JPS58170221A - 光半導体装置用駆動回路 - Google Patents
光半導体装置用駆動回路Info
- Publication number
- JPS58170221A JPS58170221A JP57051376A JP5137682A JPS58170221A JP S58170221 A JPS58170221 A JP S58170221A JP 57051376 A JP57051376 A JP 57051376A JP 5137682 A JP5137682 A JP 5137682A JP S58170221 A JPS58170221 A JP S58170221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- optical semiconductor
- output
- light emitting
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、発光ダイオードまたは半導体レーザ勢の光
半導体を高速駆動する光半導体装置用駆動副路に関する
ものである。
半導体を高速駆動する光半導体装置用駆動副路に関する
ものである。
従来の光半導体装置用駆動回路は、その接続図をｌｌ１
１図に示す如く、高速スイッチング用トランジスタ１０
入力端子２に入力される信号電源３のパルス信号に従っ
【、出力端子４に接続された発光ダイオード５に電流を
流し、発光ダイオードＳを発光せしめるものである。
１図に示す如く、高速スイッチング用トランジスタ１０
入力端子２に入力される信号電源３のパルス信号に従っ
【、出力端子４に接続された発光ダイオード５に電流を
流し、発光ダイオードＳを発光せしめるものである。
スイッチング用トランジスタ１の動作状態における岬価
回路を第２１ｉｌＫ示す。
回路を第２１ｉｌＫ示す。
＃Ｉ２図（ｆｉ）はトランジスタ１がＯＦＦからＯＮ驕
っている状態で、定電圧源６１から内部抵抗７を介して
発光ダイオード５に電流が流れることを示している。第
２ＷＪ（ｂ）はトランジスタ１がＯＮからＯＦＦになう
ている状態で、定電圧源６ｂと発光ダイオード５は接続
され【いないことを示している。
っている状態で、定電圧源６１から内部抵抗７を介して
発光ダイオード５に電流が流れることを示している。第
２ＷＪ（ｂ）はトランジスタ１がＯＮからＯＦＦになう
ている状態で、定電圧源６ｂと発光ダイオード５は接続
され【いないことを示している。
この場合、トランジスタＩＫ充分高速なものを使用し、
かつ充分なベース電流でトランジスタ１を駆動すれば、
内部抵抗７は小さくなり、しかも高速に発光ダイオード
５を駆動するので、＃Ｉ２図（１）に示すＯＦＦからＯ
Ｎになる状態では発光ダイオード５を流れる電流の立上
りの応答は速くなり、光出力の立上り時間は減少する。
かつ充分なベース電流でトランジスタ１を駆動すれば、
内部抵抗７は小さくなり、しかも高速に発光ダイオード
５を駆動するので、＃Ｉ２図（１）に示すＯＦＦからＯ
Ｎになる状態では発光ダイオード５を流れる電流の立上
りの応答は速くなり、光出力の立上り時間は減少する。
、しかし、篤２図（ｂ） Ｋ示すよ５に、ＯＮからＯＦ
Ｆになる状態では、トランジスタ１が高速でＯＦＦにな
ってしまい、発光ダイオード５を低い内部抵抗７を有す
る定電圧源６ｂでＯｖに引き下げることが出来ず、発光
ダイオード５自身の応答時間で光出力の立下り時間が決
まるため、駆動回路によって光出力の立下り時間を減少
させることができず、光出力の立上り時間より長くなる
。
Ｆになる状態では、トランジスタ１が高速でＯＦＦにな
ってしまい、発光ダイオード５を低い内部抵抗７を有す
る定電圧源６ｂでＯｖに引き下げることが出来ず、発光
ダイオード５自身の応答時間で光出力の立下り時間が決
まるため、駆動回路によって光出力の立下り時間を減少
させることができず、光出力の立上り時間より長くなる
。
以上述べたように、従来の光半導体装置用駆動回路は、
光出力の応答速度が、光半導体自身の応答速度（キャリ
アのライフタイム）で決まる立下り時間で限定されるの
で、高速のトランジスタを用いても、また、低出力イン
ピーダンスの信号源で従来の回路を駆動しても、°光出
力の応答速度は速くできないという欠点があった。
光出力の応答速度が、光半導体自身の応答速度（キャリ
アのライフタイム）で決まる立下り時間で限定されるの
で、高速のトランジスタを用いても、また、低出力イン
ピーダンスの信号源で従来の回路を駆動しても、°光出
力の応答速度は速くできないという欠点があった。
この発明は、上記欠点を除去するため、スイッチング機
能もしくは増幅機能を有し、入出力の位相が同相である
回路の入出力端子間を、前記回路の入力側からみて、駆
動する光半導体と極性が反１ 対となるように
ダイオードで接続するととにより、光出力の応答速度の
高速化を図りだ光半導体装置用駆動回路を提供しようと
するものである。
能もしくは増幅機能を有し、入出力の位相が同相である
回路の入出力端子間を、前記回路の入力側からみて、駆
動する光半導体と極性が反１ 対となるように
ダイオードで接続するととにより、光出力の応答速度の
高速化を図りだ光半導体装置用駆動回路を提供しようと
するものである。
