JPH0447881B2 - - Google Patents
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- JPH0447881B2 JPH0447881B2 JP58032689A JP3268983A JPH0447881B2 JP H0447881 B2 JPH0447881 B2 JP H0447881B2 JP 58032689 A JP58032689 A JP 58032689A JP 3268983 A JP3268983 A JP 3268983A JP H0447881 B2 JPH0447881 B2 JP H0447881B2
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- Japan
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- voltage
- switch
- electronic switching
- circuit
- magnetic head
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B15/00—Driving, starting or stopping record carriers of filamentary or web form; Driving both such record carriers and heads; Guiding such record carriers or containers therefor; Control thereof; Control of operating function
- G11B15/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
- G11B15/12—Masking of heads; circuits for Selecting or switching of heads between operative and inoperative functions or between different operative functions or for selection between operative heads; Masking of beams, e.g. of light beams
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6877—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the control circuit comprising active elements different from those used in the output circuit
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明は、磁気ヘツドの駆動に用いられ、磁気
バイアス記録回路又は消去回路に特に有用な電子
スイツチ回路に関する。
バイアス記録回路又は消去回路に特に有用な電子
スイツチ回路に関する。
磁気ヘツド巻線に消去、バイアス又は記録動作
などのために供給される電流をオンオフするため
の、従来のスイツチ回路には、ヘツド駆動回路と
変換巻線との間に接続された機械的接点を有する
リレー型の電気機械的スイツチが周知のように用
いられる。スイツチングを制御するためにリレー
に制御電圧が印加される。このような従来のスイ
ツチ回路は、VPR−２ビデオ・プロダクシヨ
ン・レコーダー、カタログNo.1809384−２、10／
９頁、1980年５月発行に記載されているアンペツ
クス社製のVPR−２型ビデオレコーダーの音声
部分に用いられている消去ヘツドの駆動用に、一
例として使用されている。
などのために供給される電流をオンオフするため
の、従来のスイツチ回路には、ヘツド駆動回路と
変換巻線との間に接続された機械的接点を有する
リレー型の電気機械的スイツチが周知のように用
いられる。スイツチングを制御するためにリレー
に制御電圧が印加される。このような従来のスイ
ツチ回路は、VPR−２ビデオ・プロダクシヨ
ン・レコーダー、カタログNo.1809384−２、10／
９頁、1980年５月発行に記載されているアンペツ
クス社製のVPR−２型ビデオレコーダーの音声
部分に用いられている消去ヘツドの駆動用に、一
例として使用されている。
上記の形式のスイツチ回路を、高周波ノイズ信
号が誘起されるトランスジユーサー駆動回路に使
用した場合、いろいろの不具合を生ずる。このス
イツチを作動させるごとに、機械的接点の急激な
分離又は接続によつて、接点のはね返りを生じ、
また接点に存在するノイズ電位のため大きな電流
スパイクを生じ、この電流スパイクが変換巻線に
入る。例えば２個以上の隣接記録チヤンネルを用
いる多重チヤンネルのテープレコーダーの場合、
当該技術において周知のように、変換巻線からの
漏洩磁束のため、隣接チヤンネルのトランスジユ
ーサーの間に高周波のクロストークが誘起される
ことがある。第１のトランスジユーサーが例えば
消去モード又は記録モードになつている場合、或
る量のクロストークがそのトランスジユーサーか
らそれに隣接した第２のトランスジユーサーに誘
起される。その後に第２のトランスジユーサーの
リレースイツチを制御信号によつてオンにする
と、当該技術において周知のように、第２トラン
スジユーサーの巻線中に誘起されたクロストーク
電位は、スイツチの機械的接点により短絡され、
関連する駆動回路が動作する前に接点に電流が流
れる。それに続いて、接点のはね返りが起こり、
大きな過渡電流スパイクとトランスジユーサー共
振回路に対するリンギングが附随して発生し、そ
れによる不所望の振動電流がトランスジユーサー
