JPS58159398A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
- Publication number
- JPS58159398A JPS58159398A JP4219882A JP4219882A JPS58159398A JP S58159398 A JPS58159398 A JP S58159398A JP 4219882 A JP4219882 A JP 4219882A JP 4219882 A JP4219882 A JP 4219882A JP S58159398 A JPS58159398 A JP S58159398A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- crystal grain
- grain size
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多層配線基板に関し、特にセラｉ、り基板上に
絶縁層で互いに絶縁され友複数の配線層を有する多層配
線基板に関する。
絶縁層で互いに絶縁され友複数の配線層を有する多層配
線基板に関する。
従来、集積回路には多くの種類、形があるが、ソノ一つ
にセラば、り基板上に絶縁層で互いに絶縁された複数の
配線層を有する多層配線基板を用−たものがある。
にセラば、り基板上に絶縁層で互いに絶縁された複数の
配線層を有する多層配線基板を用−たものがある。
＠１図は従来のセラミ、り製多層配線基板の一例の断面
図である。
図である。
辷ラミック基板１に下部導体層２を形成し、着根表面を
絶縁ペースト等を用いて絶縁層３を形成する。絶縁層３
の上に上部導体層４ｔ−形成する。
絶縁ペースト等を用いて絶縁層３を形成する。絶縁層３
の上に上部導体層４ｔ−形成する。
絶縁層と導体層とを交互に重ねれば所望数の多層構造が
得られる。絶縁ペーストに高温で結晶化するガラスの粉
末を用いると、絶縁ペーストの焼成により絶縁層３は結
晶化ガラス層になる。
得られる。絶縁ペーストに高温で結晶化するガラスの粉
末を用いると、絶縁ペーストの焼成により絶縁層３は結
晶化ガラス層になる。
従来、この絶縁層３は一種類の絶縁ペーストを用いて形
成されていて、ガラスの結晶粒径の大きいＩＱ線ペース
トで絶縁層３ｔ−形成すると比較的表面粗ＩＷが大きく
、導体層２．４との＠度が良い絶縁層３が得られるが、
その反面粒径が大きいため内部が比較的ポーラスで絶縁
性が余シ良くないという欠点啄有しており、ガラスの結
晶粒径の細かい絶縁ペースト音用いると内部は’ａ！な
状態で絶縁性が良い反面、表面粗共が小さくなり導体層
２゜４との密着が悪くなると込う欠点ｔ−有していた。
成されていて、ガラスの結晶粒径の大きいＩＱ線ペース
トで絶縁層３ｔ−形成すると比較的表面粗ＩＷが大きく
、導体層２．４との＠度が良い絶縁層３が得られるが、
その反面粒径が大きいため内部が比較的ポーラスで絶縁
性が余シ良くないという欠点啄有しており、ガラスの結
晶粒径の細かい絶縁ペースト音用いると内部は’ａ！な
状態で絶縁性が良い反面、表面粗共が小さくなり導体層
２゜４との密着が悪くなると込う欠点ｔ−有していた。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、導体層との密着性
が良く、かつ多層の導体層の層間絶縁性も良好な多層配
線基板を提供することにある。
が良く、かつ多層の導体層の層間絶縁性も良好な多層配
線基板を提供することにある。
本発明の多層配線基板は、セラミ、り基板に設けられた
複数の導体層の各層が絶縁層で絶縁されている多層配線
基板にお騒て、前記絶縁Ｉ−が結晶粒径の大きいガラス
粉末を焼成して作られ表面粗度の大きい第１層と、結晶
粒径の小さいガラス粉末を焼成して作られ表面粗度が第
１層の表面粗度より小さい！２層と、結晶粒径と表面粗
度が第１層とほぼ同じであるガラス粉未焼成の第３層と
を順次積層した三層で構成される。
複数の導体層の各層が絶縁層で絶縁されている多層配線
基板にお騒て、前記絶縁Ｉ−が結晶粒径の大きいガラス
粉末を焼成して作られ表面粗度の大きい第１層と、結晶
粒径の小さいガラス粉末を焼成して作られ表面粗度が第
１層の表面粗度より小さい！２層と、結晶粒径と表面粗
度が第１層とほぼ同じであるガラス粉未焼成の第３層と
を順次積層した三層で構成される。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第２図は本発明の一実施例の断面図である。
セラミ、り基板１１の表面に金メッキ等の方法によシ導
体ノミターン１．２を形成する。その上に第トで印刷、
焼成によって形成する。さらにその上にガラスの結晶粒
径が細かく、絶縁性が良いペーストで第２絶縁層１４を
第１絶縁層１３と同じ方法で形成する。ま几その上にｗ
ｉｌ絶縁層１３と同じペーストで第３絶縁層１５’を形
成する。これによって、結晶粒径の大きな第１．第３絶
縁層１３゜１５の間に結晶粒径の細かい第２絶縁層１４
が挾まれる形のサントイ、チ構成の絶縁層ができる。
体ノミターン１．２を形成する。その上に第トで印刷、
