JPS6383649A - 排気ガスセンサ - Google Patents

排気ガスセンサ

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JPS6383649A
JPS6383649A JP23029286A JP23029286A JPS6383649A JP S6383649 A JPS6383649 A JP S6383649A JP 23029286 A JP23029286 A JP 23029286A JP 23029286 A JP23029286 A JP 23029286A JP S6383649 A JPS6383649 A JP S6383649A
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exhaust gas
sprayed film
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Kazufumi Hirata
平田 和文
Katsuhiro Yokomizo
横溝 克広
Kazuo Okinaga
一夫 翁長
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Mazda Motor Corp
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Figaro Engineering Inc
Mazda Motor Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「発明の利用分野] この発明は、金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用し
た排気ガスセンサの改良に関し、特に半導体の基体から
の脱落の防止と、電極の保護とに関する。
[従来技術] 耐熱絶縁性基体に設けたキャビティに、金属酸化物半導
体からなるガス検知片を収容した、排気ガスセンサが知
られている(例えば特開昭57−3037興)  春1
日弁1’ニー 1+ ’−箇七゛ノ斗?−!汁11ブ捺
奸j   目下の問題に直面した。
第1に、検知片をキャビティに保持することが、困難で
ある。検知片とキャビティとの密着強度を増すため、キ
ャビティに半導体を充てんして焼結しても、焼結時の収
縮のため検知片はキャビティから遊離してしまう。半導
体をプレス等によりキャビティと別に成型すると、この
問題はさらに著しくなる。ここで無機セメント等により
検知片を固着することは可能であるが、セメントを用い
ろとセンサ特性が劣化する。
第2に、電極の保護が難しい。電極は振動等の外力に対
しても、また排気ガス中の固体粒子等による研削に対し
ても、保護を行う必要がある。さらに排気ガスとの接触
を制限し、化学的腐蝕に対してら保護する必要がある。
ここでアルミナ等の薄層をラミネートし、電極を保護す
ることは可能である。しかし精度良くラミネートするこ
とは難しいし、ラミネート膜の焼結温度は一般に高く、
センサ特性に影響を与える。
「発明の課題」 コノ発明は、検知片のキャビティへの保持強度を高め、
かつ電極に対して充分な保護を与えることを課題とする
[発明の構成] この発明の排気ガスセンサは、耐熱絶縁性基体に設けた
キャビティに、ガスにより抵抗値が変化する金属酸化物
半導体に少なくとも一対の電極を接続したガス検知片を
収容したものにおいて、ガス検知片および検知片の周囲
の電極の露出部を溶射膜により保護したことを特徴とす
る。
溶射膜は緻密質、あるいは多孔質のいずれをも用いるこ
とができ、検知片の脱落を防止すると共に、電極を機械
的に保護しかつ電極への排気ガスの影響を緩和する。
[実施例コ 第1図(a)に溶射前の排気ガスセンサを、(b)、(
c)、(d]こ溶射後の排気ガスセンサを示す。図にお
いて、(2)はアルミナ等の耐熱絶縁性基板であり、そ
の先端には2つのキャビティ(4)、(6)を設ける。
キャビティ(4)には、例えばn形の金属酸化物半導体
、Ba5nOz、T iOt、5nOt等をプレス成型
後に焼結したn形ガス検知片(8)を収容する。同様に
キャビティ(6)には、p形の金属酸化物半導体、5r
Ti03、S rF eo 3゜L aC。
03等を成型し焼結したp形ガス検知片(10)を収容
する。検知片(8)、(10)はプレス成型によらず、
キャビティに充てんして焼結しても良い。検知片(8)
、(l O)に各1対の線状電極(12)を接続し、基
板(2)に設けた溝(14)に収容する5(16)は電
極(12)に接続した外部リード、(18)はヒータ(
20)に接続した外部リードである。
基板(2)の上から、適当なマスクを介して溶射M(2
2)を設ける。マスクの形状は、例えば第3図(a)に
示すように検知片(8)の4周から一定の幅りだけせり
出したもの、あるいは第3図(b)に示すように両側か
ら幅りだけせり出したもの、等を用いる。検知片(8)
、(10)への溶射膜(22)の開口部を(24)、(
26)として示す。
溶射膜(22)は多孔質、あるいは緻密質のいずれを用
いても良く、ここでは30μ厚のA1*O*やTi0z
を用いた多孔質膜と、80μ厚のMg−A1.O,を用
いた緻密質膜の両者を用いた。なお溶射条件は、緻密質
膜の場合で溶射電流500A。
溶射粉末の平均粒径30μであった。また多孔質膜を用
いる場合、溶射膜に酸化触媒を担持さ什ても良い。
検知片(8)、(10)は、溶射膜(22)によりキャ
ビティに保持される。溶射膜(22)による保持強度は
高く、実験によれば2.2X2゜Ommの表面の検知片
に対し、両側から0 、 I mmずっ模(22)を張
り出したものでも、充分に検知片を保持できた。
従って張り出し部りは極くわずかで良い。
次に、センサの応答特性のためには、検知片(8)、(
10)の一部にのみ溶射を施すのが良い。
応答特性への影響は主として、開口部(24)。
(26)の面積と、検知片(8)、(10)面積の比で
定まり、緻密質の場合この比を少なくとも40%以上、
より好ましくは60%以上とする。多孔質の場合は、溶
射膜(22)を介してのガスの拡散11+<右1−1 
 濾自、H十A面?−筒1ブナ、自I\ )占\1戸1
0部からのガスの拡散については、緻密質の場合と同様
であり、好ましくは開口部の面積を検知片の面積の40
%以上、より好ましくは60%以上とする。なお溶射膜
(22)は、2つの検知片(8)。
(10)の温度を均一化する作用をら持つ。
