JPH0370407B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0370407B2
JPH0370407B2 JP57065947A JP6594782A JPH0370407B2 JP H0370407 B2 JPH0370407 B2 JP H0370407B2 JP 57065947 A JP57065947 A JP 57065947A JP 6594782 A JP6594782 A JP 6594782A JP H0370407 B2 JPH0370407 B2 JP H0370407B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
patterns
conductor
piezoelectric
ladder
vibrator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP57065947A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58182911A (ja
Inventor
Sumio Yamada
Yoshiaki Fujiwara
Juji Kojima
Hiroshi Hoshino
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP6594782A priority Critical patent/JPS58182911A/ja
Priority to DE8383302211T priority patent/DE3381424D1/de
Priority to EP83302211A priority patent/EP0092428B1/en
Publication of JPS58182911A publication Critical patent/JPS58182911A/ja
Priority to US06/938,457 priority patent/US4757581A/en
Publication of JPH0370407B2 publication Critical patent/JPH0370407B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1007Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (a) 発明の技術分野 本発明はLiTaO3等の圧電振素子を用いたスト
リツプ型圧電振動子の製造方法に関する。
(b) 技術の背景 水晶やLiTaO3等にてなる圧電体基板に適当な
電極パターンを被着形成し該電極に交流電界を印
加すると、圧電体は印加電界と等しい周波数の応
力を生じ、かつ印加電界の周波数が圧電体の固有
振数に一致すると共振して強勢な振動が得られ
る。そして、かかる原理に基づく圧電振動子は小
型高性能であるため、通信装置等の発振回路やフ
イルタとして広く使用されている。
(c) 従来技術と問題点 第1図はLiTaO3の単結晶にてなる振動素子を
支持するストリツプ型圧電振動子の従来構造を示
した側面図であり、振動子11は矩形断面の板状
圧電体基板2の対向主面(図示表面及び裏面)に
蒸着手段でT字形電極パターン3及び3′を形成
した振動素子4が、基体5及びキヤツプ6等にて
なるパツケージに密封されている。ただし、振動
素子4は電極パターン3及び3′それぞれの端部
に一端が接続された1対の支持導線7及び7′を
介して、基体5に固着された1対のリード端子8
及び8′に固着されている。
かかる従来構成になる振動子は、他の回路部品
に比べてパツケージ高さが高く、かつ素子支持部
の耐振強度が弱い欠点があつた。また、該欠点を
多少なりとも補うため第2図に示す如く、振動子
11をプリント板12に搭載したのち、振動子パ
ツケージから導出されたリード端子13を約90度
折曲げる方法もあるが、該方法の効果は不十分で
あり、かつ搭載スペースを広くするという新たな
欠点が生じる。
(d) 発明の目的 本発明の目的は、上記欠点を除去し且つ量産性
に優れた圧電振動子の製造方法を提供することで
ある。
(e) 発明の構成 上記本発明の目的は、圧電体ウエーハの表裏面
の各々に、両側パターンと該両側パターン間に配
置された複数個の桟パターンからなる梯子状の電
極パターンを複数所定間隔隔てて、且つ該表裏面
の該梯子状電極パターンは一方面の前記間隔に対
応する如く他方面に該梯子状電極パターンが位置
するように配置すると共に、該表裏面の該梯子状
電極パターンの前記両側パターンが上下に重なる
ように位置して形成する工程と、前記各桟パター
ンの長手方向中央で帯状に直交し、且つ前記梯子
状電極パターンの膜より厚膜の導体パターンを前
記圧電体ウエーハの表裏面に対向させて形成する
工程と、前記圧電体ウエーハを前記帯状導体パタ
ーンの中心線およびこれを直交する前記桟パター
ン間の中心線で分割する工程と、分割された各圧
電基板の端部表裏面に形成された前記導体パター
ン間を接続して引出し用導体層を形成し、且つ前
記引出し用導体層を実装基板に形成された導体層
に対向するように搭載し、固着する工程とを備え
たことを特徴とする圧電振動子の製造方法を提供
することにより達成できる。
(f) 発明の実施例 以下、本発明の実施例に係わる図面を用いて本
発明を説明する。
第3図は本発明の一実施例になるストリツプ型
圧電振動子の概略構成を示す側面図、第4図は前
