JPS58166736A - エツチング装置 - Google Patents

エツチング装置

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JPS58166736A
JPS58166736A JP4913882A JP4913882A JPS58166736A JP S58166736 A JPS58166736 A JP S58166736A JP 4913882 A JP4913882 A JP 4913882A JP 4913882 A JP4913882 A JP 4913882A JP S58166736 A JPS58166736 A JP S58166736A
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JP
Japan
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etching
cartridge
wafer
etched
informations
Prior art date
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Pending
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JP4913882A
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English (en)
Inventor
Kenji Sumitomo
住友 健次
Kiyoshi Yoshida
清 吉田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はエツチング装置に関する。
半導体装置の製造工種において、牛導体博板(ウェハ)
の処!プロセスの一つVc1ウェハ衣面に形成したアル
ミニウム膜を部分的にエツチング除去して配−パターン
を形成する1機がある。この場合のエツチングは、複数
のウェハtカートリッジに収容した後、エツチング槽、
洗浄槽に順次浸漬させて行なう方法、ある%/Aは一枚
のウェハをエツチング檜、洗浄権と順次移動させる方法
とがある。
しかし、前者のバツ′チ処瑠では、ウニ八表面のアルミ
ニウム膜の摩さにバラツキがあることから。
一定時間の浸漬エツチングではエツチング不足するL/
′hijエツチング過多が起き易く、再処11に必要と
したり、あるいは不良品化による歩留の低下を来たして
しまい生産性が低い欠点がある。また。
後者の1枚処理では、1枚ずつエツチングの状況音観察
等したりして行なうことから、適正なエツチングが行な
われる可m性か馬すか、1枚処1であることから、作業
性か低く生m性か低い一点がある。
したがって1本発@O目的は適正なエツチングか行なえ
かつ生産性O高いエツチング装置を提供すること!/c
Toる。
このようなら的を達成するために本li明は、複数の普
エツチング物會収容しtカートリッジ會エツチング権、
洗浄槽と順次浸漬させて複エツチング物會エツチングす
るエツチング載置におAで、エツチング前の各被エツチ
ング物の複エツチング厚さ’kilJ定する測定機構と
、一定の被エツチング層さ領域OIIエツチング物群暫
単−のカートリッジに収容する機構と、このカートリッ
ジ?rsmするとともに前記測定機構による情報に基い
て所定時間カートリッジ?エツチング槽に浸漬さぜるハ
ンドク機榊と、?有するものであって、以下実施ガによ
り本発明?説明する。
@1図は本発明の一実施例によるエツチング装置の外l
!を示す斜視図、第2図は同じく各部の機構を示す斜捗
図である。
このエツチング装置tは第1図に示すように、左から右
に向かってウェハ供給部1.被エツチング物であるウェ
ハ2の被エツチング換の摩さt測定する測定機構3.測
定機@3によって測定され友ウェハ2を収容するカート
リッジl−支持するエツチング用供給部5.エツチング
檜6.洗浄槽7゜テーブル部8と並んでいる。
つぎに、前記各部および各部r連結する機構群について
、第2図をも参癌しながら説明する。
ウェハ供給s1はカートリッジ昇降機構9を有している
。このカートリッジ昇降機1119Fiウエハ2ケそれ
ぞれ1対の溝で支持する構造のカートリッジ4rその挿
脱ロt−掬定機構3霧に対面させて支持する支持台10
を有している。この支持台10はモータIIKよる正逆
回転によって、昇降する。
ま几、支持台10に載置され九カー) 17ツジ4の背
1j7Jllにはブツシャ12が配設されている。この
ブツシャ12はロンド18を突出させた際、先端の送9
片14tカートリッジ4の背面かう内ISに挿入して一
定高さに位置するウェハ211:押し、カートリッジ番
の前方に送p出すようになっている。
また、ウェハ供給illとエツチング用供MWとの関に
は2条のローブ15からなる前後進かつ途中停止可能な
コンベア16が配設され、前記ブツシャ121cよって
送p出され几ウェハ2を搬送するようになっている。エ
ツチング用供給部6にもウェハ供給部lと同様にモータ
17によって昇降する支持台18’に一’Nするカート
リッジ昇降機構191r有している。しかし、この支持
台18は載置するカートリッジ4の背面rも支持するよ
うにL字形となっている。また、この支持台18は他の
モータ20の正逆回動によってカートリッジ番の背面1
111に90[揺(ロ)動するようになっている。さら
に、この支持台18[は図示はしないかU字形の切欠き
か設けられ、前記コンベア16の一端sIIが臨むよう
になっている。このため、エツチング用供給部50カー
) IJツジ4内にウェハ2が人っていない伏動でに干
渉することなく支持台18およびカートリッジ4は昇降
できる。したかって、この支持台18上のカートリッジ
4に前記コンベア16で違はれて来たウェハ2″’に収
容する際には、カー) IJツジ4の最上段の溝から下
方に向かって一段ずつウェハ211−収容する。
一方、前記測定a構3はコンベア16の中間に位置して