巻線を通つて流れる。上述した電流のため、記録
媒体上に存在する情報が消去されるだけでなく、
耳ざわりな尖鋭なポツプノイズ又はクリツクノイ
ズが記録媒体上に記録される。
号が誘起されるトランスジユーサー駆動回路に使
用した場合、いろいろの不具合を生ずる。このス
イツチを作動させるごとに、機械的接点の急激な
分離又は接続によつて、接点のはね返りを生じ、
また接点に存在するノイズ電位のため大きな電流
スパイクを生じ、この電流スパイクが変換巻線に
入る。例えば２個以上の隣接記録チヤンネルを用
いる多重チヤンネルのテープレコーダーの場合、
当該技術において周知のように、変換巻線からの
漏洩磁束のため、隣接チヤンネルのトランスジユ
ーサーの間に高周波のクロストークが誘起される
ことがある。第１のトランスジユーサーが例えば
消去モード又は記録モードになつている場合、或
る量のクロストークがそのトランスジユーサーか
らそれに隣接した第２のトランスジユーサーに誘
起される。その後に第２のトランスジユーサーの
リレースイツチを制御信号によつてオンにする
と、当該技術において周知のように、第２トラン
スジユーサーの巻線中に誘起されたクロストーク
電位は、スイツチの機械的接点により短絡され、
関連する駆動回路が動作する前に接点に電流が流
れる。それに続いて、接点のはね返りが起こり、
大きな過渡電流スパイクとトランスジユーサー共
振回路に対するリンギングが附随して発生し、そ
れによる不所望の振動電流がトランスジユーサー
巻線を通つて流れる。上述した電流のため、記録
媒体上に存在する情報が消去されるだけでなく、
耳ざわりな尖鋭なポツプノイズ又はクリツクノイ
ズが記録媒体上に記録される。
発明の要約
従つて本発明の目的は、電気機械的スイツチを
使用することによる上述した不利益のない磁気ヘ
ツド駆動部のためのスイツチ回路を提供すること
にある。
使用することによる上述した不利益のない磁気ヘ
ツド駆動部のためのスイツチ回路を提供すること
にある。
本発明の別の目的は、スイツチ開放状態に対応
する高抵抗値とスイツチ閉成状態に対応する低抵
抗値との間において実質的に直線状に変化する抵
抗をもつた電子スイツチを使用する磁気ヘツド駆
動部用のスイツチ回路を提供することにある。
する高抵抗値とスイツチ閉成状態に対応する低抵
抗値との間において実質的に直線状に変化する抵
抗をもつた電子スイツチを使用する磁気ヘツド駆
動部用のスイツチ回路を提供することにある。
本発明の更に別の目的は、スイツチ動作時に変
換巻線中に誘起される高周波ノイズ信号による不
所望のノイズ状のスパイクが記録されたり、記録
された信号が不所望に消去されたりしないように
した、上述の特徴を備えたスイツチ回路を提供す
ることにある。
換巻線中に誘起される高周波ノイズ信号による不
所望のノイズ状のスパイクが記録されたり、記録
された信号が不所望に消去されたりしないように
した、上述の特徴を備えたスイツチ回路を提供す
ることにある。
実施例の説明
本発明の作用並びに従来技術に対する利点がよ
りよく比較され理解されるように、第１Ａ〜１Ｃ
図を参照して、従来技術の電圧−電流特性のいく
つかの例について説明する。
りよく比較され理解されるように、第１Ａ〜１Ｃ
図を参照して、従来技術の電圧−電流特性のいく
つかの例について説明する。
第１Ａ図には、時点t0においてリレー型の従来
のスイツチ（図示しない）に印加され後述するよ
うにそれぞれのスイツチ接点を閉成する直流制御
電圧Vconの電圧Vaの値が示されている。
のスイツチ（図示しない）に印加され後述するよ
うにそれぞれのスイツチ接点を閉成する直流制御
電圧Vconの電圧Vaの値が示されている。
第１Ｂ図には、上述したカタログに記載されて
いるような従来技術のスイツチング回路（図示し
ない）の電圧特性の一例が示され、この回路のリ
レー接点（複数）は消去信号源と、磁気消去ヘツ
ド（以下に第１磁気ヘツド或いは磁気トランスジ
ユーサーとも称される）の巻線との間に接続され
ている。当該技術において周知のように、非常に
接近した隣接チヤンネルにある同様の第２消去ト
ランスジユーサー（図示しない）が作動し、従つ
て最適消去電圧を受けているものと想定する。時
点t1以前の第１Ｂ図の特性曲線の一部は、第１磁
気ヘツドが作動していない時、即ちそのそれぞれ
のリレー接点が開放され、従つてその巻線が回路
の残部から遮断されている時に、第２磁気ヘツド
の巻線から第１磁気ヘツドの巻線中に誘起され
た、交流クロストーク電圧の包絡線Vcr、Vcrを
表わしている。典型的には、誘起されたクロスト
ーク電圧は、最適消去電圧レベルの30％となり得
る。第１Ａ図の時点t0においての制御電圧Vaを
リレーに適用すると、時点t1において第１磁気ト
ランスジユーサー回路のそれぞれのリレー接点が
閉成され、これらの接点に存在するクロストーク
電圧を短絡する。第１Ｂ図の時点t0〜t1間の特性
部分は、当該技術において周知のように、リレー
の接点が閉成されるまでの所要の遅延（典型的に
は約4m秒）を表わしている。第１Ｂ図の時点t1
〜t2間の電圧特性部分は、上述したように接点が
接触した後の接点のはね返りによつて生ずる変動
を表わしている。時間t1〜t2は、電圧変動が安定
し、零に近い公称レベルの電圧包絡線を時点t2に
おいて得るまでの所要時間である。この時間は典
型的には2m秒である。
いるような従来技術のスイツチング回路（図示し
ない）の電圧特性の一例が示され、この回路のリ
レー接点（複数）は消去信号源と、磁気消去ヘツ
ド（以下に第１磁気ヘツド或いは磁気トランスジ
ユーサーとも称される）の巻線との間に接続され
ている。当該技術において周知のように、非常に
接近した隣接チヤンネルにある同様の第２消去ト
ランスジユーサー（図示しない）が作動し、従つ
て最適消去電圧を受けているものと想定する。時
点t1以前の第１Ｂ図の特性曲線の一部は、第１磁
気ヘツドが作動していない時、即ちそのそれぞれ
