JPS58154652A - 感ガス素子 - Google Patents
感ガス素子Info
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- JPS58154652A JPS58154652A JP3656082A JP3656082A JPS58154652A JP S58154652 A JPS58154652 A JP S58154652A JP 3656082 A JP3656082 A JP 3656082A JP 3656082 A JP3656082 A JP 3656082A JP S58154652 A JPS58154652 A JP S58154652A
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- JP
- Japan
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- gas
- substrate
- heat
- sensitive element
- heating element
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、発熱体を有する感ガス素子１ユ関する０
〔発明の技術的背景とその問題点〕
気体に接触して電気偵号を発する感ガス素子４二は橋々
のものがある。ガス感応体としてＺｎ０％６ｎＯ。
のものがある。ガス感応体としてＺｎ０％６ｎＯ。
糸勢の金属酸化物半導体を用いるもの、ジルコニア等の
固体亀′Ｓ貿ン用いるもの勢には、寥諷より嶋い動作ｆ
ｆ１度で作動させることが必賛なものがあり、独立のセ
ン？素子として用いる場合は、素子に適当な発熱体を具
備する必賛がある。
固体亀′Ｓ貿ン用いるもの勢には、寥諷より嶋い動作ｆ
ｆ１度で作動させることが必賛なものがあり、独立のセ
ン？素子として用いる場合は、素子に適当な発熱体を具
備する必賛がある。
従来、発熱体を有Ｔる感ガス素子の構造としては、次の
ようなものがある。第１図６；示すように、ガス感応体
Ｑｌ（二発熱体として金属縁ヒーメａＩＪｗｓｉ設した
＊ａや、第２図に示すような円筒形基板？υの外向Ｃ：
１１極Ｖ設け、この上に犀膜励ガス感応体（ハ）を設け
、リード１ＩＩｉｉ（ハ）をとりだし円筒形基板の中！
２部に発熱体として盆！１４線ヒーターを一人した橘這
のものである。しかしながら第１図のようζ；省属縁ヒ
ータＶ堀設した４１！遺の感ガス素子はこの金属線ヒー
タＶ埋設しプレスもしくは鈎城等で成形するというａｍ
な工程が必要であり、また第２図にかすような円筒形基
板ｌ用いる構造の感ガス素子は、円筒面上（二感ガス厚
麟を設けるため、スプレー塗布や離（二よる塗布が行な
われており、品貿か不均一であるという問題かあった。
ようなものがある。第１図６；示すように、ガス感応体
Ｑｌ（二発熱体として金属縁ヒーメａＩＪｗｓｉ設した
＊ａや、第２図に示すような円筒形基板？υの外向Ｃ：
１１極Ｖ設け、この上に犀膜励ガス感応体（ハ）を設け
、リード１ＩＩｉｉ（ハ）をとりだし円筒形基板の中！
２部に発熱体として盆！１４線ヒーターを一人した橘這
のものである。しかしながら第１図のようζ；省属縁ヒ
ータＶ堀設した４１！遺の感ガス素子はこの金属線ヒー
タＶ埋設しプレスもしくは鈎城等で成形するというａｍ
な工程が必要であり、また第２図にかすような円筒形基
板ｌ用いる構造の感ガス素子は、円筒面上（二感ガス厚
麟を設けるため、スプレー塗布や離（二よる塗布が行な
われており、品貿か不均一であるという問題かあった。
このような問題な解決するため、平板状の基板にガスｇ
応体、発熱体としてのヒータ等を設けるものがある′。
応体、発熱体としてのヒータ等を設けるものがある′。
しかし、このような構造では、リード縁の散出方法およ
び懸架方法等ｉ二問題があり、このためクーシング勢に
平板状の基板を機械的に固定しリード線ｌ取り出す方法
