JPS58177466A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPS58177466A JPS58177466A JP5808082A JP5808082A JPS58177466A JP S58177466 A JPS58177466 A JP S58177466A JP 5808082 A JP5808082 A JP 5808082A JP 5808082 A JP5808082 A JP 5808082A JP S58177466 A JPS58177466 A JP S58177466A
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- JP
- Japan
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- substrate
- target
- film
- ion gun
- sputtering
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0047—Activation or excitation of reactive gases outside the coating chamber
- C23C14/0052—Bombardment of substrates by reactive ion beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スバッタリ／グ法を用いて、成膜対象基板上
に活性ガスと反応した化合物薄膜を形成する、いわゆる
反応スパッタによる成蒙方法に関する。
に活性ガスと反応した化合物薄膜を形成する、いわゆる
反応スパッタによる成蒙方法に関する。
ターゲツト材と、真空中に導入した反応ガスとの化合物
薄膜を基板上に形成する、いわゆる反応スパッタでは、
化合物形成反応が主として基板表面で起る。
薄膜を基板上に形成する、いわゆる反応スパッタでは、
化合物形成反応が主として基板表面で起る。
このため、スパッタ速度１反応ガス分圧および成膜温度
が１反応匿、成膜速度の支配因子となる。成員温度は、
基板や装置の点から上限。
が１反応匿、成膜速度の支配因子となる。成員温度は、
基板や装置の点から上限。
下限が決められ一般に自由度が低い。
そのため、スパッタ速度と反応ガス分圧が主要成膜条件
となる。
となる。
そして、従来法では、反応度が十分でかつ成膜速度向上
を図ることが困難であったｉ−すなわち、スパッタ速度
を単純に増すと反応度の低い形成物が得られ、一方反応
ガス分圧を増す（とターゲット表面で反応が生じ、スパ
ッタ速度゛が減少するとかの問題があった。
を図ることが困難であったｉ−すなわち、スパッタ速度
を単純に増すと反応度の低い形成物が得られ、一方反応
ガス分圧を増す（とターゲット表面で反応が生じ、スパ
ッタ速度゛が減少するとかの問題があった。
こねに対して、ターゲットを不活性ガス雰囲気中に配置
するよう工夫したシールド室内に設置し、ターゲットと
反応性ガスとの反応を防ぎ高速成膜を図る発明がなされ
ている。しかし。
するよう工夫したシールド室内に設置し、ターゲットと
反応性ガスとの反応を防ぎ高速成膜を図る発明がなされ
ている。しかし。
本発明の目的を達成するには、シールド室開孔部面積を
極端に絞り込まねばならず、そのために実質成膜速度が
減少して期待する効果を得ることはできない。
極端に絞り込まねばならず、そのために実質成膜速度が
減少して期待する効果を得ることはできない。
すなわち、従来の反応スパッタが高速成膜困難であると
いう問題の本質は、ターゲツト材のもつ反応性エネルギ