のリレー接点が開放され、従つてその巻線が回路
の残部から遮断されている時に、第２磁気ヘツド
の巻線から第１磁気ヘツドの巻線中に誘起され
た、交流クロストーク電圧の包絡線Vcr、Vcrを
表わしている。典型的には、誘起されたクロスト
ーク電圧は、最適消去電圧レベルの30％となり得
る。第１Ａ図の時点t0においての制御電圧Vaを
リレーに適用すると、時点t1において第１磁気ト
ランスジユーサー回路のそれぞれのリレー接点が
閉成され、これらの接点に存在するクロストーク
電圧を短絡する。第１Ｂ図の時点t0〜t1間の特性
部分は、当該技術において周知のように、リレー
の接点が閉成されるまでの所要の遅延（典型的に
は約4m秒）を表わしている。第１Ｂ図の時点t1
〜t2間の電圧特性部分は、上述したように接点が
接触した後の接点のはね返りによつて生ずる変動
を表わしている。時間t1〜t2は、電圧変動が安定
し、零に近い公称レベルの電圧包絡線を時点t2に
おいて得るまでの所要時間である。この時間は典
型的には2m秒である。
第１Ｃ図は上述した従来技術のスイツチング回
路（図示しない）に所属する第１Ｂ図の電圧特性
に対応した電流特性を表わしている。第１Ｃ図か
らわかるように、第１磁気トランスジユーサーの
リレー接点が接触する時点t1以前には、このトラ
ンスジユーサーの巻線に大きなクロストーク電流
が流れることはない。しかし時点t1においてリレ
ー接点が接触した後は、第１Ｂ図に示すクロスト
ーク電圧の包絡線Vcr、−Vcrの短絡のため、実
際の消去駆動回路が時点t2において動作する前
に、第１磁気ヘツドの巻線に不所望のクロストー
ク電流が流れる。関連した接点のはね返りのた
め、クロストークにより誘起された高周波電流が
変調され、実質的な大きさの不所望の電流スパイ
クが一方向に形成され、対応するリンギング電流
が磁気トランスジユーサー（図示しない）の関連
する共振回路に逆方向に流入する。これは当該技
術では周知のことであり、特性の一部は第１Ｃ図
の時間t1〜t2に示すようになる。電流スパイクは
第１Ｃ図に示すように、最適消去電流包絡線
１，−１の値に対応する大きさになり得る。そ
のため尖鋭な不所望のじよう乱信号（ホツプノイ
ズ又はクリツクノイズ）が媒体上に記録され、媒
体のその部分に以前に記録されていた信号はその
ノイズ信号のため消去される。
路（図示しない）に所属する第１Ｂ図の電圧特性
に対応した電流特性を表わしている。第１Ｃ図か
らわかるように、第１磁気トランスジユーサーの
リレー接点が接触する時点t1以前には、このトラ
ンスジユーサーの巻線に大きなクロストーク電流
が流れることはない。しかし時点t1においてリレ
ー接点が接触した後は、第１Ｂ図に示すクロスト
ーク電圧の包絡線Vcr、−Vcrの短絡のため、実
際の消去駆動回路が時点t2において動作する前
に、第１磁気ヘツドの巻線に不所望のクロストー
ク電流が流れる。関連した接点のはね返りのた
め、クロストークにより誘起された高周波電流が
変調され、実質的な大きさの不所望の電流スパイ
クが一方向に形成され、対応するリンギング電流
が磁気トランスジユーサー（図示しない）の関連
する共振回路に逆方向に流入する。これは当該技
術では周知のことであり、特性の一部は第１Ｃ図
の時間t1〜t2に示すようになる。電流スパイクは
第１Ｃ図に示すように、最適消去電流包絡線
１，−１の値に対応する大きさになり得る。そ
のため尖鋭な不所望のじよう乱信号（ホツプノイ
ズ又はクリツクノイズ）が媒体上に記録され、媒
体のその部分に以前に記録されていた信号はその
ノイズ信号のため消去される。
第１Ｂ，１Ｃ図の時点t2は、上述した時間隔の
終わりと、直線状に増大する高周波消去電圧及び
電流の包絡線の始まりを表わしている。この電圧
及び電流はそれぞれランプアツプ電圧及びランプ
アツプ電流と普通呼ばれており、関連する駆動回
路（図示しない）によつてトランスジユーサー巻
線に印加される。これは当該技術では周知のこと
であり、一例として上記のカタログに記載されて
いる。時点t3において最適電圧値の包絡線士Ｖ
１，士１が得られ、その後は従来技術の回路に
よつて第１Ｂ，１Ｃ図に示すように、当該技術に
おいて周知のように一定の値に保たれる。
終わりと、直線状に増大する高周波消去電圧及び
電流の包絡線の始まりを表わしている。この電圧
及び電流はそれぞれランプアツプ電圧及びランプ
アツプ電流と普通呼ばれており、関連する駆動回
路（図示しない）によつてトランスジユーサー巻
線に印加される。これは当該技術では周知のこと
であり、一例として上記のカタログに記載されて
いる。時点t3において最適電圧値の包絡線士Ｖ
１，士１が得られ、その後は従来技術の回路に
よつて第１Ｂ，１Ｃ図に示すように、当該技術に
おいて周知のように一定の値に保たれる。
第１Ｂ，１Ｃ図の時間t1〜t2において見られる
ような電圧及び電流の過渡特性は、第１Ａ図の制
御電圧Vaを従来技術のリレー巻線から突然除去
してリレー接点を離開させリレー接点の間のクロ
ストーク電流を突然消失させることによつても生
じ得る。この消失は、当該技術において周知のよ
うに、電圧及び電流の最適値士Ｖ１，士１をほ
ぼ零までランプダウンさせた後にも一般に与えら
れる。
ような電圧及び電流の過渡特性は、第１Ａ図の制
御電圧Vaを従来技術のリレー巻線から突然除去
してリレー接点を離開させリレー接点の間のクロ
ストーク電流を突然消失させることによつても生
じ得る。この消失は、当該技術において周知のよ
うに、電圧及び電流の最適値士Ｖ１，士１をほ
ぼ零までランプダウンさせた後にも一般に与えら
れる。
第１Ｄ，１Ｅ図は、第２図に示した本発明の好
ましい実施例による回路の電圧特性及び電流特性
をそれぞれ示し、これらの特性はそれぞれ第１
Ｂ，１Ｃ図の従来技術の特性に対応している。
ましい実施例による回路の電圧特性及び電流特性
をそれぞれ示し、これらの特性はそれぞれ第１
