JPS58151092A - 配線基板の配線パタ−ン形成方法 - Google Patents

配線基板の配線パタ−ン形成方法

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JPS58151092A
JPS58151092A JP3330082A JP3330082A JPS58151092A JP S58151092 A JPS58151092 A JP S58151092A JP 3330082 A JP3330082 A JP 3330082A JP 3330082 A JP3330082 A JP 3330082A JP S58151092 A JPS58151092 A JP S58151092A
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JP
Japan
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wiring
pattern
wiring pattern
circuit board
forming wiring
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JP3330082A
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甲斐 「弐」夫
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は電子部品、特にICを実装する配線基板の配
線パターン形成方法に関するものである。
ICを実装する配線基板においては、配線パターンを効
率的に作成するためICの周囲だけでなくICピン挿入
孔間にもパターン形成することか多い。特に所謂CAD
システムを利用してノイクーン形成を自動的に高密度に
おこなおうとする場合、ICピン挿入孔間に出来るだけ
多くの配線ラインを通すことが要求される。
しかしながら、従来の配線パターン形成における回路形
成はすべてエツチングにより(エツチドフォイル法等)
おこなっていたため、パターンの線幅を小さくするのに
限界があり、それ故ICピン押入孔間の配線ライン数は
せいぜい1〜2本程度であった。
この発明の目的は、複雑な装置および工程を用いずにI
Cピン押入孔間の配線ライン数を簡単に2本以上の複数
にできる配線パターン形成方法を提供することにある。
以下この発明の配線パターン形成方法につき図面を参照
して説明する。
第1図はこの発明に係る配線パターン形成方法を説明す
るための図である。
第1図(イ)において、配線基板1にはスルーホールの
ICピン挿入孔2(20〜2−)が形成され、基板上の
各ICピン押入孔の周囲に半田付は用の導電性パターン
3(30〜35)が形成されている。また導電性パター
ン30〜33に接触するように、ICCビン入孔2oと
22および21と23間に幅広い導電性パターン4が形
成されている。これらの導電性パターン3.4の形成は
、例えば銅張り積層板を基板にしてスクリーン印柚!紳
写真法による周知のパターンニング技術とエツチング技
術とを利用しておこなう。
以上の第1段階のパターン形成を終えると、次に導電性
パターン4の切断工程に移る。このバクーン切断はレー
ザビームによっておこない、レーザ発振装置には出力の
比軟的大きい炭酸ガスレーザ発振装置等を用いる。レー
ザ切断の場合の基板とレーザ発振装置の位置関係の一例
を第2図に示す。同図において、5がレーザ発振装置、
6がレーザビームであり、この位り内孫でレーザ発振装
置5を基板1に相対後#Jさせ、またはレーザビームを
光学的に屈折させて導電性パターン4上を掃引、切断す
る。すなわち、この例では、まず第1図囚に示す導電性
パターン4をその長手方向に切断ラインAおよびBに沿
って切断し、続いて切断ラインC−Fに沿ってパターン
30〜33を切断して、同図■に示すように3本の配線
ライン40.41.42を形成する。
このようにして−置部広い導電性パターンを通常の印刷
法または写真法を利用して形成し、その後にレーザビー
ムによって所定の数の配線ラインに切断するようにする
と、レーザビームが非常に細いことから極めて精密に且
つ非常に狭い間隔で切断することかできる。したがって
基板1とレーザビーム6の相対位置関係さへ正確に制御
すれば、導電性パターン4の幅かそう広くなくても多く
の配線ラインを形成することが可能となる。また、従来
のエツチング法を利用する場合は配線ラインの横方向へ
の腐蝕があるが、レーザビームによる切断は縦方向だけ
となるため、切断後のラインエツジかほぼ垂直となって
ラインの限界幅を一層狭小化する利点がある。
このように、第1段階として従来と同じ方法でパターン
形成し、第2段階で簡単なレーザビーム照射で所定の導
電パターンを切断して配線パターンを完成するようにし
ているため、短時間にしかもICビン挿入孔間の部分は
非常に細い線幅を有する配線パターンを形成することか
できる。なお、上記の実施例では望ましい切断装置とし
てレーザを用いているが、レーザに代えてダイアモンド
カッタ等の機械的切断装置を用いても良い。
以上のようにこの発明によれば、工程か複雑化せずしか
も簡単な装置を利用するだけで、ICビン押入孔間の配
線ライン政の多い基板を作成することができるため、I
CやLSIを高密度に実装する場合も基板上の配線面、
積を大きくするとともに配線効率を大きく向上し、した
がって基板か小型化して製作コストが低くなるという利
点かある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る配線パターン形成力法を説明す
るための図であり、第2図はその方法を実施するときの
装置の概略を示す図である。 1・・・基板、2(20〜25)・・・ICビン押入孔
、4・・・導電性パターン、40〜42・・・切断後の
配線ライン。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)配線基板上のICピン挿入孔間にほぼその間隔幅
    を有する導電性パターンを印刷法または写真法を用いて
    形成し、次いでそのパターンをレーザまたは機械的手段
    により切断して複数の配線ラインを形成することを特徴
    とする、配線基板の配線パターン形成方法。
JP3330082A 1982-03-02 1982-03-02 配線基板の配線パタ−ン形成方法 Pending JPS58151092A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4843162A (ja) * 1971-10-02 1973-06-22
JPS5130970A (en) * 1974-09-10 1976-03-16 Seiko Instr & Electronics Pataandenkyoku no keiseihoho
JPS524013A (en) * 1975-06-30 1977-01-12 Mitsubishi Electric Corp Winding method of the transformer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4843162A (ja) * 1971-10-02 1973-06-22
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JPS524013A (en) * 1975-06-30 1977-01-12 Mitsubishi Electric Corp Winding method of the transformer

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