ー（粒子速度、方向、密度）と反応性ガスのもつ反応性
エネルギー（速度。
いう問題の本質は、ターゲツト材のもつ反応性エネルギ
ー（粒子速度、方向、密度）と反応性ガスのもつ反応性
エネルギー（速度。
方向、密度）を独立に制御で察ないためである。
その結果、スパッタ速匿、蒸着速度とガス分圧が独立に
制御できず、成膜速度は二の次にして反応度合を優先す
る狭い条件を制御して成膜本発明の目的は、上記した従
来技術の欠点を解決し、高速膜が可能で、かつ反応度合
の高い化合物を基板上に形成し得る反応スパッタによる
製造法を提供するＫある。
制御できず、成膜速度は二の次にして反応度合を優先す
る狭い条件を制御して成膜本発明の目的は、上記した従
来技術の欠点を解決し、高速膜が可能で、かつ反応度合
の高い化合物を基板上に形成し得る反応スパッタによる
製造法を提供するＫある。
本発明の要点は、基板上にイオンガンな用いて反応エネ
ルギーの高い活性な反応性ガス導、オンを照射すること
により、ターゲツト材もしくは蒸発材と反応ガスとの反
応を促進することである。この際、さらに基板を回転す
ると、基板上でターゲツト材の堆積と反応性ガスイオン
の照射が数原子層単位の繰り返しで行なわれるため、反
応度の高い薄膜が高速で形成できる。
ルギーの高い活性な反応性ガス導、オンを照射すること
により、ターゲツト材もしくは蒸発材と反応ガスとの反
応を促進することである。この際、さらに基板を回転す
ると、基板上でターゲツト材の堆積と反応性ガスイオン
の照射が数原子層単位の繰り返しで行なわれるため、反
応度の高い薄膜が高速で形成できる。
以下、本発明を実施例により更に説明する。
実施例１
第１図に反応性スパッタ装置の構成を示す。
反応性スパッタ装置は、基板１を取りつける基板ホルダ
２（図示していないが加熱機構と回転機構をそなえてい
る）、ターゲット３．不活性ガス導入用配管４、イオン
ガン５．メインバルブ６、真空槽７、反応ガス導入用配
管８、真空ポンプ９、シャッタ１０、反応ガスボンへ１
１、不活性ガスボンベ１２、ＤＣ電源１５より構成され
ている。
２（図示していないが加熱機構と回転機構をそなえてい
る）、ターゲット３．不活性ガス導入用配管４、イオン
ガン５．メインバルブ６、真空槽７、反応ガス導入用配
管８、真空ポンプ９、シャッタ１０、反応ガスボンへ１
１、不活性ガスボンベ１２、ＤＣ電源１５より構成され
ている。
このような装置の基板ホルダ２に大きさ５〇−ｘ ５０
−のアルミナ製の基板１を取りつけた。その後、真空ポ
ンプ９で真空槽７内を１×１０−・Ｔｏｒｒ以下の真空
度とし、基板ホルダ２を２００℃に加熱した。続いて不
活性ガスボンベ１２から不活性ガス導入用配管４を通し
てアルゴンガスを真空４１１１７内に導入し、１ ｘ
１０−” Ｔｏｒｒの真空＆ （スｔ＜ 。
−のアルミナ製の基板１を取りつけた。その後、真空ポ
ンプ９で真空槽７内を１×１０−・Ｔｏｒｒ以下の真空
度とし、基板ホルダ２を２００℃に加熱した。続いて不
活性ガスボンベ１２から不活性ガス導入用配管４を通し
てアルゴンガスを真空４１１１７内に導入し、１ ｘ
１０−” Ｔｏｒｒの真空＆ （スｔ＜ 。
夕月動作圧）にした。ついでシャッタ１０を閉じたまま
、スパッタ用電源（図示せず）Ｋスイッチを人ね、９９
．９１タンタルをターゲット３として。
、スパッタ用電源（図示せず）Ｋスイッチを人ね、９９
．９１タンタルをターゲット３として。
これにＤＣ−６５ｋｖの電圧を■電源から印加した。
更に、反応ガスボンベから反応ガス導入配管８を通して
５ ｃｃ／ｒｎｔｎの割合でコモンウエルス社製ミラト
ロン■型のイオンガン５に窒素ガスを供給してからイオ
ンガン５の放電を開始し、更に引き出し電極（イオンガ
ン５中にある。図示していない）に−５０ｖを印加して
