JPH0340498B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0340498B2 JPH0340498B2 JP17826284A JP17826284A JPH0340498B2 JP H0340498 B2 JPH0340498 B2 JP H0340498B2 JP 17826284 A JP17826284 A JP 17826284A JP 17826284 A JP17826284 A JP 17826284A JP H0340498 B2 JPH0340498 B2 JP H0340498B2
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- Japan
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- mask
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- resist
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- Expired - Lifetime
Links
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- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はＸ線リソグラフイー用マスクに関す
る。
る。
従来技術
米国特許第4253029号は、ポリイミド／B3N4複
合層の上に、接着層としてTa膜を設け、この上
にＸ線吸収体としてAu膜を設け、さらにAu膜の
上にTa膜を設けたＸ線リソグラフイー用マスク
を開示するが、その製法の記載はない。本発明者
は、まず、これらの膜を成膜し、上層のTa膜を
CCl4／Cl2混合ガスのリアクテイブイオンエツチ
ングによつてパターニングし、次にAuはTaと異
なつてリアクテイブイオンエツチングすることが
できないので、Arイオンミリングしたが、Au膜
は台形となり、マスクとして適当でないことが判
明した。
合層の上に、接着層としてTa膜を設け、この上
にＸ線吸収体としてAu膜を設け、さらにAu膜の
上にTa膜を設けたＸ線リソグラフイー用マスク
を開示するが、その製法の記載はない。本発明者
は、まず、これらの膜を成膜し、上層のTa膜を
CCl4／Cl2混合ガスのリアクテイブイオンエツチ
ングによつてパターニングし、次にAuはTaと異
なつてリアクテイブイオンエツチングすることが
できないので、Arイオンミリングしたが、Au膜
は台形となり、マスクとして適当でないことが判
明した。
問題点
垂直にエツチングできる金属をＸ線吸収体と
し、さらにエツチングのときに、複合基層の上層
である有機層をエツチングしないバリア膜を下地
とする必要がある。
し、さらにエツチングのときに、複合基層の上層
である有機層をエツチングしないバリア膜を下地
とする必要がある。
解決手段
上記問題点は、無機層の上に有機層を設けて形
成した複合基層の上に、下地としてPt膜を有し、
この上にTa膜からなるＸ線吸収体を有すること
を特徴とするＸ線リソグラフイー用マスクによつ
て解決される。
成した複合基層の上に、下地としてPt膜を有し、
この上にTa膜からなるＸ線吸収体を有すること
を特徴とするＸ線リソグラフイー用マスクによつ
て解決される。
作 用
下地のPtは、吸収材のTaをエツチングすると
きに、基層ポリアミドのエツチングバリアとして
作用し、またレジストをアツシングするときに、
基層ポリイミドのアツシングバリアとして作用す
るばかりでなく、非剛体のポリイミド上にTa吸
収体を安定して支持することができる。Taは、
Ｘ線吸収率が大きいばかりでなく、Ptとの密着
性も良好であり、もつとも重要な利点は、
CCl4／Cl2混合ガスによるリアクテイブイオンエ
ツチングにおいてエツチング率がレジストの７〜
10倍であつて、しかも実質的に垂直にパターニン
グできることである。
きに、基層ポリアミドのエツチングバリアとして
作用し、またレジストをアツシングするときに、
基層ポリイミドのアツシングバリアとして作用す
るばかりでなく、非剛体のポリイミド上にTa吸
収体を安定して支持することができる。Taは、
Ｘ線吸収率が大きいばかりでなく、Ptとの密着
性も良好であり、もつとも重要な利点は、
CCl4／Cl2混合ガスによるリアクテイブイオンエ
ツチングにおいてエツチング率がレジストの７〜
10倍であつて、しかも実質的に垂直にパターニン
グできることである。
実施例
図面を参照して、本発明の実施態様を説明す
る。第１図は本発明の実施態様であるＸ線リソグ
ラフイー用マスク要部の断面図である。
る。第１図は本発明の実施態様であるＸ線リソグ
ラフイー用マスク要部の断面図である。
厚み600μｍのSiウエハ２に、厚み5μｍのB2N4
膜３をLPCVDで成膜し、この上にポリアミツク
酸をスピンコーテイングし、かつベーキングして
厚み5μｍのポリイミド膜４を成膜して、無機／
有機複合基層を形成し、これをパイレツクスリン
グ１に取付けた。
膜３をLPCVDで成膜し、この上にポリアミツク
酸をスピンコーテイングし、かつベーキングして
厚み5μｍのポリイミド膜４を成膜して、無機／
有機複合基層を形成し、これをパイレツクスリン
グ１に取付けた。
次に、本発明によつて、第１図に示すように、
