JPS6151261B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6151261B2 JPS6151261B2 JP57036560A JP3656082A JPS6151261B2 JP S6151261 B2 JPS6151261 B2 JP S6151261B2 JP 57036560 A JP57036560 A JP 57036560A JP 3656082 A JP3656082 A JP 3656082A JP S6151261 B2 JPS6151261 B2 JP S6151261B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- sensitive
- heater
- sensitive element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
〔発明の技術分野〕
この発明は、発熱体を有する感ガス素子に関す
る。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 気体に接触して電気信号を発する感ガス素子に
は種々のものがある。ガス感応体としてZnO、
SnO2系等の金属酸化物半導体を用いるもの、ジ
ルコニア等の固体電解質を用いるもの等には、室
温より高い動作温度で作動させることが必要なも
のがあり、独立のセンサ素子として用いる場合
は、素子に適当な発熱体を具備する必要がある。 従来、発熱体を有する感ガス素子の構造として
は、次のようなものがある。第１図に示すよう
に、ガス感応体１０に発熱体として金属線ヒータ
１１を埋設した構造や、第２図に示すような円筒
形基板２１の外面に電極を設け、この上に厚膜型
ガス感応体２２を設け、リード線２３をとりだし
円筒形基板の中空部に発熱体として金属線ヒータ
２４を挿入した構造のものである。しかしながら
第１図のように金属線ヒータを埋設した構造の感
ガス素子はこの金属線ヒータを埋設しプレスもし
くは鋳型等で成形するという複雑な工程が必要で
あり、また第２図に示すような円筒形基板を用い
る構造の感ガス素子は、円筒面上に感ガス厚膜を
設けるため、スプレー塗布や筆による塗布が行な
われており、品質が不均一であるという問題があ
つた。 このような問題を解決するため、平板状の基板
にガス感応体、発熱体としてのヒータ等を設ける
ものがある。しかし、このような構造では、リー
ド線の取出方法および懸架方法等に問題があり、
このためケーシング等に平板状の基板を機械的に
固定しリード線を取り出す方法がとられる。ここ
で問題となるのは熱損失である。すなわち基板か
らケーシングとの固定部を通してのケーシングへ
の熱伝導があるため、基板上のガス感応体の加熱
が効率的に行なわれなかつた。この熱伝導による
熱損失を補うためヒータ負荷が大きくなり、ひい
てはヒータの寿命を縮めることとなる。また、ケ
ーシング等への熱伝導があるため、ガス感応体の
均一な加熱が充分には行なわれないという問題点
があつた。 〔発明の目的〕 この発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、熱損失を低減し、発熱体によるガス感応体の
加熱を効率的、かつ均一に行なうことができ、さ
らに発熱体の寿命の長い感ガス素子を提供するも
のである。 〔発明の概要〕 すなわちこの発明は、平板状の基板に接して印
刷法により形成されたガス感応体及び発熱体を具
備してなる感ガス素子において、前記基板の前記
ガス感応体及び前記発熱体が形成された領域の周
囲の基板を削除して設けられた断熱領域を有する
ことを特徴とする感ガス素子である。 例えば、断熱領域として、基板に２本の切り込
み部を設け、この２本の切り込み部にはさまれた
基板領域に、ガス感応体及び発熱体を設けること
により、この基板領域から基板の外周部への熱伝
導が減少し、熱損失が減少する。よつて発熱体に
よるガス感応体の加熱は効率的かつ均一に行なわ
れる。またこの効率的加熱により発熱体の負荷が
少なくてすみ、ひいては、発熱体の寿命が延びる
こととなる。特にこの様な切り込み部からなる断
熱領域を設ける場合は製造が極めて容易であり、
量産性に富んだものとなる。 〔発明の実施例〕 この発明の実施例を、図を参照して説明する。 第３図ａは、この発明感ガス素子の一実施例を
示す平面図であり、第３図ｂは第３図ａ中Ａ−
A′にて切断した断面図である。耐熱性かつ電気
的絶縁性の例えばアルミナからなる平板状の基板
３１に、断熱領域として２本の切り込み部３４，
３５が設けられている。この２本の切り込み部３
４，３５にはさまれた領域に例えば酸化物半導体
等のガス感応体３２が印刷法により設けられてい
る。また、基板３１を介してガス感応体３２の裏
側に発熱体として例えばRuO2ペーストや、金属
