JPS58147039A - Ｃｖｄ装置用ウェハセッタ− - Google Patents
Ｃｖｄ装置用ウェハセッタ−Info
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- JPS58147039A JPS58147039A JP2851982A JP2851982A JPS58147039A JP S58147039 A JPS58147039 A JP S58147039A JP 2851982 A JP2851982 A JP 2851982A JP 2851982 A JP2851982 A JP 2851982A JP S58147039 A JPS58147039 A JP S58147039A
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- wafers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ＣｖＤ装置用ウェつセ、ターに関すゐ。
従来、ＣｖＤ装置の加熱板上に被処理体であるウェハを
設置する場合、キャリア上のウェハをバキュームピンセ
ットで吸着して保持し、手作業によってバキュームピン
セットを加熱板の上方に移送することにより行っていた
。また、処理後の被処理体は、パキ、−ムピンセッ）ｔ
ｆｆｉ用して前述の設置操作と同様の操作を逆の手順で
することによ如、キＹリア上に収納されていた。
設置する場合、キャリア上のウェハをバキュームピンセ
ットで吸着して保持し、手作業によってバキュームピン
セットを加熱板の上方に移送することにより行っていた
。また、処理後の被処理体は、パキ、−ムピンセッ）ｔ
ｆｆｉ用して前述の設置操作と同様の操作を逆の手順で
することによ如、キＹリア上に収納されていた。
このようなバキュームピンセットを使用してウェハを加
熱板上に設置し、またキャリア上に収納するものでは、
次のような欠点がある。
熱板上に設置し、またキャリア上に収納するものでは、
次のような欠点がある。
■バキュームピンセットで吸着する際に、ウェハの表面
に傷がつく。
に傷がつく。
■被処塩後のウェハをバキュームチャックで吸着して保
持する際に、ウェハの表面に形成された薄膜にバキュー
ムチャックの傷が付き、不要製品が発生する。
持する際に、ウェハの表面に形成された薄膜にバキュー
ムチャックの傷が付き、不要製品が発生する。
■パキー−ムチャ、りによるクエへの設置及び回収は、
手作業で行われるため、作業時間が長くなる。
手作業で行われるため、作業時間が長くなる。
〔発明の目的〕一
本発明は、薄膜形成処理の前後でウェハの表面に損傷が
発生するのを防止し、かつ、ウェハの移送操作を自動化
して作業性の向上を図ったＣＶＤ装置用ウェつセ、ター
を提供するものである。
発生するのを防止し、かつ、ウェハの移送操作を自動化
して作業性の向上を図ったＣＶＤ装置用ウェつセ、ター
を提供するものである。
本発明は、ウェハを水平状態で固定する吸着部を備えた
供給用チャ、り及び搬出用チャ、りをウェハ供給搬出部
に設け、このウェハ供給搬出部からウェハを水平状態で
収容する収容部を備えた・奇キュームヘ、ドによシウェ
ハを搬出してヒータプロ、り上に供給し、処理後にヒー
タプロ、りからウェハ供給搬出部に戻すようにしたので
、薄膜形成処理の前後でウェハの表面に損傷が発生する
のを防止し、かつ、ウェハの移送操作を自動化して作業
性を向上させることができるＣＶＤ装置用ウェつセ、タ
ーである。
供給用チャ、り及び搬出用チャ、りをウェハ供給搬出部
