JPS58177502A - 電子的スイッチング回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、磁気ヘッドの駆動に用いられ、磁気バイアス
記録回路又は消去回路に特に有用な電子スイッチ回路に
関する。

磁気ヘッド巻線に消去、バイアス又は記録動作などの丸
めに供給される電流をオンオフするための、従来のスイ
ッチ回路には、ヘッド駆動−路と変換＊Ｓとの間に接続
された機械的接点を有するリレー型の電気機械的スイッ
チが周知のように用いられる＠スイッチングを制御する
ためにリレーに制御電圧が印加される。このような従来
のスイッチ回路は、ＶＦＲ−２ビデオ・プロダクション
・レコーダー、カタログム１８０９５８４−２．１０／
９頁、１９８０年５月発行に記載されているアンペック
ス社製のＶＦＲ−２型ビデオレコーダーの音声部分に用
いられている消去ヘッドの駆動用に、−例として使用さ
れている。

上記の形式のスイッチ回路ヲ、高周波ノイズ信号が誘起
されるトランスジューサー駆動回路に使用した場合、い
ろいろの不具合を生ずる。

このスイッチを作動させるごとに、機械的接点の急激な
分離又は接続によって、接点のはね返りを生じ、また接
点に存在するノイズ電位のため大きな電流スパイクを生
じ、この電流スパイクが変換巻線に入る。例えば２個以
上のＩＩ！ｉＩ：記録チャンネルを用いる多重チャンネ
ルのテープレコーダーの場合、当該技術において周知の
ように、変換巻線からの漏洩磁束のため、隣接チャンネ
ルのトランスジューサーの間に高周波のクロストークが
誘起されることがある。第１のトランスジューサーが例
えば消去モード又は記録モードになっている場合、成る
量のクロストークがそのトランスジューサーからそれに
隣接した第２のトランスジューサーに誘起される。

その後に第２のトランスジューサーのリレースイッチを
制動信号によってオンにすると、当該技術において周知
のように、第２トランスジユーサーの巻線中に誘起され
たクロストーク電位は、スイッチの機械的接点により短
絡され、関連する駆動回路が動作する前に接点に電流が
流れる。それに続いて、接点のはね返りが起こり、大き
な過渡電流スパイクとトランスジューサー共振回路に対
するリンギングが附随して発生し、それによる不所望の
振動電流がトランスジューサー巻線を通って流れる。上
述した電流のため、記録媒体上に存在する情報が消去さ
れるだけでなく、耳ざわりな尖鋭なポツプノイズ又はク
リックノイズが記録媒体上に記録される。

発明の要約 従って本発明の目的は、電気機械的スイッチを使用する
ことによる上述した不利益の表い磁気ヘッド駆動部のた
めのスイッチ回路を提供することにある。

本発明の別の目的は、スイッチ開放状態に対応する高抵
抗値とスイッチ閉成状態に対応する低抵抗値との間にお
いて実質的に直線状に変化する抵抗をもった電子スイッ
チを使用する磁気ヘッド駆動部用のスイッチ回路を提供
することにある。

本発明の更に別の目的は、スイッチ動作詩に変換巻線中
に誘起される高周波ノイメ信号による不所望のノイズ状
のスパイクが記録されたり、記録された信号が不所望に
消失されたりしないようにした、上述の特徴を備えたス
イッチ回路を提供することにある 実施例の説明 本発明の作用並びに従来技術に対する利点がよルよく比
較され理解されるように、第１人〜１０図を参照して、
従来技術の電圧−電流特性のいくつかの例について説明
する。

第１Ａ図には、時点１ｏにおいてリレー型の従来のスイ
ッチ（図示しない）に印加され後述するようにそれぞれ
のスイッチ接点を閉成する直流制御電圧Ｖｃｏｎの電圧
Ｖａの値が示されている。