Ｂ，１Ｃ図の従来技術の特性に対応している。
本発明の好ましい実施例に用いられる電子スイ
ツチの制御回路に時点t11において印加される制
御電圧Vconを表わす電圧Vbの値の一例を第１Ａ
図に示す。
ツチの制御回路に時点t11において印加される制
御電圧Vconを表わす電圧Vbの値の一例を第１Ａ
図に示す。
第１Ｄ図は本発明の実施例によつて得られる消
去電圧の包絡線の一例、第１Ｅ図は対応する消去
電流の包絡線の一例を示す。第１Ｄ，１Ｅ図から
わかるように、接点のはね返り及びリンギング電
流による電圧の変動及び電流スパイクは、第１
Ｄ、１Ｅ図の特性からはそれぞれ除かれている。
更に第１Ｄ，１Ｅ図からわかるように、従来技術
の対応の特性と比較して実質的に直線状に変化す
るクロストーク電圧及び電流特性が得られ、第１
Ｂ，１Ｃ図の時間t0〜t1に見られるようなスイツ
チング動作の遅延も除かれている。
去電圧の包絡線の一例、第１Ｅ図は対応する消去
電流の包絡線の一例を示す。第１Ｄ，１Ｅ図から
わかるように、接点のはね返り及びリンギング電
流による電圧の変動及び電流スパイクは、第１
Ｄ、１Ｅ図の特性からはそれぞれ除かれている。
更に第１Ｄ，１Ｅ図からわかるように、従来技術
の対応の特性と比較して実質的に直線状に変化す
るクロストーク電圧及び電流特性が得られ、第１
Ｂ，１Ｃ図の時間t0〜t1に見られるようなスイツ
チング動作の遅延も除かれている。
次に第２図に示した好ましい実施例による回路
と、第１Ｄ，１Ｅ図との関連においてのその作用
を説明する。高周波駆動信号源１は導線２を経て
電圧増幅器３に接続されている。これは磁気バイ
アス又は磁気飽和記録或いは消去技術において周
知のことであり、一例として上述のカタログに記
載されている。この好ましい実施例において、電
圧増幅器３は、反転演算増幅器３１と、その出力
に接続された１対の相補形の出力トランジスター
３２，３３との周知の組合わせとして形成され、
全体的な負帰還ループは電圧増幅器３の出力導線
８から入力導線２に接続されている。この好まし
い例では消去電圧によつて表わされる駆動信号
は、音声の磁気記録において周知のように用いら
れる80kHzの周波数を一例として有している。磁
気トランスジユーサー４は概略的に図示され、両
側の磁極が変換ギヤツプ１６を形成する磁心５を
有し、導電性トランスジユーサーコイル７が当該
技術において周知のように磁心５に巻回されてい
る。機械的接点を有さない第２図のスイツチング
回路に電子スイツチが本発明に従つて用いられて
いる。電子スイツチは好ましくは電界効果トラン
ジスター（出力トランジスター）例えばVMOS
により形成され、電圧増幅器３とコイル７との間
に次のように接続される。この電子スイツチ即ち
FETスイツチ６のソース端子Ｓは出力導線８を
経て電圧増幅器３の出力に接続してあり、そのド
レン端子Ｄはコンデンサー９によりコイル７に接
続してある。コンデンサー９とコイル７とは、当
該技術において周知のように、磁気トランスジユ
ーサー４のLC共振回路を形成している。FETス
イツチ６のゲート端子Ｇは、第１Ａ図に示した制
御電圧Vbにより間接的に制御される。制御電圧
Vbは、TTLゲート（図示しない）のような適当
な電圧源から低値移行又は負値直流ステツプ電圧
の形で導線に供給するが、別の方法として、マイ
クロプロセツサー論理システム（図示しない）に
より発生させてもよい。
と、第１Ｄ，１Ｅ図との関連においてのその作用
を説明する。高周波駆動信号源１は導線２を経て
電圧増幅器３に接続されている。これは磁気バイ
アス又は磁気飽和記録或いは消去技術において周
知のことであり、一例として上述のカタログに記
載されている。この好ましい実施例において、電
圧増幅器３は、反転演算増幅器３１と、その出力
に接続された１対の相補形の出力トランジスター
３２，３３との周知の組合わせとして形成され、
全体的な負帰還ループは電圧増幅器３の出力導線
８から入力導線２に接続されている。この好まし
い例では消去電圧によつて表わされる駆動信号
は、音声の磁気記録において周知のように用いら
れる80kHzの周波数を一例として有している。磁
気トランスジユーサー４は概略的に図示され、両
側の磁極が変換ギヤツプ１６を形成する磁心５を
有し、導電性トランスジユーサーコイル７が当該
技術において周知のように磁心５に巻回されてい
る。機械的接点を有さない第２図のスイツチング
回路に電子スイツチが本発明に従つて用いられて
いる。電子スイツチは好ましくは電界効果トラン
ジスター（出力トランジスター）例えばVMOS
により形成され、電圧増幅器３とコイル７との間
に次のように接続される。この電子スイツチ即ち
FETスイツチ６のソース端子Ｓは出力導線８を
経て電圧増幅器３の出力に接続してあり、そのド
レン端子Ｄはコンデンサー９によりコイル７に接
続してある。コンデンサー９とコイル７とは、当
該技術において周知のように、磁気トランスジユ
ーサー４のLC共振回路を形成している。FETス
イツチ６のゲート端子Ｇは、第１Ａ図に示した制
御電圧Vbにより間接的に制御される。制御電圧
Vbは、TTLゲート（図示しない）のような適当
な電圧源から低値移行又は負値直流ステツプ電圧
の形で導線に供給するが、別の方法として、マイ
クロプロセツサー論理システム（図示しない）に
より発生させてもよい。
導線１０の制御電左Vbは後述する制御回路を
経てFETスイツチ６のゲート端子Ｇに供給され
る。反転トランジスタースイツチ１１のベースは
導線１０に接続してあり、エミツターは接地さ
れ、コレクターは抵抗器１２を経て＋15V直流電
圧源に接続されている。受動積分回路とも呼ばれ
るRCランプ発生回路１３の一端はトランジスタ
ースイツチ１１のコレクターに接続され、他端は
別の抵抗１８によりFETスイツチ６のゲートに
接続されている。ランプ発生回路１３のコンデン
サー１５は抵抗１４，１８の接合部と大地との間
