JPS5817659A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5817659A JPS5817659A JP56116625A JP11662581A JPS5817659A JP S5817659 A JPS5817659 A JP S5817659A JP 56116625 A JP56116625 A JP 56116625A JP 11662581 A JP11662581 A JP 11662581A JP S5817659 A JPS5817659 A JP S5817659A
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- wiring
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 241000892656 Ligusticum canadense Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
- H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は相補型の半導体装置に係り、特にＰ型不純物を
含むポリシリコン電極及びＮ型不純物を含むポリシリコ
ン電極を同一素子内に含む相補型の半導体装置に於いて
、Ｐ型ポリシリコン配線とＮ型ポリシリコン配線の接続
を安価に製造できる相補型の半導体装置に関する。
含むポリシリコン電極及びＮ型不純物を含むポリシリコ
ン電極を同一素子内に含む相補型の半導体装置に於いて
、Ｐ型ポリシリコン配線とＮ型ポリシリコン配線の接続
を安価に製造できる相補型の半導体装置に関する。
従来、相補型半導体装置（以下Ｃ−ＭＯ８と略す）のゲ
ート電極に、ポリシリコンを有する相補型の半導体装置
（通称Ｃ−ＭＯＳシリコンゲートと呼けｎ１以下Ｃ−Ｍ
Ｏ８８ｉ ゲートと略す。）には、Ｃ−ＭＯ８８ｉ
ゲートを構成するＰチャンネルトランジスタのゲート
電極にＰ型ポリシリコンが、又Ｎチャンネルトランジス
タのゲート電極にＮ型ポリシリコンが用いらｎていた。
ート電極に、ポリシリコンを有する相補型の半導体装置
（通称Ｃ−ＭＯＳシリコンゲートと呼けｎ１以下Ｃ−Ｍ
Ｏ８８ｉ ゲートと略す。）には、Ｃ−ＭＯ８８ｉ
ゲートを構成するＰチャンネルトランジスタのゲート
電極にＰ型ポリシリコンが、又Ｎチャンネルトランジス
タのゲート電極にＮ型ポリシリコンが用いらｎていた。
この様なＣ−ＭＯ８８ｉゲートでは、半導体基板に設け
らｎたＰ型不純物拡散層とＰ型ポリシリコン配線の接続
及び半導体基板に設けられたＮ型不純物拡散層とＮ型ポ
リシリコン配線の接続が可能なため、相補型の半導体装
置の設計自由度が大きいという長所がある。
らｎたＰ型不純物拡散層とＰ型ポリシリコン配線の接続
及び半導体基板に設けられたＮ型不純物拡散層とＮ型ポ
リシリコン配線の接続が可能なため、相補型の半導体装
置の設計自由度が大きいという長所がある。
そしてＰ型ポリシリコン配線と、Ｎ型ポリシリコン配線
をアルミ金緘などを使い接続する。従来技術は第１図及
び第２図に示す様にノンドープポリシリコンをパターン
成形後、ｃ−ｃ’を境界とするマスク及び拡散技術を用
いＰ型およびＮ型の不純物をそれぞれドープしてＰ型ポ
リシリコン配線２ａとＮ型ポリシリコン配線２ｂを形成
している。
をアルミ金緘などを使い接続する。従来技術は第１図及
び第２図に示す様にノンドープポリシリコンをパターン
成形後、ｃ−ｃ’を境界とするマスク及び拡散技術を用
いＰ型およびＮ型の不純物をそれぞれドープしてＰ型ポ
リシリコン配線２ａとＮ型ポリシリコン配線２ｂを形成
している。
その後両配線のオーミックコンタクトを取るために境界
部にコンタクト３を設はアルミ電極４を設けてＰ型ポリ
シリコン配線２ａとＮ型ポリシリコン配＠２ｂを電気的
に接続していた。しかしＣ−Ｃ′を境界とするマスクを
用いるため製造コストが高かった。すなわちＰ−ウェル
５の拡散用のマスクと別のマスクをポリシリコン配線の
ドープに必要と（、ていた。
部にコンタクト３を設はアルミ電極４を設けてＰ型ポリ
シリコン配線２ａとＮ型ポリシリコン配＠２ｂを電気的
に接続していた。しかしＣ−Ｃ′を境界とするマスクを
用いるため製造コストが高かった。すなわちＰ−ウェル
５の拡散用のマスクと別のマスクをポリシリコン配線の
ドープに必要と（、ていた。
本発明は上記欠点を除き、マスクの糧類を減らし、製造
コストを低減させる様にしたものである。
コストを低減させる様にしたものである。
本発明は、相補型の半導体装置に於いて、Ｐ型ポリシリ
コン配線とＮ型ポリシリコン配線の接続部を、相補型半
導体装置の半導体基板に設けらｎた拡散層端上部に設け
る事により、使用するマスクの１類が少なくなる事を％
徴とする相補型の半導体装置である。
コン配線とＮ型ポリシリコン配線の接続部を、相補型半
導体装置の半導体基板に設けらｎた拡散層端上部に設け
る事により、使用するマスクの１類が少なくなる事を％
徴とする相補型の半導体装置である。
次に本発明の１実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第３図、第４図に示すように、ノンドー１
プボリシリコンを）（ターン成形時、最終的にＰ型
ポリシリコン配線１２ａとＮ型ポリシリコン配線１２ｂ
を接続する部分を半導体基板に設けらｆ′ＬｆｃＰ−ウ
ェル拡散層１５の端上部に位置する様に配置する。その
後パターニングさｎたノンドープポリシリコンをＰ型ポ
リシリコン配線１２ａとＮ型ポリシリコン配＆１２ｂに