に設け、このウェハ供給搬出部からウェハを水平状態で
収容する収容部を備えた・奇キュームヘ、ドによシウェ
ハを搬出してヒータプロ、り上に供給し、処理後にヒー
タプロ、りからウェハ供給搬出部に戻すようにしたので
、薄膜形成処理の前後でウェハの表面に損傷が発生する
のを防止し、かつ、ウェハの移送操作を自動化して作業
性を向上させることができるＣＶＤ装置用ウェつセ、タ
ーである。
本発明の実施例について図面を参照して説明する。第１
図は、本発明の一実施例の正面図、第２図は、同実施例
の側面図である。図中１は、ウェハ供給搬出部である。
図は、本発明の一実施例の正面図、第２図は、同実施例
の側面図である。図中１は、ウェハ供給搬出部である。
ウェハ供給搬出部１には、供給用チャック２・・・と搬
出用チャ、り３・・・が複数個設けられている。供給用
チャ、り２・・・及び搬出用チャ、り３・・・は昇降シ
リンダー４を取付けた基台５上に立設されている。供給
用チャック２・・・及び搬出用チャ、り３・・・は、昇
降シリンダー４によって昇降動するようになっている。
出用チャ、り３・・・が複数個設けられている。供給用
チャ、り２・・・及び搬出用チャ、り３・・・は昇降シ
リンダー４を取付けた基台５上に立設されている。供給
用チャック２・・・及び搬出用チャ、り３・・・は、昇
降シリンダー４によって昇降動するようになっている。
供給用チャ、り２・・・及び搬出用チャ、り３・・・の
先端部には、ウェハ６を水平状態で固定する吸着部７が
設けられている。吸着部７は、 ・供給用チャ、り
２・・・搬出用チャック３・・・の中空部を介して図示
しない排気機構に連通した開口を先端面に有しておシ、
排気機構によυ中空部内を減圧状態にしてウェハ６を固
定するようになっている。吸着部１の近傍には、ウェハ
センサ８とウェハスト、ノ譬９が夫々設けられている。
先端部には、ウェハ６を水平状態で固定する吸着部７が
設けられている。吸着部７は、 ・供給用チャ、り
２・・・搬出用チャック３・・・の中空部を介して図示
しない排気機構に連通した開口を先端面に有しておシ、
排気機構によυ中空部内を減圧状態にしてウェハ６を固
定するようになっている。吸着部１の近傍には、ウェハ
センサ８とウェハスト、ノ譬９が夫々設けられている。
ウェハスト、ノ譬９は、供給用チャック２・・・及び搬
出用チャック３・・・の昇降動方向に沿って上下動する
ようになっている。ウェハ供給搬出部１の近傍には、処
理前のウェハ６が収納されたキャリアエレベータ１０と
、処理後のウェノ・６が収納されるキャリアエレベータ
１１とが昇降自在に設けられている。これらのキャリア
エレベている。キャリアエレベータｘ、０．１１は、供
給用チャ、り２・・・と搬出用チャック３・・・及びウ
ニ・・ス） 、ｐ＃ ９の昇降動に同期して上下動する
ようになっている。供給用チャ、り２・・・及び搬出用
チャック３・・・の上方には、これらに対向してバキュ
ームへ、ド１３が設けられている。パキ、−ムヘ、ド１
３は、支持アーム１４に取付けられている。支持アーム
１４は、ウェハ供給搬出部１と図示しないＣ■装置本体
内に出入するヒータブロック１６間の上方に架設された
へ、トガイド１６上を駆動モータ２３によって往復動す
るように表っている。支持アーム１４にハ、ノ櫂キュー
ムヘッド１３をヘッドがイド１６とヒータプロ、り１５
間で上下動させる昇降シリンダ１１が取付けられ−てい
る。バキュームヘッド１３の先端部には、第３図に示す
如く、ウェハ６を水平状態で保持するようにすシ林状の
収容部１８が形成されている。バキュームヘッド１３は
