JPS58172267A - 熱間静水圧プレス用試料の製造方法 - Google Patents
熱間静水圧プレス用試料の製造方法Info
- Publication number
- JPS58172267A JPS58172267A JP57054277A JP5427782A JPS58172267A JP S58172267 A JPS58172267 A JP S58172267A JP 57054277 A JP57054277 A JP 57054277A JP 5427782 A JP5427782 A JP 5427782A JP S58172267 A JPS58172267 A JP S58172267A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- ceramic
- hip
- manufacture
- thermal
- Prior art date
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- Granted
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- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は熱間静水圧プレス(HIP)をする時、セラミ
ックに均一な圧力を及ぼすことが可能な熱間静水圧プレ
ス用試料の製造方法に係るものである。
ックに均一な圧力を及ぼすことが可能な熱間静水圧プレ
ス用試料の製造方法に係るものである。
従来よりHIPの試料としては、理論密度比96%以上
のセラミック、圧力媒体となる均質緻密なガラス相を表
面に均一に形成させたセラミック。
のセラミック、圧力媒体となる均質緻密なガラス相を表
面に均一に形成させたセラミック。
または金属カプセルに封入されたセラミック等が使用さ
れてきた。これら試料を用いることによりセラミックに
均一な圧力を及ぼすことが可能となる。しかしながら、
これらの最大の欠点は、HIPを使用する必要のあるセ
ラミックに難焼結性のものが多く理論密度比96%以上
を達成することが困難な点である。また、ガラス相を表
面に形成させる場合は、セラミックとのなじみや反応等
を考慮する必要があり、ガラス成分の決定が非常に困難
である。そして、金属カプセルに封入する場合。
れてきた。これら試料を用いることによりセラミックに
均一な圧力を及ぼすことが可能となる。しかしながら、
これらの最大の欠点は、HIPを使用する必要のあるセ
ラミックに難焼結性のものが多く理論密度比96%以上
を達成することが困難な点である。また、ガラス相を表
面に形成させる場合は、セラミックとのなじみや反応等
を考慮する必要があり、ガラス成分の決定が非常に困難
である。そして、金属カプセルに封入する場合。
児全密封にする必要があり、高度な密封技術を駆使しな
ければならず量産に不向きであり且つコスト高となる。
ければならず量産に不向きであり且つコスト高となる。
これらの解決には、セラミック表面へのコーティング技
術の開発や、材料面よりセラミックとのなじみ1反応等
を考慮した熱間静水圧プレス用試料の製造方法を開発す
ることである。
術の開発や、材料面よりセラミックとのなじみ1反応等
を考慮した熱間静水圧プレス用試料の製造方法を開発す
ることである。
本発明は係る従来の欠点を除去す2eともに、 ′HI
Pをする時セラミックに均一な圧力を及ぼすことが可能
な熱間静水圧プレス用試料の與造方法を提供するもので
ある。
Pをする時セラミックに均一な圧力を及ぼすことが可能
な熱間静水圧プレス用試料の與造方法を提供するもので
ある。
すなわち、本発明に係る熱間静水圧プレス用試料の製造
方法は、セラミック成型板焼体またはセラミック焼結体
の表面に、Ni、 Go、 Fe、 Cr;&−の1種
または2種以上を主成分とするメタライズペースト層を
形成させた後、700℃〜1400℃の非酸化雰囲気中
でメタライジングを行い、セラミック表面にメタル層を
形成させること、メタル層の厚さを2μm〜2oogm
とすること、また以上の処理を理論密度比60%〜94
%のセラミックに行うことを特徴とする。
方法は、セラミック成型板焼体またはセラミック焼結体
の表面に、Ni、 Go、 Fe、 Cr;&−の1種
または2種以上を主成分とするメタライズペースト層を
形成させた後、700℃〜1400℃の非酸化雰囲気中
でメタライジングを行い、セラミック表面にメタル層を
形成させること、メタル層の厚さを2μm〜2oogm
とすること、また以上の処理を理論密度比60%〜94
%のセラミックに行うことを特徴とする。
尚、上記内容において、メタライジングする際の温度が
700℃未満では、メタル化が完全でな(HIP効果が
なくなる。また、1400℃を越えた場合は、メタル層
の一部にふくれ、ピンホール等が発生し、セラミックと
HIP雰囲気(一般に不活性ガス)間のしゃ断が完全で
はなくHIP効果がなくなる。さらに、非酸化雰囲気下
で焼成するのはメタルの酸化防止のためである。また、
メタライズ層の厚みが2μm未満ではメタル層の完全性
維持が困難であり、目的のHIP効果が期待できない。
700℃未満では、メタル化が完全でな(HIP効果が
なくなる。また、1400℃を越えた場合は、メタル層
の一部にふくれ、ピンホール等が発生し、セラミックと
HIP雰囲気(一般に不活性ガス)間のしゃ断が完全で
はなくHIP効果がなくなる。さらに、非酸化雰囲気下
で焼成するのはメタルの酸化防止のためである。また、
メタライズ層の厚みが2μm未満ではメタル層の完全性
維持が困難であり、目的のHIP効果が期待できない。
一方、200μmを越えた場合は、コスト的に割高とな
り、量産性に欠ける。そして、セラミックの理論密度比
が60%未満の時はHIP効果がおちる。また、94%
を越えた場合は表面コーティングなしでHIP効果があ
る。
り、量産性に欠ける。そして、セラミックの理論密度比
が60%未満の時はHIP効果がおちる。また、94%
を越えた場合は表面コーティングなしでHIP効果があ
る。
以下、本発明を実施例を挙げ具体的に説明する。
試料の調整工程としては工業用原料(純度99%以−F
)であるAβ2o5. TtC、TtC2等を用い、混
合は不純物の混入を防止するためウレタン内張ボットを
用い湿式混合した。そして、試料作成の順序としては下
記第1表に示す組成比になるよう原料を調合し、成型は
機械プレスを用い40φX20tTranの試料を成型
した。また、前焼成はArガス中にて800℃〜1eo
o℃の間で行い、その後上記焼成体表面に第2表に示す
ペーストを塗布し、N2中600℃〜16oO℃の間で
メタライジングを行った。さらに、本焼成はムI−ガr
を媒体としたH I P (Hot l5ostati