電極線(12)は、溶射時の断線を防止するため、+M
(14)に収容して溶射するのが好ましい。溝を設けな
いと、電極線が基板(2)から遊離し、溶射に伴う熱の
ため、その部分て断線する。これに対し溝に収容すると
、電極線には直接溶射されず、溝に蓋をする形で溶射が
進み、断線は生じない。
溶射後の電極部の配置を、第1図(d)に示す。
なおこの実施例では基板(2)の全体に溶射を施したが
、検知片(8)、(l O)とその周囲の電極の露出部
に施せば良く、全体に施す必要はない。例えば基板(2
)の基部は、通常能のハウジングにより別に保護されて
いるし、加熱温度ら低いためである。さらに電極(12
)は検知片(8)、(10)への接続部付近のみを線状
電極とし、他は膜状の電極としても良い。
第2図に、膜状の電極(102)を用いた実施例を示す
。(a)に溶射前の構造を、(b)、(c)に溶射後の
構造を示す。検知片(8)、(10)をキャビティ(4
)、(6)に収容した後、印刷や蒸着等により、Ptや
Pt−Rh等の貴金属の膜状電極(102)を設ける。
次いで溶射膜(22)を設けて、検知片と電極とを保護
する。この場合も、溶射は全面に施す必要はなく、検知
片とその付近の電極に施せば良いことはかわらない。
このセンサを自動車エンジンやボイラー等からの排気管
に接続し、排気ガスとヒータ(20)とにより、センサ
を加熱する。n形ガス検知片(8)とp形ガス検知片(
10)との抵抗値の積はセンサの温度に対応し、抵抗値
の比は排気ガスの空燃比に対応する。
ここで各検知片の大きさを、電極に平行方向で2 、2
 n+n+、直角方向で2mmx深さで0 、5 mm
とし、振動等の外力への耐久性を調べた。センサに加速
度30G1振動数230Hzの振動を5時間加え、振動
テストを行う。これは自動車用電装部品に対する標準的
テスト条件である。溶射を施さないものでは、セメント
で検知片を固定しない限り、全て検知片が脱落した。溶
射を施した乙のでは、厚さ30μの多孔質膜を検知片の
両側から0 、 l mmずつ仕り出したものでする、
異常は生じなかった。
次に電極(12)や(102)は溶射膜(22)により
保護され、基板(2)からの剥離や飛び出しが防止され
る。また排気ガス中の固体粒子による研削ら、同様に溶
射膜(22)で防がれる。電極に対する化学的腐蝕は、
以下のようにして防がれる。第1に溶射膜(22)のた
め、排気ガスの影響が緩和されろ。第2に、腐蝕の原因
は主として排気ガス中のカーボンであり、このカーボン
は溶射膜(22)に析出し、電極には達しない。
開口部(24)、(26)の面積と、センサの応答特性
との関係を調べた。センサをブリッジ回路に組み込み、
900℃に加熱して、雰囲気を当量比λが0.98と1
.02との間で切り替える。第4図(a)に還元側から
酸化側への応答を、(b)に酸化側から還元側への応答
を示す。センサは第1図のもので、溶射マスクは第3図
(a)の4方からせり出すものである。せり出し部の幅
をDとして表示し、センサ出力はブリッジ出力を現す。
酸化側から還元側への応答への、溶射膜の影響は小さい
(第4図(b))。しかし還元側から酸化側の応答への
影響は大きい(第4図(a))。幅りが0゜1mmでは
溶射の影響はほとんどなく、応答は溶射前のものと等し
い。0 、2 mmではやや応答が遅れている。0 、
3 mmでは応答遅れはかなり大きい。
表1〜3に、還元側から酸化側への応答に付いて、溶射
による応答遅れを示す。実験条件は第4図(a)と同じ
で、Dは溶射膜の仕り出し部の幅を現し、S、/S、は
開口部(24)、(26)と検知片(8)、(10)と
の面積の比を現す。応答の遅れとして、還元側と酸化側
の中間の出力に到達するまでの時間への溶射の影響を示
す。表1に第3図(a)のマスクパターンで、緻密質の
溶射膜を用いた際の結果を示す。表2にマスクパターン
を第3図(b)のものとし、同じく緻密質の溶射膜を用
いた際の枯里を示す一寿3には、g4竹の溶射筒で筑3
図(b)のマスクでの結果を示す。なお半導体はp形が
SrTiO3、n形がB a S n O3である。
0.1     82         ・・・0.2
     65       0.10.3     
50       0.70.5     27   
   〜20 、、l      90       
  ・・・0.35    70       0.1
0.5     55       0.70.7  
   36       1.5表 3 (多孔質) 0.2     82          ・・・0.
4      65        0.10.5  
    55        0.3全体      
0      0゜6開ロ部(24)、(26)と検知
片(8)、(10)との面積比を0.4以上、より好ま
しくは0.6以上、とすれば、溶射の影響を昔しく小さ
くできる。
なおこれらの実施例では、p形ガス検知片とn形ガス検
知片とのペアを用いたが、p形ガス検知片のみ、あるい
はn形ガス検知片のみとしても良いことはいうまでしな
い。また同種の半導体を組み合わせて、その一方を緻密
質の溶射膜で完全に覆い、サーミスタとして用いても良
い。さらにセンサの形状は自由に変形でき、例えば基体
を角柱状とし、その先端にキャビティを設けて検知片を
収容するようにしても良い。
[発明の効果] この発明では、検知片の基体からの遊離を防止できろと
ともに、電極の保護を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(b)、(c)、(d)はそれぞれ第1
の実施例を現し、第1図(a)は溶射前の排気ガスセン
サの平面図、第1図(b)は溶射後の排気ガスセンサの
平面図、第1図(c)は第1図(b)のe−C方向拡大
断面図である。第1図(d)は第1図(b)のd−d方
向拡大断面図である。 第2図(a)、(b)、(c)はそれぞれ第2の実施例
を現し、第2図(a)は溶射前の排気ガスセンサの平面
図、第2図(b)は溶射後の排気ガスセンサの平面図、
第2図(c)は第2図(b)のc−c方向拡大断面図で
ある。 第3図(a)、(b)はそれぞれ実施例で用いるマスク
パターンを現す平面図、第4図(a)、(b)はそれぞ
れ実施例の特性図である。 図において、(2)基板、(4)、(6)キャピテイ、
(8)、(10)ガス検知片、(12)、(102)電
極、(22)溶射膜、(24)、(26)開口部。 第4図(a) Time(sec) 第4図(b) Time (sec )

