JPS5998504A - 磁気記録体の製造方法 - Google Patents
磁気記録体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5998504A JPS5998504A JP57208183A JP20818382A JPS5998504A JP S5998504 A JPS5998504 A JP S5998504A JP 57208183 A JP57208183 A JP 57208183A JP 20818382 A JP20818382 A JP 20818382A JP S5998504 A JPS5998504 A JP S5998504A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- carbonyl
- gas
- film
- magnetic powder
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/68—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent
- G11B5/70—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer
- G11B5/706—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer characterised by the composition of the magnetic material
- G11B5/70626—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer characterised by the composition of the magnetic material containing non-metallic substances
Landscapes
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、針状磁性粉の表面に金属膜、特にコバルト
、ニッケルを含む被膜を形成する気相成長法に関する０
この発明は針状磁性粉例えばγ−酸化鉄の粉を赤外線加
熱またはマイクロ波を用いたプラズマエネルギを与えた
加熱方法により加熱し、この減圧下の雰囲気に反応性気
体％にコバルト、ニッケルまたは鉄を含む気体例えばカ
ルボニル化合物を導入し、加熱または加熱およびプラズ
マエネルギによシ分解し、回転かくはんしている表 回転￥反応炉内にて、その回転かくはんしている磁性粉
の表面に金属膜を成長形成させることを目的としている
。
、ニッケルを含む被膜を形成する気相成長法に関する０
この発明は針状磁性粉例えばγ−酸化鉄の粉を赤外線加
熱またはマイクロ波を用いたプラズマエネルギを与えた
加熱方法により加熱し、この減圧下の雰囲気に反応性気
体％にコバルト、ニッケルまたは鉄を含む気体例えばカ
ルボニル化合物を導入し、加熱または加熱およびプラズ
マエネルギによシ分解し、回転かくはんしている表 回転￥反応炉内にて、その回転かくはんしている磁性粉
の表面に金属膜を成長形成させることを目的としている
。
本発明は、さらに気相法を用いるため、ここに同時にホ
ウ素をジボランによシ、リンを７オスヒンの気体にて供
給することによシ、その欠乏生成物成分を制御性を有し
て与えることができる。また珪素はシラン（Ｓｉ′ＩＱ
Ｋよシ、チタンはＴＩＣ〜により、スズは８ｎＣ１＋に
より、ヒ素はＡｅＨ，によりモリブデンはＭＯＣｌｔＫ
よシ、アンチモンは５ｂｃＩＪまた８ ｂＯｌｊによシ
、タングステンはＷＦ、によシ、金属のハロゲン化物ま
たはその他の金属有機物またはカルボニル化合物によシ
反応性気則とするととができる。
ウ素をジボランによシ、リンを７オスヒンの気体にて供
給することによシ、その欠乏生成物成分を制御性を有し