ペーストからなるヒータ３３が印刷法により設け
られている。さらにこのヒータ３３には電極３
８，３９が設けられ、ガス感応体３２には、電極
３６，３７が設けられている。 このように構成された感ガス素子においては、
切り込み部３４，３５からなる断熱領域が設けら
れているため、ガス感応体３２およびヒータ３３
を含む領域外の基板３１の外周部への熱伝導が少
なくなる。よつて熱損失が小さくなり、ガス感応
体３２の加熱を効率的かつ均一に行なうことがで
きる。 また、ガス感応体３２およびヒータ３３を、２
本の切り込み部３４，３５にはさまれた領域内に
おいて、この領域が基板３１の外周部と接続して
いる部分からはなれた位置に設けることにより、
基板３１の外周部への熱伝導路を長くすることが
でき、熱損失を押えることができる。 以上のように構成された感ガス素子４０をケー
ジングのステム４３に固定した状態を斜視図とし
て第４図に示す。前記第３図ａ，ｂに示すような
構成をとる感ガス素子４０は、熱伝導性の悪い材
料からなる支持部４４を介してステム４３に接着
剤により固定されている。このように感ガス素子
４０がケーシングのステム４３に、機械的に強固
に固定されているため、リード線４５の接続には
機械的な強固さは必要ないので、リード線４５
は、ワイヤボンダなどの熱圧着法、超音波圧着法
によりステムピン４２と電極４６に接続すること
ができる。 第４図に示すように構成された本発明に係る感
ガス素子と、切り込み部を設けない比較例として
の感ガス素子とで、ガス感応体を250℃に保つ実
験を行なつた。本発明に係る感ガス素子では、切
り込み部は幅0.7mm、長さ７mmとし、２本の切り
込み部は間隔５mmとした。他は比較例と同一と
し、基板にはアルミナを用い、基板の大きさは10
mm×10mmとし、ヒータにはRuO2を用いた。 この結果、切り込み部を設けなかつた比較例と
しての感ガス素子は、切り込み部を設けた本発明
に係る感ガス素子に比べ、３〜５倍の電力を要し
た。このため、前記比較例としての感ガス素子に
おいては、ヒータの単位面積あたりの発熱量が大
きく、約400hr程度でヒータ抵抗が大きく増加
し、使用不能となつた。一方切り込み部を設けた
本発明に係る感ガス素子においては5000hrを越え
ても何ら異常はなかつた。 次に上記本発明に係る実施例および比較例の温
度分布を測定した。 第５図ａは本発明に係る感ガス素子５０の平面
図であり、同図中０−０′上においての温度分布
を第５図ｂに示した。第５図ａ中の，，，
は基板上の位置を示し、第５図ｂ中の，，
，に対応する。第５図ｂ中曲線ａは本発明に
係る感ガス素子５０の温度分布を示し、曲線ｂは
比較例としての切り込み部を設けない感ガス素子
の温度分布を示す。切り込み部を設けた発明の場
合の方が、切り込み部を設けないう比較例の場合
に比べ均一に加熱されていることがわかる。 また、切り込み部を設けることにより、基板の
外周部の温度上昇も少なくなる。例えばガス感応
体の温度が250℃程度の場合、第５図ａ中におけ
るＡ点、Ｂ点では60℃程度となり、Ｃ点、Ｄ点で
は、90℃程度となる。従つてＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ点に
おいて有機接着剤を用い、この基板をケーシング
のステムに取りつけることができるので、作業性
がよくなる。 以上２本の切り込み部を同方向からいれた場合
について述べたが、第６図に示すように、基板３
１に反対方向から切り込み部３４，３５を設け、
この切り込み部３４，３５にはさまれた領域にガ
ス感応体３２を設けてもよい。なお第５図中の番
号は第３図中と同じである。また第７図に示すよ
うに同一の基板７１に複数のガス感応体を設けて
もよい。すなわち基板３１の２本の切り込み部３
５′，３４′にはさまれた第１の領域に第１のガス
感応体３２′を設け、同一の基板３１で、他の２
本の切り込み部３５″，３４″にはさまれた第２の
領域に第２のガス感応体３２″を設けるものであ
り、第１のガス感応体３２″、第２のガス感応体
３２″にはそれぞれ電極３７′，３６′，３７″，３
６″が設けられている。第７図に示すような構造
は各ガス感応体の動作温度が異なる場合特に有効
である。 またヒータの位置は第３図ｂに示すように、基
板３１を介してガス感応体３２の裏側に限定する
必要はない。例えば第８図ａ，ｂに示すように基
板上にヒータ３３を介してガス感応体３２を設け
てもよい。第８図ａ，ｂに示す構造は、基板３１
に、２本の切り込み部３４，３５が設けられ、こ
の２本の切り込み部３４，３５によりはさまれた
領域にヒータ３３が設けられ、絶縁性膜３０を介
してヒータ３３の上にガス感応体３２を設けた構
造である。なお、ヒータ３３には電極３８，３９
が設けられ、ガス感応体３２には電極３６，３７
が設けられている。さらに第９図に示すように基
板３１に２本の切り込み部３４，３５が設けら
