JPS58145130A - リフトオフ用ステンシルの形成方法 - Google Patents
リフトオフ用ステンシルの形成方法Info
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- JPS58145130A JPS58145130A JP2760882A JP2760882A JPS58145130A JP S58145130 A JPS58145130 A JP S58145130A JP 2760882 A JP2760882 A JP 2760882A JP 2760882 A JP2760882 A JP 2760882A JP S58145130 A JPS58145130 A JP S58145130A
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- Japan
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- stencil
- exposed
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- resist layer
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
杢り６明はジョセフソン果４ｆｋ回路′＃０）リフトオ
フバターニンク１こη；１」用さ不りるリフトオフ用ス
テンシルの形成方法に１力ＴΦものでめΦＯ リフ１゛オフｌ々と（Ｊフォトレジスト咎からｆまるＨ
１望のパターンυ）ステンシル（抜き型）を形成しｆこ
基板に薄膜１曽を蒸着吟（ハナ段で堆積し、−）ｔ・）
でステンシル、１．ｊよひステンシル」二番こＱ槓さイ
Ｉ人二八へ１庚ノ曽をステンシル’ｃ ＊ｉ乃イしでｌ
！；ｉ；去し、ｊツｆ望のノ々ターノ、：癩−勺−６博
膜ｌ幀をμ１反」二（こ形１裁Ｉづ−４）１１１人であ
ｉ−１。
フバターニンク１こη；１」用さ不りるリフトオフ用ス
テンシルの形成方法に１力ＴΦものでめΦＯ リフ１゛オフｌ々と（Ｊフォトレジスト咎からｆまるＨ
１望のパターンυ）ステンシル（抜き型）を形成しｆこ
基板に薄膜１曽を蒸着吟（ハナ段で堆積し、−）ｔ・）
でステンシル、１．ｊよひステンシル」二番こＱ槓さイ
Ｉ人二八へ１庚ノ曽をステンシル’ｃ ＊ｉ乃イしでｌ
！；ｉ；去し、ｊツｆ望のノ々ターノ、：癩−勺−６博
膜ｌ幀をμ１反」二（こ形１裁Ｉづ−４）１１１人であ
ｉ−１。
リフＩ・オン法で゛（Ｊスフ−ンンル上υ）薄１模ハ４
と慧依上θ）ン専瞑１曽か分ＫＩＬさイＬＣいるこ占が
必四で沙）す、そり）１こめ（こｉ−、ｒ第１図に示１
よ’＞ ｒｘ 、−一１１川かゝゝさく１）こ４！１２
″０）ステンシル１２を基板１１上ζ（−）ｌイＩ＆
シ’（、リットオフ沓何つことか望ましい。第１１凶（
Ｃスフノーノル１２Ｑ）形状パラメータＷＳ 、 ＷＩ
３ 、Δゼ・小す−。こコ−Ｑ ’ｖＶｓ ＋；ｔ ；
ｔ、テア ’／ ルｌ ２ Ｕ） ｉ’ｉ、 ｉ＆１１
（／Ｊ ｌｉ＋ｉ、＋ｊｌらスフノンル１２の最大幅
でめる。まｆこ、νＶａ ｉ；Ｊスノ／ンル１２（１）
請都のＩＶ＠てあり、Δはひさしυつ体さ−Ｃ′湧瞑崩
ＧＱ分甜σＪ′、６易さをポ１１直であく）。こ０）よ
つｆｉ Ｊｆ３状のステンシルをハ」ｉハてリフト４フ
バソー二一ノクしｆこンは膜パターン０）１カ４ ＋−
」ｉｌ（の’ｌ’ｌｌｌ ｉｌ ｂ スラノンルＱ）最
大１１昂Ｗｓからスランンルυヲひさしθノ士力星仮±
１川へり）相ニイ貞吻θ」入り込ｌ入合左引いｆこ１圓
と７ムリ。
と慧依上θ）ン専瞑１曽か分ＫＩＬさイＬＣいるこ占が
必四で沙）す、そり）１こめ（こｉ−、ｒ第１図に示１
よ’＞ ｒｘ 、−一１１川かゝゝさく１）こ４！１２
″０）ステンシル１２を基板１１上ζ（−）ｌイＩ＆
シ’（、リットオフ沓何つことか望ましい。第１１凶（