いる。この測定機構3は一般公知の差電圧検出方式とな
っていて、コンベア16によって搬送さnるウェハ2の
上方に励振コイル21’)、下方に検出コイル221r
それぞれ配置した構造となってbる。また、囚示はしな
いがこの機構内には補償コイルt4有している。そして
、ウェハ2の異面の仮エツチング膜(たとえはアルイニ
ウムgl)の岸さ11−測定する場合には、励振コイル
21と検出コイル22間にウェハ2を位置させ、励振コ
イル21とウェハ2間、ウェハ2と検出コイル22間の
相互電磁電鐸導によって生じた誘起起電力を検出コイル
22と補償コイルとの偏差電圧として取り出し、ウェハ
の豪エツチング換の厚さt測定するものである。したが
って、この測定機構ではII@定物は導電性のものに@
られる。なお、測定機構として静寛容量電位針等によっ
て豪エツチング鱗の厚さの測定【行なってもよい。前記
測定情報は装置内に内lEされている制御系に送られる
また、測定機tlll113によって測定さnたウェハ
2tウエハ供給s50前方からカートリッジ6内にfs
p込むブツシャ23−fi配般されている。このプラシ
ャ23はモータ24の正逆回転によってコンベア16の
移動方向に沿って往復動するとともに、ブツシャ昇降@
@25によって昇降するようになっていて、常時に上昇
位置&’lす、コンベア16によって搬送されるウニ/
%2と干渉しないようになっている。すなわち、コンベ
ア16上のウニ・・2tウエハ供給s5のカートリッジ
4IIc再び挿入する際には下降した後、前進してコン
ベア16上のウェハ2を押してカートリッジ4内に挿入
する。
その後、後退した後再び上昇して停止する。
他方、エツチング用供#@s5からテーブル部8に亘る
側部(背面)に沿って往復動し〃・つカートリッジ4k
N持するクランパ26QJする・・ンドラ27が配設さ
れてしる。また、クランパ26に支持するアーム28に
昇降可能となり、床付したカートリッジ4ケエツチング
檜6内のエツチング液29や洗浄4!17内の洗浄WI
23中に浸漬できるようになっている。
つぎに、一連のエツチング動作について説明する。ウェ
ハ供給slのカートリッジ4円に収容さnたウニ・・2
は最上段あるいは最下段から順次1枚ずつコンベア16
上にブツシャ12によって送り出される。送り出された
ウニ/12はコンベア16によって測定機構30励振コ
イル21と検出コイル22との間に這df′L為。静止
したウニ/−2に対して、膜厚検出が行なわれ、ウニI
2O真面の豪エツチング展であるアルイニウムgo厚さ
t検出する。この測定情報は制御系に人力される。その
後、コンベア16Wr!ml−させてウェハ2を後退さ
ゼ、ウェハ供給部1のカートリッジ4前方に位置させ、
このウェハ2tブツシヤ23によって再びウェハ供給部
1のカートリッジ4内に収容する。
このようにして、ウニ/S供給5IID力−トリツジ番
内の全ウェハ2の豪エツチング膜O属厚を測定する。
つぎに、前記測定情@に基いて、エツチング不足やエツ
チング過多が生じないm*oa厚のばらつき領域のウェ
ハ2のみtltIIIII系によって制御し、ウェハ供
給部lのカートリッジ昇眸像構9を動作させるとともに
グツシャ18によりてウニ/S2を送りItl(、、コ
ンベア16によってエツチング用供給部5のカートリッ
ジ4内に上方から下方に向かって順次収容する。そして
、一定の仮エツチング厚さ領域のウェハ2rエツチング
用供給s5のカートリッジ4に収容した後、モータ20
に正転させてL字形支持台18?!−90縦回動させて
倒す。
つぎに、・・ンドラ27′p!r動作させて転倒して挿
脱口を上方とし之エツチング用供給部5のカートリッジ
4【クランパ26でクランプした彼、搬送してカートリ
ッジ4にエツチング檜6円のエツチング液29中tlc
PfI定時間浸漬させて各ウニI・2の表面のアルばニ
ウム膜のエツチングを行なう。この際のエツチング時間
は、前記測定機構3の測定情報に基すて自動的に設定す
る。エツチング後は、ハンドラ27によってカートリッ
ジ4i洗浄檜7の洗浄液30中に所定時間浸漬させて洗
浄を行なった後に、カートリッジ4rテーブル部8に1
筺する。
この間、エツチング用供給N55のL字形支持台lst
元Ic1jCシた後、この支持台18上に空のカートリ
ッジ4會載置し、この空カートリッジLIC他の被エツ
チング膜厚群のウエノ4’に収容して再度エツチング時
開音設定してエツチングを行なう。
このような実施IF1によればエッチング不足、エツチ
ング過多が生じない程度の膜厚群のウニ・・を一群とし
、かつ適正なエツチング時間を選択してエツチングを行
なうことから、従来のようなエッチング不足、エツチン
グ過多は防止できるC3仁のため、エツチング不足によ
る再エツチングか工費となることから、再エツチング作
業が不費となる。
また、エツチング過多による不良は発生しないことから
歩留の向上か図れる。また、パンチ処理によるため大量
にエツチングか行なえ生産株か向上する。
なお1本発明は前記!j!施例に限定されない。たとえ
ば、被エツチング物は他の1のでもよ−、また、被エツ
チング物の厚さグループ毎に分類選別してエツチングを
行なう方法は、実NAflIのようなウェットエツチン
グ以外のドライエツチングに一遍用できる〇 以上のように、本発明によれば適正なエツチングが行な
えかつ生産性の高いエツチング装筐會徒供することかで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図に本発明の一実施例によるエツチング装置の外観
を示す斜視図、第2図は同じく一部の機構を示す斜視図
である。 l・・・ウェハ供給部、2・・・ウエノ・、3・・・測
定機構。 4・・・カートリッジ、5・・・エツチング用供給部、
6・・・エツチング権、7・・・洗浄槽、8・・・テー
ブル部、12・・・ブツシャ、16・・・コンベア、2
1・・・励振コイル、22・・・検出コイル、23・・
・ブツシャ、27・・・ハンドラ。 代理人 弁理士 薄 1)利 幸゛、