れ、この２本の切り込み部３４，３５にはさまれ
た領域にガス感応体３２が設けられ、このガス感
応体３２の周囲に、このガス感応体３２をとり囲
むようにヒータ３３を設ける構造でもよい。な
お、ガス感応体３２には電極３６，３７が、ヒー
タ３３には電極３８，３９が設けられている。ま
た第１０図ａ，ｂに示すようにヒータ３３の電極
３８，３９をガス感応体３２と同一の面上にまで
導びいてもよい。なお第１０図ａ，ｂ中の番号は
第３図と同じものを示し、第１０図ａ，ｂに示す
構造はヒータ３３の電極３８，３９を除いて第３
図ａ，ｂと同じである。 以上この発明の実施例においては断熱領域とし
て基板に２本の切り込み部を設けた場合について
のべたが、この断熱領域としては必ずしも切り込
み部である必要はない。例えば第１１図に示すよ
うに、基板１１１に切り抜き部１１５，１１６，
１１７，１１８によつて囲まれた領域を設け、こ
の領域内にガス感応体１１２およびヒータ（図示
せず）を設けた構造でもよい。なおガス感応体１
１２には、電極１１４，１１３が設けられてい
る。 また、以上のような切り込み部、切り抜き部等
により断熱領域を設けるほかに基板に比べ熱伝導
の悪い材料、例えばSiO2、ZrO2等を用い、断熱
領域を形成してもよい。これらの材料を切り込み
部にはさんでもよいし、基板中にこの材料よりな
る領域を設けてもよい。基板に用いられるAl2O3
と、断熱領域の材料として用いることのできる
SiO2、ZrO2の熱伝導係数を第１表に示す。
る。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 気体に接触して電気信号を発する感ガス素子に
は種々のものがある。ガス感応体としてZnO、
SnO2系等の金属酸化物半導体を用いるもの、ジ
ルコニア等の固体電解質を用いるもの等には、室
温より高い動作温度で作動させることが必要なも
のがあり、独立のセンサ素子として用いる場合
は、素子に適当な発熱体を具備する必要がある。 従来、発熱体を有する感ガス素子の構造として
は、次のようなものがある。第１図に示すよう
に、ガス感応体１０に発熱体として金属線ヒータ
１１を埋設した構造や、第２図に示すような円筒
形基板２１の外面に電極を設け、この上に厚膜型
ガス感応体２２を設け、リード線２３をとりだし
円筒形基板の中空部に発熱体として金属線ヒータ
２４を挿入した構造のものである。しかしながら
第１図のように金属線ヒータを埋設した構造の感
ガス素子はこの金属線ヒータを埋設しプレスもし
くは鋳型等で成形するという複雑な工程が必要で
あり、また第２図に示すような円筒形基板を用い
る構造の感ガス素子は、円筒面上に感ガス厚膜を
設けるため、スプレー塗布や筆による塗布が行な
われており、品質が不均一であるという問題があ
つた。 このような問題を解決するため、平板状の基板
にガス感応体、発熱体としてのヒータ等を設ける
ものがある。しかし、このような構造では、リー
ド線の取出方法および懸架方法等に問題があり、
このためケーシング等に平板状の基板を機械的に
固定しリード線を取り出す方法がとられる。ここ
で問題となるのは熱損失である。すなわち基板か
らケーシングとの固定部を通してのケーシングへ
の熱伝導があるため、基板上のガス感応体の加熱
が効率的に行なわれなかつた。この熱伝導による
熱損失を補うためヒータ負荷が大きくなり、ひい
てはヒータの寿命を縮めることとなる。また、ケ
ーシング等への熱伝導があるため、ガス感応体の
均一な加熱が充分には行なわれないという問題点
があつた。 〔発明の目的〕 この発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、熱損失を低減し、発熱体によるガス感応体の
加熱を効率的、かつ均一に行なうことができ、さ
らに発熱体の寿命の長い感ガス素子を提供するも
のである。 〔発明の概要〕 すなわちこの発明は、平板状の基板に接して印
刷法により形成されたガス感応体及び発熱体を具
備してなる感ガス素子において、前記基板の前記
ガス感応体及び前記発熱体が形成された領域の周
囲の基板を削除して設けられた断熱領域を有する
ことを特徴とする感ガス素子である。 例えば、断熱領域として、基板に２本の切り込
み部を設け、この２本の切り込み部にはさまれた
基板領域に、ガス感応体及び発熱体を設けること
により、この基板領域から基板の外周部への熱伝
導が減少し、熱損失が減少する。よつて発熱体に
よるガス感応体の加熱は効率的かつ均一に行なわ
れる。またこの効率的加熱により発熱体の負荷が
少なくてすみ、ひいては、発熱体の寿命が延びる
こととなる。特にこの様な切り込み部からなる断
熱領域を設ける場合は製造が極めて容易であり、
量産性に富んだものとなる。 〔発明の実施例〕 この発明の実施例を、図を参照して説明する。 第３図ａは、この発明感ガス素子の一実施例を
示す平面図であり、第３図ｂは第３図ａ中Ａ−