イオンガン５を動作状態にした。
５ ｃｃ／ｒｎｔｎの割合でコモンウエルス社製ミラト
ロン■型のイオンガン５に窒素ガスを供給してからイオ
ンガン５の放電を開始し、更に引き出し電極（イオンガ
ン５中にある。図示していない）に−５０ｖを印加して
イオンガン５を動作状態にした。
その後、基板ホルダ２を６ｏｒ、ｐ、ｍ、で回転し、シ
ャッタ１０を開き、基板１上に成膜速度４００Ａ／％で
厚さ６５００＾の窒化夕゛／タル（Ｔａ ＊Ｎ ）膜を
形□成した。
ャッタ１０を開き、基板１上に成膜速度４００Ａ／％で
厚さ６５００＾の窒化夕゛／タル（Ｔａ ＊Ｎ ）膜を
形□成した。
このようＫして形成した窒化タンタル膜朦面を陽極化成
処理して五酸化タンタルとし、更に上部電極、配線など
を形成して、電話交換器受信器用混成ＩＣを完成した。
処理して五酸化タンタルとし、更に上部電極、配線など
を形成して、電話交換器受信器用混成ＩＣを完成した。
前記五酸化タン、タルは誘電正接が０．０００１２（０
，０１２１１）であり、その値は従来法で製造したもの
の１／７であった。また、成膜速度も従来より３倍速く
、スパッタ時間が短縮された。その結果、特性の優ねた
混成ＩＣが効率良く製造できた。 ゛ ″
□゛ 実施例２ ターゲット３をＴｉとし、その他は実施例１と同様にし
て、厚さ６０００大の窒化チタン膜が効率良く製造でき
た。
，０１２１１）であり、その値は従来法で製造したもの
の１／７であった。また、成膜速度も従来より３倍速く
、スパッタ時間が短縮された。その結果、特性の優ねた
混成ＩＣが効率良く製造できた。 ゛ ″
□゛ 実施例２ ターゲット３をＴｉとし、その他は実施例１と同様にし
て、厚さ６０００大の窒化チタン膜が効率良く製造でき
た。
実施例６
ターゲット３を８ｉ 、Ｔｉ 、Ｃｒのうちの一種類の
金属とし、イオンガン５に酸素を導入する以外は実施例
１と同様にして厚さ６１ｏｏＡの酸化ケイ素膜、酸化チ
タン膜、酸化クロム膜を効率良く形成した。
金属とし、イオンガン５に酸素を導入する以外は実施例
１と同様にして厚さ６１ｏｏＡの酸化ケイ素膜、酸化チ
タン膜、酸化クロム膜を効率良く形成した。
また、ターゲット３にＦｅも使用でき、イオンガンにメ
タンやエチレンモノマを導入することにより金属炭化物
も形成できるのを確認した。
タンやエチレンモノマを導入することにより金属炭化物
も形成できるのを確認した。
実施例４
直径１００−５内径２０−１板厚５０−の真チ息つ製置
板表面に厚さ２０μｍのＮ１−Ｐ合金（Ｐ１０’ｌ含有
）非磁性膜を電気めっきで形成した。この膜表面表面粗
さ００１μｍＲａに仕上げて基板１とした。
板表面に厚さ２０μｍのＮ１−Ｐ合金（Ｐ１０’ｌ含有
）非磁性膜を電気めっきで形成した。この膜表面表面粗
さ００１μｍＲａに仕上げて基板１とした。
上記基板１を第１図に示した反応性スパッタ装置の基板
ホルダ２にセットした。カソード電極に用いるターゲッ
ト３としてはコバルト２饅含有の鉄合金ターゲットを用
いた。なおＦｅ−Ｃｏ−Ｔｉ等のターゲットを用いても
良い。
ホルダ２にセットした。カソード電極に用いるターゲッ
ト３としてはコバルト２饅含有の鉄合金ターゲットを用
いた。なおＦｅ−Ｃｏ−Ｔｉ等のターゲットを用いても
良い。
ついで真空ｆ１１７内をＩ ＸＩ Ｗ＠Ｔｏｒｒ以下に
してから、基板加熱ヒーターを作動させて基板を５００
”Ｃで５時間加熱した。
してから、基板加熱ヒーターを作動させて基板を５００
”Ｃで５時間加熱した。
その後アルゴンガス１２を真空槽７内に入れ、真空槽を
５ｘ１０−” Ｔｏｒｒのスパッタ動作圧力にした。
５ｘ１０−” Ｔｏｒｒのスパッタ動作圧力にした。
次に、シャッター１０を閉じたまま、スパッタ用ＲＦ電
極１Ｓを作動させ、直径６インチのターゲラ） ５ Ｋ
