JPS58158636A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS58158636A JPS58158636A JP4105182A JP4105182A JPS58158636A JP S58158636 A JPS58158636 A JP S58158636A JP 4105182 A JP4105182 A JP 4105182A JP 4105182 A JP4105182 A JP 4105182A JP S58158636 A JPS58158636 A JP S58158636A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- resist film
- pattern
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパターン形成方法にかかり、とくに混成薄膜集
権回路のパターン形成する際のホトレジス）ｔ［ねて塗
布した後、レジストパターンヲ形成する方法に関する。
権回路のパターン形成する際のホトレジス）ｔ［ねて塗
布した後、レジストパターンヲ形成する方法に関する。
一般に混成薄膜集権回路において、膜抵抗素子。
膜コンデンサ等を基板上に形成するには、セラミック基
板１ｃＴａ系金属膜宿・を生成し、その後ホトエツチン
グ法によりパターン形成、次に￥！楡全金属膜Ａｕｅ）
を被着、再度ホトエ、、チング法により、電極パターン
を形成し構成する。
板１ｃＴａ系金属膜宿・を生成し、その後ホトエツチン
グ法によりパターン形成、次に￥！楡全金属膜Ａｕｅ）
を被着、再度ホトエ、、チング法により、電極パターン
を形成し構成する。
以上により構成された抵抗素子に関しては抵抗規格値（
設計値）管、膜コンデンサに関しては容量値やＩ Ｒ佃
咎の規格値を満足させるため極力欠陥部の少ないパター
ン形状を必吸とする。
設計値）管、膜コンデンサに関しては容量値やＩ Ｒ佃
咎の規格値を満足させるため極力欠陥部の少ないパター
ン形状を必吸とする。
従来技術による膜菓子のパターン形成方法を第１図（ａ
）〜（ｅ）を参照して説明する。第１図は混成薄膜抵抗
菓子又は膜コンデンサ製造工程における菓子パターンを
形成する例を断■図で略示したものである。先ずセラミ
ック基板１の全面にスパッタ等によりタンタル系の抵抗
体展（又はコンデンサ膜）２全生成する（第１図（ａ）
）。次に液体タイプのホトレジスト３ｆ塗布し、予備乾
燥（プレーベーキング）する。この時、レジスト中の浴
剤や混入空気の蒸発により、泡が発生する結果、第１図
（ｂ）の４の様にブレーベキング後のレジスｈ 被着ｉ
にピンホール又は凹部を生じることになり、後工程の金
属膜のエツチングにおけるレジストの耐薬品性を保つた
め、第１層レジスト膜上に重ねて前記同レジストを塗布
し第２層レジスト膜５を被着させる場合がある（第１図
（Ｃ））。この場合も、第２層目のレジスト族にも同様
ピンホール又凹部６が生じるが、 第１ｍレジストのピ
ンホール及び凹部は第２層レジスト構成時のレジスト液
の浸透によシ埋まる。次にホトマスク、露光、現像によ
る一連の写真技術によｈｈ望とするレジストパターン全
形成しく第１図（ｄ））、Ｌかる後レジスト膜を耐薬品
保護膜として不安タンタル系金属膜全フッ酸、硝酸の混
合液で除去する。この際レジスト層から構成されるＷ）
合より、本例の場合は２層からなるため第２層ピンホー
ル、又凹部下の第１層のレジスト膜厚で耐敵性を補うこ
とが出来るが、第１層と第２層の重なった膜厚に比し第
２層ピンホール又凹部下の第１層膜厚は約１／２である
ことから耐酸度は１／２と云うことになる。この結果、
第１図（ｅ）ＶＣ示す徐に、金属膜上にレジスト膜厚の
薄い部分を通して浸透したエツチング液により、ピンホ
ールやエッチピット（凹み）７が生じることになる。
）〜（ｅ）を参照して説明する。第１図は混成薄膜抵抗
菓子又は膜コンデンサ製造工程における菓子パターンを
形成する例を断■図で略示したものである。先ずセラミ
ック基板１の全面にスパッタ等によりタンタル系の抵抗
体展（又はコンデンサ膜）２全生成する（第１図（ａ）
）。次に液体タイプのホトレジスト３ｆ塗布し、予備乾
燥（プレーベーキング）する。この時、レジスト中の浴
剤や混入空気の蒸発により、泡が発生する結果、第１図
（ｂ）の４の様にブレーベキング後のレジスｈ 被着ｉ
にピンホール又は凹部を生じることになり、後工程の金
属膜のエツチングにおけるレジストの耐薬品性を保つた
め、第１層レジスト膜上に重ねて前記同レジストを塗布
し第２層レジスト膜５を被着させる場合がある（第１図
（Ｃ））。この場合も、第２層目のレジスト族にも同様
ピンホール又凹部６が生じるが、 第１ｍレジストのピ
ンホール及び凹部は第２層レジスト構成時のレジスト液
の浸透によシ埋まる。次にホトマスク、露光、現像によ
る一連の写真技術によｈｈ望とするレジストパターン全