第１Ｂ図には、上述したカタログに記載されているよう
な従来技術のスイッチング回路（図示しない）の電圧特
性の一例が示され、この回路のリレー接点（複数）は消
去信号源と、磁気消去ヘッド（以下に第１磁気ヘッド或
いは磁気トランスジューサーとも称される）の巻線との
間に接続されている。当該技術において周知のように、
非常に接近した隣接チャンネルにある同様の第２消去ト
ランスジユーサー（図示しない）が作動し、従って最適
消去電圧を受けているものと想定する。時点ｔ１以前の
第１Ｂ図の特性曲線の一部は、第１磁気ヘツドが作動し
ていない時、即ちそのそれぞれのリレー接点が開放され
、従ってその巻線が回路の残部から遮断されている時に
、第２磁気ヘツドの巻線から第１磁気ヘツドの巻線中に
誘起された、交流クロストーク電圧の包絡線Ｖｃｒ　、
−Ｖｃｒを表わしている。典型的には、誘起されたクロ
ストーク電圧は、最適消去電圧レベルの３０％となり得
る。

第１Ａ図の時点ｔｏにおいての制御電圧Ｖａをリレーに
適用すると、時点ｔ、において第１磁気トランスジュー
サー回路のそれぞれのリレー接点が閉成され、これらの
接点に存在するクロストーク電圧を短絡する。第１Ｂ図
の時点１０〜１１間の特性部分は、当該技術において周
知のように、リレーの接点が閉成されるまでの所要の遅
延（典型的には約４ｍ秒）を表わしている。第１Ｂ図の
時点１．〜ｔ！間の電圧特性部分は、上述したように接
点が接触した後の接点のはね返シによって生ずる変動を
表わしている。時間ｔ１〜ｔ！は、電圧変動が安定し、
零に近い公称レベルの電圧包絡線を時点１．において得
るまでの所要時間である。この時間は典型的には２ｍ秒
である。

第１Ｃ図は上述した従来技術のスイッチング回路（図示
しない）に所属する第１Ｂ図の電圧特性に対応した電流
特性を表わしている。第１Ｃ図かられかるように、第１
磁気トランスジユーサーのリレー接導が接触する時点ｔ
１以前には、このトランスジューサーの巻線に大きなり
ロストーク電流が流れることはない。しかし時点ｔ１に
おいてリレー接点が接触した後は、第１Ｂ図に示すクロ
ストーク電圧の包絡線Ｖｃｒ、　−Ｖｅｒの短絡のため
、実際の消去駆動回路が時点ｔ！において動作する前に
、第１磁気ヘツドの巻線に不所望のクロストーク電流が
流れる。関連した接点のはね返りのため、クロストーク
によシ誘起された高周波電流が変調され、実質的な大き
さの不所望の電流スパイク（支）Ｓ一方向に形成され、
対応するリンギング電流が磁気トランスジューサー（図
示しない）の関連する共振回路に逆方向に流入する。こ
れは当該技術では周知のむとであり、特性の一部は第１
Ｃ図の時間ｔ１〜ｔ！に示すようになる０電流スパイク
は第１Ｃ図に示すように、最適消去電流包絡線工１、−
１１の値に対応する大きさになシ得る。そのため矢鋭な
不所望のじよう乱信号（ホップノイズ又はクリックノイ
ズ）が媒体上に記録され、媒体のその部分に以前に記録
されていた信号はそのノイズ信号のため消去される。

第１Ｂ、１Ｃ図の時点１．は、上述した時間隔の終わり
と、直線状に増大する高周波消去電圧及び電流の包結線
の始まシを表わしている。この電圧及び電流はそれぞれ
ランプアップ電圧及びランプアップ電流と普通呼ばれて
おり、関連する駆動回路（図示しない）によってトラン
スジューサー巻線に印加される。これは当該技術では周
知のことであシ、−例として上記のカタログに記載され
ている。時点ｔ、において最適電圧値の包絡義士Ｖ１、
土１１が得られ、その後は従来技術の回路によって第１
Ｂ、ＩＣｖ！Ｊに示すように、当該技術において周知の
ように一定の値に保たーれる。

第１Ｂ、ＩＣ図の時間ｔ１〜ｔ！において見られるよ゛
うな電圧及び電流の過渡特性は、第１Ａ図の制御電圧Ｖ
ａを従来技術のリレー巻線から突然除去してリレー接点
を離開させリレー接点の間のクロストーク電流を突然消
失させることによっても生じ得る。この消失は、当該技
術に　　　　□おいて周知のように、電圧及び電流の最
適値上■１、十１１をほぼ零までランプダウンさせた後
にも一般に与えられる。

第１Ｄ、１８図は、第２図に示した本発明の好ましい実
施例による回路の電圧特性及び電流特性をそれぞれ示し
、これらの特性はそれぞれ第１Ｂ、ＩＣ図の従来技術の
特性に対応している。