に接続されている。別のコンデンサー１７は
FETスイツチ６のゲート端子Ｇとソース端子Ｓ
との間に接続してあり、以下の説明からわかるよ
うに、いわゆるブーストラツプコンデンサーであ
る。なお上述したFETスイツチ６の回路内のソ
ースードレン配向は、ソース端子Ｓとドレン端子
Ｄとの間に無視できる程度の電流がある実効的な
オフ状態に対応する例えば数万オームから数十メ
ガオームのオーダーのスイツチ６の非常に低いト
ランスコンダクタンス従つて非常に高い内部抵抗
を得るためのものである。その反対に、数オーム
のオーダーの非常に低い内部抵抗に対応する非常
に高いトランスコンダクタンスがスイツチ６の実
効的オン状態に対応してソース端子Ｓとドレン端
子との間に得られる。
経てFETスイツチ６のゲート端子Ｇに供給され
る。反転トランジスタースイツチ１１のベースは
導線１０に接続してあり、エミツターは接地さ
れ、コレクターは抵抗器１２を経て＋15V直流電
圧源に接続されている。受動積分回路とも呼ばれ
るRCランプ発生回路１３の一端はトランジスタ
ースイツチ１１のコレクターに接続され、他端は
別の抵抗１８によりFETスイツチ６のゲートに
接続されている。ランプ発生回路１３のコンデン
サー１５は抵抗１４，１８の接合部と大地との間
に接続されている。別のコンデンサー１７は
FETスイツチ６のゲート端子Ｇとソース端子Ｓ
との間に接続してあり、以下の説明からわかるよ
うに、いわゆるブーストラツプコンデンサーであ
る。なお上述したFETスイツチ６の回路内のソ
ースードレン配向は、ソース端子Ｓとドレン端子
Ｄとの間に無視できる程度の電流がある実効的な
オフ状態に対応する例えば数万オームから数十メ
ガオームのオーダーのスイツチ６の非常に低いト
ランスコンダクタンス従つて非常に高い内部抵抗
を得るためのものである。その反対に、数オーム
のオーダーの非常に低い内部抵抗に対応する非常
に高いトランスコンダクタンスがスイツチ６の実
効的オン状態に対応してソース端子Ｓとドレン端
子との間に得られる。
次に第２図の回路の作用について詳述する。
FETスイツチ６を動作させるために、第１Ａ図
の時点t11に示すような低値移行直流ステツプ電
圧Vb（例えば3.4V）を導線１０に与え、トランジ
スタースイツチ１１のベースに見かけ上の接地電
圧を導入する。それにより＋15V直流電源からの
対応する高値移行ステツプ電圧が抵抗１４，１８
を経てFETスイツチ６のゲート端子Ｇに与えら
れる。抵抗器１８の抵抗値は、直流ランプ発生回
路１３からFETスチツチ６のゲートの高周波回
路を実効的に分離するように、好ましくは１０〜
１００ｋオームの大きな抵抗範囲に選定する。
FETスイツチ６を動作させるために、第１Ａ図
の時点t11に示すような低値移行直流ステツプ電
圧Vb（例えば3.4V）を導線１０に与え、トランジ
スタースイツチ１１のベースに見かけ上の接地電
圧を導入する。それにより＋15V直流電源からの
対応する高値移行ステツプ電圧が抵抗１４，１８
を経てFETスイツチ６のゲート端子Ｇに与えら
れる。抵抗器１８の抵抗値は、直流ランプ発生回
路１３からFETスチツチ６のゲートの高周波回
路を実効的に分離するように、好ましくは１０〜
１００ｋオームの大きな抵抗範囲に選定する。
コンデンサー１７（ブーストラツプコンデンサ
ー）は、スイツチ作動の遷移期間中にFETスイ
ツチ６のゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間の交
流を短絡させてFETスイツチ６の出力信号の歪
みを少くするように、周知のように、ゲート端子
Ｇとソース端子Ｓとの間に接続されている。ラン
プ発生回路１３は、抵抗１８が比較的大きなオー
ム抵抗であるために、導線８の高周波消去電流を
受けない。時点t11においてトランジスタースイ
ツチ１１のコレクターに上述した高値移行制御電
圧が供給されると、ランプ発生回路１３は、実質
的に直線状に増大する制御電圧（ランプ）を発生
させ、抵抗１８を経てそれをFETスチツチ６の
ゲート端子Ｇに送出する。使用した型式のFET
の特性から知られるように、FETスイツチ６の
ソースードレン電圧は、制御電圧の変化にほぼ直
線状に追随する。FETスイツチ６のソース端子
は、FETスイツチ６を適正に動作させるために
できるだけ低いインピーダンスに接続されるよう
に、電圧増幅器３は好ましくは数オームのような
非常に低い出力インピーダンスを持つように選択
される。
ー）は、スイツチ作動の遷移期間中にFETスイ
ツチ６のゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間の交
流を短絡させてFETスイツチ６の出力信号の歪
みを少くするように、周知のように、ゲート端子
Ｇとソース端子Ｓとの間に接続されている。ラン
プ発生回路１３は、抵抗１８が比較的大きなオー
ム抵抗であるために、導線８の高周波消去電流を
受けない。時点t11においてトランジスタースイ
ツチ１１のコレクターに上述した高値移行制御電
圧が供給されると、ランプ発生回路１３は、実質
的に直線状に増大する制御電圧（ランプ）を発生
させ、抵抗１８を経てそれをFETスチツチ６の
ゲート端子Ｇに送出する。使用した型式のFET
の特性から知られるように、FETスイツチ６の
ソースードレン電圧は、制御電圧の変化にほぼ直
線状に追随する。FETスイツチ６のソース端子
は、FETスイツチ６を適正に動作させるために
できるだけ低いインピーダンスに接続されるよう
に、電圧増幅器３は好ましくは数オームのような
非常に低い出力インピーダンスを持つように選択
される。
第１Ｄ図にFETスイツチ６のソースードレン
間の電圧特性を示す。第１Ｄ図の電圧特性を第１
Ｂ図の電圧特性と比較することによつて明らかに
なるように、高周波クロストーク電圧の包絡線
Vcr、−Vcrのレベルは、時点t11において制御電
圧Vbを印加するのとほぼ同時に、ほぼ直線状に