−５ＫＷのパワーを加え、スパッタを開始した。スパッ
タ開始後にアルゴンガス１２流量を減少して、約１０分
で動作圧を１ ｘｌ ０−’ Ｔｏｒｒにまで下げた。
極１Ｓを作動させ、直径６インチのターゲラ） ５ Ｋ
−５ＫＷのパワーを加え、スパッタを開始した。スパッ
タ開始後にアルゴンガス１２流量を減少して、約１０分
で動作圧を１ ｘｌ ０−’ Ｔｏｒｒにまで下げた。
動作圧を下げるのはイオンガン５の動作圧（０８〜ｔｏ
ｍＴｏｒｒ）に近づけるためである。この際低圧力でス
パッタ放電を安定させるために、熱電子供給用のフィラ
メントを作動させればなお良い。
ｍＴｏｒｒ）に近づけるためである。この際低圧力でス
パッタ放電を安定させるために、熱電子供給用のフィラ
メントを作動させればなお良い。
鉄合金のターゲット５の放電が安定したら、イオンガン
５（日本電子表ＭＩＳ−２５０）Ｋ酸素１１を導入して
ガンを作動させた。作動条件はイオンガン内部の放−々
圧は２００〜６００ｖであるが、本例では５００ｖとし
た。イオンの引出し電圧は０〜５００ｖで可能であるが
本例では１０ｏｖとした。さらに、基板ホルダ２にはイ
オンガンに対して＋５ｏｏｖのバイアスを別の電源を用
いて印加した。バイアス電圧を印加するのは、イオンガ
ン５より基板１に照射される酸素イオンの仝ホルダーを
低め、酸素イオンによる成膜物質のスパッタリングを防
ぐためである、必要に応じて基板バイアス電位を調整す
ることは反応促進上有効である。
５（日本電子表ＭＩＳ−２５０）Ｋ酸素１１を導入して
ガンを作動させた。作動条件はイオンガン内部の放−々
圧は２００〜６００ｖであるが、本例では５００ｖとし
た。イオンの引出し電圧は０〜５００ｖで可能であるが
本例では１０ｏｖとした。さらに、基板ホルダ２にはイ
オンガンに対して＋５ｏｏｖのバイアスを別の電源を用
いて印加した。バイアス電圧を印加するのは、イオンガ
ン５より基板１に照射される酸素イオンの仝ホルダーを
低め、酸素イオンによる成膜物質のスパッタリングを防
ぐためである、必要に応じて基板バイアス電位を調整す
ることは反応促進上有効である。
イオンガン５とターゲット３が安定に作動した後に、基
板ホルダー２を１０Ｏｒ、ｐＪｎで回転し、さらにシャ
ッタ１ｏを開き、基板１上に酸化鉄を形成した。
板ホルダー２を１０Ｏｒ、ｐＪｎで回転し、さらにシャ
ッタ１ｏを開き、基板１上に酸化鉄を形成した。
本反応スパッタ条件ではα−Ｆｅ、０１が形成し、６分
間で０．１７μｍのα−Ｆｅ、Ｏ，酸化膜が得られた。
間で０．１７μｍのα−Ｆｅ、Ｏ，酸化膜が得られた。
成膜速度は、５＜Ｓｏ＾／分であり、通常の反応スパッ
タの値２０〜４０λ／分と比らべ１ケタ以上の高速化が
達成できた。得られた膜はＸ＠回折、比抵抗の分析から
も酸化度の高い均質なα−Ｆｅ、０１であった。
タの値２０〜４０λ／分と比らべ１ケタ以上の高速化が
達成できた。得られた膜はＸ＠回折、比抵抗の分析から
も酸化度の高い均質なα−Ｆｅ、０１であった。
反応スパッタ終了後にディスク基板１を真空槽７外へ取
出し、次に水素還元炉中で熱処理して、Ｆｅ、 Ｏ，膜
へ変換した。還元条件は！５００’Ｃ，３ｈであり、水
蒸気を含む水素中とした。
出し、次に水素還元炉中で熱処理して、Ｆｅ、 Ｏ，膜
へ変換した。還元条件は！５００’Ｃ，３ｈであり、水
蒸気を含む水素中とした。
得られたＦｅ５０．膜は、さらに空気中で３００’ｃ
Ｋ３時間熱酸化処理をしてγ−Ｆｅ、Ｏ，膜に変換して
磁気記録媒体とした。
Ｋ３時間熱酸化処理をしてγ−Ｆｅ、Ｏ，膜に変換して
磁気記録媒体とした。
この膜の上Ｋ、ヘッドに対する耐磨耗性向上のため、フ
ッ化炭素糸の潤濶膜を形成してＷ用静止画償用磁気ディ
スクとした。得られたディスクは、周速２０ｍ／ｓｅｃ