て与えることができる。また珪素はシラン（Ｓｉ′ＩＱ
Ｋよシ、チタンはＴＩＣ〜により、スズは８ｎＣ１＋に
より、ヒ素はＡｅＨ，によりモリブデンはＭＯＣｌｔＫ
よシ、アンチモンは５ｂｃＩＪまた８ ｂＯｌｊによシ
、タングステンはＷＦ、によシ、金属のハロゲン化物ま
たはその他の金属有機物またはカルボニル化合物によシ
反応性気則とするととができる。
本発明はかかる反応性気体を減圧下に保持された特Ｋ
Ｏ，００１〜１ｏｔｏｒｒ Ｋ保持された回転式反応容
器内に導き、分解反応をおこさしめ、その表面積の大き
い針状粉の表面に形成させることを特徴としている。
Ｏ，００１〜１ｏｔｏｒｒ Ｋ保持された回転式反応容
器内に導き、分解反応をおこさしめ、その表面積の大き
い針状粉の表面に形成させることを特徴としている。
従来、鉄、ニッケル、コバルトの反応性気体をｐｍＴ（
ポリエチレンテレｙタート）上に形成し、磁気記録体の
作製をする方法が知られている。この場合ＰＥＴ自体が
２００’Ｏ以上では使用に耐えないため、室温〜１００
’Ｏでのプラズマ気相法特に１００ＫＨｚ〜１５ＭＨｚ
の高周波電気エネルギを用いた方法が知られているｏし
かしかかる方法においては基板の温度がｒ ’ｆ″ｋ
２ＹＡ’−ｊ゛１％’％そのため出発物質がカルボニル
化合物例えばペンタカルボニル鉄（Ｆθ（ＣＯ）ρ（Ｂ
Ｐ １０３’Ｏ）テトラカルボニルニッケル（Ｎｉ（
ｃｏ〜ＢＰ４３’Ｃ，ＭＰ−２５°Ｃ）、コノ々ルトカ
ルボニル例えば（Ｏｏ （００１）、またはＣｏＬ（Ｃ
ｏ）、ＭＰ５１°Ｃを用いた場合、反応生成物中に炭素
または酸素がｌＯ〜５０チ代表的には３０％含有してし
まう。このため磁気記録体としては十分なものではなか
った。
ポリエチレンテレｙタート）上に形成し、磁気記録体の
作製をする方法が知られている。この場合ＰＥＴ自体が
２００’Ｏ以上では使用に耐えないため、室温〜１００
’Ｏでのプラズマ気相法特に１００ＫＨｚ〜１５ＭＨｚ
の高周波電気エネルギを用いた方法が知られているｏし
かしかかる方法においては基板の温度がｒ ’ｆ″ｋ
２ＹＡ’−ｊ゛１％’％そのため出発物質がカルボニル
化合物例えばペンタカルボニル鉄（Ｆθ（ＣＯ）ρ（Ｂ
Ｐ １０３’Ｏ）テトラカルボニルニッケル（Ｎｉ（
ｃｏ〜ＢＰ４３’Ｃ，ＭＰ−２５°Ｃ）、コノ々ルトカ
ルボニル例えば（Ｏｏ （００１）、またはＣｏＬ（Ｃ
ｏ）、ＭＰ５１°Ｃを用いた場合、反応生成物中に炭素
または酸素がｌＯ〜５０チ代表的には３０％含有してし
まう。このため磁気記録体としては十分なものではなか
った。
またさらにこのカルボニル化合物を熱のみの０ＶＤ（気
相成長法）で行なわんとすると、加熱温度が３００〜６
００°Ｃを分解で必要とするため、ＰＥＴ上に形成させ
ることができない。さらに被膜成長速度がおそい等の欠
点を有していた。
相成長法）で行なわんとすると、加熱温度が３００〜６
００°Ｃを分解で必要とするため、ＰＥＴ上に形成させ
ることができない。さらに被膜成長速度がおそい等の欠
点を有していた。
本発明はこれらの欠点を補なうためのものであって、ｉ
ｒ／６性を有する磁性粉に対し、これらを３００〜’７
００”Ｃに加熱し、さらにこの磁性粉の表面積が太きい
ため、被膜成長速度がおそくても実用上全く問題がない
という特徴を有する。
ｒ／６性を有する磁性粉に対し、これらを３００〜’７
００”Ｃに加熱し、さらにこの磁性粉の表面積が太きい
ため、被膜成長速度がおそくても実用上全く問題がない
という特徴を有する。
Ｓ （
ｔａｎＸ４ｆが悪くなシ、それ自体Ｖａ熱体とさせるこ
とができる。その結果この磁性粉の表面に反応性気体が
導入されると、そこで被膜形成がおこり特に同時に磁界
が加わると形状異方性を有する針状方向にさらに形成さ
せることができるという大きな特徴を有する。
とができる。その結果この磁性粉の表面に反応性気体が
導入されると、そこで被膜形成がおこり特に同時に磁界
が加わると形状異方性を有する針状方向にさらに形成さ
せることができるという大きな特徴を有する。