減少する。時間t11〜t2はランプ発生回路１３の抵
抗Ｒ１４とコンデンサー１５との時定数RCによ
つて定まり、この時定数は、本実施例の場合、
0.5m秒に選定される。
間の電圧特性を示す。第１Ｄ図の電圧特性を第１
Ｂ図の電圧特性と比較することによつて明らかに
なるように、高周波クロストーク電圧の包絡線
Vcr、−Vcrのレベルは、時点t11において制御電
圧Vbを印加するのとほぼ同時に、ほぼ直線状に
減少する。時間t11〜t2はランプ発生回路１３の抵
抗Ｒ１４とコンデンサー１５との時定数RCによ
つて定まり、この時定数は、本実施例の場合、
0.5m秒に選定される。
FETスチツチ６の第１Ｄ図の電圧特性に対応
する電流特性を第１Ｅ図に示す。明らかなよう
に、時点t11以前のクロストーク電流包絡線はほ
ぼ零であり、時間t11〜t2のほぼ直線状に減少する
電圧包絡線に対応して第１Ｅ図のほぼ直線状に増
大するランプがそれに続いている。以上の説明か
らわかるように、第２図のスイツチング回路は、
導線１０に与えられるステツプ制御電圧Vbに応
答して、クロストーク電圧及びクロストーク電流
のそれぞれのエンベロープをほぼ直線状のランプ
波形とする回路である。そのためテープ上に誘起
されるクロストークによりじよう乱性ポツプノイ
ズ又はクリツクノイズが記録されることはない。
上述したことから明らかなように、第１Ａ図の時
点t5において示す高値移行ステツプ制御電圧Vb
を導線１０に与えた時にも、第２図の回路は同様
に作動する。消去電圧包絡線が最適値Ｖ１、−Ｖ
１からほぼ零まで直線状に減少した後は、当該技
術において周知のように消去電流駆動回路を遮断
することが望ましい。そのため時点t5において導
線１０にステツプ電圧が与えられると、ランプ発
生回路１３は、第１Ｄ図の時間t5〜t6において見
られるようにほぼ直線状に増大するクロストーク
電圧包絡線（ランプエンベロープ）を発生させ
る。このクロストーク電圧包絡線には、それに対
応して直線状に減少する第１Ｅ図に示すようなク
ロストーク電流包絡線（ランプエンベロープ）が
伴なつている。これらの電圧及び電流包絡線は、
上述した時間t1〜t2（本実施例では0.5m秒に選定
される）に対応する時間t5〜t6の間に供給され
る。
する電流特性を第１Ｅ図に示す。明らかなよう
に、時点t11以前のクロストーク電流包絡線はほ
ぼ零であり、時間t11〜t2のほぼ直線状に減少する
電圧包絡線に対応して第１Ｅ図のほぼ直線状に増
大するランプがそれに続いている。以上の説明か
らわかるように、第２図のスイツチング回路は、
導線１０に与えられるステツプ制御電圧Vbに応
答して、クロストーク電圧及びクロストーク電流
のそれぞれのエンベロープをほぼ直線状のランプ
波形とする回路である。そのためテープ上に誘起
されるクロストークによりじよう乱性ポツプノイ
ズ又はクリツクノイズが記録されることはない。
上述したことから明らかなように、第１Ａ図の時
点t5において示す高値移行ステツプ制御電圧Vb
を導線１０に与えた時にも、第２図の回路は同様
に作動する。消去電圧包絡線が最適値Ｖ１、−Ｖ
１からほぼ零まで直線状に減少した後は、当該技
術において周知のように消去電流駆動回路を遮断
することが望ましい。そのため時点t5において導
線１０にステツプ電圧が与えられると、ランプ発
生回路１３は、第１Ｄ図の時間t5〜t6において見
られるようにほぼ直線状に増大するクロストーク
電圧包絡線（ランプエンベロープ）を発生させ
る。このクロストーク電圧包絡線には、それに対
応して直線状に減少する第１Ｅ図に示すようなク
ロストーク電流包絡線（ランプエンベロープ）が
伴なつている。これらの電圧及び電流包絡線は、
上述した時間t1〜t2（本実施例では0.5m秒に選定
される）に対応する時間t5〜t6の間に供給され
る。
以上の説明から明らかなように、本発明のスイ
ツチ回路の利用により、直流制御信号の方向に依
存して第１方向に、スチツチの開放状態の１０メ
ガオームのオーダーの非常に高い抵抗値からスチ
ツチの閉成状態の１０オームのオーダーの非常に
低い抵抗値まで、又はそれと反対の第２方向に、
高周波の誘起ノイズ信号を、実質的に抵抗性の形
態で、ランプ波形とすることができる。
ツチ回路の利用により、直流制御信号の方向に依
存して第１方向に、スチツチの開放状態の１０メ
ガオームのオーダーの非常に高い抵抗値からスチ
ツチの閉成状態の１０オームのオーダーの非常に
低い抵抗値まで、又はそれと反対の第２方向に、
高周波の誘起ノイズ信号を、実質的に抵抗性の形
態で、ランプ波形とすることができる。
なお、本実施例においては、上述の形式の
FETスイツチは、ピンチオフ電圧領域において
ランプ波形とし得る電圧及び電流の特性の実質的
に直線状の領域について用いられる。
FETスイツチは、ピンチオフ電圧領域において
ランプ波形とし得る電圧及び電流の特性の実質的
に直線状の領域について用いられる。
本発明のスイツチ回路の特別の利点は、上述し
た低抵抗値が閉成状態において、第２図に示すト
ランスジユーサーのLC共振回路と干渉しない
（即ちこの回路を減衰させない）ことにある。
た低抵抗値が閉成状態において、第２図に示すト
ランスジユーサーのLC共振回路と干渉しない
（即ちこの回路を減衰させない）ことにある。
ランプ持続時間即ち時間t11〜t2及び時間t5〜t6
の遷移時間を定める所望の時定数がランプ発生回
路１３の抵抗１４とコンデンサー１５とのそれぞ
れの値によつて定まることも１つの利点である。
従つてこれらの素子値の選定により所要遷移期間
を上述したように最小値とすることができる。以
上の説明からわかるように、本発明のスイツチ回
路は、磁気トランスジユーサーの駆動部に用いら
れる従来技術によるリレー形のスイツチに比較し
て、スイツチ動作の遅延時間を短くし、電力の実
質的な節減を可能にする。
の遷移時間を定める所望の時定数がランプ発生回