Ｃスフノーノル１２Ｑ）形状パラメータＷＳ 、 ＷＩ
３ 、Δゼ・小す−。こコ−Ｑ ’ｖＶｓ ＋；ｔ ；
ｔ、テア ’／ ルｌ ２ Ｕ） ｉ’ｉ、 ｉ＆１１
（／Ｊ ｌｉ＋ｉ、＋ｊｌらスフノンル１２の最大幅
でめる。まｆこ、νＶａ ｉ；Ｊスノ／ンル１２（１）
請都のＩＶ＠てあり、Δはひさしυつ体さ−Ｃ′湧瞑崩
ＧＱ分甜σＪ′、６易さをポ１１直であく）。こ０）よ
つｆｉ Ｊｆ３状のステンシルをハ」ｉハてリフト４フ
バソー二一ノクしｆこンは膜パターン０）１カ４ ＋−
」ｉｌ（の’ｌ’ｌｌｌ ｉｌ ｂ スラノンルＱ）最
大１１昂Ｗｓからスランンルυヲひさしθノ士力星仮±
１川へり）相ニイ貞吻θ」入り込ｌ入合左引いｆこ１圓
と７ムリ。
ところで、ショセノノン呆イＩ【回＆’６ Ｕ） ＊
ｍブーセス１こるいて、ソヨセフソン恢合０）値域は超
仏尋捧層より７．ｚ６軍極Ｌ：ｉこ形成した絶縁体層に
設けた１ｉｉ４１」部で決めらイ１く）。この１剣口部
を設けた絶縁体層（、；ｌニ一般に一酸化シリコン（Ｓ
ｉｎ） ｆ用いＣリフトオフ法でバターニングさイーし
る。ところが、ｓｒｔｇま蒸層時Ｃｃ基板笠によって散
乱さ眉２、第２図（こ示Ｔよう（こ、ステンシル２２を
形成した基板２１の上にｓｌｕ ２ ａを式１０００Ａ
蒸涜した場合、故乱さ、１またＳ１０がステンシル２２
のひざしＱ）下の語板土面ＪＪＣ入りろみ、ステンンル
基部の境界まで数１０〜ば１ＯｆｌＡり厚さの博暎増せ
形を或する。この入り込んだＳｉＵ薄映層をこまって、
実効的にジョセノノノ！！Ｊ：付唄域はスデ７ンル蹟部
内形状、寸蹟Ｃ決χにさイする。従っで、ノヨセフソ７
候台憤域の形状、守ｔ１；を４イ度よ＜ ｍｌＪ呻１゛
るためにはスアンンルの笠１５ｉＬ□）形状９寸法より
もスアノンル基目Ｓ（／−Ｊ形状、寸ぬを梢１尻よく制
御３−１．）必賛がある。
ｍブーセス１こるいて、ソヨセフソン恢合０）値域は超
仏尋捧層より７．ｚ６軍極Ｌ：ｉこ形成した絶縁体層に
設けた１ｉｉ４１」部で決めらイ１く）。この１剣口部
を設けた絶縁体層（、；ｌニ一般に一酸化シリコン（Ｓ
ｉｎ） ｆ用いＣリフトオフ法でバターニングさイーし
る。ところが、ｓｒｔｇま蒸層時Ｃｃ基板笠によって散
乱さ眉２、第２図（こ示Ｔよう（こ、ステンシル２２を
形成した基板２１の上にｓｌｕ ２ ａを式１０００Ａ
蒸涜した場合、故乱さ、１またＳ１０がステンシル２２
のひざしＱ）下の語板土面ＪＪＣ入りろみ、ステンンル
基部の境界まで数１０〜ば１ＯｆｌＡり厚さの博暎増せ
形を或する。この入り込んだＳｉＵ薄映層をこまって、
実効的にジョセノノノ！！Ｊ：付唄域はスデ７ンル蹟部
内形状、寸蹟Ｃ決χにさイする。従っで、ノヨセフソ７
候台憤域の形状、守ｔ１；を４イ度よ＜ ｍｌＪ呻１゛
るためにはスアンンルの笠１５ｉＬ□）形状９寸法より
もスアノンル基目Ｓ（／−Ｊ形状、寸ぬを梢１尻よく制
御３−１．）必賛がある。
しθ）シナがら、１メ〔米、こυ９ようなスアンンルは
、し・］えは盾板上にｌ′鳩レソしＩ−，’１−１−レ
ジストの株ｉ４ ＋曽、上鍮しンス１゛カニｌ冒侮逍を
形成し、腎上層しソストを所望のステンンル笠百Ｓのパ
ターンに桟すようζこ露光、現１域し、目Ｈ己上層レジ
ストのパターン開口部に露出した前バピ保護層を１求去
し、上層レジストリ保護層の一方あるいは両方をマスク
にして下層レソス１−をオーバーエッ→−ンクまたは過
露光、過現像するよう４４；方法でスアンンル基部を形
成してひさしの深さ△を侍るという方法で形成さ？″１
．ていた。従って、スデノシル基部にあたる上層レジス
トの寸法は各部にあたる上層レジストの寸法ζこ較べて
制１１１ＩＩ性に欠け、ロット間の（よら゛つきも太き
いという欠点があった。
、し・］えは盾板上にｌ′鳩レソしＩ−，’１−１−レ
ジストの株ｉ４ ＋曽、上鍮しンス１゛カニｌ冒侮逍を
形成し、腎上層しソストを所望のステンンル笠百Ｓのパ
