分解
斜視図、第５図は前記振動子にリード端子を取着した一
例を示す側面図、ｗＸ６図は本発明の他の一実施例にな
るリード端子付き圧電振動子の正面図、第７図及び第８
図はそれぞれ本発明のさらに他の一実施例である圧電振
動子に係わる基板の構成を説明するための図である。
子の概略構成を示す側面図、第４図は前記振動子の分解
斜視図、第５図は前記振動子にリード端子を取着した一
例を示す側面図、ｗＸ６図は本発明の他の一実施例にな
るリード端子付き圧電振動子の正面図、第７図及び第８
図はそれぞれ本発明のさらに他の一実施例である圧電振
動子に係わる基板の構成を説明するための図である。
第３図及び第４図において、厚みすべり製圧電振動子２
１を圧電素子２２及びセラミ、クス等にてなるキャップ
２３を、セラミ、クス等にてなる基板２４に搭載して構
成される。第１図に示した振動素子４と同様な振動素子
２２は、圧電体２６の対向主面それぞれに丁字形電極パ
ターン２７及び２デを膜形成し、圧電体２６は一方の端
部には１対の端部電極２８及び２８′を厚膜形成し他方
の端部には１対の端部電極２９及び２９′を厚膜形成し
たのち、端部電極２８と２８′及び２９と２９′とをそ
れぞれ接続する導体層３０及び３１が被着されている。
１を圧電素子２２及びセラミ、クス等にてなるキャップ
２３を、セラミ、クス等にてなる基板２４に搭載して構
成される。第１図に示した振動素子４と同様な振動素子
２２は、圧電体２６の対向主面それぞれに丁字形電極パ
ターン２７及び２デを膜形成し、圧電体２６は一方の端
部には１対の端部電極２８及び２８′を厚膜形成し他方
の端部には１対の端部電極２９及び２９′を厚膜形成し
たのち、端部電極２８と２８′及び２９と２９′とをそ
れぞれ接続する導体層３０及び３１が被着されている。
一方、キャップ２３を搭載するため振動素子２２より大
形な基板２４の上面には、端部電極２８′及び２９′に
対向する１対の導体層３２と３３が膜形成され、端部電
極２８′と導体層３２並びに端部電極２９′と導体層３
３とはそれぞれ電気的に接続されてｈる。
形な基板２４の上面には、端部電極２８′及び２９′に
対向する１対の導体層３２と３３が膜形成され、端部電
極２８′と導体層３２並びに端部電極２９′と導体層３
３とはそれぞれ電気的に接続されてｈる。
なお、上記実施例において高温Ａｇペーストを印刷・焼
成してなる端部電極２８及び２９の厚さ、並びに高温Ａ
ｔペーストを印刷・焼成してなる端部電極２８′及び２
９′に導体層３２又は３３を接続させた厚さは、圧電体
２６の厚さの約３０９ｂ〜４５チであるとき、振動子２
１のＱ値及びスプリアスが良好領域に収まる。また、端
部電極２８′及び２９′と導体層３２又は３３との接続
工程は、導電性ペーストを用いた導体層３０及び３１の
形成と同時に行なって独立工程とならないようにしてい
る。
成してなる端部電極２８及び２９の厚さ、並びに高温Ａ
ｔペーストを印刷・焼成してなる端部電極２８′及び２
９′に導体層３２又は３３を接続させた厚さは、圧電体
２６の厚さの約３０９ｂ〜４５チであるとき、振動子２
１のＱ値及びスプリアスが良好領域に収まる。また、端
部電極２８′及び２９′と導体層３２又は３３との接続
工程は、導電性ペーストを用いた導体層３０及び３１の
形成と同時に行なって独立工程とならないようにしてい
る。
第５図において、前述の圧電振動子２１ｔ−用いたリー
ド鴻子付き圧電振動子４１Ｆｉ、導体層３２及び３３が
キャップ２３の外側に延長する基板２４の一部を挾むよ
うに１対のフォーク状リード支持溝ｉ［ｉｌ（第１図の
７． ７’）ｔ−必要としないだけ全高が低くなって小
形化されることになる。
ド鴻子付き圧電振動子４１Ｆｉ、導体層３２及び３３が
キャップ２３の外側に延長する基板２４の一部を挾むよ
うに１対のフォーク状リード支持溝ｉ［ｉｌ（第１図の
７． ７’）ｔ−必要としないだけ全高が低くなって小
形化されることになる。
第６図において、前述の振動素子（２２）及びキャップ
２３を搭載してなるリード端子付き圧電振動子５１Ｆ′
ｉ、セラミックス等にてなる基板５２０表面に形成され
第３図及び第４図に示した導体層３２及び３３と同等が
導体層５３と５４が、基板５２の長手方向端部に延長形
成されている。
２３を搭載してなるリード端子付き圧電振動子５１Ｆ′
ｉ、セラミックス等にてなる基板５２０表面に形成され
第３図及び第４図に示した導体層３２及び３３と同等が
導体層５３と５４が、基板５２の長手方向端部に延長形
成されている。
そして、第５図に示したリード端子４２及び４３と同様
な１対のフォーク状リード端子５５と５６は、導体層５
３及び５４がキャップ２３の外部に延長する基板５２の