路１３の抵抗１４とコンデンサー１５とのそれぞ
れの値によつて定まることも１つの利点である。
従つてこれらの素子値の選定により所要遷移期間
を上述したように最小値とすることができる。以
上の説明からわかるように、本発明のスイツチ回
路は、磁気トランスジユーサーの駆動部に用いら
れる従来技術によるリレー形のスイツチに比較し
て、スイツチ動作の遅延時間を短くし、電力の実
質的な節減を可能にする。
磁気信号消去回路に用いられる電子スイツチン
グ回路に関連した本発明の好ましい実施例につい
て以上に説明したが、当業者には明らかなよう
に、わずかな変更により、信号記録回路にも本発
明を適用することができる。その場合、高周波バ
イアス記録又は飽和記録信号源を信号源１の代り
に使用し、また適当な記録トランスジユーサーを
消去トランスジユーサーの代りに、当該技術にお
いて周知のように使用する。或る応用例において
は、第２図の共振コンデンサー９の代りに非共振
コンデンサーを用いてもよく、また電圧増幅器３
の出力導線８の直流オフセツトを充分低い値に保
ち得る場合には、コンデンサー９を全く取外し、
直流結合とすることも可能である。
グ回路に関連した本発明の好ましい実施例につい
て以上に説明したが、当業者には明らかなよう
に、わずかな変更により、信号記録回路にも本発
明を適用することができる。その場合、高周波バ
イアス記録又は飽和記録信号源を信号源１の代り
に使用し、また適当な記録トランスジユーサーを
消去トランスジユーサーの代りに、当該技術にお
いて周知のように使用する。或る応用例において
は、第２図の共振コンデンサー９の代りに非共振
コンデンサーを用いてもよく、また電圧増幅器３
の出力導線８の直流オフセツトを充分低い値に保
ち得る場合には、コンデンサー９を全く取外し、
直流結合とすることも可能である。
本発明は上述した実施例のほかにも、種々変更
して実施でき、上述した特定の構成は単なる例示
に過ぎず、本発明を限定するものではない。
して実施でき、上述した特定の構成は単なる例示
に過ぎず、本発明を限定するものではない。
第１Ａ図はスイツチ回路を動作させるために加
える直流ステツプ電圧の波形図、第１Ｂ、１Ｃ図
は従来技術のスイツチ回路の電圧及び電流特性を
示す線図、第１Ｄ、１Ｅ図は第１Ｂ、１Ｃ図にそ
れぞれ比較される本発明の好ましい実施例による
スイツチ回路の電圧及び電流特性を示す線図、第
２図は本発明の好ましい実施例によるスイツチ回
路の回路図である。 符号の説明、１……駆動信号源。４……磁気ト
ランスジユーサー。５……磁心。６……FETス
イツチ（電子スイツチ手段）。７……コイル（変
換巻線）。１６……ギヤツプ（変換ギヤツプ）。
える直流ステツプ電圧の波形図、第１Ｂ、１Ｃ図
は従来技術のスイツチ回路の電圧及び電流特性を
示す線図、第１Ｄ、１Ｅ図は第１Ｂ、１Ｃ図にそ
れぞれ比較される本発明の好ましい実施例による
スイツチ回路の電圧及び電流特性を示す線図、第
２図は本発明の好ましい実施例によるスイツチ回
路の回路図である。 符号の説明、１……駆動信号源。４……磁気ト
ランスジユーサー。５……磁心。６……FETス
イツチ（電子スイツチ手段）。７……コイル（変
換巻線）。１６……ギヤツプ（変換ギヤツプ）。
Claims (1)
- １ 磁気ヘツド駆動回路１，３と磁気ヘツド変換
巻線７との間に設けられた電子的スイツチング回
路であつて、該電子的スイツチング回路は、２つ
或はそれ以上の隣接した記録チヤンネルを使用す
るレコーダーで用いられ、該レコーダーにおいて
は、高周波のクロストーク（Vcr、−Vcr）が上
記変換巻線から発生する漏洩磁束のため隣接した
チヤンネルのヘツド間に誘起せしめられ、上記電
子的スイツチング回路は、増大あるいは減少する
制御信号に応じて実質的に直線状に内部抵抗が変
化する電子的スイツチ手段６を設けており、該電
子的スイツチ手段は上記磁気ヘツド駆動回路の出
力に接続したソース端子と、上記磁気ヘツド変換
巻線に接続したドレン端子と、ゲート端子を有す
る電界効果トランジスタからなり、上記電子的ス
イツチング回路は、それぞれの一端が相互接続し
た第１の抵抗１４と第１のコンデンサ１５とを含
み、該第１の抵抗の他端は直流電圧ステツプを受
け、該第１のコンデンサの他端は接地され、上記
相互接続端と上記トランジスタ６のゲート端子と
の間に第２の抵抗１８が設けられ、かつ上記ゲー
ト端子と上記トランジスタ６のソース端子との間
に第２のコンデンサ１７が設けられたことを特徴
とする電子的スイツチング回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/364,692 US4428008A (en) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | Electronic switching circuit for use in magnetic head drives |
| US364692 | 1982-04-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58177502A JPS58177502A (ja) | 1983-10-18 |
| JPH0447881B2 true JPH0447881B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=23435642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58032689A Granted JPS58177502A (ja) | 1982-04-02 | 1983-02-28 | 電子的スイッチング回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4428008A (ja) |