本発明の好ましい実施例に用いられる電子スイッチの制
御回路に時点ｔ１１において印加される制御電圧Ｖｃｏ
ｎを表わす電圧ｖｂＯ値の一例を第１Ａｖ！：ｉに示す
。

第１Ｄ図は本発明の実施例によって得られる消去電圧の
包結線の一例、第１Ｅ図は対応する消去電流の包結線の
一例を示す。第１Ｄ、１８図かられかるように、接点の
はね返シ及びリンギング電流による電圧の変動及び電流
スパイクは、第１Ｄ、１８図の特性からはそれぞれ除か
れている。更に第１Ｄ、ＩＥ図かられかるように、従来
技術の対応の特性と比較して実質的に直線状に変化する
クロストーク電圧及び電流特性が得られ、第１Ｂ１１Ｃ
図の時間ｔｏ〜ｔ１に見られるようなスイッチング動作
の遅延も除かれている。

次に第２図に示した好ましい実施例による回路と、第１
Ｄ、ＩＥ図との関連においてのその作用を説明する。高
周波駆動信号源１は導線２を経て電圧増幅器３に接続さ
れている。これは磁気バイアス又は磁気飽和記録或いは
消去技術において周知のことであシ、−例として上述の
カタログに記載されている。この好ましい実施例におい
て、電圧増幅器３は、反転演算増幅器３１と、その出力
に接続された１対の相補形の出カドランシスター３°２
，３３との周知の組合わせとして形成され、全体的な負
帰還ループは電圧増幅器６の出力導！１８から入力導線
２に接続されている。この好ましい例では消去電圧によ
って表わされる駆動信号は、音声の磁気記録において周
知のように用いられる８０ｋＨｚの周波数を一例として
有している。磁気トランスジューサー４は概略的に図示
され、両側の磁極が変換ギャップ１６を形成する磁心５
を有し、導電性トランスジューサーコイル７が当該技術
において周知のように磁心５に巻回されている０機械重
接点を有さない第２図のスイッチング回路に電子スイッ
チが本発明に従って用いられている。電子スイッチは好
ましくは電界効果トランジスター（出カドランシスター
）例えばＶＭＯ８によシ形成され、電圧増幅器３とコイ
ル７との間に次のように接続される。こ−の電子スイッ
チｌｐちＦＥＴスイッチ６のソース端子Ｓは出力導１１
１１８を経て電圧増幅器３の出力に接続してあシ、その
ドレン端子りはコンデンサー９によりコイル７に接続し
である。コンデンサー９とコイル７とは、当該技術にお
いて周知のように、磁気トランスジューサー４のＬＣ共
振回路を形成している◇ＦＥＴスイッチ６のゲート端子
Ｇは、第１Ａ図に示した制御電圧ｖｂによシ関接的に制
御される。制御電圧ｖｂは、ＴＴＬゲート（図示しない
）のような適当な電圧源から低値移行又は−負値直流ス
テップ電圧の形で導線に供給するが、別の方法として、
マイクロプロセッサ−論理システム（図示しない）によ
り発生させてもよい。

導１１１１０の制御電圧ｖｂは後述する制御回路を経て
ＦＥＴスイッチ６のゲート端子Ｇに供給される。反転ト
ランジスタースイッチ１１のベースは導！１１０に接続
してあシ、エミッターは接地され、コレクターは抵抗器
１２を経て＋１５■直流電圧源に接続されている。受動
集積回路とも呼ばれるＲＣランプ発生薗路１３の一端は
トランジスタースイッチ１１のコレクターニ接続され、
他端は別の抵抗１８によｆｉＦＥＴスイッチ６のゲート
に接続されている。ランプ発生回路１３のコンデンサー
１５は抵抗１４．１８の接合部と大地との間に接続され
ている。別のコンデンサー１７はＦＥＴスイッチ６のゲ
ート端子Ｇとソース端子Ｓとの間に接続してあり、以下
の説明かられかるように、いわゆるブーストラップコン
デンサーである。なお上述したＦＢＴｘイツチ６０回路
内のソース−ドレン配向は、ソース端子Ｓとドレン端子
りとの間に無視できる程度の電流がある実効的なオフ状
態に対応する例えば敵方オームから数十メガオームのオ
ーダーのスイッチ６の非常に低いトランスコンダクタン
ス従って非常に高い内部抵抗を得るためのものである。