この成長は気相成長であり、温度が高温５００＠０以上
においては実質的なエピタキシアル成長がおきるという
特徴を有する。
においては実質的なエピタキシアル成長がおきるという
特徴を有する。
即ち本発明は耐熱性を有する磁性粉を高周波では周波数
が低いため、反応性気体の強い運動エネルギを有するた
め、被形成面をスパッタ（損傷）気体は単に分解してイ
オン化し、さらに被形成面をもスパッタすることがない
ため、５４ｔ ＢＱｔｌｈ＋＝被膜成長をさせることが
できるというものである。
が低いため、反応性気体の強い運動エネルギを有するた
め、被形成面をスパッタ（損傷）気体は単に分解してイ
オン化し、さらに被形成面をもスパッタすることがない
ため、５４ｔ ＢＱｔｌｈ＋＝被膜成長をさせることが
できるというものである。
以下に図面に従って本発明を記す。 ・第１図は本発
明を実施するためのＯＶＤ装置の概要を示す。
明を実施するためのＯＶＤ装置の概要を示す。
（Ａ）は横方向よシ、また（Ｂ）は前方向よりみた図面
である。図面では反応炉（２）がとびら（３）を有し、
この中に５〜２０回／分で回転するドラム式の第２の反
応炉（４）を有する。第２の反応炉は加熱および保持具
（７）Ｋ固定されており、この保持具は駆動部１）によ
シ回転させられる。反応性気体は中央部（６）よシトー
ピング系翰より導入され、排気口（５）より第１の反応
炉内に放出される。第１の反応炉はニードルパルプ（バ
タフライバルブ） （１０より第１および第２の反応炉
内を０．００１〜１０ｔＯｒｒに調整す・る。加圧する
時はストップバルブ（７）を閉じ、減圧する時は開とす
る。排気は真空ポンプ０呻ニよシ行なう。かくしてドー
ピング系より導入される反応性気体またはこれ輌ｔ＝
１！＋１１克１、キャリアガスは第２の反応炉に至シ、
針状磁性粉（１）の表面に反応生成物を成長または被膜
を形成せしめ、排気口（５）をへて真空ポンプ（１０）
Ｋ到る。針状磁性粉（１）は加熱ボード（７）およびマ
イクロ波（９）Ｋよシ加熱される。
である。図面では反応炉（２）がとびら（３）を有し、
この中に５〜２０回／分で回転するドラム式の第２の反
応炉（４）を有する。第２の反応炉は加熱および保持具
（７）Ｋ固定されており、この保持具は駆動部１）によ
シ回転させられる。反応性気体は中央部（６）よシトー
ピング系翰より導入され、排気口（５）より第１の反応
炉内に放出される。第１の反応炉はニードルパルプ（バ
タフライバルブ） （１０より第１および第２の反応炉
内を０．００１〜１０ｔＯｒｒに調整す・る。加圧する
時はストップバルブ（７）を閉じ、減圧する時は開とす
る。排気は真空ポンプ０呻ニよシ行なう。かくしてドー
ピング系より導入される反応性気体またはこれ輌ｔ＝
１！＋１１克１、キャリアガスは第２の反応炉に至シ、
針状磁性粉（１）の表面に反応生成物を成長または被膜
を形成せしめ、排気口（５）をへて真空ポンプ（１０）
Ｋ到る。針状磁性粉（１）は加熱ボード（７）およびマ
イクロ波（９）Ｋよシ加熱される。
マイクロ波例えば２．４５ＧＨｚはエツチング系（１０
）をへて第１の反応炉に導入される。第２の反応炉の壁
面はセラミックまたは石英ガラスよシなり、導入された
マイクロ波エネルギが針状磁性粉に十分供給されるよう
にした。
）をへて第１の反応炉に導入される。第２の反応炉の壁
面はセラミックまたは石英ガラスよシなり、導入された
マイクロ波エネルギが針状磁性粉に十分供給されるよう
にした。
さらに針状磁性粉の長軸方向によシ被膜成長をせしめる
ため、第１図（Ｂ） Ｋ示される如く、磁界αつ０４を
設けることは有効であった０ さらにドーピング系（イ）は水素のキャリアガスｃＩυ
鉄のカルボニルα→、ニッケルカルボニルα→コバルト
カルボニルαつが供給され、これらをバブラーよシ各供
給口に到る。バブラーはステンレス製とし本実施例にお
いては東洋ストコア製のものをカルボニル液体を封入し
たものを用いた。ドーピング系を減圧下にするため、常