A′にて切断した断面図である。耐熱性かつ電気
的絶縁性の例えばアルミナからなる平板状の基板
３１に、断熱領域として２本の切り込み部３４，
３５が設けられている。この２本の切り込み部３
４，３５にはさまれた領域に例えば酸化物半導体
等のガス感応体３２が印刷法により設けられてい
る。また、基板３１を介してガス感応体３２の裏
側に発熱体として例えばRuO2ペーストや、金属
ペーストからなるヒータ３３が印刷法により設け
られている。さらにこのヒータ３３には電極３
８，３９が設けられ、ガス感応体３２には、電極
３６，３７が設けられている。 このように構成された感ガス素子においては、
切り込み部３４，３５からなる断熱領域が設けら
れているため、ガス感応体３２およびヒータ３３
を含む領域外の基板３１の外周部への熱伝導が少
なくなる。よつて熱損失が小さくなり、ガス感応
体３２の加熱を効率的かつ均一に行なうことがで
きる。 また、ガス感応体３２およびヒータ３３を、２
本の切り込み部３４，３５にはさまれた領域内に
おいて、この領域が基板３１の外周部と接続して
いる部分からはなれた位置に設けることにより、
基板３１の外周部への熱伝導路を長くすることが
でき、熱損失を押えることができる。 以上のように構成された感ガス素子４０をケー
ジングのステム４３に固定した状態を斜視図とし
て第４図に示す。前記第３図ａ，ｂに示すような
構成をとる感ガス素子４０は、熱伝導性の悪い材
料からなる支持部４４を介してステム４３に接着
剤により固定されている。このように感ガス素子
４０がケーシングのステム４３に、機械的に強固
に固定されているため、リード線４５の接続には
機械的な強固さは必要ないので、リード線４５
は、ワイヤボンダなどの熱圧着法、超音波圧着法
によりステムピン４２と電極４６に接続すること
ができる。 第４図に示すように構成された本発明に係る感
ガス素子と、切り込み部を設けない比較例として
の感ガス素子とで、ガス感応体を250℃に保つ実
験を行なつた。本発明に係る感ガス素子では、切
り込み部は幅0.7mm、長さ７mmとし、２本の切り
込み部は間隔５mmとした。他は比較例と同一と
し、基板にはアルミナを用い、基板の大きさは10
mm×10mmとし、ヒータにはRuO2を用いた。 この結果、切り込み部を設けなかつた比較例と
しての感ガス素子は、切り込み部を設けた本発明
に係る感ガス素子に比べ、３〜５倍の電力を要し
た。このため、前記比較例としての感ガス素子に
おいては、ヒータの単位面積あたりの発熱量が大
きく、約400hr程度でヒータ抵抗が大きく増加
し、使用不能となつた。一方切り込み部を設けた
本発明に係る感ガス素子においては5000hrを越え
ても何ら異常はなかつた。 次に上記本発明に係る実施例および比較例の温
度分布を測定した。 第５図ａは本発明に係る感ガス素子５０の平面
図であり、同図中０−０′上においての温度分布
を第５図ｂに示した。第５図ａ中の，，，
は基板上の位置を示し、第５図ｂ中の，，
，に対応する。第５図ｂ中曲線ａは本発明に
係る感ガス素子５０の温度分布を示し、曲線ｂは
比較例としての切り込み部を設けない感ガス素子
の温度分布を示す。切り込み部を設けた発明の場
合の方が、切り込み部を設けないう比較例の場合
に比べ均一に加熱されていることがわかる。 また、切り込み部を設けることにより、基板の
外周部の温度上昇も少なくなる。例えばガス感応
体の温度が250℃程度の場合、第５図ａ中におけ
るＡ点、Ｂ点では60℃程度となり、Ｃ点、Ｄ点で
は、90℃程度となる。従つてＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ点に
おいて有機接着剤を用い、この基板をケーシング
のステムに取りつけることができるので、作業性
がよくなる。 以上２本の切り込み部を同方向からいれた場合
について述べたが、第６図に示すように、基板３
１に反対方向から切り込み部３４，３５を設け、
この切り込み部３４，３５にはさまれた領域にガ
ス感応体３２を設けてもよい。なお第５図中の番
号は第３図中と同じである。また第７図に示すよ
うに同一の基板７１に複数のガス感応体を設けて
もよい。すなわち基板３１の２本の切り込み部３
５′，３４′にはさまれた第１の領域に第１のガス
感応体３２′を設け、同一の基板３１で、他の２
本の切り込み部３５″，３４″にはさまれた第２の
領域に第２のガス感応体３２″を設けるものであ
り、第１のガス感応体３２″、第２のガス感応体
３２″にはそれぞれ電極３７′，３６′，３７″，３
６″が設けられている。第７図に示すような構造
は各ガス感応体の動作温度が異なる場合特に有効
である。 またヒータの位置は第３図ｂに示すように、基
板３１を介してガス感応体３２の裏側に限定する
必要はない。例えば第８図ａ，ｂに示すように基
板上にヒータ３３を介してガス感応体３２を設け
てもよい。第８図ａ，ｂに示す構造は、基板３１