、この収容部１８に開口した中空部１９を介して図示し
ない排気機構に連通しておなっている。また、パキー−
ムヘ、ド１３には、ヒータブロック１５上のヒータグレ
ー）７０面にウェハ６が轟接する際の衝撃を緩和するた
めのばね２１と、任意の角度のヒータプレート２０面に
対してウェハ６が完全に密着するように球面軸受２２が
内蔵されている。また、ヒーｆｉ ｆ ｏツク１５には
、ヒータグレー）ｊ＃ｏ、４ルス当シの移動量と単位時
間当）の・臂ルス数で表わされるヒータグレート２ｏの
移動速度とを算出するロータリーエンコーダ２４が取付
けられている。支持アーム１４には、同様にパキ。
出用チャック３・・・の昇降動方向に沿って上下動する
ようになっている。ウェハ供給搬出部１の近傍には、処
理前のウェハ６が収納されたキャリアエレベータ１０と
、処理後のウェノ・６が収納されるキャリアエレベータ
１１とが昇降自在に設けられている。これらのキャリア
エレベている。キャリアエレベータｘ、０．１１は、供
給用チャ、り２・・・と搬出用チャック３・・・及びウ
ニ・・ス） 、ｐ＃ ９の昇降動に同期して上下動する
ようになっている。供給用チャ、り２・・・及び搬出用
チャック３・・・の上方には、これらに対向してバキュ
ームへ、ド１３が設けられている。パキ、−ムヘ、ド１
３は、支持アーム１４に取付けられている。支持アーム
１４は、ウェハ供給搬出部１と図示しないＣ■装置本体
内に出入するヒータブロック１６間の上方に架設された
へ、トガイド１６上を駆動モータ２３によって往復動す
るように表っている。支持アーム１４にハ、ノ櫂キュー
ムヘッド１３をヘッドがイド１６とヒータプロ、り１５
間で上下動させる昇降シリンダ１１が取付けられ−てい
る。バキュームヘッド１３の先端部には、第３図に示す
如く、ウェハ６を水平状態で保持するようにすシ林状の
収容部１８が形成されている。バキュームヘッド１３は
、この収容部１８に開口した中空部１９を介して図示し
ない排気機構に連通しておなっている。また、パキー−
ムヘ、ド１３には、ヒータブロック１５上のヒータグレ
ー）７０面にウェハ６が轟接する際の衝撃を緩和するた
めのばね２１と、任意の角度のヒータプレート２０面に
対してウェハ６が完全に密着するように球面軸受２２が
内蔵されている。また、ヒーｆｉ ｆ ｏツク１５には
、ヒータグレー）ｊ＃ｏ、４ルス当シの移動量と単位時
間当）の・臂ルス数で表わされるヒータグレート２ｏの
移動速度とを算出するロータリーエンコーダ２４が取付
けられている。支持アーム１４には、同様にパキ。
−ムヘッド１３の移動量と移動速度を算出するロータリ
ーエンコーダ２５が取付けられている。
ーエンコーダ２５が取付けられている。
而して、このように構成され九〇ＶＤ装置用つェハセッ
ターリによれば、次のようにしてウェハ６をヒータプロ
、り１５に設置し、処理後のウェハ６をヒータブロック
１５がら回収することができる。
ターリによれば、次のようにしてウェハ６をヒータプロ
、り１５に設置し、処理後のウェハ６をヒータブロック
１５がら回収することができる。
ウェハ６を設置する場合には、先ずキャリアエレベータ
１ｏが降下し、搬出されるウェハ６が所定位置に来たと
ころで降下を止め、搬送ベルト１２によって供給用チャ
、り２・・・の吸着部７に搬出される。これと同期して
ウェハストツノ＃９が上昇する。ウェハｌは、ウェハス
トッパ９に当接して吸着部１０所定位置に載置されると
共に、ウェハセンサ８０上方を通過した際に所定の信号
をキャリアエレベータ１０の駆動機構に供給する。駆動
機構は、この信号を受けて再び次のウェハ６が所定位置