一部を挾むように取Ｎされているため振動子５１の全高
は第５図の振動子４１のそれよりさらに低くなる利点が
ある。
な１対のフォーク状リード端子５５と５６は、導体層５
３及び５４がキャップ２３の外部に延長する基板５２の
一部を挾むように取Ｎされているため振動子５１の全高
は第５図の振動子４１のそれよりさらに低くなる利点が
ある。
！７図において、第３図及び第４図に示し九如き振動素
子（２２）及びキャップ（２３）を上面に搭載し、チッ
プ状振動子を構成する基板６１ｒｉ、上面に振動素子搭
載用導体層６２及び６３１に膜形成し、導体層６２及び
６３を外部接続する２対の導体層６４と６５は、基板６
１の長手方向端面に形成した溝状凹部に被着形成されて
いる。そして、基板６１の上に振動素子（２２）を搭載
してなる振動子は、導体層６４及び６５を介してノ・イ
プリ、ト回路基板等の上面に直接搭載することができる
。
子（２２）及びキャップ（２３）を上面に搭載し、チッ
プ状振動子を構成する基板６１ｒｉ、上面に振動素子搭
載用導体層６２及び６３１に膜形成し、導体層６２及び
６３を外部接続する２対の導体層６４と６５は、基板６
１の長手方向端面に形成した溝状凹部に被着形成されて
いる。そして、基板６１の上に振動素子（２２）を搭載
してなる振動子は、導体層６４及び６５を介してノ・イ
プリ、ト回路基板等の上面に直接搭載することができる
。
第８図において、第３図及び第４図に示した如き振動素
子（２２）及びキャップ（２３）を上面に搭載し、チッ
プ状揚動子を構成する基板７１Ｆｉ、上面（表面）に膜
形成した１対の振動素子搭載用導体層７２及び７３と対
向する下面（裏面）に１対の外部接続用導体層７４と７
５が膜形成され、導体層７２と７４及び７３と７５は１
対のスルーホール７６の内壁に形成した導体層７７及び
７８により接続されている。そして、基板７１の上に振
動素子（２２）を搭載してなる振動子は、導体層７４及
び７５を介してハイブリット回路基板婢の上面に直接搭
載される。
子（２２）及びキャップ（２３）を上面に搭載し、チッ
プ状揚動子を構成する基板７１Ｆｉ、上面（表面）に膜
形成した１対の振動素子搭載用導体層７２及び７３と対
向する下面（裏面）に１対の外部接続用導体層７４と７
５が膜形成され、導体層７２と７４及び７３と７５は１
対のスルーホール７６の内壁に形成した導体層７７及び
７８により接続されている。そして、基板７１の上に振
動素子（２２）を搭載してなる振動子は、導体層７４及
び７５を介してハイブリット回路基板婢の上面に直接搭
載される。
なお、基板７１はスルーホール７６内の導体層７７及び
７８を介して、導体層７２と７４及び７３と７５を接続
しているが、スルーホール７６を穿設しないで第７図に
示した端面導体層６４及び６５を介して接続してもよい
。
７８を介して、導体層７２と７４及び７３と７５を接続
しているが、スルーホール７６を穿設しないで第７図に
示した端面導体層６４及び６５を介して接続してもよい
。
次いで、第９図〜第１１図を用いて前述し九伽動素子２
２及び基板２４と６１の量産的作成方法について説明す
る。
２及び基板２４と６１の量産的作成方法について説明す
る。
第９図は振動素子２２の主要工程を説明するための図で
あり、第９図イにおいて圧電体（２６）より遥かに大形
な圧電体ウエーノ・の上面に複数の梯子状電極層８１が
膜形成され、皺ウェーバの下面には導体層８１と園じパ
ターンで１数の導体層８１′が膜形成される。然るのち
第９図口に示す如く、導体層８１及び８１′の長手方向
中心軸を縦断する導体層８２がウェーハ上面及び下面に
対向形成されたのち、図中１点鎖線で示す線に沿ってレ
ーザ加工によるスリ、ト８３及び８４１：設け、スリ、
ト８３及び８４に沿ってウエーノ・を割断する。
あり、第９図イにおいて圧電体（２６）より遥かに大形
な圧電体ウエーノ・の上面に複数の梯子状電極層８１が
膜形成され、皺ウェーバの下面には導体層８１と園じパ
ターンで１数の導体層８１′が膜形成される。然るのち
第９図口に示す如く、導体層８１及び８１′の長手方向
中心軸を縦断する導体層８２がウェーハ上面及び下面に
対向形成されたのち、図中１点鎖線で示す線に沿ってレ
ーザ加工によるスリ、ト８３及び８４１：設け、スリ、
ト８３及び８４に沿ってウエーノ・を割断する。
その結果、圧電体２６が形成されて導体層８１及び８１
’の一部が振動素子２２の電極パターン２７及び２７′
になり、導体４８２の一部が端部電極２８．２８’、２
９．２９’になる。
’の一部が振動素子２２の電極パターン２７及び２７′
になり、導体４８２の一部が端部電極２８．２８’、２
９．２９’になる。