記振子の分解斜視図、第5図は前記振動子にリー
ド端子を取着した一例を示す側面図、第6図は本
発明の他の一実施例になるリード端子付き圧電振
動子の正面図、第7図及び第8図はそれぞれ本発
明のさらに他の一実施例である圧電振動子に係わ
る基板の構成を説明するための図である。
第3図及び第4図において、厚みすべり振動を
行なうストリツプ型圧電振子21は圧電振素子2
2及びセラミツクス等にてなる密封用キヤツプ2
3を、セラミツクス等にてなる実装用基板24に
搭載して構成される。第1図に示した振動素子4
と同様な振動素子22は、圧電体基板26の表裏
面である対向主面にそれぞれにT字形の電極部2
7aと接続部27bからなる電極パターン27及
び27′を膜形し、圧電体基板26は一方の端部
には1対の引出し用導体層である端部電極28及
び28′を厚膜形成し、他方の端部には1対の引
出し用導体層である端部電極29及び29′を厚
膜形成したのち、端部電極28と28′及び29
と29′とをそれぞれ接続すると共に引出し用導
体層を形成する導体層30及び31が被着されて
いる。一方、キヤツプ23を搭載するため振動素
子22より大形な基板24の上面には、端部電極
28′及び29′に対向する1対の導体層32と3
3が膜形成され、端部電極28′と導体層32並
びに端部電極29′と導体層33とはそれぞれ電
気的に接続されている。
なお、上記実施例においてAgペーストを印刷、
焼成して厚膜形成してなる端部電極28及び29
の厚さ、並びにAgペーストを印刷,焼成し厚膜
形成してなる端部電極28′及び29′に導体層3
2又は33を接続させた厚さは、圧電体26の厚
さの約30%〜45%であるとき、振動子21のQ値
及びスペリアスが良好領域に収まる。また、端部
電極28′及び29′と導体層32又は33との接
続工程は、導電性ペーストを用いた導体層30及
び31の形成と同時に行なつて独立工程とならな
いようにしている。
第5図において、前述の圧電振動子21を用い
たリード端子付き圧電振動子41は、導体層32
及び33がキヤツプ23の外側に延長する基板2
4の一部を挾むように1対のフオーク状リード端
子42及び43を取着して完成する。そして、振
動子41は前述した従来の振動子1に比べ素子支
持導線(第1図の7,7′)を必要としないだけ
全高が低くなつて小形化されることになる。
第6図において、前述の振動素子22及びキヤ
ツプ23を搭載してなるリード端子付き圧電振動
子51は、セラミツクス等にてなる基板52の表
面に形成され、第3図及び第4図に示した導体層
32及び33と同等な導体層53と54が、基板
52の長手方向端部に延長形成されている。そし
て、第5図に示したリード端子42及び43と同
様な1対のフオーク状リード端子55と56は、
導体層53及び54がキヤツプ23の外側に延長
する基板52の一部を挾むように取着されている
ため振動子51の全高は第5図の振動子41のそ
れよりさらに低くなる利点がある。
第7図において、第3図及び第4図に示した如
き振動素子22及びキヤツプ23を上面に搭載
し、チツプ状振動子を構成する実装用基板61
は、上面に振動素子搭載用導体層62及び63を
膜形成し、導体層62及び63を外部接続する2
対の導体層64と65は、基板61の長手方向端
面に形成した溝状凹部に被着形成されている。そ
して、基板61の上に振動素子22を搭載してな
る振動子は、導体層64及び65を介してハイブ
リツド回路基板等の上面に直接搭載することがで
きる。
第8図において、第3図及び第4図に示した如
き振動素子22及びキヤツプ23を上面に搭載
し、チツプ状振動子を構成する基板71は、上面
(表面)に膜形成した1対の振動素子搭載用導体
層72及び73と対向する下面(裏面)に1対の
外部接続用導体層74と75が膜形成され、導体
層72と74及び73と75は1対のスルーホー
ル76の内壁に形成した導体層77及び78によ
り接続されている。そして、基板71の上に振動
素子22を搭載してなる振動子は、導体層74及
び75を介してハイブリツド回路基板等の上面に
直接搭載される。
なお、基板71はスルーホール76内の導体層
77及び78を介して、導体層72と74及び7
3と75を接続しているが、スルーホール76を
穿設しないで第7図に示した端面体層64及び6
5を介して接続してもよい。
次いで、第9図〜第11図を用いて前述した振
動素子22及び実装用基板24と61の量産的作
成方法を説明することにより、本発明に係る圧電
振動子の製造方法について詳述する。
第9図は振動素子22の主要工程を説明するた
めの図であり、第9図イにおいて上述の圧電体基
板26より遥かに大形な圧電体ウエーハの上面
(表面)に複数の梯子状電極層81が所定間隔P
隔てて列状膜形成され、該ウエーハの下面(裏
面)には導体層81と同じ梯子状パターンで複数
の導体層81′が所定間隔P隔てて列状に膜形成
される。この際導体層81,81′は一方が間隔
Pに位置するように配置され、その両側パターン
部81a,81′aが上下に重なるように配置さ
れている。然るのち第9図ロに示す如く、導体層
81及び81′の桟パターン部81b,81′bの
長手方向中心軸で直交する第1と第2の導体パタ
ーンである帯状の導体層82がウエーハ上面及び
下面に対向するように厚膜形成されたのち、図中
1点鎖線で示す線に沿つてレーザ加工によるスリ
ツト83及び84を設け、スリツト83及び84
に沿つてウエーハを割断する。その結果、圧電体
基板26が形成されて導体層81及び81の一部
が振素子22の電極部27aと接続部27bから