形成しく第１図（ｄ））、Ｌかる後レジスト膜を耐薬品
保護膜として不安タンタル系金属膜全フッ酸、硝酸の混
合液で除去する。この際レジスト層から構成されるＷ）
合より、本例の場合は２層からなるため第２層ピンホー
ル、又凹部下の第１層のレジスト膜厚で耐敵性を補うこ
とが出来るが、第１層と第２層の重なった膜厚に比し第
２層ピンホール又凹部下の第１層膜厚は約１／２である
ことから耐酸度は１／２と云うことになる。この結果、
第１図（ｅ）ＶＣ示す徐に、金属膜上にレジスト膜厚の
薄い部分を通して浸透したエツチング液により、ピンホ
ールやエッチピット（凹み）７が生じることになる。
本発明は混成薄膜集権回路のパターン形成方法において
、極力欠陥部の少ないパターン形状を得ることを目的と
して、基板上金属被膜ＶＣ液体タイプのホトレジストを
塗布予備乾燥し％第１１−レジスト膜を仮着、更に則レ
ジストを用いて第１層レジスト膜より薄い膜厚の第２層
レジスト族を京ねて構成した後、パターン化することを
特徴とする混成薄膜集権回路のパターン形成方法全提供
するもので、以下詳細に説明する。
、極力欠陥部の少ないパターン形状を得ることを目的と
して、基板上金属被膜ＶＣ液体タイプのホトレジストを
塗布予備乾燥し％第１１−レジスト膜を仮着、更に則レ
ジストを用いて第１層レジスト膜より薄い膜厚の第２層
レジスト族を京ねて構成した後、パターン化することを
特徴とする混成薄膜集権回路のパターン形成方法全提供
するもので、以下詳細に説明する。
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例に関する混成薄
膜抵抗素子又は膜コンデンサ製造工程における素子パタ
ーンを形成する例を断ＵＩ１１図で略πくしたものであ
る。第２図（ａ） ＶＣ示すようにセラミック基板１％
全面にスパッタ等によりタンタル系の抵抗膜（又ぼコン
デンサ膜）２′ｆｔ生成する。次に第２図（ｂ）に示す
ように、液体タイプのホトレジスト３を従来方法よりレ
ジスト粘性を大又ぼ回転塗布法によるスピンナ回転数を
小にして塗布する。
膜抵抗素子又は膜コンデンサ製造工程における素子パタ
ーンを形成する例を断ＵＩ１１図で略πくしたものであ
る。第２図（ａ） ＶＣ示すようにセラミック基板１％
全面にスパッタ等によりタンタル系の抵抗膜（又ぼコン
デンサ膜）２′ｆｔ生成する。次に第２図（ｂ）に示す
ように、液体タイプのホトレジスト３を従来方法よりレ
ジスト粘性を大又ぼ回転塗布法によるスピンナ回転数を
小にして塗布する。
この時、レジスト中の溶剤や混入空気の蒸発により泡が
発生する結果、第２図（ｂ）の様にプレーベーキング鏝
のレジスト液ｓ−ｈにピンホール又は凹部外４を生じる
ことになるが膜厚の厚い破震膜が得られる。欠に第２図
（Ｃ）の徐に後工程の金属膜の工、チングにおけるレジ
ストの耐薬品性を保つため第１Ｊｖレジスト股上に１ね
て前記同レジストを従来方法よりレジスト粘性を小、又
は回転塗布法によるスピンナー回転数音大にして第２層
レジスト膜５、を構成する。第２層目のレジスト膜にも
同僚ピンホール又凹部６、が生じるが、卯、１鳩レジス
トのピンホール及び凹部は第２層レジスト構成時のレジ
スト液の浸透により埋まる。尚、トータルとして第１層
、第２鳩の重ね合せ膜厚は従来膜厚と同じく得られる。
発生する結果、第２図（ｂ）の様にプレーベーキング鏝
のレジスト液ｓ−ｈにピンホール又は凹部外４を生じる
ことになるが膜厚の厚い破震膜が得られる。欠に第２図
（Ｃ）の徐に後工程の金属膜の工、チングにおけるレジ
ストの耐薬品性を保つため第１Ｊｖレジスト股上に１ね
て前記同レジストを従来方法よりレジスト粘性を小、又
は回転塗布法によるスピンナー回転数音大にして第２層
レジスト膜５、を構成する。第２層目のレジスト膜にも
同僚ピンホール又凹部６、が生じるが、卯、１鳩レジス
トのピンホール及び凹部は第２層レジスト構成時のレジ
スト液の浸透により埋まる。尚、トータルとして第１層
、第２鳩の重ね合せ膜厚は従来膜厚と同じく得られる。
矢にホトマスク、露ｆＳ１現像による一連の写真技術に
より所望とするレジストパターン全形成しく第２図（ｄ
））、Ｌかる後レジスト膜を耐薬品保護膜としてタンタ
ル系金属膜をフッ酸、硝酸の混合数で除去する。この際
第２；＊目のレジスｈＶｃはピンホール及び凹みが生じ
てい５− るが、第１層のレジスト膜厚が第２層より厚い九め、該
第１層のピンホール又凹部全通して浸透してくるエツチ
ング液に対する耐敵性が向上する（浸透エツチング液が
金属膜に達する迄より時間ｆ袈することになる。）。こ
の結果ｍ２図（ｅ）の際に金り膜上にエツチング液が浸
透する割合が少ないため、ピンホール、エッチピット（
凹み）が少なくなる。
より所望とするレジストパターン全形成しく第２図（ｄ
））、Ｌかる後レジスト膜を耐薬品保護膜としてタンタ
ル系金属膜をフッ酸、硝酸の混合数で除去する。この際
第２；＊目のレジスｈＶｃはピンホール及び凹みが生じ