で、周波数８ＭＨｚまでの記録再生ができ、高密度メモ
リディスクとして十分な性能を有していた。
ッ化炭素糸の潤濶膜を形成してＷ用静止画償用磁気ディ
スクとした。得られたディスクは、周速２０ｍ／ｓｅｃ
で、周波数８ＭＨｚまでの記録再生ができ、高密度メモ
リディスクとして十分な性能を有していた。
実施例５
第２図は反応性スパック装置である。この装置は、基板
１．基板ホルダ２．ターゲット５゜不活性ガス導入用配
管４、イオンガン５．メインパルプ６、真空槽７１反応
ガス導入用配管８真空ポンプ９．シャッタ１０．反応ガ
スボンベ１１不活性ガスボンベ１２．ＲＦ電源１嶋修正
板１４より構成されている。
１．基板ホルダ２．ターゲット５゜不活性ガス導入用配
管４、イオンガン５．メインパルプ６、真空槽７１反応
ガス導入用配管８真空ポンプ９．シャッタ１０．反応ガ
スボンベ１１不活性ガスボンベ１２．ＲＦ電源１嶋修正
板１４より構成されている。
次に、薄膜の形成方法を説明する。外径２１０■内径１
００閤のアルミニウム合金板を基板１とし。
００閤のアルミニウム合金板を基板１とし。
こねを回転ブーりよりなる基板ホルダ２にセットした。
ついで真空槽７を真空＄ １Ｏ−Ｔｏｒｒ以下に真空ポ
ンプ９で排気した。次に不活性ガスボンベ１２からアル
ゴンガスを不活性ガス導入用配管４を通して真空槽７中
に導入して槽内を２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒにした。次にＲ
Ｆ電源１３を作動させてスパッタを開始した。放電が安
定するまでターゲット３と基板１間にシャッタ１０を入
れておいた。ターゲット３投入電力は、片側ａｓＫＷづ
つであった。
ンプ９で排気した。次に不活性ガスボンベ１２からアル
ゴンガスを不活性ガス導入用配管４を通して真空槽７中
に導入して槽内を２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒにした。次にＲ
Ｆ電源１３を作動させてスパッタを開始した。放電が安
定するまでターゲット３と基板１間にシャッタ１０を入
れておいた。ターゲット３投入電力は、片側ａｓＫＷづ
つであった。
また、直径５インチのＦｅ−２，ｏ憾ｃｏをターゲット
３に用いた。
３に用いた。
次に基板１を１０Ｏｒ、ｐ、ｍで回転し、日本電子製Ｍ
ＩＳ−２５０−イオンガン５に反応ガスボンベ１１より
酸素ガスを１０ｍｊ／ｓｅｃの割合いで供給した状態で
作動させた。そして、成膜速［４００Ａ／分で厚さ０２
μｍのＦｅ５０４膜を形成した。なおイオンガン作動条
件は、放電々圧２００〜６００ｖ（最適値＃： ／−
１−２ ５００Ｖ 付近） 、 引出Ｌ Ｉｋ 圧’ｏ〜５ｏｏ
Ｖ （最適値ＪＦ： ０−９Ｅ１５０ｖ）であった。イ
オンガン５の作動条件な設定するにあたっては、イオン
のエネルギーを１０〜２００６Ｖとし、かつ電流密度を
高く維持する事であり、と１によってイオンによるスパ
ッタを低くし、酸化が促進される。
ＩＳ−２５０−イオンガン５に反応ガスボンベ１１より
酸素ガスを１０ｍｊ／ｓｅｃの割合いで供給した状態で
作動させた。そして、成膜速［４００Ａ／分で厚さ０２
μｍのＦｅ５０４膜を形成した。なおイオンガン作動条
件は、放電々圧２００〜６００ｖ（最適値＃： ／−
１−２ ５００Ｖ 付近） 、 引出Ｌ Ｉｋ 圧’ｏ〜５ｏｏ
Ｖ （最適値ＪＦ： ０−９Ｅ１５０ｖ）であった。イ
オンガン５の作動条件な設定するにあたっては、イオン
のエネルギーを１０〜２００６Ｖとし、かつ電流密度を
高く維持する事であり、と１によってイオンによるスパ
ッタを低くし、酸化が促進される。
イオンガン５の作動状態が安定したら、シャッタ１０を
開き、基板１上に酸化鉄（ＦｅｍＯａ）を形成する。