第１０図は基板２４の作成方法を説明するための図であ
り、セラミックス基板２４より遥かに大形なセラミック
ス基板の上面に工学形導体層８５及び８６の検数対が膜
形成される。然るのち、図中に１点鎖線で示す線に沿っ
てレーザ加工によるスリット８７及び８８を設け、スリ
、ト８７及び８８に沿って大形基板を割断する。その結
果、導体層８５゛及び８６が２分割されてなる振動素子
搭載用導体層３２と３３を具えた基板２４が形成される
。
り、セラミックス基板２４より遥かに大形なセラミック
ス基板の上面に工学形導体層８５及び８６の検数対が膜
形成される。然るのち、図中に１点鎖線で示す線に沿っ
てレーザ加工によるスリット８７及び８８を設け、スリ
、ト８７及び８８に沿って大形基板を割断する。その結
果、導体層８５゛及び８６が２分割されてなる振動素子
搭載用導体層３２と３３を具えた基板２４が形成される
。
第１１図は基板６１の作成方法を説明するための図であ
り、セラミ、クス基板６１より遥かに大形なセラミ、ク
ス基板の上面に多数の導体層８９が膜形成される。ただ
し、前記大形セラミックス基板の各導体層８９が形成さ
れる中６部に１対のスルーホール９０が穿設され、該ス
ルーホール９０の内壁にも導体層が被着される。然るの
ち、図中に１点鎖線で示す線に沿ってレーザ加工による
スリット９１及び９２を設け、スリ、ト９１及び９２に
沿って大形基板を割断する。その結果、導体層８９とス
ルーホール９０及びその内壁に被着された導体層とが２
分割され、導体層６２と６３並びに端面凹部内の導体層
６４と６５１−具えた基板６１が形成される。
り、セラミ、クス基板６１より遥かに大形なセラミ、ク
ス基板の上面に多数の導体層８９が膜形成される。ただ
し、前記大形セラミックス基板の各導体層８９が形成さ
れる中６部に１対のスルーホール９０が穿設され、該ス
ルーホール９０の内壁にも導体層が被着される。然るの
ち、図中に１点鎖線で示す線に沿ってレーザ加工による
スリット９１及び９２を設け、スリ、ト９１及び９２に
沿って大形基板を割断する。その結果、導体層８９とス
ルーホール９０及びその内壁に被着された導体層とが２
分割され、導体層６２と６３並びに端面凹部内の導体層
６４と６５１−具えた基板６１が形成される。
なお、第１０図及び第１１図において、大形セラミ、ク
ス基板をスリット８７と８８又は９１と９２に沿って割
断するのに先立って振動素子（２２）を所定部に搭載し
、導体層８５と８６又は８９に測定用プローブを接触さ
せて各振動素子の周波数調整を行なえば、核振動子の量
産性が著しく向上される。
ス基板をスリット８７と８８又は９１と９２に沿って割
断するのに先立って振動素子（２２）を所定部に搭載し
、導体層８５と８６又は８９に測定用プローブを接触さ
せて各振動素子の周波数調整を行なえば、核振動子の量
産性が著しく向上される。
位）発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、パッケ一基板基板の上
に振動素子を直接搭載した構成であるため、従来のもの
より全高が低くなって小型化され、かつ、該素子及び基
板は圧電体ウェーハ及び大形基板から作成される数量単
位でのバッチ処理が可能な量産性を具えているため、迅
速かつ安価に提供可能となった効果がある。
に振動素子を直接搭載した構成であるため、従来のもの
より全高が低くなって小型化され、かつ、該素子及び基
板は圧電体ウェーハ及び大形基板から作成される数量単
位でのバッチ処理が可能な量産性を具えているため、迅
速かつ安価に提供可能となった効果がある。
第１図は従来構成になるストリップ型圧電振動子の一部
を破断した側面図、第２図は前記振動子の高さを減じよ
うにリード端子を折曲した従来方法を示す側面図、第３
図は本発明の一実施例になるストリップ型圧電振動子の
一部を破断した側面図、第４図は第３図に示した振動子
の分解斜視図、第５図は第３図に示した振動子にリード
端子を取着した一例を示す側面図、第６図は本発明の他
の一実施例になるリード端子付き圧電振動子の正面図、
第７図及び第８図はそれぞれ本発明のさらに他の一実施
例になる圧電振動子に係わるパッケージ基板の構成を説
明するための図、第９図ｉ１［３た基板の１産方法を説
明するための図、第１１図は第７図に示した基板の量産
方法を説明するための図である。 なお、図中において１． １１． ２１． ４１．５１
は圧電振動子、３． ３’、 ２７． ２７’は振動
電極パターン、４．２２Ｆｉ振動素子、５はパッケージ
基体、６．２３はパッケージキャップ、８． ８’、
１３゜４２．４３，５５．５６はリード端子、２４，５
２゜６１．７１はパッケージ基板、２８． ２８’、