ターンに桟すようζこ露光、現１域し、目Ｈ己上層レジ
ストのパターン開口部に露出した前バピ保護層を１求去
し、上層レジストリ保護層の一方あるいは両方をマスク
にして下層レソス１−をオーバーエッ→−ンクまたは過
露光、過現像するよう４４；方法でスアンンル基部を形
成してひさしの深さ△を侍るという方法で形成さ？″１
．ていた。従って、スデノシル基部にあたる上層レジス
トの寸法は各部にあたる上層レジストの寸法ζこ較べて
制１１１ＩＩ性に欠け、ロット間の（よら゛つきも太き
いという欠点があった。
不発明の目的は」：＾己欠点を除去し、ステンンル鵡部
の形状、寸法の制−作りよい、リフトオフ用ステ／シル
ｃ／）１し成ガぬを提供するものである〇杢元明嘗こよ
イ’Ｌば、基板上１こノヅ「望の第１のパターンを何す
る第１０ノフオトレジスト順を形成し、該化１１／Ｊノ
λトレシスｒ−Ｉｖａを弗素を會む分子のカスフラスマ
中ｉｃ ｂ＞す工程と、該第１のフォトレシス１−１ｎ
上ζこ、該第１υ）フォトｌシスト層の幅よりも広い最
大１−ケもし、かつ基板と接触していない第２０ノフオ
トレジスト層を形成する上程を貧むことを特徴とづ一６
リフトオフ川ステンンルの形成方法−が１４すらイ′１
．る。
の形状、寸法の制−作りよい、リフトオフ用ステ／シル
ｃ／）１し成ガぬを提供するものである〇杢元明嘗こよ
イ’Ｌば、基板上１こノヅ「望の第１のパターンを何す
る第１０ノフオトレジスト順を形成し、該化１１／Ｊノ
λトレシスｒ−Ｉｖａを弗素を會む分子のカスフラスマ
中ｉｃ ｂ＞す工程と、該第１のフォトレシス１−１ｎ
上ζこ、該第１υ）フォトｌシスト層の幅よりも広い最
大１−ケもし、かつ基板と接触していない第２０ノフオ
トレジスト層を形成する上程を貧むことを特徴とづ一６
リフトオフ川ステンンルの形成方法−が１４すらイ′１
．る。
ｊ′スト、不発明のＩＩｆ＝細を図面を用いて説明する
。
。
Ｉ嶌 ；う １囚（ａ） 、 （ｂ） 、（ｃ） 、
（ｄ）は４鷲元明の一実〃也しＵをｉ究明Ｊ〜るγこめ
の図で土役上桿（こ石ける１９ｒ而凶であるっ第３１イ
１１ａｌこｙｓ＜−４’よう（こ基板：４目こ第１の７
オトレノスｌ−３２’ｉ 笠イ１１ ヘーキングし、
フッ１社のステンシル、ｌ； ７ＹＩＳの形状に１」１
］記第１のフォトレノスト３２がＩＡ＝よつに蕗ブＬ・
現隊を行う。仄に１１１１記第Ｉ Ｃ＜、＞フォトｌ／
シスト３２の表１川を弗素を宮む分すの力スノ′ラズマ
、列んは四弗化炭素（Ｃル゛４）力゛スプラス゛マ申ｊ
（１（＠し、ｔ’ｌ’４５己弔１のフォトｌ／シストの
衣団を変成した保護層３３を形成する。矢（こ、第３図
（ｂハこポ゛ヂように、第ｌのフォトレジスト３２を甘
む基板３１１こ例んばポジ型の第２のフォトレジストを
薬理 ・＼−＋７グし、ハＴ望のス゛Ｉ−／ンル）ｔ１
＋ＩＳυ）パターンを市゛するフλトマスクを月ｌ）で
目付レノスト３２と抹硬ノ曽：Ｊ３１こ接しでいるポジ
型Ｕ、１第２の７オトレジストはすて未露光部分３５と
なりようにする。次に第３図（ＣＪ番こ示すように、前
ｆｉＬ第２の）Ａ−トレジストをクロルベンセン、ブロ
ムヘノセン等ζこ浸漬して前記＠２のフォトレジスト層
の表面を！成して露光部変質層３６と未露光１１Ｓ変成
層３７を形成する。この変成層の厚さは陵藺時間ｌこ依
存する。この場合は非変成層の厚さが、不爽施例で形成
さイ゛１．るステンシルを用いてバターニングする薄候
の厚さ以上あることが必賛である。
（ｄ）は４鷲元明の一実〃也しＵをｉ究明Ｊ〜るγこめ
の図で土役上桿（こ石ける１９ｒ而凶であるっ第３１イ
１１ａｌこｙｓ＜−４’よう（こ基板：４目こ第１の７
オトレノスｌ−３２’ｉ 笠イ１１ ヘーキングし、
フッ１社のステンシル、ｌ； ７ＹＩＳの形状に１」１
］記第１のフォトレノスト３２がＩＡ＝よつに蕗ブＬ・
現隊を行う。仄に１１１１記第Ｉ Ｃ＜、＞フォトｌ／
シスト３２の表１川を弗素を宮む分すの力スノ′ラズマ