に現われるまで降下し、同様の操作によシ次の供給用チ
ャ、り２・・・Ｋウェハ６を搬出する。全ての供給用チ
ャック２・・・上にウェハ６が載置されると、ウェハセ
ンサ８の信号を受けて排気機構は吸着部７を所定の減圧
状態にする。その結果、ウェハ６は吸着部１に吸着して
固定される。次いで、昇降シリンダ４が駆動して供給用
チャ、り２・・・を、バキュームヘッド１３の収容部１
８にクエへ６が適するまで上昇さ、鷺る。収寮部にウェ
ハ６が収容されると排気機構によってパキ、−ムへ、ド
１３の収容部１８内が所定の減圧状態に設定されると共
に、供給用チャ、り２・・・内の減圧状態が解除され、
ウェハ６は収容部１８内に固定される。次いで、駆動モ
ータ２３を駆動してバキュームヘッド１３をヘッドガイ
ド１６に沿ってヒータプロ、り１５の上方まで移動させ
る。バキュームヘッド１３がヒータブロック１Ｂの所定
位置の上方に設定されたところで昇降シリンダ１７によ
シパキ、−ムヘ、ド１１を降下し、ヒータシレー）２Ｇ
上にウェハ６を当接させ、収容部１８内の波圧状態を解
除してウェハ６を載置する。然る後、バキュームヘッド
１３をへ、トガイド１６に戻し、駆動モータ２３を逆回
転させてウェハ供給搬出部１上にまで戻す。同様の操作
を繰シ返すことによってヒータグレート２０上に所定枚
数のウェハ６を載置する。
１ｏが降下し、搬出されるウェハ６が所定位置に来たと
ころで降下を止め、搬送ベルト１２によって供給用チャ
、り２・・・の吸着部７に搬出される。これと同期して
ウェハストツノ＃９が上昇する。ウェハｌは、ウェハス
トッパ９に当接して吸着部１０所定位置に載置されると
共に、ウェハセンサ８０上方を通過した際に所定の信号
をキャリアエレベータ１０の駆動機構に供給する。駆動
機構は、この信号を受けて再び次のウェハ６が所定位置
に現われるまで降下し、同様の操作によシ次の供給用チ
ャ、り２・・・Ｋウェハ６を搬出する。全ての供給用チ
ャック２・・・上にウェハ６が載置されると、ウェハセ
ンサ８の信号を受けて排気機構は吸着部７を所定の減圧
状態にする。その結果、ウェハ６は吸着部１に吸着して
固定される。次いで、昇降シリンダ４が駆動して供給用
チャ、り２・・・を、バキュームヘッド１３の収容部１
８にクエへ６が適するまで上昇さ、鷺る。収寮部にウェ
ハ６が収容されると排気機構によってパキ、−ムへ、ド
１３の収容部１８内が所定の減圧状態に設定されると共
に、供給用チャ、り２・・・内の減圧状態が解除され、
ウェハ６は収容部１８内に固定される。次いで、駆動モ
ータ２３を駆動してバキュームヘッド１３をヘッドガイ
ド１６に沿ってヒータプロ、り１５の上方まで移動させ
る。バキュームヘッド１３がヒータブロック１Ｂの所定
位置の上方に設定されたところで昇降シリンダ１７によ
シパキ、−ムヘ、ド１１を降下し、ヒータシレー）２Ｇ
上にウェハ６を当接させ、収容部１８内の波圧状態を解
除してウェハ６を載置する。然る後、バキュームヘッド
１３をへ、トガイド１６に戻し、駆動モータ２３を逆回
転させてウェハ供給搬出部１上にまで戻す。同様の操作
を繰シ返すことによってヒータグレート２０上に所定枚
数のウェハ６を載置する。
このようにして多枚数のウェハ６が載置されたヒータブ
ロック１ｊはＣＶＤ装置内に挿入され、ウニ・・６の表
面に所定のＣＶＤ膜が形成される。
ロック１ｊはＣＶＤ装置内に挿入され、ウニ・・６の表
面に所定のＣＶＤ膜が形成される。
次に、ＣｖＤ装置から引き出されたヒータプロ、り１６
上の処理後のウェハ６を回収する操作について説明する
。まず、駆動モータ２３によってへ、トガイド１６に沿