がとられる。ここで問題となるのは熱損失である。すな
わち基板からケーシングとの固定ｌｌｖ通してのケーシ
ングへの熱伝導があるため、基板上のガス感応体の加熱
が効率的シニ行なわれなかった。この熱伝導による熱損
失を補うためヒータ負荷が大きくなり１ひいてはヒータ
の寿命Ｖ縮めることとなる。また、ケーシング等への熱
伝導があるため、ガス感応体の均一な加熱が充分には行
なわれないという開題点があった。
び懸架方法等ｉ二問題があり、このためクーシング勢に
平板状の基板を機械的に固定しリード線ｌ取り出す方法
がとられる。ここで問題となるのは熱損失である。すな
わち基板からケーシングとの固定ｌｌｖ通してのケーシ
ングへの熱伝導があるため、基板上のガス感応体の加熱
が効率的シニ行なわれなかった。この熱伝導による熱損
失を補うためヒータ負荷が大きくなり１ひいてはヒータ
の寿命Ｖ縮めることとなる。また、ケーシング等への熱
伝導があるため、ガス感応体の均一な加熱が充分には行
なわれないという開題点があった。
この発明は以上の点を考慮してなされたもので、熱損失
を低減し、発熱体によるガス感応体の加熱’ｔ’ｖＩＪ
率的、かつ均一に行なうことかでき、さらに発熱体の寿
命の長い感ガス素子を提供するものである。
を低減し、発熱体によるガス感応体の加熱’ｔ’ｖＩＪ
率的、かつ均一に行なうことかでき、さらに発熱体の寿
命の長い感ガス素子を提供するものである。
〔発明Ｑ〕ｌｌ／１景〕
すなわちこの発明は、平板状の基板にガス感応体及び発
熱体を有Ｔる感ガス素子において、この基板のガス感応
体及び発熱体を含む領域の周囲の基板部分に、断熱領域
を設けた感ガス素子である。
熱体を有Ｔる感ガス素子において、この基板のガス感応
体及び発熱体を含む領域の周囲の基板部分に、断熱領域
を設けた感ガス素子である。
例えば、ｗｒ熱領域として、基板に２本の切り込み部な
設け、この２本の切り込み部にはさまれた基＆領域に、
ガス感応体及び発熱体を設けることにより、この基板領
域から基板の外周部への熱伝導が減少し、熱損失が減少
する。よって発熱体によるガス感応体の加熱は効率的か
つ均一に行なわれる。またこの効率的加熱により発熱体
の負荷が少なくてすみ、ひいては、発熱体の寿命が延び
ることとなる。特にこの様な切り込み部からなる断熱領
域を設ける場合は製造が極めて容重であり、量産性−二
富んだものとナル。
設け、この２本の切り込み部にはさまれた基＆領域に、
ガス感応体及び発熱体を設けることにより、この基板領
域から基板の外周部への熱伝導が減少し、熱損失が減少
する。よって発熱体によるガス感応体の加熱は効率的か
つ均一に行なわれる。またこの効率的加熱により発熱体
の負荷が少なくてすみ、ひいては、発熱体の寿命が延び
ることとなる。特にこの様な切り込み部からなる断熱領
域を設ける場合は製造が極めて容重であり、量産性−二
富んだものとナル。
この発明の実施例を、図を参照して説明する。
第３図−）は、この発明感ガス素子の一実施例を示す平
ｔｈ１図であり、第３図１ｂｌは第３図（１）中ムーム
１５−て切断した断ｉｏ図である。耐熱性かつ電気的絶
縁性の例えばアルミナからなる平板状の基板ｅｌＪ （
：、断熱領域として２本の切り込み部（９）、（ト）が
設けられている。この２本の切り込み部−１（ト）には
さまれた領域６二例えば酸化物半尋体等のガス感応体■
が設けられている。また、基板Ｃυを介してガス感応体
Ｃ（々の裏側（１発熱体として例えばＲｕｂ、ペースト
や）金員ペーストからなるヒータ關が設けられている。
ｔｈ１図であり、第３図１ｂｌは第３図（１）中ムーム
１５−て切断した断ｉｏ図である。耐熱性かつ電気的絶
縁性の例えばアルミナからなる平板状の基板ｅｌＪ （
：、断熱領域として２本の切り込み部（９）、（ト）が
設けられている。この２本の切り込み部−１（ト）には
さまれた領域６二例えば酸化物半尋体等のガス感応体■
が設けられている。また、基板Ｃυを介してガス感応体