開き、基板１上に酸化鉄（ＦｅｍＯａ）を形成する。
なお、イオンガン５はシャッタ１ｏが開くまでディスク
基板表面、をクリーニングしている。 ゛なお、Ｆｅ
１Ｏ，膜の膜厚さは、０．０５７７ｍ−０，４０Ｉｔ
ｍが良い。厚さがα０５μｍより少ないと再生出力が低
（てディスクとして使用できず、厚さが０．４０μｍよ
り多いと記録密度を１０，０００ ｂｉｔ／１ｎｃｈ以
上にしＫくい。
基板表面、をクリーニングしている。 ゛なお、Ｆｅ
１Ｏ，膜の膜厚さは、０．０５７７ｍ−０，４０Ｉｔ
ｍが良い。厚さがα０５μｍより少ないと再生出力が低
（てディスクとして使用できず、厚さが０．４０μｍよ
り多いと記録密度を１０，０００ ｂｉｔ／１ｎｃｈ以
上にしＫくい。
Ｆｓ４０４膜を形成したディスク基板を真空槽７外に取
出し、以下の条件でＦｅ１０．を酸化してγ−Ｆｅ、Ｏ
，に変換した。
出し、以下の条件でＦｅ１０．を酸化してγ−Ｆｅ、Ｏ
，に変換した。
ｒ−Ｆｅ、０．膜は、Ｈｃ＝ｔｓａｏＯｅ 、 Ｂｓ＝
ｘｓＫＧ 。
ｘｓＫＧ 。
Ｂｒ／Ｂ２に＝０．８２の良好な磁気特性を示した。さ
らに磁性膜上にはフッ化炭素糸の潤濶膜を厚さ５ｏｏＡ
Ｋ彫成し、磁気ディスクとした。
らに磁性膜上にはフッ化炭素糸の潤濶膜を厚さ５ｏｏＡ
Ｋ彫成し、磁気ディスクとした。
このようにして得た磁気ディスクの電磁変換特性を評価
したところ、記録密度２，４０００ＢＰＩ 、Ｃ８８強
度ｓｏＫ回と優ねた特性を示した。
したところ、記録密度２，４０００ＢＰＩ 、Ｃ８８強
度ｓｏＫ回と優ねた特性を示した。
なお、ターゲラ）Ｋは、鉄以外にコバルト含有量４．０
ｗｔ−以下の鉄〜コバルト合金を用いる。
ｗｔ−以下の鉄〜コバルト合金を用いる。
コバルトは酸化鉄磁性薄膜の抗磁力（Ｈｃ）を増加させ
る元素であり、例えば膜厚が通常のα２μｍの場合、コ
バルト含有量が４０ｗｔ１より多いと抗磁力が１５００
０ｅより大となり書き込み不能となる。
る元素であり、例えば膜厚が通常のα２μｍの場合、コ
バルト含有量が４０ｗｔ１より多いと抗磁力が１５００
０ｅより大となり書き込み不能となる。
以上述べたように、本発明によれば金属酸化物、窒化物
、炭化物等の化合物を、真空槽内でスパッタリングとイ
オンガンとの組合せで、反応度を確実に制御しながら高
速度で成膜できる。。
、炭化物等の化合物を、真空槽内でスパッタリングとイ
オンガンとの組合せで、反応度を確実に制御しながら高
速度で成膜できる。。
このため成膜時間が大巾に短縮されると共に反応度合の
高い化合物が得られるため皮膜物性の大幅向上が可能と
なる。例えば機械的強度磁気特性などが向上し、製品性
能の一向上が達成できる。
高い化合物が得られるため皮膜物性の大幅向上が可能と
なる。例えば機械的強度磁気特性などが向上し、製品性
能の一向上が達成できる。
第１図は第２図スパッタ装置の断面構成図である。
着→１力４動羽“
１；基板、２；基板ホルダ、３；ターゲット、４：不活
性ガス導入配管、５；イオンガン、６；メインバルブ、
７；真空槽、８；反応ガス配管、９：真空ポンプ、１ｏ
；シャッター、１１：反応カスボンベ、１２；不活性ガ
ースボンベ。 代理人弁理士 薄 １）ｒｉ瓢 オ １ 力 第２口 手続補正書（方式） ％式％ 昭和５７ 年特許願第 ５８０８０シＪ−イコ明の
名称 薄膜形成方法 ｒｄｉ ＋Ｆをする茗 ５Ｍ４＋、 Ｊ’ｌ、−：ｒｌ １１ 立
製 作 所□ ・”； と−，１１１勝 茂 代 理 人 捕＋Ｉｇの内容
性ガス導入配管、５；イオンガン、６；メインバルブ、
７；真空槽、８；反応ガス配管、９：真空ポンプ、１ｏ
；シャッター、１１：反応カスボンベ、１２；不活性ガ
ースボンベ。 代理人弁理士 薄 １）ｒｉ瓢 オ １ 力 第２口 手続補正書（方式） ％式％ 昭和５７ 年特許願第 ５８０８０シＪ−イコ明の