に、２本の切り込み部３４，３５が設けられ、こ
の２本の切り込み部３４，３５によりはさまれた
領域にヒータ３３が設けられ、絶縁性膜３０を介
してヒータ３３の上にガス感応体３２を設けた構
造である。なお、ヒータ３３には電極３８，３９
が設けられ、ガス感応体３２には電極３６，３７
が設けられている。さらに第９図に示すように基
板３１に２本の切り込み部３４，３５が設けら
れ、この２本の切り込み部３４，３５にはさまれ
た領域にガス感応体３２が設けられ、このガス感
応体３２の周囲に、このガス感応体３２をとり囲
むようにヒータ３３を設ける構造でもよい。な
お、ガス感応体３２には電極３６，３７が、ヒー
タ３３には電極３８，３９が設けられている。ま
た第１０図ａ，ｂに示すようにヒータ３３の電極
３８，３９をガス感応体３２と同一の面上にまで
導びいてもよい。なお第１０図ａ，ｂ中の番号は
第３図と同じものを示し、第１０図ａ，ｂに示す
構造はヒータ３３の電極３８，３９を除いて第３
図ａ，ｂと同じである。 以上この発明の実施例においては断熱領域とし
て基板に２本の切り込み部を設けた場合について
のべたが、この断熱領域としては必ずしも切り込
み部である必要はない。例えば第１１図に示すよ
うに、基板１１１に切り抜き部１１５，１１６，
１１７，１１８によつて囲まれた領域を設け、こ
の領域内にガス感応体１１２およびヒータ（図示
せず）を設けた構造でもよい。なおガス感応体１
１２には、電極１１４，１１３が設けられてい
る。 また、以上のような切り込み部、切り抜き部等
により断熱領域を設けるほかに基板に比べ熱伝導
の悪い材料、例えばSiO2、ZrO2等を用い、断熱
領域を形成してもよい。これらの材料を切り込み
部にはさんでもよいし、基板中にこの材料よりな
る領域を設けてもよい。基板に用いられるAl2O3
と、断熱領域の材料として用いることのできる
SiO2、ZrO2の熱伝導係数を第１表に示す。
この発明によれば、基板のガス感応体及び発熱
体を含む領域の周囲の基板部分に断熱領域を設け
ることにより、熱損失が低減でき、発熱体による
感ガス体の加熱が効率的かつ均一に行なわれる。
また、熱損失が低減することにより、発熱体の負
荷が低減され、ひいては発熱体の寿命がのびるこ
とになる。
体を含む領域の周囲の基板部分に断熱領域を設け
ることにより、熱損失が低減でき、発熱体による
感ガス体の加熱が効率的かつ均一に行なわれる。
また、熱損失が低減することにより、発熱体の負
荷が低減され、ひいては発熱体の寿命がのびるこ
とになる。
第１図及び第２図は従来の感ガス素子を説明す
るための斜視図、第３図ａ，ｂは本発明に係る感
ガス素子を説明するための図であり、第３図ａは
平面図、第３図ｂは、第３図ａ中Ａ−A′で切断
したときの断面図、第４図は本発明に係る感ガス
素子をケーシングのステムにとりつけた状態を示
す斜視図、第５図ａ，ｂは本発明に係る感ガス素
子における温度分布を示すための図であり、第５
図ａは感ガス素子の平面図、第５図ｂは第５図ａ
中０−０′上の温度分布を示す温度分布図、第６
図乃至第１１図は本発明に係る感ガス素子を説明
するための図であり、第６図、第７図、第８図
ａ、第９図、第１０図ａ及び第１１図は平面図、
第８図ｂは、第８図ａ中Ａ−A′で切断したとき
の断面図、第１０図ｂは、第１０図ａ中Ａ−
A′で切断したときの断面図である。 ３１……基板、３２……ガス感応体、３３……
ヒータ、３４，３５……切り込み部。
るための斜視図、第３図ａ，ｂは本発明に係る感
ガス素子を説明するための図であり、第３図ａは
平面図、第３図ｂは、第３図ａ中Ａ−A′で切断
したときの断面図、第４図は本発明に係る感ガス
素子をケーシングのステムにとりつけた状態を示
す斜視図、第５図ａ，ｂは本発明に係る感ガス素
子における温度分布を示すための図であり、第５
図ａは感ガス素子の平面図、第５図ｂは第５図ａ
中０−０′上の温度分布を示す温度分布図、第６
図乃至第１１図は本発明に係る感ガス素子を説明
するための図であり、第６図、第７図、第８図
ａ、第９図、第１０図ａ及び第１１図は平面図、
第８図ｂは、第８図ａ中Ａ−A′で切断したとき
の断面図、第１０図ｂは、第１０図ａ中Ａ−
A′で切断したときの断面図である。 ３１……基板、３２……ガス感応体、３３……
ヒータ、３４，３５……切り込み部。
Claims (1)
- １ 平板状の基板に接して印刷法により形成され
たガス感応体及び発熱体を具備してなる感ガス素
子において、前記基板の前記ガス感応体及び前記
発熱体が形成された領域の周囲の基板を削除して
設けられた断熱領域を有することを特徴とする感