Ｃ（々の裏側（１発熱体として例えばＲｕｂ、ペースト
や）金員ペーストからなるヒータ關が設けられている。
さらＣ二このヒータ（２）には電極（至）、−か設けら
れ、ガス感応体（至）（−は、電極（至）、ｅ７）が設
けられている。
れ、ガス感応体（至）（−は、電極（至）、ｅ７）が設
けられている。
このようＣ二構成された感ガス素子においては、切り込
み部（２）、（ハ）からなる断熱領域が設けられている
ため、ガス感り体（至）およびヒータ（２）を含む領壊
外の基板６υの外周部への熱伝導か少なくなる。
み部（２）、（ハ）からなる断熱領域が設けられている
ため、ガス感り体（至）およびヒータ（２）を含む領壊
外の基板６υの外周部への熱伝導か少なくなる。
よって熱損失か小さくなり、ガス感応体Ｑの加熱を効率
的かつ均一に行なうことができる。
的かつ均一に行なうことができる。
マタ〜ガス感応体ｃ＆ａおよびと−タ（至）な、２本の
切り込みＳ（ロ））−にはさまれた−域内において、こ
の領域が＆板Ｓｖの外周部と接続している部分からはな
れた位置に設けることにより、基板ムυの外周部への熱
伝ｓ＃６’ｖ長くすることができ、熱損失を押えること
ができる。
切り込みＳ（ロ））−にはさまれた−域内において、こ
の領域が＆板Ｓｖの外周部と接続している部分からはな
れた位置に設けることにより、基板ムυの外周部への熱
伝ｓ＃６’ｖ長くすることができ、熱損失を押えること
ができる。
以上のようし４１１）成された感ガス＆ｉ＊ＷＩＪ奮ケ
ージングのステム（４３）に固定した状塾を謝伐図とし
【第４図に示す。−り１弟３図１ｍｌ 、ｌｂｌに示す
ような慎成ｌとる感ガス本子曲は、熱伝都性の勉い材料
からなる支持部（４４）を介してステム（４３）に接複
剤により固定されている。このように感ガス嵩子栃がケ
ーシングのステム（４３）に、−械釣（二箇−≦：固定
されているため、リード−（４５）の＊ｋｉｃには機械
的な強固さは必要ないので、９−ドー（４５）は、ワイ
ヤボンダなどの熟圧壌法、超を敦圧曹汰によりスーテム
ビン（４）と＠極（４０に接続することかできる。
ージングのステム（４３）に固定した状塾を謝伐図とし
【第４図に示す。−り１弟３図１ｍｌ 、ｌｂｌに示す
ような慎成ｌとる感ガス本子曲は、熱伝都性の勉い材料
からなる支持部（４４）を介してステム（４３）に接複
剤により固定されている。このように感ガス嵩子栃がケ
ーシングのステム（４３）に、−械釣（二箇−≦：固定
されているため、リード−（４５）の＊ｋｉｃには機械
的な強固さは必要ないので、９−ドー（４５）は、ワイ
ヤボンダなどの熟圧壌法、超を敦圧曹汰によりスーテム
ビン（４）と＠極（４０に接続することかできる。
第４図に示すように構成された本発明に係る感ガス素子
と、切り込みｚ巳けない比較例としての感ガス素子とで
１ガス感応体’Ｙ２５０’Ｃに保っ爽厭を行なった。本
発明に係る感ガス素子では、切り込み部は暢α７闘、艮
８７藺とし、２本の切り込み都は間隔５ｍとした。他は
比較例と同一とし、ｊＩｋｌにはアルミナを用い、基板
の大きさはｌＯ藺Ｘ１０５ｍとし、ヒータ（二は１ｒ−
二シｔを用いたＯこの結果、切り込み部を設けなかった
比較例としての感ガス素子は、切り込みｓｖ設けた本発
明に係る感ガス素子番＝比べ、３〜５倍の電力を要した
。このため、前記比較例としての感ガス素子（コし、使
用不能となった。一方切り込み部を設けた本発明に係る
感ガス素子においては５０００ｈｒを越えても何ら異常
はなかった０ 次に上記本発明楓；係る実施例および比賦例の温度分布
１ｍ４定した・ ｍ ５ ｊｌ １ｍｌは本発明Ｃ１係る感ガス素子（Ｊ
ＳＯ）の平向−であり、同図中ｏ −ｏ’上においての
温度分布ＶＳｓ図（ｂ＋ を二ｗ−Ｌ、 タ、 ＊ ５
＠ （ａｌ中（７）１％ １％ １％ ＩＶは基板
上の位置を示し、第５図（１１中のＩ、Ｉ、Ｉ。
と、切り込みｚ巳けない比較例としての感ガス素子とで