する次め、Ｐ−ウェル拡散層１５と同一マスクを用いて
、マスクおよび拡散技術を用いて、Ｐ型およびＮ型の不
純物′６ｒ：千ｎ−ｔ’ｔｔ導入してＰ型およびＮ型ポ
リシリコン配線をそｎｔ’ｎ形成する。その後Ｐ−ウェ
ル拡散層端上部に両配線のオーミックコンタクトを取る
ために、そｎぞｎコンタクト１３．１３’、１３“を設
はアルミ電極１４．１４’、 １４“を設けて、両＾
「１．線を電気的に接続する。この様にＰ型ポリシリコ
ン配線とＮｕポリシリコン配線の接続部をＰ−ウェル拡
散層端上部に設ける事により、従来第１図に示すＣ−Ｃ
’を境界とするマスクが不要になシ、Ｐ−ウェル拡散層
形成用マスクで代用してポリシリコンへの不純物導入工
程ができるのでｃ−Ｍｏｓｓｔゲートを製造するマスク
の種類が減り、製造コストが安価になる。
プボリシリコンを）（ターン成形時、最終的にＰ型
ポリシリコン配線１２ａとＮ型ポリシリコン配線１２ｂ
を接続する部分を半導体基板に設けらｆ′ＬｆｃＰ−ウ
ェル拡散層１５の端上部に位置する様に配置する。その
後パターニングさｎたノンドープポリシリコンをＰ型ポ
リシリコン配線１２ａとＮ型ポリシリコン配＆１２ｂに
する次め、Ｐ−ウェル拡散層１５と同一マスクを用いて
、マスクおよび拡散技術を用いて、Ｐ型およびＮ型の不
純物′６ｒ：千ｎ−ｔ’ｔｔ導入してＰ型およびＮ型ポ
リシリコン配線をそｎｔ’ｎ形成する。その後Ｐ−ウェ
ル拡散層端上部に両配線のオーミックコンタクトを取る
ために、そｎぞｎコンタクト１３．１３’、１３“を設
はアルミ電極１４．１４’、 １４“を設けて、両＾
「１．線を電気的に接続する。この様にＰ型ポリシリコ
ン配線とＮｕポリシリコン配線の接続部をＰ−ウェル拡
散層端上部に設ける事により、従来第１図に示すＣ−Ｃ
’を境界とするマスクが不要になシ、Ｐ−ウェル拡散層
形成用マスクで代用してポリシリコンへの不純物導入工
程ができるのでｃ−Ｍｏｓｓｔゲートを製造するマスク
の種類が減り、製造コストが安価になる。
伺、上記実施例は、Ｐ−ウェル拡散層形成用マスクで代
用したが製造工程中の他の拡散層形成用マスクでも代用
できる。
用したが製造工程中の他の拡散層形成用マスクでも代用
できる。
第１図は従来のＣ−ＭＯ８Ｓｉゲートの平面図。
第２図は第１図のＡ −Ａ’の断面図。第３図は本発明
の実施例のＣ−ＭＯ８８ｉゲートの平面図。第４図は第
３図のＢ−８’の断面図。 伺、図において １ 、１１−・−Ｎ型半導体基板、２ａ、１２ａ−・・
・・・Ｐ型不純物を含むポリシリコン配線。２ｂ。 １２ｂ−・・・・・Ｎ型不純物を含むポリシリコン配線
、ａ、１ａ、ｔａ４ｔａ“・・・・・・コンタクト、４
，１４゜１４’、 １４”・・・・・・Ｐ型不純物を含
むポリシリコン配線とＮ型不純物を含むポリシリコン配
線を接続するＡ１１１極、５．１５−・・・・・Ｐ−ウ
ェル、６．１６・・・・・・酸化膜。
の実施例のＣ−ＭＯ８８ｉゲートの平面図。第４図は第
３図のＢ−８’の断面図。 伺、図において １ 、１１−・−Ｎ型半導体基板、２ａ、１２ａ−・・
・・・Ｐ型不純物を含むポリシリコン配線。２ｂ。 １２ｂ−・・・・・Ｎ型不純物を含むポリシリコン配線
、ａ、１ａ、ｔａ４ｔａ“・・・・・・コンタクト、４
，１４゜１４’、 １４”・・・・・・Ｐ型不純物を含
むポリシリコン配線とＮ型不純物を含むポリシリコン配
線を接続するＡ１１１極、５．１５−・・・・・Ｐ−ウ
ェル、６．１６・・・・・・酸化膜。
Claims (1)
- 相補型の半導体装置に於いて、Ｐ型ポリシリコン配線と
Ｎ型ポリシリコン配線の接続部を、相補型の半導体装置
の半導体基板に設けらｎた拡散層端上部に設ける事を特
徴とする相補型の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56116625A JPS5817659A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56116625A JPS5817659A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817659A true JPS5817659A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14691819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56116625A Pending JPS5817659A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817659A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106538A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-06-12 | ダイオネツクス コ−ポレ−シヨン | 被覆陽イオン交換樹脂とその製造法 |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56116625A patent/JPS5817659A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106538A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-06-12 | ダイオネツクス コ−ポレ−シヨン | 被覆陽イオン交換樹脂とその製造法 |
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