焼成によって形成する。さらにその上にガラスの結晶粒
径が細かく、絶縁性が良いペーストで第２絶縁層１４を
第１絶縁層１３と同じ方法で形成する。ま几その上にｗ
ｉｌ絶縁層１３と同じペーストで第３絶縁層１５’を形
成する。これによって、結晶粒径の大きな第１．第３絶
縁層１３゜１５の間に結晶粒径の細かい第２絶縁層１４
が挾まれる形のサントイ、チ構成の絶縁層ができる。
さらに、その上に金メッキにより上部導体パターン１６
を形成する。上部導体パターン１６は結晶粒径が大会く
表面粗度の比較的大きい第３絶縁層１５σ）上に形成さ
れるので密着は良い、又内層に結晶粒径が細かくて密な
第２絶縁層１４がある几めに、結晶粒径の大きいペース
トだけで形成され之絶＃層に比較して絶縁性吃良い。即
ち、このようが構成をとることにより、従来ガラスの結
晶粒径の大きいペーストによって形成した絶縁層にみら
れ友、導体パターンとの密着は良いが絶縁性が余り良く
ないという特性と、ガラスの結晶粒径が細かいペースト
によって形成した絶縁層にみられた、絶縁性は良いが、
導体パターンとの密着が余夛棗〈ないと＾う特性の、両
者の長所會融合した、導体パターンとの密着も良く、絶
縁性も良いと−う特性が得られる。
を形成する。上部導体パターン１６は結晶粒径が大会く
表面粗度の比較的大きい第３絶縁層１５σ）上に形成さ
れるので密着は良い、又内層に結晶粒径が細かくて密な
第２絶縁層１４がある几めに、結晶粒径の大きいペース
トだけで形成され之絶＃層に比較して絶縁性吃良い。即
ち、このようが構成をとることにより、従来ガラスの結
晶粒径の大きいペーストによって形成した絶縁層にみら
れ友、導体パターンとの密着は良いが絶縁性が余り良く
ないという特性と、ガラスの結晶粒径が細かいペースト
によって形成した絶縁層にみられた、絶縁性は良いが、
導体パターンとの密着が余夛棗〈ないと＾う特性の、両
者の長所會融合した、導体パターンとの密着も良く、絶
縁性も良いと−う特性が得られる。
本発明は、以上説明したように、絶縁層ｔ−３層構成に
し、ガラスの結晶粒径の細かいペーストによって形成さ
れた絶縁層を、ガラスの結晶粒径の大キいぺ、−ストに
よって形成きれた絶縁層の間に入れることによって導体
層との密着も良く、又絶縁性も良くできるという効果が
ある。
し、ガラスの結晶粒径の細かいペーストによって形成さ
れた絶縁層を、ガラスの結晶粒径の大キいぺ、−ストに
よって形成きれた絶縁層の間に入れることによって導体
層との密着も良く、又絶縁性も良くできるという効果が
ある。
第１図は従来のセラミ、り馬多層配線基板の一例の断面
図、第２図は本発明の一実施例の断面図である。 １・・・・・・セラミ、り基板、２・・・・・・下部導
体層、３・・・・・・絶縁層、４・・・・・・上部導体
層、２１１・・・・・・セラミ、り基板、１２・・・・
・・下部導体パターン、１３・・・・・・第１絶縁層ｖ
、 １４・・・・・・第２絶縁層、１５・・・・・・第
３絶縁層、１６・・・・・・上部導体パターン。
図、第２図は本発明の一実施例の断面図である。 １・・・・・・セラミ、り基板、２・・・・・・下部導
体層、３・・・・・・絶縁層、４・・・・・・上部導体
層、２１１・・・・・・セラミ、り基板、１２・・・・
・・下部導体パターン、１３・・・・・・第１絶縁層ｖ
、 １４・・・・・・第２絶縁層、１５・・・・・・第
３絶縁層、１６・・・・・・上部導体パターン。
Claims (1)
- セラミ、り基板に設けられた複数の導体層の各層が絶縁
層で絶縁されている多層配線基板において、前記絶縁層
が結晶粒径の大きいガラス粉末を焼成して作られ表面粗
度の大きい第１層と、結晶。粒径の小さいガラス粉末を
焼成して作られ表面粗度が第１層の表面粗度より小さい
第２層と、結晶粒径と表面粗度が８１４１層とほぼ同じ
であるガラス粉未焼成の第３層とを順次積層した三層で
構成されていることを特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4219882A JPS58159398A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4219882A JPS58159398A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58159398A true JPS58159398A (ja) | 1983-09-21 |
Family
ID=12629306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4219882A Pending JPS58159398A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58159398A (ja) |
-
1982
- 1982-03-17 JP JP4219882A patent/JPS58159398A/ja active Pending
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