c Pressing )により1500A1i’/c
a 〜2000Ali’/cJ、 1200°C〜1、
、jOO℃の間で行った。このようにして得られた素子
は下記第3表のような各緒特性を示した。
)であるAβ2o5. TtC、TtC2等を用い、混
合は不純物の混入を防止するためウレタン内張ボットを
用い湿式混合した。そして、試料作成の順序としては下
記第1表に示す組成比になるよう原料を調合し、成型は
機械プレスを用い40φX20tTranの試料を成型
した。また、前焼成はArガス中にて800℃〜1eo
o℃の間で行い、その後上記焼成体表面に第2表に示す
ペーストを塗布し、N2中600℃〜16oO℃の間で
メタライジングを行った。さらに、本焼成はムI−ガr
を媒体としたH I P (Hot l5ostati
c Pressing )により1500A1i’/c
a 〜2000Ali’/cJ、 1200°C〜1、
、jOO℃の間で行った。このようにして得られた素子
は下記第3表のような各緒特性を示した。
第 1 表
第 2 表
第3表より明らかなように本発明範囲内の実施例はA1
〜A了及びA I 0 、11であり、他は範囲外の比
較例である。
〜A了及びA I 0 、11であり、他は範囲外の比
較例である。
本発明範囲内の試料はHIP効果が完全に出ており、は
ぼ理論密度に近い値を示している。またA8,9は範囲
外であり、密度が上がっておらずHIP効果がないこと
がわかる。尚、密度はHq密度計を用い測定した。
ぼ理論密度に近い値を示している。またA8,9は範囲
外であり、密度が上がっておらずHIP効果がないこと
がわかる。尚、密度はHq密度計を用い測定した。
ここで、HIPする時の状態及び試料を第1図及び第2
図に示している。第1図において、1は圧力容器であり
、内部にムrガスが満たされている。2はルツボであり
、試料台3の上に載置さね。
図に示している。第1図において、1は圧力容器であり
、内部にムrガスが満たされている。2はルツボであり
、試料台3の上に載置さね。
モリブデンヒータ4に対向している。また、試料6はル
ツボ2内に入れられている。第2図で6はメタル層であ
砂、セラミック部7の外面を覆っている。
ツボ2内に入れられている。第2図で6はメタル層であ
砂、セラミック部7の外面を覆っている。
尚、上記実施例においてはメタル主成分としてNi、
Go、 Fe、 Orを用いているが、副成分には■叫
舎帳輔焼結補助剤としてOu、ム1等が添加され卆いる
。すなわち、本発明でばNi、 Go、 Fe、 (3
rからなるメタル層により、セラミックとHIPする時
の加圧用不活性ガスをしゃ断することを目的としている
ので、副成分、ペーストビヒクル分については特に限定
せず、上記の内容を十分満足するものであればよい。
Go、 Fe、 Orを用いているが、副成分には■叫
舎帳輔焼結補助剤としてOu、ム1等が添加され卆いる
。すなわち、本発明でばNi、 Go、 Fe、 (3
rからなるメタル層により、セラミックとHIPする時
の加圧用不活性ガスをしゃ断することを目的としている
ので、副成分、ペーストビヒクル分については特に限定
せず、上記の内容を十分満足するものであればよい。
以上のように1本発明の熱間静水圧プレス用試料の製造
方法は、HIPを有効利用することにおいて非常に優れ
た性能を備えており、工業的量産化においても著しく安
定であり、産業的価値の大なるものである。
方法は、HIPを有効利用することにおいて非常に優れ
た性能を備えており、工業的量産化においても著しく安
定であり、産業的価値の大なるものである。
第1図は本発明方法を説明するHIPする時の状態を示
す概略断面図、第2図は本発明方法により得られた試料
の断面図である。 6・・・・・・試料、6・・・・・・メタル層、7・・
・・・・セラミック部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図
す概略断面図、第2図は本発明方法により得られた試料
の断面図である。 6・・・・・・試料、6・・・・・・メタル層、7・・
・・・・セラミック部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 理論密度比60%〜94%のセラミック成型板焼体また
はセラミック焼結体の表面にNi、Go。 Fe、 Orの1種または2種以上を主成分とするメタ
ライズペースト層を形成させたのち、700’C〜14
00’Cの非酸化雰囲気中でメタライジングを行い、セ
ラミック表面に厚さ2μm〜200μmのメタル層を形
成させることを特徴とする熱間静水圧プレス用試料の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57054277A JPS58172267A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 熱間静水圧プレス用試料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57054277A JPS58172267A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 熱間静水圧プレス用試料の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58172267A true JPS58172267A (ja) | 1983-10-11 |
JPS618035B2 JPS618035B2 (ja) | 1986-03-11 |
Family
ID=12966071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57054277A Granted JPS58172267A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 熱間静水圧プレス用試料の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58172267A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0453798Y2 (ja) * | 1986-11-26 | 1992-12-17 |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57054277A patent/JPS58172267A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS618035B2 (ja) | 1986-03-11 |
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