１ガス感応体’Ｙ２５０’Ｃに保っ爽厭を行なった。本
発明に係る感ガス素子では、切り込み部は暢α７闘、艮
８７藺とし、２本の切り込み都は間隔５ｍとした。他は
比較例と同一とし、ｊＩｋｌにはアルミナを用い、基板
の大きさはｌＯ藺Ｘ１０５ｍとし、ヒータ（二は１ｒ−
二シｔを用いたＯこの結果、切り込み部を設けなかった
比較例としての感ガス素子は、切り込みｓｖ設けた本発
明に係る感ガス素子番＝比べ、３〜５倍の電力を要した
。このため、前記比較例としての感ガス素子（コし、使
用不能となった。一方切り込み部を設けた本発明に係る
感ガス素子においては５０００ｈｒを越えても何ら異常
はなかった０ 次に上記本発明楓；係る実施例および比賦例の温度分布
１ｍ４定した・ ｍ ５ ｊｌ １ｍｌは本発明Ｃ１係る感ガス素子（Ｊ
ＳＯ）の平向−であり、同図中ｏ −ｏ’上においての
温度分布ＶＳｓ図（ｂ＋ を二ｗ−Ｌ、 タ、 ＊ ５
＠ （ａｌ中（７）１％ １％ １％ ＩＶは基板
上の位置を示し、第５図（１１中のＩ、Ｉ、Ｉ。
■に対応する。８５図１ｂｌ中ＩＩＩ縁ａは本発明に係
る感ガス素子（５０）の銀度分布！丞し、蘭−ｂは比較
例としての切り込み部を設けない感ガス素子の温度分布
を示す。切り込みＳを設けた本発明の場合の方が、切り
込みｆＢｙｘ設けない比較例の場合に比べ均一に加熱さ
れていることがわかる。
る感ガス素子（５０）の銀度分布！丞し、蘭−ｂは比較
例としての切り込み部を設けない感ガス素子の温度分布
を示す。切り込みＳを設けた本発明の場合の方が、切り
込みｆＢｙｘ設けない比較例の場合に比べ均一に加熱さ
れていることがわかる。
また、切り込みｎを設けること６二より、基板の外周部
の温度上昇も少なくなる。例えばガス感応体の温度が２
５０℃楓度の場合、ｓ５図（＆）中におけるム点、１点
では６０υ根度となり、０点、Ｄ点では、９０℃８１度
となる。従ってム、１％ Ｃ，ＤＡ１；おいて有機接着
剤！用い、この基板ｔケーシングのステムに取りつける
ことができるＱ）で、作業性がよくなる。
の温度上昇も少なくなる。例えばガス感応体の温度が２
５０℃楓度の場合、ｓ５図（＆）中におけるム点、１点
では６０υ根度となり、０点、Ｄ点では、９０℃８１度
となる。従ってム、１％ Ｃ，ＤＡ１；おいて有機接着
剤！用い、この基板ｔケーシングのステムに取りつける
ことができるＱ）で、作業性がよくなる。
以上２本の切り込み部を同方向からいれた場合について
述べたが、第６図に示すように、基板６υに反対方向か
ら切り込み部（２）、−を設け、この切り込み部図、關
にはさまれた領域＆：ガス感応体−を設けてもよい。な
お′ｓ５図中の番号は第３図中と同じである。またｉＪ
７図に示すように同一の基板（７１） ｔ： ＩＩ数の
ガス感応体Ｖ設けてもよい。丁な（８ｊ
− わち基板ｃ１ルの２本の切り込み一喪り−′七はさまれ
まれだ第２の領域６二ＳＺのガス感応体−ＩＶ設けるれ
ている。襲７図６−示すような構造は各ガス感応体の動
作温度が異なる場合特に有効である・まだと−タの位置
は第３１ＮＯ＋に示すように、基＆ｃ１Ａｌｔ−介して
ガス感応体−のａｉｍに限定する必要はない。例えばｌ
ｉ８ ＠（ａｌ、 （１１＋ｔ：示すように基板上にヒ
ータ（３３ｔ−介してガス感応体−を設けてもよい。
述べたが、第６図に示すように、基板６υに反対方向か
ら切り込み部（２）、−を設け、この切り込み部図、關
にはさまれた領域＆：ガス感応体−を設けてもよい。な
お′ｓ５図中の番号は第３図中と同じである。またｉＪ
７図に示すように同一の基板（７１） ｔ： ＩＩ数の
ガス感応体Ｖ設けてもよい。丁な（８ｊ
− わち基板ｃ１ルの２本の切り込み一喪り−′七はさまれ
まれだ第２の領域６二ＳＺのガス感応体−ＩＶ設けるれ
ている。襲７図６−示すような構造は各ガス感応体の動
作温度が異なる場合特に有効である・まだと−タの位置
は第３１ＮＯ＋に示すように、基＆ｃ１Ａｌｔ−介して
ガス感応体−のａｉｍに限定する必要はない。例えばｌ