なる電極パターン27及び27′になり、導体層
82の一部ば端部電極28,28′,29,2
9′になる。
第10図は実装用基板24の作成方法を説明す
るための図であり、基板24より遥かに大形なセ
ラミツクス基板の上面に字形導体層85及び8
6の複数対が膜形成される。然るのち、図中に1
点鎖線で示す線に沿つてレーザ加工によるスリツ
ト87及び88を設け、スリツト87及び88に
沿つて大形基板を割断する。その結果、導体層8
5及び86が2分割されてなる振動素子搭載用導
体層32と33を具えた基板24が形成される。
第11図は実装用基板61の作成方法を説明す
るための図であり、基板61より遥かに大形なセ
ラミツクス基板の上面に多数の導体層89が膜形
成される。ただし、前記大形セラミツクス基板の
各導体層89が形成される中心部に1対のスルー
ホール90が穿設され、該スルーホール90の内
壁にも導体層が被着される。然るのち、図中に1
点鎖線で示す線に沿つてレーザ加工によるスリツ
ト91及び92を設け、スリツト91及び92に
沿つて大形基板を割断する。その結果、導体層8
9とスルーホール90及びその内壁に被着された
導体層とが2分割され、導体層62と63並びに
端面凹部内の導体層64と65を具えた基板61
が形成される。
なお、第10図及び第11図において、大形セ
ラミツクス基板をスリツト87と88又は91と
92に沿つて割断するのに先立つて振動素子22
を所定部に搭載し、導体層85と86又は89に
測定用プローブを接触させて各振動素子の周波数
調整を行なえば、該振動素子の量産性が著しく向
上される。
(g) 発明の効果 以上説明した如く本発明によれば、パツケージ
用基板の上に電極パターンを浮かせた状態で振動
素子を直接搭載した構成であるため、特性を落と
すことなく従来のものより全高が低くなつて小型
化され、かつ、該素子及び基板は圧電体ウエーハ
及び大形基板から作成される数量単位でのバツチ
処理が可能な量産性を具えているため、迅速かつ
安価に提供可能となつた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来構成になるストリツプ型圧電振動
子の一部を破断した側面図、第2図は前記振動子
の高さを減じるようにリード端子を折曲した従来
方法を示す側面図、第3図は本発明の一実施例に
なるストリツプ型圧電振動子の一部を波断した側
面図、第4図は第3図に示した振動子の分解斜視
図、第5図は第3図に示した振動子にリード端子
を取着した一例を示す側面図、第6図は本発明の
他の一実施例になるリード端子付き圧電振動子の
正面図、第7図及び第8図はそれぞれ本発明のさ
らに他の実施例になる圧電振動子に係わるパツケ
ージ基板の構成を説明するための図、第9図は第
3図及び第4図に示した振動素子の量産方法を説
明するための図、第10図は第3図及び第4図に
示した基板の量産方法を説明するための図、第1
1図は第7図に示した基板の量産方法を説明する
ための図である。 なお、図中において、1,11,21,41,
51は圧電振動子、3,3′,27,27′は振動
電極パターン、4,22は振動素子、5はパツケ
ージ基体、6,23はパツケージキヤツプ、8,
8′13,42,43,55,56はリード端子、
24,52,61,71はパツケージ基板、2
8,28′,29,29′は端部電極、30,31
は端部電極接続用導体層、32,33,53,5
4,62,63,72,73は振動素子搭載用導
体層、64,65は基板端面凹部内の導体層、7
6はスルーホール、77,78はスルーホール内
壁の導体層を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 圧電体ウエーハの表裏面の各々に、両側パタ
    ーンと該両側パターン間に配置された複数個の桟
    パターンからなる梯子状の電極パターンを複数所
    定間隔隔てて、且つ該表裏面の該梯子状電極パタ
    ーンは一方面の前記間隔に対応する如く他方面に
    該梯子状電極パターンが位置するように配置する
    と共に、該表裏面の該梯子状電極パターンの前記
    両側パターンが上下に重なるように位置して形成
    する工程と、 前記各桟パターンの長手方向中央で帯状に直交
    し、且つ前記梯子状電極パターンの膜より厚膜の
    導体パターンを前記圧電体ウエーハの表裏面に対
    向させて形成する工程と、 前記圧電体ウエーハを前記帯状導体パターンの
    中心線およびこれと直交する前記桟パターン間の
    中心線で分割する工程と、 分割された各圧電基板の端部表裏面に形成され
    た前記導体パターン間を接続して引出し用導体層
    を形成し、且つ前記引出し用導体層を実装基板に
    形成された導体層に対向するように搭載し、固着
    する工程とを備えたことを特徴とする圧電振動子
    の製造方法。
JP6594782A 1982-04-20 1982-04-20 圧電振動子 Granted JPS58182911A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6594782A JPS58182911A (ja) 1982-04-20 1982-04-20 圧電振動子
DE8383302211T DE3381424D1 (de) 1982-04-20 1983-04-19 Herstellungsverfahrenfuer einen piezoelektrischen resonator.