温、常圧で液体のカルボニルを十分気化し、パルプＱ］
）、流量計に）をへて第２の反応炉（４）に供給した。
ため、第１図（Ｂ） Ｋ示される如く、磁界αつ０４を
設けることは有効であった０ さらにドーピング系（イ）は水素のキャリアガスｃＩυ
鉄のカルボニルα→、ニッケルカルボニルα→コバルト
カルボニルαつが供給され、これらをバブラーよシ各供
給口に到る。バブラーはステンレス製とし本実施例にお
いては東洋ストコア製のものをカルボニル液体を封入し
たものを用いた。ドーピング系を減圧下にするため、常
温、常圧で液体のカルボニルを十分気化し、パルプＱ］
）、流量計に）をへて第２の反応炉（４）に供給した。
さらにＢＬＨｔ等の添加不純物をａツよシ供給し、窒素
を（１）よシ供給した。
を（１）よシ供給した。
反応炉内等の配管はステンレスとし、その配管内で反応
性気体がマイクロ波電気エネルギによシ分解反応しない
ようにした。
性気体がマイクロ波電気エネルギによシ分解反応しない
ようにした。
かくして針状磁性粉例えばγ−Ｆｅ、０）（１）を１０
０ｇ第２の反応炉を十分真空引し、水素を１ｏｏｃｃ／
分流し、マイクロ波を１００〜３００Ｗ、 ヒーター
（７）の温度を３５０〜６００°Ｃとして、反応炉内を
Ｏ，１ｔｏｒｒとして第２の反応炉を回転しつつカルボ
ニルを５〜３０ｃｃ１５＋導入した。すると磁性粉上ニ
２０〜１００λ／分の成長速度でＦｅ、Ｃ０１Ｎｉの金
属膜を作製することができた。さらに磁界を１０〜３×
ｌＯガウス加えると、針状方向に形成をしやすくなり、
長軸２０〜５０μ短軸０．３〜３μの磁性体上に５００
〜５０００λの厚さに磁性金属被膜を作ることができる
ようになった。
０ｇ第２の反応炉を十分真空引し、水素を１ｏｏｃｃ／
分流し、マイクロ波を１００〜３００Ｗ、 ヒーター
（７）の温度を３５０〜６００°Ｃとして、反応炉内を
Ｏ，１ｔｏｒｒとして第２の反応炉を回転しつつカルボ
ニルを５〜３０ｃｃ１５＋導入した。すると磁性粉上ニ
２０〜１００λ／分の成長速度でＦｅ、Ｃ０１Ｎｉの金
属膜を作製することができた。さらに磁界を１０〜３×
ｌＯガウス加えると、針状方向に形成をしやすくなり、
長軸２０〜５０μ短軸０．３〜３μの磁性体上に５００
〜５０００λの厚さに磁性金属被膜を作ることができる
ようになった。
この金属磁性膜は酸化されやすいので、この反応が終了
の後、反応炉内を窒素によシ大気圧にしその後空気にふ
れさせることなくこの上面に有機膜を形成させ、酸化防
止を計ることは有効である。
の後、反応炉内を窒素によシ大気圧にしその後空気にふ
れさせることなくこの上面に有機膜を形成させ、酸化防
止を計ることは有効である。
この有機膜はこの磁性粉をＰＦｉＴ等の上に塗る時バイ
ンダーと磁性酸化鉄親和水の助長にもなる。
ンダーと磁性酸化鉄親和水の助長にもなる。
本発明において磁性酸化鉄上に例えばコバルトを被覆す
ると、このコバルト中での酸素、炭素等の不純物が含有
しないため、従来よシ知られるＶＴＲテープのＨｃ ４
００〜５０００ｅよシ２倍も大きなＨｃ ８００〜９０
０を作ることができた。さらに磁気密度も１００ ｅ
ｍ ｕ／ｇを有し、従来よシ知られた磁性酸化鉄に比べ
て３０〜４０チも大きかった。
ると、このコバルト中での酸素、炭素等の不純物が含有
しないため、従来よシ知られるＶＴＲテープのＨｃ ４
００〜５０００ｅよシ２倍も大きなＨｃ ８００〜９０
０を作ることができた。さらに磁気密度も１００ ｅ
ｍ ｕ／ｇを有し、従来よシ知られた磁性酸化鉄に比べ
て３０〜４０チも大きかった。
さらにこの本発明の金属膜コーティングの被膜成長テー
プは酸化しやすいため、この上面に１００ＫＨｚ〜１５
ＭＨ２の高周波のプラズマ重合をチレンエチレン等の有
機膜を用いてコーティングすることにより、酸化防止す
ることが可能である。
プは酸化しやすいため、この上面に１００ＫＨｚ〜１５
ＭＨ２の高周波のプラズマ重合をチレンエチレン等の有
機膜を用いてコーティングすることにより、酸化防止す