以下、この発明に係る光半導体装置用駆動囲路の実施例
をｗＪ面に従りて説明する。
をｗＪ面に従りて説明する。
この発明による光半導体装置用駆動回路の第１実施例を
継３図に示す。この図の如く高速スイッチング用のトラ
ンジスタ１においてその入力端子２と出力端子４を、入
力端子２からみて、駆動する発光ダイオード５と極性が
反対になるように、ダイオード８で接続したものである
。そして、入力端子２に入力される信号電源３のパルス
信号に従って、発光ダイオード５に電流を流し、発光ダ
イオード５を発光せしめるものである。
継３図に示す。この図の如く高速スイッチング用のトラ
ンジスタ１においてその入力端子２と出力端子４を、入
力端子２からみて、駆動する発光ダイオード５と極性が
反対になるように、ダイオード８で接続したものである
。そして、入力端子２に入力される信号電源３のパルス
信号に従って、発光ダイオード５に電流を流し、発光ダ
イオード５を発光せしめるものである。
本発明の第１実施例による効果を第４図に示す等価回路
を用いて説明する。
を用いて説明する。
第４図（１）はトランジスタ１がＯＦＦからＯＮになっ
ている状態であり、定電圧源６ａから内部抵抗７を介し
て発光ダイオード５に電流が流れるととを示している。
ている状態であり、定電圧源６ａから内部抵抗７を介し
て発光ダイオード５に電流が流れるととを示している。
トランジスタ１に充分高速なもすな用い、かつ充分なベ
ース電流でトランジスタ１を駆動すれば、従来の光半導
体装置用駆動回路と同様に光出力の立上り時間を減少さ
せることが ５できる。
１第４図（ｂ）
はトランジスタ１がＯＮからＯＦＦになっている状態を
示している。発光ダイオード５は、内部抵抗７を介して
定電圧源６ｂとは接続されてはいないが、信号電源３の
内部抵抗９とダイオード８を介して定電圧源ＩｂＫＩＩ
続されている。
ース電流でトランジスタ１を駆動すれば、従来の光半導
体装置用駆動回路と同様に光出力の立上り時間を減少さ
せることが ５できる。
１第４図（ｂ）
はトランジスタ１がＯＮからＯＦＦになっている状態を
示している。発光ダイオード５は、内部抵抗７を介して
定電圧源６ｂとは接続されてはいないが、信号電源３の
内部抵抗９とダイオード８を介して定電圧源ＩｂＫＩＩ
続されている。
従りて、トランジスタ１が高速でＯＦＦになってしまり
ても発光ダイオード５をダイオード８と内部抵抗９を介
してＯＶＫ引き下げているので、発光ダイオード５に蓄
積された電荷はダイオード８と内部抵抗９を介して取り
出され、発光ダイオード５の光出力の立下り時間の減少
が可能となる。
ても発光ダイオード５をダイオード８と内部抵抗９を介
してＯＶＫ引き下げているので、発光ダイオード５に蓄
積された電荷はダイオード８と内部抵抗９を介して取り
出され、発光ダイオード５の光出力の立下り時間の減少
が可能となる。
第５図に、この発明の第１実施例による光出力の立下り
時間の減少効果を示す。１１１図に示す従来の光半導体
装置用駆動回路で発光ダイオードを駆動した場合の光出
力の立下り時間が点線１０であり、この発明による光半
導体装置用駆動回路で同じ発光ダイオードを駆動した場
合の光出力の立下り時間が実線１１である。
時間の減少効果を示す。１１１図に示す従来の光半導体
装置用駆動回路で発光ダイオードを駆動した場合の光出
力の立下り時間が点線１０であり、この発明による光半
導体装置用駆動回路で同じ発光ダイオードを駆動した場
合の光出力の立下り時間が実線１１である。
第５図より本発明の謳１実施例による光学導体装置用駆
動回路では、従来の回路と比べて、光出力の立下り時間
は一３０℃〜＋８５℃の温度範囲においてｓｏｂ以上減
少できることがわかる。
動回路では、従来の回路と比べて、光出力の立下り時間
は一３０℃〜＋８５℃の温度範囲においてｓｏｂ以上減
少できることがわかる。
＃Ｉ６図はこの発明の第２実施例を示す。この場合、発
光ダイオード５と出力端子４０間に抵抗１２と；ンデン
サ１３からなるスピードアップ囲路１４をさらに付加し
たものであり、より一層の光出力の高速化がはかれる。
光ダイオード５と出力端子４０間に抵抗１２と；ンデン
サ１３からなるスピードアップ囲路１４をさらに付加し
たものであり、より一層の光出力の高速化がはかれる。
なお、以上の実施例はトランジスタ１個を用いた回路構
成について説明したが、ダイオード８の両端の位相が同
相になるような回路ならば複数個のトランジスタを用い
た回路構成でもよい。また、トランジスタの動作はスイ
ッチング動作に限らず、増幅動作においても効果がある
。
成について説明したが、ダイオード８の両端の位相が同
相になるような回路ならば複数個のトランジスタを用い
た回路構成でもよい。また、トランジスタの動作はスイ
ッチング動作に限らず、増幅動作においても効果がある
。
以上述べたように、この発明による光半導体装置用駆動
回路は、光半導体の光出力の立下り時間の減少ができる
ので、同じ光半導体を用いても、従来の光半導体装置用
駆動回路より高速の光出力が得られるという効果がある
。
回路は、光半導体の光出力の立下り時間の減少ができる
ので、同じ光半導体を用いても、従来の光半導体装置用
駆動回路より高速の光出力が得られるという効果がある
。
第１図は従来の光半導体装置用駆動回路の接続図、第２