EP83302211A EP0092428B1 (en) 1982-04-20 1983-04-19 A method for producing a piezoelectric resonator
US06/938,457 US4757581A (en) 1982-04-20 1986-12-05 Method for producing a piezoelectric resonator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6594782A JPS58182911A (ja) 1982-04-20 1982-04-20 圧電振動子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58182911A JPS58182911A (ja) 1983-10-26
JPH0370407B2 true JPH0370407B2 (ja) 1991-11-07

Family

ID=13301673

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6594782A Granted JPS58182911A (ja) 1982-04-20 1982-04-20 圧電振動子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58182911A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59181713A (ja) * 1983-03-30 1984-10-16 Miyota Seimitsu Kk 矩形状厚みすべり振動子の支持構造
JPS6079828U (ja) * 1983-11-04 1985-06-03 株式会社村田製作所 チツプ形圧電共振部品
JP5075437B2 (ja) 2007-03-19 2012-11-21 オリンパス株式会社 内視鏡用冷却装置及び内視鏡装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5469093A (en) * 1977-11-11 1979-06-02 Nippon Denpa Kogyo Kk Thickness slip crystal resonator
JPS5514358B2 (ja) * 1974-01-17 1980-04-15
JPS5756024B2 (ja) * 1975-12-10 1982-11-27

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6244580Y2 (ja) * 1978-07-10 1987-11-26
JPS5756024U (ja) * 1980-09-17 1982-04-01

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5514358B2 (ja) * 1974-01-17 1980-04-15
JPS5756024B2 (ja) * 1975-12-10 1982-11-27
JPS5469093A (en) * 1977-11-11 1979-06-02 Nippon Denpa Kogyo Kk Thickness slip crystal resonator

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58182911A (ja) 1983-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0092428B1 (en) A method for producing a piezoelectric resonator
JP3577170B2 (ja) 圧電共振子とその製造方法およびそれを用いた電子部品
JPH09275325A (ja) 圧電共振子およびそれを用いた電子部品
JPS58172008A (ja) 圧電振動子の構造及びその製造方法
JPH0370407B2 (ja)
US6223406B1 (en) Method of manufacturing piezoelectric resonator
JP3266031B2 (ja) 圧電共振子およびそれを用いた電子部品
JPS59119911A (ja) 圧電振動子
KR100280072B1 (ko) 압전공진자및이를구비한전자부품
JPH10242794A (ja) 表面実装型容量内蔵圧電共振子
JP5800591B2 (ja) 表面実装水晶振動子
JP2557761Y2 (ja) 表面実装型圧電振動子
KR100731509B1 (ko) 절연 세라믹 기저판을 이용해서 캡 수단을 갖는 표면실장형 레조네이터들 및 그의 형성방법들
JP2526665Y2 (ja) 振動片の搭載保持構造
JPS58139511A (ja) チツプ状圧電振動部品の製造方法
JPH0414861Y2 (ja)
JPH0155608B2 (ja)
JPH1167508A (ja) 複合素子及びその製造方法
JPH114137A (ja) 圧電部品
JPS59218019A (ja) 水晶振動子
JPH0241943Y2 (ja)
JPH0749857Y2 (ja) セラミック発振子用コンデンサの取付構造
JPH08195627A (ja) 発振器の構造
JPS5827554Y2 (ja) 弾性表面波装置
JPS6317247B2 (ja)