ることが可能である。
さらにこの金属膜の表面をアンモニアにてプラズマ窒化
することで完全な窒化膜ができるため有効であった。
することで完全な窒化膜ができるため有効であった。
る。また含水磁化鉄のα−Ｆｅ００Ｈ１γ−Ｆｅｌｏｎ
等を用いてもよい。
等を用いてもよい。
第１図は本発明に用いられる反応装置の概要を示す０
（Ａ） （８）鉱ｌ
ω
ω
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、減圧状態に保持された反応炉内に、鉄、二′ツケル
またはコバルトの反応性気体を導入し、前記反応炉内に
加熱して配設された針状磁性粉の表面に、鉄、ニッケル
、コバルトまたはそれらの化合物の被膜を形成すること
を特徴とする磁気記録体の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、針状磁性粉は酸化
鉄を主成分とすることを特徴とする磁気記録体の製造方
法。 ３、特許請求の範囲第１項において、鉄、ニッケル、コ
バルトの反応性気体はカンボニル化物よりなることを特
徴とする磁気記録体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208183A JPS5998504A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | 磁気記録体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208183A JPS5998504A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | 磁気記録体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5998504A true JPS5998504A (ja) | 1984-06-06 |
Family
ID=16552033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57208183A Pending JPS5998504A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | 磁気記録体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5998504A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0696156A1 (en) * | 1990-01-16 | 1996-02-07 | Metcal, Inc. | Magnetic particles |
| CN109399727A (zh) * | 2018-11-07 | 2019-03-01 | 西安超磁纳米生物科技有限公司 | 含金属原子簇的磁性氧化铁纳米颗粒及其制备和应用 |
-
1982
- 1982-11-27 JP JP57208183A patent/JPS5998504A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0696156A1 (en) * | 1990-01-16 | 1996-02-07 | Metcal, Inc. | Magnetic particles |
| CN109399727A (zh) * | 2018-11-07 | 2019-03-01 | 西安超磁纳米生物科技有限公司 | 含金属原子簇的磁性氧化铁纳米颗粒及其制备和应用 |
| CN109399727B (zh) * | 2018-11-07 | 2021-08-20 | 西安超磁纳米生物科技有限公司 | 含金属原子簇的磁性氧化铁纳米颗粒及其制备和应用 |
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