ってバキュームヘッド１３が処理後のウェハ６の上方ま
で移動する。
上の処理後のウェハ６を回収する操作について説明する
。まず、駆動モータ２３によってへ、トガイド１６に沿
ってバキュームヘッド１３が処理後のウェハ６の上方ま
で移動する。
次いで、昇降シリンダ１１によって−へ、トガイド１６
が降下し、ウェノ・−が収容部１８内に収容されたとこ
ろで降下を停止する。次いで、排気機構によって収容部
１８内が減圧状態に設定され、ウェハ６が収容部１８に
固定される。次に、収容部１８にウェハ６を固定した状
態で・寸キュームヘッド１ｓがへ、トガイド１６ｔで上
昇し、駆動モータ２３の逆回転によってウェハ供給搬出
部１の搬出用チャック３・・・の上方まで戻る。このバ
キュームヘッド１３に保持されたウェハ６に吸着部７が
当接するまで昇降シリンダ４によって搬出用チャック３
・・・が上昇する。
が降下し、ウェノ・−が収容部１８内に収容されたとこ
ろで降下を停止する。次いで、排気機構によって収容部
１８内が減圧状態に設定され、ウェハ６が収容部１８に
固定される。次に、収容部１８にウェハ６を固定した状
態で・寸キュームヘッド１ｓがへ、トガイド１６ｔで上
昇し、駆動モータ２３の逆回転によってウェハ供給搬出
部１の搬出用チャック３・・・の上方まで戻る。このバ
キュームヘッド１３に保持されたウェハ６に吸着部７が
当接するまで昇降シリンダ４によって搬出用チャック３
・・・が上昇する。
次いで、パキ、−ムヘ、ド１３の減圧状態が解除される
と共に、搬出用チャ、り３の方が減圧状態に設定され、
ウェハ６は、パキ、−ムヘ。
と共に、搬出用チャ、り３の方が減圧状態に設定され、
ウェハ６は、パキ、−ムヘ。
ド１３から搬出用チャック３に移される。次に、搬出用
チャ、り３・・・が降下し、所定位置に達したところで
搬送ベルト１２が駆動すると共に、搬出用チャ、り３・
・・内の減圧状態が解除されてウェハ６は搬送ベルト１
２によ）キャリアエレベータ１１に搬出される。
チャ、り３・・・が降下し、所定位置に達したところで
搬送ベルト１２が駆動すると共に、搬出用チャ、り３・
・・内の減圧状態が解除されてウェハ６は搬送ベルト１
２によ）キャリアエレベータ１１に搬出される。
なお、パキ、−ムヘ、ド１３及び供給用チャ、り２・・
・、搬出用チャ、り３・・・の動作は、ロータリーエン
コーダ２４．：１５の指令によって行われ、各々同期を
とシながら例えばバキュームヘッド１３の昇降動作と両
チャック２，３・・・の動作は同時にも行われることは
勿論である。
・、搬出用チャ、り３・・・の動作は、ロータリーエン
コーダ２４．：１５の指令によって行われ、各々同期を
とシながら例えばバキュームヘッド１３の昇降動作と両
チャック２，３・・・の動作は同時にも行われることは
勿論である。
このようにこのＣＶＤ装置装置用フェノ１セー３０は、
次の効果を有する。
次の効果を有する。
■バキュームヘッド１３の移動量等をロータリーエンコ
ー１ｚ４．ｚｓのＮ令に！クテハルス信号として制御で
きるので、ウェノ・６の移動量を正確に設定して作業性
を向上できる。
ー１ｚ４．ｚｓのＮ令に！クテハルス信号として制御で
きるので、ウェノ・６の移動量を正確に設定して作業性
を向上できる。
■このロータリーエンコーダ２４．２５と小型コンビ、
−夕との併用によシ、パキ、−ムヘ。
−夕との併用によシ、パキ、−ムヘ。
ド１３及び供給用チャック２・・・、搬出用チャ。
り３・・・の操作を正確に同期して行うことができる。
■バキュームヘッド１３及び供給用チャ、り２・・・、
搬出用チャ、り３・・・は、ウェノ・６の表面を局所的