２９゜２９′は端部電極、ｇｏ、３１は端部電極接続
用導体層、３２． ３３． ５３． ５４． ６２．
６３，７２゜７３は振動素子搭載用導体層、６４．６５
は基板端面凹部内の導体層、７６はスルーホール、７７
゜７８はスルーホール内壁の導体層を示す。 兇１ 圀 厚２図 ず
を破断した側面図、第２図は前記振動子の高さを減じよ
うにリード端子を折曲した従来方法を示す側面図、第３
図は本発明の一実施例になるストリップ型圧電振動子の
一部を破断した側面図、第４図は第３図に示した振動子
の分解斜視図、第５図は第３図に示した振動子にリード
端子を取着した一例を示す側面図、第６図は本発明の他
の一実施例になるリード端子付き圧電振動子の正面図、
第７図及び第８図はそれぞれ本発明のさらに他の一実施
例になる圧電振動子に係わるパッケージ基板の構成を説
明するための図、第９図ｉ１［３た基板の１産方法を説
明するための図、第１１図は第７図に示した基板の量産
方法を説明するための図である。 なお、図中において１． １１． ２１． ４１．５１
は圧電振動子、３． ３’、 ２７． ２７’は振動
電極パターン、４．２２Ｆｉ振動素子、５はパッケージ
基体、６．２３はパッケージキャップ、８． ８’、
１３゜４２．４３，５５．５６はリード端子、２４，５
２゜６１．７１はパッケージ基板、２８． ２８’、
２９゜２９′は端部電極、ｇｏ、３１は端部電極接続
用導体層、３２． ３３． ５３． ５４． ６２．
６３，７２゜７３は振動素子搭載用導体層、６４．６５
は基板端面凹部内の導体層、７６はスルーホール、７７
゜７８はスルーホール内壁の導体層を示す。 兇１ 圀 厚２図 ず
Claims (4)
- （１）適宜離れて対向する１対の導体層１に表面に膜形
成した基板と、対向主面それぞれに電極パターンを膜形
成した圧電振動素子と、振動素子密封用キャップとを具
え該導体層の一方と骸ｔｏ＝パターンの一方並びに該導
体層の他方と該電極パターンの他方とが皺振動素子の端
部に被着形成した１対の端部電極を介して接続し、該基
板は少なくとも１キャ、プを搭載する余裕をもたせて駄
振動素子より大形であることを特徴とした圧電振動子。 - （２）前記１対の導体層それぞれに外部リード端子の一
端を接続し、核リード端子の他端が前記基板から導出さ
れてなることを特徴とした前記特許請求の範囲第（１）
項にに己載した圧電振動子。 - （３）前記基板は一方の対向端面に、前記１対の導体層
それぞれに接続された外部接続導体層を膜形成してなる
ことを特徴とした前記特許請求の範囲第（１）項に記載
した圧電振動子。 - （４）前記基板の裏面に、前記１対の導体層それぞれに
対向する１対の１！極層を膜形成し該対向する導体層と
電極層とが、鉄基板に穿設したスルーホール又は鉄基板
の端面の倒れかに形成した導体層を介して接続されてな
ることを特徴とした前記特許請求の範囲第（１）項に記
載した圧電振動子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6594782A JPS58182911A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 圧電振動子 |
| DE8383302211T DE3381424D1 (de) | 1982-04-20 | 1983-04-19 | Herstellungsverfahrenfuer einen piezoelektrischen resonator. |
| EP83302211A EP0092428B1 (en) | 1982-04-20 | 1983-04-19 | A method for producing a piezoelectric resonator |
| US06/938,457 US4757581A (en) | 1982-04-20 | 1986-12-05 | Method for producing a piezoelectric resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6594782A JPS58182911A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 圧電振動子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58182911A true JPS58182911A (ja) | 1983-10-26 |
| JPH0370407B2 JPH0370407B2 (ja) | 1991-11-07 |
Family