その反対に、数オームのオーダーの非常に低い内部抵抗
に対応する非常に高いトランスコンダクタンスがスイッ
チ６の実効的オン状態に対応してソース端子８とドレン
端子との間に得られる。

次に第２図の回路の作用について詳述する。

ＦＦｔＴＦＥＴスイッチ６させるために、第１Ａ図の時
点ｔ１１に示すような低値移行直流ステップ電圧ｖｂ　
（例えば五４Ｖ）を導４１１０に与え、トランジスター
スイッチ１１のベースに見かけ上の地電圧を導入する。

それによ、り　＋１５Ｖ直流電源からの対応する高値移
行ステップ電圧が抵抗１４．１８を経てＦＥＴスイッチ
６のゲート端子ＧＫ与えられる。抵抗器１８の抵抗値は
、直流ランプ発生回路１５からＦＥＴスイッチ６のゲー
トの高周波回路を実効的に分離するように、好ましくは
１０〜１００にオームの大きな抵抗範囲に選定する。

コンデンサー１７（ブーストラップコンデンサー）は、
スイッチ作動のＮｉ１期間中にＦＥＴスイッチ６のゲー
ト端子Ｇとソース端子Ｓとの間の交流を短絡慣せてＦＥ
Ｔスイッチ６の出力信号の歪みを少くするように、周知
のように、ゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間に接続さ
れている。ランプ発生回路１３は、抵抗１日の比較的大
きなオーム抵抗に関して、導＠８の高周波消去電流を受
けない。時点ｔｌｌにおいてトランジスタースイッチ１
１のコレクターに上述した高値移行制御電圧が供給され
ると、ランプ発生回路１３は、実質的に直線状に増大す
る制御電圧（ランプ）を発生させ、抵抗１８を経てそれ
をＦＦＳ’ｌ’スイッチ６のゲート端子Ｇに送出する。

使用した型式のＦＥＴの特性から知られるように、ＦＥ
Ｔスイッチ６のソース−ドレン電圧は、制御電圧の変化
にほぼ直線状に追随する。

電圧増幅器３は好ましくは数オームのような非常に低い
出力インピーダンスをもつように選定されるので、ＦＥ
Ｔスイッチ６のソース端子は、ＦＥＴスイッチ６を適正
に動作させるように、できるだけ低いインピーダンスに
接続する。

第１Ｄ図にＦＥＴスイッチ６のソース−ドレン間の電圧
特性を示す。第１Ｄ図の電圧特性を第１Ｂ図の電圧特性
と比較することによって明らかになるように、高周波ク
ロストーク電圧の包絡線Ｖｃ　ｒ、　−Ｖｃｒ　のレベ
ルは、時点ｔｏにおいて制御電圧ｖｂを印加するのとほ
ぼ同時に、はぼ直線状に減少する。時間ｔｌｌ〜ｔ！は
ランプ発生回路１３の抵抗Ｒ１４とコンデンサー１５と
の時定数ＲＣＫよって定まり、この時定数は、本実施例
の場合、Ｑ、５ＷＬ秒に選定される。

ＦＥＴスイッチ６の第１Ｄ図の電圧特性に対応する電流
特性を第１Ｅ図に示す０明らかなように、時点ｔｉｔ以
前のクロストーク電流包絡線はほぼ零でア〕、時間ｔ■
〜１１１の＃１ぼ直線状に減少する電圧包結線に対応し
て第１Ｅ図のほぼ＆４１［状に増大するランプがそれに
続いている。

以上の説明かられかるように、第２図のスイッチング回
路は、導１１１０に与えられるステップ制御電圧ｖｂに
応答して、クロストーク電圧及びクロストーク電流のそ
れぞれのエンベロープをほぼ直線状のランプ波形とする
回路である。

そのためテープ上に誘起されるクロストークによりじよ
う乳性ポツプノイズ又はクリックノイズが記録されるこ
とはない。上述したことから明らかなように、第１Ａ図
の時点１．において示す高値移行ステップ制御電圧ｖｂ
を導ｌｌ１１０に与えた時にも、第２図の回路は同様に
作動する。消去電圧包路線が最適値ｖ１、−■１からほ
ぼ零まで直線状に減少し良後は、当該技術において周知
のように消去電流駆動回路を遮断することが望ましい。