ｉ８ ＠（ａｌ、 （１１＋ｔ：示すように基板上にヒ
ータ（３３ｔ−介してガス感応体−を設けてもよい。
＄ ８ ｔｌＡ １ｍ）、Ｔｏ） ｌ１示す構造は、基
板Ｃ３ｉ）ｉ”、２本の切り込みＳ例、關が設けられ、
この２本の切り込み１ｍＨ１Ｃ１ｉｐ：よりはさまれた
領域（ニヒータ關が設けられ、絶縁性ｍａｉｖ介してと
一夕（至）の上にガス感応体Ｃ！Ｑ′％：設けた構造で
ある。なお、ヒーターには電極間、（至）が設けられ、
ガス感応体−には電極（至）、６Ｄが設けられている。
板Ｃ３ｉ）ｉ”、２本の切り込みＳ例、關が設けられ、
この２本の切り込み１ｍＨ１Ｃ１ｉｐ：よりはさまれた
領域（ニヒータ關が設けられ、絶縁性ｍａｉｖ介してと
一夕（至）の上にガス感応体Ｃ！Ｑ′％：設けた構造で
ある。なお、ヒーターには電極間、（至）が設けられ、
ガス感応体−には電極（至）、６Ｄが設けられている。
′：５らに第９図に示すように基板Ｃ１）４二２本の切
り込み５９４１．（至）が設けられ、この２本の切り込
み部圓、霞にはさまれた領域１；ガス感応体■が設けら
れ、このガス感応体Ｑの鵬−に、このガス感応体Ｑをと
り囲むようにヒーターを設ける構造でもよい。なお、ガ
ス感応体Ｑには亀４ＩＩＩＯＩｌｉ１１Ｃ（わが、ヒー
ター覗ユは電極（２）、−が設けられている。またｔｊ
ＩＩ＆ｌＯ図（ａｌ、１ｔ＋ｌ ｔ：示すよう６ニヒー
タ關の電極−１−をガス感応体−と同一の向上に家で辱
びいてもよい。なお第１０ ＠（ａｌ、ｌ’ｂｌ中の番
号は第３図と同じものｔ示し、ｊｌ ｌ Ｑ ＠（ａｌ
、（ｂｌ仁示す構造はヒーターの電極−１＠を除いて第
３図１ｋｌ、＋餡と圓じである。
り込み５９４１．（至）が設けられ、この２本の切り込
み部圓、霞にはさまれた領域１；ガス感応体■が設けら
れ、このガス感応体Ｑの鵬−に、このガス感応体Ｑをと
り囲むようにヒーターを設ける構造でもよい。なお、ガ
ス感応体Ｑには亀４ＩＩＩＯＩｌｉ１１Ｃ（わが、ヒー
ター覗ユは電極（２）、−が設けられている。またｔｊ
ＩＩ＆ｌＯ図（ａｌ、１ｔ＋ｌ ｔ：示すよう６ニヒー
タ關の電極−１−をガス感応体−と同一の向上に家で辱
びいてもよい。なお第１０ ＠（ａｌ、ｌ’ｂｌ中の番
号は第３図と同じものｔ示し、ｊｌ ｌ Ｑ ＠（ａｌ
、（ｂｌ仁示す構造はヒーターの電極−１＠を除いて第
３図１ｋｌ、＋餡と圓じである。
以上この発明の実施例も二おいては断熱領域として基板
６：２本の切り込み部ｌ設けた場合についてのべたか、
この断熱領域としては必ずしも切り込み部である必要は
ない。例えばｊＩｌ１図に示すよう（：、基板（１１υ
に切り抜き部（ｌｌω、（１１Ｇ） 、（１１７）、Ｑ
１８）を二よって囲まれた領域Ｖ設け、この領域内にガ
ス感応体０１２）およびに−タ（図示せず）を設けた＊
遺でもよい。なおガス感応体（１１シには、電＆ （１
１４） 、（１１３）が設けられている。
６：２本の切り込み部ｌ設けた場合についてのべたか、
この断熱領域としては必ずしも切り込み部である必要は
ない。例えばｊＩｌ１図に示すよう（：、基板（１１υ
に切り抜き部（ｌｌω、（１１Ｇ） 、（１１７）、Ｑ
１８）を二よって囲まれた領域Ｖ設け、この領域内にガ
ス感応体０１２）およびに−タ（図示せず）を設けた＊
遺でもよい。なおガス感応体（１１シには、電＆ （１
１４） 、（１１３）が設けられている。
また、以上の１うな切り込み部、切り抜き都等（；より
断熱−城を設けるほかに基板に比べ熱伝尋の患い材料、
例えば８１０いＺｒ０１等を用い、断熱領域を彫成して
もよい。これらの材料を切り込み邸にはさんでもよいし
、基板中（二この材料よりなる領域ＶＭけてもよい。基
板に用いられるム４０゜と、１ＩｉｌＴ熱鎮域の材料と
して用いることのできる８１０、、Ｚｒ０１の熱伝櫓係
数を第１表に示す。
断熱−城を設けるほかに基板に比べ熱伝尋の患い材料、
例えば８１０いＺｒ０１等を用い、断熱領域を彫成して
もよい。これらの材料を切り込み邸にはさんでもよいし