名称 薄膜形成方法 ｒｄｉ ＋Ｆをする茗 ５Ｍ４＋、 Ｊ’ｌ、−：ｒｌ １１ 立
製 作 所□ ・”； と−，１１１勝 茂 代 理 人 捕＋Ｉｇの内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 基板にターゲットとイオンガンな対向して配置し、
前記基板を回転させ、不活性ガス響囲気中で、前記ター
ゲットを用いてスパッタリングして前記回転基板表面に
ターゲット物質を堆積させることおよび前記イオン′ガ
ンに反応性ガスを導入して反応性ガスイオンの照射を行
ない、基板上にターゲット物質と反応性ガスの化合物膜
を形成することを特徴とする薄膜形成方法。 ２、 ターゲットが鉄もしくは鉄合金であり、反応性ガ
スが酸素ガスであり、ターゲット物質と反応性ガスの化
合物膜が酸化鉄であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の薄膜形成方法。 −基板が磁気ディスク基板であり、ターゲットが鉄もし
くはコバルト含有量４．０ｗｔ１以下の鉄〜コバルト合
金であり、ターゲット物質と反応性ガスの化合物膜が膜
厚Ｑ、０５〜０．４０μｍのＦｅ＠０６膜であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5808082A JPS58177466A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5808082A JPS58177466A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58177466A true JPS58177466A (ja) | 1983-10-18 |
Family
ID=13073934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5808082A Pending JPS58177466A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58177466A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01156465A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-20 | Nippon Kentetsu Co Ltd | スパッター装置 |
| JPH01298153A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Raimuzu:Kk | 積層膜の形成方法 |
| JPH07235513A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493847A (ja) * | 1972-05-04 | 1974-01-14 | ||
| JPS5489983A (en) * | 1977-12-28 | 1979-07-17 | Toshiba Corp | Device and method for vacuum deposition compound |
-
1982
- 1982-04-09 JP JP5808082A patent/JPS58177466A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493847A (ja) * | 1972-05-04 | 1974-01-14 | ||
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