そのため時点ｔ６において導＠１０にステップ電圧が与
えられると、ランプ発生回路１３は、第１Ｄ図の時間音
、〜１ｓ　において見られるようにほぼ直線状に増大す
るクロストーク電圧包絡ＩＩＩ（ランプエンベＯ−７’
）を発生させる。このクロストーク電圧包絡線には、そ
れに対応して直線状に減少する第１Ｅ図に示すようなり
ロストーク電流包絡Ｗ＜ｔンプエンペロープ）が伴なっ
ている。これらの電圧及び電流包路線は、上述した時間
１．〜ｔ！（本実施例で／ｒｉＱ、５ｍ秒に選定される
）に対応する時間ｔ１〜ｔ・の間に供給される。

以上の説明から明らかなように、本発明のスイッチ回路
の利用によシ、直流制御信号の方向に依存して第１方向
に、スイッチの開放状態の１０メガオームのオーダーの
非常に高い抵抗値からスイッチの閉成状態の１０オーム
のオーダーの非常に低い抵抗値まで、又はそれと反対の
第２方向に、高周波の誘起ノイズ信号を、実質的に抵抗
性の形態で、ランプ波形とすることができる。

なお、本実施例においては、上述の形式のＦＥＴスイッ
チは、ピンチオフ電圧領域においてランプ波形とし得る
電圧及び電流の特性の実質的に直線状の領域について用
いられる。

本発明のスイッチ回路の特別の利点は、上述した低抵抗
値が閉成状態において、第２図に示すトランスジューサ
ーのＬＣ共振回路と干渉しない（即ちこの回路を減衰さ
せない）ことにある０ ランプ持続時間即ち時間ｔｌｌ〜ｔ！及び時間１゜〜ｔ
・の遷移時間を定める所望の時定数がランプ発生回路１
３の抵抗１４とコンデンサー１５とのキれぞれの値によ
って定まることも１つの利点である。従ってこれらの素
子値の選定により所要遷移期間を上述したように最小値
とすることができる。以上の説明かられかるように、本
発明のスイッチ回路は、磁気トランスジューサーの駆動
部に用いられる従来譚術によるリレー形のスイッチに比
較して、スイッチ動作の遅延時開を短くし、電力の実質
的な節減を可能にするＯ 磁気信号消去囲路に用いられる電子スイッチング回路に
関連した本発明の好ましい実施例について以上に説明し
たが、当業者には明らかなように、わずかな変更により
、信号記録回路にも本発明を適用することができる。そ
の場合、高周波バイアス記録又は飽和記録信号源を信号
源１の代シに使用し、また適当な記録トランスジューサ
ーを消去トランスジューサーの代りに、当該技術におい
て周知のように使用する０成る応用例においては、第２
図の共振コンデンサー９の代シに非共振コンデンサーを
用いてもよく、を九電圧増幅器３の出力導線８４）直流
オフセットを充分低い値に保ち得る場合には、コンデン
サー９を全く取外し、直流結合とすることも可能でおる
。