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、複数の豪エツチング物會収容したカー) IJツジ
    tエツチング槽、洗浄槽と順次浸漬させて儂エツチング
    物tエツチングするエツチング不足直において、エツチ
    ング前の各蜜エツチング物の豪エツチング厚さを測定す
    る測定機構と、一定の複エツチング厚さ領域の被エツチ
    ング暢群を単一のカートリッジに収容する機構と、この
    カートリッジを保持するとともに前記測定機構による情
    報に基いて所定時間カートリッジtエツチング檜に浸漬
    させるハンドラ機構と、kWすること11:特徴とする
    エツチング装置F。
JP4913882A 1982-03-29 1982-03-29 エツチング装置 Pending JPS58166736A (ja)

Priority Applications (1)

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JP4913882A JPS58166736A (ja) 1982-03-29 1982-03-29 エツチング装置

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JP4913882A JPS58166736A (ja) 1982-03-29 1982-03-29 エツチング装置

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JPS58166736A true JPS58166736A (ja) 1983-10-01

Family

ID=12822710

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JP4913882A Pending JPS58166736A (ja) 1982-03-29 1982-03-29 エツチング装置

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JP (1) JPS58166736A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6278828A (ja) * 1985-10-01 1987-04-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 表面処理方法およびその装置
KR100847582B1 (ko) 2007-06-26 2008-07-21 세크론 주식회사 반도체소자 이송시스템 및 이를 이용하는 반도체소자이송방법
CN105118802A (zh) * 2015-09-06 2015-12-02 昊诚光电(太仓)有限公司 电池片背面抛光用水膜厚度控制装置

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