図（５１）、 （ｂ）は従来の光半導体装置用駆動回路
におけるトランジスタの各動作状態における岬価回路図
、第３図はこの発明の光半導体装置用駆動回路の第１実
施例の接続図、菖４図（１）、 （ｂ）はこの発明の光
半導体装置用駆動回路におけるトランジスタの各動作状
態における等価回路図、第５図はこの発明の第１実施例
による光出力の立下り時間の改善効果を示す温度特性図
、第６図はこの発明の効果を増加させるためにスピード
アップ回路を付加した光半導体装置用駆動回路の第２実
施例の接続図である。 １・・・トランジスタ、２・・・入力端子、３・・・信
号電源、４・・・出力端子、５・・・発光ダイオード、
６ａ、６ｂ・・・定電圧源、７・・・内部抵抗、８・・
・ダイオード、９・・・内部抵抗、１０．１１・・・立
下り時間、１２・・・抵抗、１３・・・コンデンサ、１
４・・・スピードアップ回１ 路Ｏ 特許出願人 防衛庁技術研究本部長 大森 幸衛 代理人 弁理士村井 隆
図（５１）、 （ｂ）は従来の光半導体装置用駆動回路
におけるトランジスタの各動作状態における岬価回路図
、第３図はこの発明の光半導体装置用駆動回路の第１実
施例の接続図、菖４図（１）、 （ｂ）はこの発明の光
半導体装置用駆動回路におけるトランジスタの各動作状
態における等価回路図、第５図はこの発明の第１実施例
による光出力の立下り時間の改善効果を示す温度特性図
、第６図はこの発明の効果を増加させるためにスピード
アップ回路を付加した光半導体装置用駆動回路の第２実
施例の接続図である。 １・・・トランジスタ、２・・・入力端子、３・・・信
号電源、４・・・出力端子、５・・・発光ダイオード、
６ａ、６ｂ・・・定電圧源、７・・・内部抵抗、８・・
・ダイオード、９・・・内部抵抗、１０．１１・・・立
下り時間、１２・・・抵抗、１３・・・コンデンサ、１
４・・・スピードアップ回１ 路Ｏ 特許出願人 防衛庁技術研究本部長 大森 幸衛 代理人 弁理士村井 隆
Claims (1)
- （１） 発光ダイオードまたは半導体レーザなどの光
半導体を駆動する光半導体装置用駆動回路において、ス
イッチング機能もしくは一幅機能を有し、入出力の位相
が同相である回路の入出力端子間を、前記回路の入力側
からみて、駆動する光半導体と極性が反対となるように
ダイオードで接続したことを４１１徴とする光半導体装
置用駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051376A JPS58170221A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 光半導体装置用駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051376A JPS58170221A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 光半導体装置用駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58170221A true JPS58170221A (ja) | 1983-10-06 |
Family
ID=12885225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57051376A Pending JPS58170221A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 光半導体装置用駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58170221A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5250156A (en) * | 1975-10-20 | 1977-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Pulse driving circuit |
| JPS54148466A (en) * | 1978-05-15 | 1979-11-20 | Fuji Electric Co Ltd | Switching semiconductor device |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57051376A patent/JPS58170221A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5250156A (en) * | 1975-10-20 | 1977-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Pulse driving circuit |
| JPS54148466A (en) * | 1978-05-15 | 1979-11-20 | Fuji Electric Co Ltd | Switching semiconductor device |
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