本発明は上述した実施例のほかにも、種々変更して実施
でき、上述した特定の構成は単なる例示に過ぎず、本発
明を限定するものではない。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図はスイッチ回路を動作させるために加える直流
ステップ電圧の波形図、第１Ｂ１１−０図は従来技術の
スイッチ回路の電圧及び電流特性を示す線図、第１Ｄ、
ＩＥ図は第１Ｂ１１Ｃ図にそれぞれ比較される本発明の
好ましい実施例によるスイッチ回路の電圧及び電流特性
を示す線図、第２図は本発明の好ましい実施例によるス
イッチ回路の回路図である０ 符号の説明 １・・・駆動信号源。４・・・磁気トランスジューサー
。５１９．磁心。６・・・ＦＥＴスイッチ（１１子スイ
ッチ手段）。７・・・コイル（変換巻１１）。１６・・
・ギャップ（変換ギャップ）。 ・−一−−１−− ・−二−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）磁気トランスジューサーに加えられる駆動電流をス
   イッチングするだめのスイッチ回路であって、 変換キャップを形成する極を備えた磁心及び該磁心の回
   りに巻回した変換巻線を備えた磁気トランスジューサー
   と、 上記駆動電流を上記変換巻線に供給するように接続した
   駆動信号源と、 該駆動信号源の出力部に入力部が接続され、上記変換巻
   線に出力部が接続され、第１又は第２′の方向に実質的
   に直線状に変化する直流制御信号を受けるように副部入
   力部が接続された、電子スイッチ手段と、を有し、 該電子スイッチ手段の内部抵抗値は、上記駆動信号が上
   記変換巻線から遮断された時の該電子スイッチ手段の開
   放状態に対応する高抵抗値から、上記駆動信号が上記変
   換巻線に接続された時の該電子スイッチ手段の閉成状態
   に対応する低抵抗値に、上記直流制御信号の第１方向に
   おいての変化に応答して実質的に直線状に変化し、上記
   内部抵抗値は逆に上記低抵抗値から隔抵抗−に、上記直
   流制御信号の第２方向においての変化に応答して実質的
   に直線状に変化するようにしたスイッチ（ロ）路０ ２）直流ステップ電圧を受けるように接続された入力部
   を備えた制御手段を更に有し、該制御手段は該直流ステ
   ップ電圧、の第１値又は第２値に応答して実質的に直線
   状に上記第１方゛向又は第２方向にそれぞれ変化する直
   流制御信号を与えるように接続され、該制御手段の出力
   部は上記電子スイッチ手段の制御入力部に接続された特
   許請求の範囲第１項記載のスイッチ回路。 ５）上記電子スイッチ手段が電界効果トランジスタ一手
   段を含み、該電界効果トランジスタ一手段のソース端子
   は上記駆動信号源の出力部に、ドレン端子は上記変換巻
   線の入力部に、ゲート端子は上記制御手段の出力部にそ
   れぞれ接続されている特許請求の範囲部２項記載のスイ
   ッチ回路。 ４）上記制御手段は、高値移行ステップ又は低値移行ス
   テップとして上記直流ステップ電圧を受けるように接続
   してあり、上記制御手段は電圧ランプ発生手段を含み、
   該電圧ランプ発生手段は１つの上記電圧ステップに応答
   して上記第１方向又は第２方向に実質的に直線状に変化
   する上記直流制御信号を与えるように接続されている特
   許請求の範囲第３項記載のスイッチ回路。 ５）上記電圧ランプ発生手段が、上記制御手段の入力部
   と上記電界効果トランジスタ一手段の上記ゲート端子と
   の間に接続された第１抵抗と、該第１抵抗と上記ゲート
   端子との間に接続された第１端子及び接地された第２端
   子を備えた第１コンデンサーとを有し、該第１抵抗と第
   １コンデンサーとは、直線状に変化する上記直流制御信
   号の持続時間に対応する時定数を与えるように選定され
   た値をもち、第２抵抗が、上記制御手段を上記駆動電流
   から分離するために、上記電界効果トランジスタ一手段
   のゲート端子と上記第１抵抗値と第１コンデンサーとの
   接続部との間に接続されている特許請求の範囲第４項記
   載のスイッチ回路。 ６）上記電界効果トランジスタ一手段の上記ソース端子
   とゲート端子との間に第２コンデンサーが接続されてい
   る特許請求の範囲第５項記載のスイッチ回路。 ７）磁気トランスジューサーに加えられる駆動電流をス
   イッチングするためのスイッチング回路であって、 変換ギャップを形成する極を備えた磁心及び該磁心の回
   りに巻回した変換巻線を備えた磁気トランスジューサー
   と、 上記駆動電流を上記変換巻線に供給するように接続した
   駆動信号源と、 該駆動信号源の出力部に入力部が接続され、上記変換巻
   線に出力部が接続され、制御信号を受けるように制御入