ポリイミド膜４の上に厚み200ÅのPt膜５をスパ
ツタリングして成膜し、さらにこの上に厚み8000
ÅのTa膜６をスパツタリングして成膜した。
ポリイミド膜４の上に厚み200ÅのPt膜５をスパ
ツタリングして成膜し、さらにこの上に厚み8000
ÅのTa膜６をスパツタリングして成膜した。
PMMAレジスト７をスピンコーテイング、か
つベーキングし、電子線露光してTa膜６上にレ
ジストパターンを形成し、このレジストをマスク
としてCCl4／Cl2リアクテイブイオンエツチング
してTa膜を垂直に加工した（第２図）。レジスト
７はO2プラズマアツシングし、露出したPt膜５
はArスパツタリングして除去し、Ta膜６の下に
のみPt膜５を残した。次に、ポリイミド保護膜
８を成膜し、最後にSiウエハ２をH3PO4／HNO3
混酸でバツクエツチングして、パイレツクスリン
グ１内の部分を除いて、マスク完成した（第３
図）。
つベーキングし、電子線露光してTa膜６上にレ
ジストパターンを形成し、このレジストをマスク
としてCCl4／Cl2リアクテイブイオンエツチング
してTa膜を垂直に加工した（第２図）。レジスト
７はO2プラズマアツシングし、露出したPt膜５
はArスパツタリングして除去し、Ta膜６の下に
のみPt膜５を残した。次に、ポリイミド保護膜
８を成膜し、最後にSiウエハ２をH3PO4／HNO3
混酸でバツクエツチングして、パイレツクスリン
グ１内の部分を除いて、マスク完成した（第３
図）。
発明の効果
本発明によれば、線幅および線間が0.5μｍ程度
のパターンの形成に使用できるＸ線リソグラフイ
ー用マスクを提供することができる。
のパターンの形成に使用できるＸ線リソグラフイ
ー用マスクを提供することができる。
第１図は本発明のＸ線リソグラフイー用マスク
の実施態様の要部断面図であり、第２図は本発明
のＸ線リソグラフイー用マスクの吸収体形成工程
を示す断面図であり、第３図は本発明のＸ線リソ
グラフイー用マスクの実施態様の断面図である。 １……パイレツクスリング、２……Siウエハ、
３……複合基層の無機層、４……複合基層の有機
層、５……Pt膜、６……Ta膜、７……レジスト、
８……保護膜。
の実施態様の要部断面図であり、第２図は本発明
のＸ線リソグラフイー用マスクの吸収体形成工程
を示す断面図であり、第３図は本発明のＸ線リソ
グラフイー用マスクの実施態様の断面図である。 １……パイレツクスリング、２……Siウエハ、
３……複合基層の無機層、４……複合基層の有機
層、５……Pt膜、６……Ta膜、７……レジスト、
８……保護膜。
Claims (1)
- １ 無機層の上に有機層を設けて形成した複合基
層の上に、下地として白金（Pt）膜を有し、こ
の上にタンタル（Ta）膜から成るＸ線吸収体を
有することを特徴とするＸ線リソグラフイー用マ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178262A JPS6158233A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | Ｘ線リソグラフイ−用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178262A JPS6158233A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | Ｘ線リソグラフイ−用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6158233A JPS6158233A (ja) | 1986-03-25 |
| JPH0340498B2 true JPH0340498B2 (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=16045412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59178262A Granted JPS6158233A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | Ｘ線リソグラフイ−用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6158233A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63210845A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Hitachi Ltd | 欠陥修正方法 |
| JP2012126113A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Tohoku Univ | 金属デポジションを用いたナノインプリント金型の製造方法 |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP59178262A patent/JPS6158233A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6158233A (ja) | 1986-03-25 |
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