、列んは四弗化炭素（Ｃル゛４）力゛スプラス゛マ申ｊ
（１（＠し、ｔ’ｌ’４５己弔１のフォトｌ／シストの
衣団を変成した保護層３３を形成する。矢（こ、第３図
（ｂハこポ゛ヂように、第ｌのフォトレジスト３２を甘
む基板３１１こ例んばポジ型の第２のフォトレジストを
薬理 ・＼−＋７グし、ハＴ望のス゛Ｉ−／ンル）ｔ１
＋ＩＳυ）パターンを市゛するフλトマスクを月ｌ）で
目付レノスト３２と抹硬ノ曽：Ｊ３１こ接しでいるポジ
型Ｕ、１第２の７オトレジストはすて未露光部分３５と
なりようにする。次に第３図（ＣＪ番こ示すように、前
ｆｉＬ第２の）Ａ−トレジストをクロルベンセン、ブロ
ムヘノセン等ζこ浸漬して前記＠２のフォトレジスト層
の表面を！成して露光部変質層３６と未露光１１Ｓ変成
層３７を形成する。この変成層の厚さは陵藺時間ｌこ依
存する。この場合は非変成層の厚さが、不爽施例で形成
さイ゛１．るステンシルを用いてバターニングする薄候
の厚さ以上あることが必賛である。
次をこし１１３図（ｄ＋にｙｒ＜Ｔｅｒ：、°うにｒＪ
Ｊ記第２のフォトレジストを現像して露光部変成層３６
および蕗］＝ ｊ＋ｌｊ分３４分隊４する。その慄さら
に現１象を進めイ〕ことで未露光Ｂ１１分３５！６よび
未島元都変成層３７も体々に俗解しでい＜。シカ）し、
未露光部分３５ （／、）済解度が未露光部変成層３７
の溶解鵬が人さいため、第１Ｏ）フォトレジスト３２と
保護層３３によって構成サイ−Ｌるステンンル基ｉｔ＞
υノ′１１４１ｊ１自１と基板３１の境界１４１ｊ分が
露出した時、禾爵九都変成ノーは＋４ｉＪ配ステンンル
基部より大きい幅をもっており、 きのこ型“のステ
ンシルが形成される。
Ｊ記第２のフォトレジストを現像して露光部変成層３６
および蕗］＝ ｊ＋ｌｊ分３４分隊４する。その慄さら
に現１象を進めイ〕ことで未露光Ｂ１１分３５！６よび
未島元都変成層３７も体々に俗解しでい＜。シカ）し、
未露光部分３５ （／、）済解度が未露光部変成層３７
の溶解鵬が人さいため、第１Ｏ）フォトレジスト３２と
保護層３３によって構成サイ−Ｌるステンンル基ｉｔ＞
υノ′１１４１ｊ１自１と基板３１の境界１４１ｊ分が
露出した時、禾爵九都変成ノーは＋４ｉＪ配ステンンル
基部より大きい幅をもっており、 きのこ型“のステ
ンシルが形成される。
以上のようＩｆ方法でステンシルを形成Ｖｒｉばステン
シル基部となる第１のフォトレジスト３２は保護層３３
を形成後は、現像液、醗剤から保獲されているためその
仮の工程の杉書による形状、寸法の変化がほとんどない
。従って、ステンシル基部の形状、寸法は第１のフォト
レジスト０）マスク路光で沃めることができるため、所
望の形状守成がきわめて制御性よく得られる。なお目Ｉ
Ｉ ｔｉ己保護層はｔ夜索を冨むプラズマ中に曝１゛こ
とで１ちミ去′（゛きるので、Ｓ１０を魚装置、リフト
オフ１１１または一１２都を味云した後ｌこ酸累プラズ
マ処理を７ｆｌ”Ｌばステンシルは元ｆｆ１ｆこ除去で
きる。
シル基部となる第１のフォトレジスト３２は保護層３３
を形成後は、現像液、醗剤から保獲されているためその
仮の工程の杉書による形状、寸法の変化がほとんどない
。従って、ステンシル基部の形状、寸法は第１のフォト
レジスト０）マスク路光で沃めることができるため、所
望の形状守成がきわめて制御性よく得られる。なお目Ｉ
Ｉ ｔｉ己保護層はｔ夜索を冨むプラズマ中に曝１゛こ
とで１ちミ去′（゛きるので、Ｓ１０を魚装置、リフト
オフ１１１または一１２都を味云した後ｌこ酸累プラズ
マ処理を７ｆｌ”Ｌばステンシルは元ｆｆ１ｆこ除去で
きる。
以上、仝兄り」の一実施例ζこ−〕いて説明したが、不
発明の方法によイｔばスナンシル＆都のバターノそ最初
に形成し、しかも後のステノソル形成プロセスの影臀は
ほとんどないθ〕で、制御性よく所望の形状−寸法の基
部を有するステンシルが１４られ、ロット間のばらつき