ガス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3656082A JPS58154652A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 感ガス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3656082A JPS58154652A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 感ガス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154652A JPS58154652A (ja) | 1983-09-14 |
| JPS6151261B2 true JPS6151261B2 (ja) | 1986-11-07 |
Family
ID=12473135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3656082A Granted JPS58154652A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 感ガス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154652A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2615287B1 (fr) * | 1987-05-12 | 1989-10-06 | Suisse Electronique Microtech | Micro-capteur a technologie integree pour la detection de la presence de certains gaz |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5618381A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Ricoh Kk | Electric heater |
-
1982
- 1982-03-10 JP JP3656082A patent/JPS58154652A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5618381A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Ricoh Kk | Electric heater |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58154652A (ja) | 1983-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20180027639A (ko) | 센서 소자 및 센서 소자를 조립하는 방법 | |
| JPH08219900A (ja) | 白金温度センサ | |
| JPH0868699A (ja) | サーミスタセンサ | |
| US4596975A (en) | Thermally insulative mounting with solid state device | |
| JPS6151261B2 (ja) | ||
| US11828490B2 (en) | Ceramic heater for heating water in an appliance | |
| JP6856334B2 (ja) | ヒータ | |
| JP2006308505A (ja) | 温度センサ | |
| JPS628134B2 (ja) | ||
| JPH06169109A (ja) | 熱電素子 | |
| JPS61193392A (ja) | 電熱器 | |
| JPS64812B2 (ja) | ||
| JPH03265505A (ja) | 沿面放電オゾナイザ | |
| JPS62220850A (ja) | 雰囲気検出装置 | |
| JPH04268775A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JP2570428B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2548866Y2 (ja) | 正特性サーミスタ装置 | |
| JP2006041192A (ja) | 熱電素子 | |
| JPH0613164A (ja) | 発熱体構造 | |
| CN114286461A (zh) | 一种用于真空设备中基片加热的加热器 | |
| JP2002015838A (ja) | 抵抗発熱体及びその製造方法 | |
| JPH0216147Y2 (ja) | ||
| JPS6324440Y2 (ja) | ||
| JP2533751B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0110881Y2 (ja) |