| EP (1) | EP0091229B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58177502A (ja) |
| DE (1) | DE3368795D1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4533965A (en) * | 1984-04-18 | 1985-08-06 | General Signal Corporation | Magnetic read/write circuit |
| JPS61292204A (ja) * | 1985-06-19 | 1986-12-23 | Sony Corp | 記録再生装置 |
| DE3729656A1 (de) * | 1987-09-04 | 1989-03-23 | Thomson Brandt Gmbh | Schaltungsanordnung zur unterdrueckung von stoergeraeuschen |
| JP2701272B2 (ja) * | 1987-11-12 | 1998-01-21 | キヤノン株式会社 | 増幅装置 |
| US5168395A (en) * | 1990-05-02 | 1992-12-01 | International Business Machines Corporation | Controlled magnetic recording head relaxation in a magnetic recording system |
| WO2015077770A2 (en) * | 2013-11-25 | 2015-05-28 | Flextronics Ap, Llc | High speed sync fet control |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS556241A (en) * | 1978-06-28 | 1980-01-17 | Matsushita Electric Works Ltd | Hour striking watch |
| JPS566043A (en) * | 1979-06-28 | 1981-01-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Manufacture of engine |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50108335U (ja) * | 1974-02-14 | 1975-09-04 | ||
| US4179715A (en) * | 1978-04-10 | 1979-12-18 | Tapecon, Inc. | Electric circuit for accessory for host tape recorder |
| GB2032719A (en) * | 1978-09-21 | 1980-05-08 | Ward Goldstone Ltd | An electronic switch and method of operating it |
| JPS5591211A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preventing circuit for click noise occurrence |
| DE2935541C2 (de) * | 1979-09-03 | 1981-07-30 | Polygram Gmbh, 2000 Hamburg | Elektronische Schaltanordnung |
| JPS56169204A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic tape erasing device |
-
1982
- 1982-04-02 US US06/364,692 patent/US4428008A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-02-28 JP JP58032689A patent/JPS58177502A/ja active Granted
- 1983-03-22 DE DE8383301594T patent/DE3368795D1/de not_active Expired
- 1983-03-22 EP EP83301594A patent/EP0091229B1/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS556241A (en) * | 1978-06-28 | 1980-01-17 | Matsushita Electric Works Ltd | Hour striking watch |
| JPS566043A (en) * | 1979-06-28 | 1981-01-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Manufacture of engine |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0091229A2 (en) | 1983-10-12 |
| EP0091229B1 (en) | 1986-12-30 |
| DE3368795D1 (en) | 1987-02-05 |
| JPS58177502A (ja) | 1983-10-18 |
| EP0091229A3 (en) | 1984-01-18 |
| US4428008A (en) | 1984-01-24 |
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