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)耐熱絶縁性基体に設けたキャビティに、ガスによ
    り抵抗値が変化する金属酸化物半導体に少なくとも一対
    の電極を接続したガス検知片を収容すると共に、前記ガ
    ス検知片および検知片の周囲の電極の露出部を溶射膜に
    より保護したことを特徴とする、排気ガスセンサ。
JP61230292A 1986-09-29 1986-09-29 排気ガスセンサ Expired - Fee Related JPH0799359B2 (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02114165A (ja) * 1988-10-24 1990-04-26 Figaro Eng Inc 排ガスセンサの製造方法
US4967589A (en) * 1987-12-23 1990-11-06 Ricoh Company, Ltd. Gas detecting device
JP2004219232A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガスセンサー構成体

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5518922A (en) * 1978-07-26 1980-02-09 Fuji Electric Co Ltd Oxygen sensor
JPS573037A (en) * 1980-06-07 1982-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Atmosphere detecting element
JPS5826546A (ja) * 1981-08-01 1983-02-17 ロ−ベルト・ボツシユ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング スリツプリング装置
JPS5927253A (ja) * 1982-08-06 1984-02-13 Shinei Kk ガスセンサおよびその製造法
JPS6110756A (ja) * 1984-06-25 1986-01-18 Shinei Kk ガスセンサの製造法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5518922A (en) * 1978-07-26 1980-02-09 Fuji Electric Co Ltd Oxygen sensor
JPS573037A (en) * 1980-06-07 1982-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Atmosphere detecting element
JPS5826546A (ja) * 1981-08-01 1983-02-17 ロ−ベルト・ボツシユ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング スリツプリング装置
JPS5927253A (ja) * 1982-08-06 1984-02-13 Shinei Kk ガスセンサおよびその製造法
JPS6110756A (ja) * 1984-06-25 1986-01-18 Shinei Kk ガスセンサの製造法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4967589A (en) * 1987-12-23 1990-11-06 Ricoh Company, Ltd. Gas detecting device
JPH02114165A (ja) * 1988-10-24 1990-04-26 Figaro Eng Inc 排ガスセンサの製造方法
JP2004219232A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガスセンサー構成体

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