てい５− るが、第１層のレジスト膜厚が第２層より厚い九め、該
第１層のピンホール又凹部全通して浸透してくるエツチ
ング液に対する耐敵性が向上する（浸透エツチング液が
金属膜に達する迄より時間ｆ袈することになる。）。こ
の結果ｍ２図（ｅ）の際に金り膜上にエツチング液が浸
透する割合が少ないため、ピンホール、エッチピット（
凹み）が少なくなる。
この本発明の方法ケ従来の方法と比軟すると、従来方法
では第１層と第２Ｎｌのレジスト膜厚が同じのため、第
２層レジストに欠陥箇所下のレジスト膜厚ば、第１層、
第２層目ね合せ膜厚の約１／２であるのに対し、Ｘ発明
によれば第１層レジスト膜厚を厚＜、 ｆ％２１−レジ
スト膜を薄くして１ね合せレジスト層を構成することに
より、第２層レジスト膜欠陥箇所下のレジスト粘性厚は
約１／２以上（本例では２／３以上）となり、金ＰＡ膜
へのエッチンゲ液浸透時間を長くとることが出来るため
、より欠陥部の少ないパターン形状’ｌる。
では第１層と第２Ｎｌのレジスト膜厚が同じのため、第
２層レジストに欠陥箇所下のレジスト膜厚ば、第１層、
第２層目ね合せ膜厚の約１／２であるのに対し、Ｘ発明
によれば第１層レジスト膜厚を厚＜、 ｆ％２１−レジ
スト膜を薄くして１ね合せレジスト層を構成することに
より、第２層レジスト膜欠陥箇所下のレジスト粘性厚は
約１／２以上（本例では２／３以上）となり、金ＰＡ膜
へのエッチンゲ液浸透時間を長くとることが出来るため
、より欠陥部の少ないパターン形状’ｌる。
６−
第１図は従来従術のパターン形成方法を工程順に示す断
面図であり、第２図は本発明の実施例全工程順に示す断
面図である。 尚、図において、１はセラミック基叛、２は金＠薄ｉ（
タンタルり、３は第１層ホトレジストｉ、４Ｕ第１１６
ホトレジストｇのピンホール又凹部、５は第２層ホトレ
ジスト膜、６に第２層ホトレジスト膜のピンホール又凹
部、７は金Ｗ４薄膜のピンホール又エッチビットである
。 代理人 弁理士 内 原 晋７− 冥 ／ Σ 篤 ？７
面図であり、第２図は本発明の実施例全工程順に示す断
面図である。 尚、図において、１はセラミック基叛、２は金＠薄ｉ（
タンタルり、３は第１層ホトレジストｉ、４Ｕ第１１６
ホトレジストｇのピンホール又凹部、５は第２層ホトレ
ジスト膜、６に第２層ホトレジスト膜のピンホール又凹
部、７は金Ｗ４薄膜のピンホール又エッチビットである
。 代理人 弁理士 内 原 晋７− 冥 ／ Σ 篤 ？７
Claims (1)
- 基板上に釡属皮膜を生成し、該金属皮膜上に液体タイプ
のホトレジストを堕胎、予備乾燥し、第１層レジスト膜
を仮着、更に該第１層レジスト膜より薄い膜厚の第２層
レジスト膜を重ねて被着した後、露光、現像によりレジ
ストパターンを形成することを特徴とするパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4105182A JPS58158636A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4105182A JPS58158636A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158636A true JPS58158636A (ja) | 1983-09-20 |
Family
ID=12597601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4105182A Pending JPS58158636A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58158636A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61502079A (ja) * | 1984-05-03 | 1986-09-18 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | ポリ（メタクリル酸無水物）レジストを半導体に適用する方法 |
-
1982
- 1982-03-16 JP JP4105182A patent/JPS58158636A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61502079A (ja) * | 1984-05-03 | 1986-09-18 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | ポリ（メタクリル酸無水物）レジストを半導体に適用する方法 |
| JPH0150895B2 (ja) * | 1984-05-03 | 1989-11-01 | Hughes Aircraft Co |
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