ID=13301673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6594782A Granted JPS58182911A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 圧電振動子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58182911A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59181713A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-16 | Miyota Seimitsu Kk | 矩形状厚みすべり振動子の支持構造 |
| JPS6079828U (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-03 | 株式会社村田製作所 | チツプ形圧電共振部品 |
| US9046694B2 (en) | 2007-03-19 | 2015-06-02 | Olympus Medical Systems Corp. | Cooling apparatus for endoscope and endoscope system |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5469093A (en) * | 1977-11-11 | 1979-06-02 | Nippon Denpa Kogyo Kk | Thickness slip crystal resonator |
| JPS5514358U (ja) * | 1978-07-10 | 1980-01-29 | ||
| JPS5756024U (ja) * | 1980-09-17 | 1982-04-01 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3861013A (en) * | 1974-01-17 | 1975-01-21 | Air Preheater | Method of constructing a rotor for a rotary regenerative heat exchanger |
| FR2334956A1 (fr) * | 1975-12-10 | 1977-07-08 | Crouzet Sa | Perfectionnements apportes aux dispositifs pour mesurer la vitesse d'un ecoulement de fluide |
-
1982
- 1982-04-20 JP JP6594782A patent/JPS58182911A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5469093A (en) * | 1977-11-11 | 1979-06-02 | Nippon Denpa Kogyo Kk | Thickness slip crystal resonator |
| JPS5514358U (ja) * | 1978-07-10 | 1980-01-29 | ||
| JPS5756024U (ja) * | 1980-09-17 | 1982-04-01 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59181713A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-16 | Miyota Seimitsu Kk | 矩形状厚みすべり振動子の支持構造 |
| JPS6079828U (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-03 | 株式会社村田製作所 | チツプ形圧電共振部品 |
| US9046694B2 (en) | 2007-03-19 | 2015-06-02 | Olympus Medical Systems Corp. | Cooling apparatus for endoscope and endoscope system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0370407B2 (ja) | 1991-11-07 |
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