   力部が接続された電子スイッチ手段と、 正移行又は負移行の直流ステップ電圧を受けるように入
   力部が接続され、どちらかの該直流ステップ電比に応答
   して第１の方向又はそれと逆の第２の方向に実質的に直
   線状に変化する出力電圧を与えるように出力部が接続さ
   れ、該出力部は上記電子スイッチ手段の上記制御入力部
   に接続されている、制御手段と、を有し、 上記電子スイッチ手段の内部抵抗値は、上記制御手段に
   より与えられる上記第１方向に実質的に直線状に変化す
   る上記出力電圧に応答して、電子スイッチ手段の開放状
   態に対応する高抵抗値からその閉成状態に対応する低抵
   抗値に、実質的に直線状に変化し、上記内部抵抗値は、
   上記制御手段により与えられる上記第２方向に実質的に
   直線状に変化する上記出力電圧に応答して上記低抵抗値
   から上記高抵抗値に、実質的に直線状に変化するように
   したスイッチ回路。 ８）磁気トランスジューサーに加えられる駆動電流をス
   イッチングするためのスイッチ（ロ）路であって、 変換キャップを形成する極を備えた磁心及び該磁心の回
   シに巻回した変換巻線を備えた磁気トランスジューサー
   と、 上記駆動電流を上記変換巻線に供給するように接続した
   駆動信号源と、 該駆動信号源の出力部に接続されたソース端子と、上記
   変換巻線に接続されたドレン端子と、ゲート端子と、を
   備えた、電界効果トランジスタ一手段と、 高又は低の直流ステップ電圧を受けるように入力部が接
   続され、これらの直流ステップ電圧に応答して実質的に
   直線状に増大又は減少する出力電圧をそれぞれ与えるよ
   うに出力部が接続され、該出力部は上記電界効果トラン
   ジスタ一手段の上記ゲート端子に接続されている、電圧
   ランプ発生手段と、 を有し、上記電界効果トランジスタ一手段の内部抵抗値
   は、上記増大又は減少する出力電圧のうちの１つに応答
   して、上記ソース端子とドレン端子との間の一路状態に
   対応する高抵抗値からその閉路状態に対応する低抵抗値
   に、実質的に直線状に変化し、上記内部抵抗値は、上記
   増大又は減少する出力電圧のうちの他方に応答して上記
   低抵抗値から高抵抗値に、実質的に直線状に変化するよ
   うにしたスイッチ回路。 ９）上記電圧ランプ発生手段が、第１抵抗と第１コンデ
   ンサーとを含み、上記入力部である該第１抵抗の１つの
   端子は、上記直流ステップ電圧を受けるように接続され
   、上記出力部である他の端子は上記第１コンデンサーの
   一方の端子に接続され、該第１コンデンサーの他方の端
   子は接地されている特許請求の範囲第８項記載のスイッ
   チ回路。 １０）上記第１抵抗と上記第１コンデンサーとの接合部
   と上記電界効果トランジスターのゲート端子との間に第
   ２の抵抗を接続してそれぞれの回路部分を相互から隔だ
   で上記駆動信号源からの高周波信号が上記電圧ランプ発
   生手段に流れることを阻止するようにした特許請求の範
   囲第９項記載のスイッチ回路。 １１）上記電界効果トランジスタ一手段のソース端子と
   ゲート端子との間に、その間の交流信号を短絡するよう
   に第２コンデンサーを接続し九特許請求の範囲一１０項
   記載のスイッチ回路。 １２）磁気トランスジューサーに加えられる駆動電流を
   スイッチングするためのスイッチ回路であって、 変換ギャップを形成する極を備えた磁心及び該磁心の回
   りに巻回した変換巻線を備えた磁気トランスジューサー
   と、 上記駆動電流を上記駆動巻線に供給するように接続し九
   駆動信号源と、 該駆動信号源の出力部に接続されたソース端子と、上記
   変換巻線に接続され九ドレン端子と、ゲート端子とを備
   えた、電界効果トランジスタ一手段と、 各々第１端子でもって相互に結合された第１抵抗及び第
   １コンデンサーと、 を有し、該第１抵抗の第２端子は直流ステップ電圧を受
   けるように接続され、該第１コンデンサーの第２端子は
   接地され、更に相互に結合された上記第１端子と上記電
   界効果トランジスタ一手段のケート端子との間に接続さ
   れた第２抵抗器と、 該電界効果トランジスタ一手段のゲート端子とソース端
   子との間にｗ！続された第２コンデンサーと、を有する
   スイッチ回路。 １３）　　直流ステップ電圧を受けるようにペースヲ接
   続しｆトランジスタースイッチを更に有し、該トランジ
   スタースイッチのエミッターは接地し、コレクターは直
   流電源及び上記第１抵抗の第２端子に接続し、該コレク
   ターは上記ペースが受ける直流電圧ステップに応答して
   反転直流ステップを発生しそれを上記第１抵抗の上記第
   ２端子に与えるように結合されている特許請求の範囲第
   １２項記載のスイッチ回路。