、基板中（二この材料よりなる領域ＶＭけてもよい。基
板に用いられるム４０゜と、１ＩｉｌＴ熱鎮域の材料と
して用いることのできる８１０、、Ｚｒ０１の熱伝櫓係
数を第１表に示す。
ｓ１表
〔発明の効果〕
この発明によれば、基板のガス感応体及び発熱体を含む
領域の周囲の基板部分に断熱領域を設けること４二より
、熱損失が低減でき、楯熱体１：よる感ガス体の加熱が
効率的かつ掬−６二行な６れる。
領域の周囲の基板部分に断熱領域を設けること４二より
、熱損失が低減でき、楯熱体１：よる感ガス体の加熱が
効率的かつ掬−６二行な６れる。
また、熱損失が低＃、Ｔることにより、発熱体Ｑ）負荷
が低減され、ひいては発熱体の寿命がのびることになる
。
が低減され、ひいては発熱体の寿命がのびることになる
。
第１囚及び１８２図は従来σ）感ガス素子を説明するた
めの斜視図、第３因（ａｌ、（ｂｌは本発明ζ；係る感
ガス素子を説明するための図であり、第３図（ａｌは平
面図、第３図１ｂ＋は、第３図（ａｔ中ムーム′で切断
したときのｗＩＩＩｉｌＩ図、第４図は本発明に係る感
ガス素子ｔケーシングのステムにとりつけた状ＳＶ示す
斜視図、１３５図１ａｌ 、ｌｂｌは本発明に係る感ガ
ス菓子における温度分布を示すための因であり、第５図
１ｂ＋は感ガス素子の平面図、第５図１ｂ＋は第５図１
ａｌ中０−０′上の温度分布を示す温度分布因、第６図
乃至第１１因は本発明に係る感ガス素子を説明するため
の因であり、第６因、第７図、第８図（ａｌ、第９内、
＊ ｌ ０８！１．１（ａｌ及び第１１図は平ｔｅ７、
第ｓｉｃ＋ｔｅｌは１第８図（ａｌｃ１人−Ａ′で切断
したときの断ｔｈＩ囚、第１０図０）は、第１θ図１ａ
ｌ中ムーム′で切断したときの＃内因である〇 ３１・・・基 板 ３２・・・ガス感応体３３
・・・ヒータ ３４．３５・・・切り込み
部（７３１７） 代塩人 弁理士 則 近 朧 佑（
ほか１名） 第１図 第２図 〜 第３図 第４図 第５図 （ｂ） ｒ Ｉ［Ｉ［ｌ Ｉ
Ｖ第 ６ 図 ３２ 第７図 第 ８ 図 ９ヂ ３２ 第１０図
めの斜視図、第３因（ａｌ、（ｂｌは本発明ζ；係る感
ガス素子を説明するための図であり、第３図（ａｌは平
面図、第３図１ｂ＋は、第３図（ａｔ中ムーム′で切断
したときのｗＩＩＩｉｌＩ図、第４図は本発明に係る感
ガス素子ｔケーシングのステムにとりつけた状ＳＶ示す
斜視図、１３５図１ａｌ 、ｌｂｌは本発明に係る感ガ
ス菓子における温度分布を示すための因であり、第５図
１ｂ＋は感ガス素子の平面図、第５図１ｂ＋は第５図１
ａｌ中０−０′上の温度分布を示す温度分布因、第６図
乃至第１１因は本発明に係る感ガス素子を説明するため
の因であり、第６因、第７図、第８図（ａｌ、第９内、
＊ ｌ ０８！１．１（ａｌ及び第１１図は平ｔｅ７、
第ｓｉｃ＋ｔｅｌは１第８図（ａｌｃ１人−Ａ′で切断
したときの断ｔｈＩ囚、第１０図０）は、第１θ図１ａ
ｌ中ムーム′で切断したときの＃内因である〇 ３１・・・基 板 ３２・・・ガス感応体３３
・・・ヒータ ３４．３５・・・切り込み
部（７３１７） 代塩人 弁理士 則 近 朧 佑（
ほか１名） 第１図 第２図 〜 第３図 第４図 第５図 （ｂ） ｒ Ｉ［Ｉ［ｌ Ｉ
Ｖ第 ６ 図 ３２ 第７図 第 ８ 図 ９ヂ ３２ 第１０図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１平板状の基板仁ガス感応体及び発熱体を具備して
なる感ガス素子（二おいて、１紀基板の前記ガス感応体
及び１紀発熱体が設けられている領域の周囲の基板部分
に断熱領域を有することを特徴とする感ガス素子。 （２）前記基板に前記断熱領域として２本の切り込み部
が設けられ、かつこの２本の切り込みｓＣ二よってはさ
まれた基板領域じ前記ガス感応体及び１紀発熱体が設け
られていることを特徴とする特ｆ＋請求の範囲第１項記
載の感ガス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3656082A JPS58154652A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 感ガス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3656082A JPS58154652A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 感ガス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154652A true JPS58154652A (ja) | 1983-09-14 |
| JPS6151261B2 JPS6151261B2 (ja) | 1986-11-07 |
Family
ID=12473135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3656082A Granted JPS58154652A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 感ガス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154652A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0291462A2 (fr) * | 1987-05-12 | 1988-11-17 | Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. | Micro-capteur à technologie intégrée pour la détection de la présence de certains gaz |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5618381A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Ricoh Kk | Electric heater |
-
1982
- 1982-03-10 JP JP3656082A patent/JPS58154652A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5618381A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Ricoh Kk | Electric heater |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0291462A2 (fr) * | 1987-05-12 | 1988-11-17 | Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. | Micro-capteur à technologie intégrée pour la détection de la présence de certains gaz |
| FR2615287A1 (fr) * | 1987-05-12 | 1988-11-18 | Suisse Electronique Microtech | Micro-capteur a technologie integree pour la detection de la presence de certains gaz |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6151261B2 (ja) | 1986-11-07 |
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