も低減さ／Ｔｈ６７こめ歩留も同上し、ジョセフソン来
横回路笠の装造においＣされめ′ＣＣ看者効果が侍しイ
゛Ｌる。
発明の方法によイｔばスナンシル＆都のバターノそ最初
に形成し、しかも後のステノソル形成プロセスの影臀は
ほとんどないθ〕で、制御性よく所望の形状−寸法の基
部を有するステンシルが１４られ、ロット間のばらつき
も低減さ／Ｔｈ６７こめ歩留も同上し、ジョセフソン来
横回路笠の装造においＣされめ′ＣＣ看者効果が侍しイ
゛Ｌる。
第１図はリフトオフ用スアノンルの断面形状説明図で、
図（こ′Ａ′６いて１１は基板、１２はステンシル、第
２図はリフト詞）の一工程を説明すく）ため例をｈ＋１
、明すΦための図で−Ｅ安工程断面図である。 図）こ石いて３１は基板、３２をま第１のフォトｌ／シ
スト、３３ば保論層、３４は第２Ｑ）フォトレジストの
Ｍ −／（、ＦＩＩＳ分、３５ ｊ’３．４’、 ２
（り −７７１” レジ２ トＱ） 禾に：（元ｆ５１
吻、３６は第２のフォトレジストの露光部変成魔、３７
は第２のフォトレジストの禾蕗ｊ′Ｉ： ５１１菱成１
曽である。 代−人弁理士内原 晋 率１回 率乙図
図（こ′Ａ′６いて１１は基板、１２はステンシル、第
２図はリフト詞）の一工程を説明すく）ため例をｈ＋１
、明すΦための図で−Ｅ安工程断面図である。 図）こ石いて３１は基板、３２をま第１のフォトｌ／シ
スト、３３ば保論層、３４は第２Ｑ）フォトレジストの
Ｍ −／（、ＦＩＩＳ分、３５ ｊ’３．４’、 ２
（り −７７１” レジ２ トＱ） 禾に：（元ｆ５１
吻、３６は第２のフォトレジストの露光部変成魔、３７
は第２のフォトレジストの禾蕗ｊ′Ｉ： ５１１菱成１
曽である。 代−人弁理士内原 晋 率１回 率乙図
Claims (1)
- 貼仮」二番こ舟望の弔ｌのバター／を有１−６第ｌ（υ
ソメトレシスト層を形成し、該第ｌの’７ ｉ ト１／
’／スト層を弗素を営む分子のカスプラズマ申に瞭す
上程と、縫第１０つフォトレジスト層上（こ、該第ＩＣ
）フォトレジスト層のｌｌ’Ｍよりも広い最大幅（！）
もち、ん）つ基板と接触していムｆい第２のフλトレジ
スｉ・１曽を形１戊Ｔる」二相を右−むことを特１゛奴
とするリフトオフ用スアンシルの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2760882A JPS58145130A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | リフトオフ用ステンシルの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2760882A JPS58145130A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | リフトオフ用ステンシルの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58145130A true JPS58145130A (ja) | 1983-08-29 |
Family
ID=12225635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2760882A Pending JPS58145130A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | リフトオフ用ステンシルの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58145130A (ja) |
-
1982
- 1982-02-23 JP JP2760882A patent/JPS58145130A/ja active Pending
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