に直接把持し表いので、処理前後のウニ八６の表面に損
傷が発生するのを防止で龜る。
搬出用チャ、り３・・・は、ウェノ・６の表面を局所的
に直接把持し表いので、処理前後のウニ八６の表面に損
傷が発生するのを防止で龜る。
■ウニへ６の処理前後の搬送操作を全て自動化して作業
性を向上できる。
性を向上できる。
■ウェハ供給搬出部１に設けたウニハストラ／４９によ
シウェ−６の位置決めを高精度で行い作業性を向上でき
る。
シウェ−６の位置決めを高精度で行い作業性を向上でき
る。
■バキュームヘッド１３内に内蔵され九ばね２１によシ
、ウェハ６とヒータプレート２０との接触強さを小さく
すると共に、球面軸受２２によシウェハ６を任意の傾斜
角、のヒータグレート２０面に倣って密着させることが
できるので、ウェハ６をヒータプレート２０に着脱する
際に損傷が生じるのを防止できる。
、ウェハ６とヒータプレート２０との接触強さを小さく
すると共に、球面軸受２２によシウェハ６を任意の傾斜
角、のヒータグレート２０面に倣って密着させることが
できるので、ウェハ６をヒータプレート２０に着脱する
際に損傷が生じるのを防止できる。
本発明に係るＣＶＤ装置用つ、ハセ、ターによれば、薄
膜形成処理の前後でウェハの表面に損傷が発生するのを
防止し、かつ、ウェハの移送操作を自動化して作業性を
著しく向上させることができる等剛着な効果を奏するも
のである。
膜形成処理の前後でウェハの表面に損傷が発生するのを
防止し、かつ、ウェハの移送操作を自動化して作業性を
著しく向上させることができる等剛着な効果を奏するも
のである。
第１図は、本発明の一実施例の正面図、第２図は、同実
施例の側面図、第３図は、同実施例Ｃ）Ａキ＆−ムへ、
ドの断面図でアル。 １・・・ウニＩ・供給搬出部、２・・・供給用チャック
、３・・・搬出用チャ、り、４・・・昇降シリンダ、５
・・・基台、６・・・ウェノ１．７・・・吸着部、８・
・・ウエノ・センサ、９・・・ウェノ１ストツノ４．１
０．１１・・・キャリアエレベータ、１２・・・搬送ヘ
ッド、１３・・・ノ々キュームへ、ド、１４・・・支持
アームミ １５・・・ヒータプロ、り、１６・・・ヘッ
ドガイド、１７・・・昇降シリンダ、１８・・・収容部
、１９・・・中空部、２０・・・ヒータグレート、２１
・・・ばね、２２・・・球面軸受、２３・・・駆動モー
タ、２４．：ＩＳ・・・ロータリーエンコー〆、３ ｏ
・・−ＣＶＤ装置装置用フェノッターＯ
施例の側面図、第３図は、同実施例Ｃ）Ａキ＆−ムへ、
ドの断面図でアル。 １・・・ウニＩ・供給搬出部、２・・・供給用チャック
、３・・・搬出用チャ、り、４・・・昇降シリンダ、５
・・・基台、６・・・ウェノ１．７・・・吸着部、８・
・・ウエノ・センサ、９・・・ウェノ１ストツノ４．１
０．１１・・・キャリアエレベータ、１２・・・搬送ヘ
ッド、１３・・・ノ々キュームへ、ド、１４・・・支持
アームミ １５・・・ヒータプロ、り、１６・・・ヘッ
ドガイド、１７・・・昇降シリンダ、１８・・・収容部
、１９・・・中空部、２０・・・ヒータグレート、２１
・・・ばね、２２・・・球面軸受、２３・・・駆動モー
タ、２４．：ＩＳ・・・ロータリーエンコー〆、３ ｏ
・・−ＣＶＤ装置装置用フェノッターＯ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェハが載置されるヒータブロックの上方からウェハ供
給搬出部の上方に架設されたヘッドガイドと、該へ、ト
ガイドに移動自在に取付けられた・青キ、−ムヘｙ ｙ
ト、該バキュームへ、トを前記へツーガイドと前記ヒー
タプロ、り間で昇降せしめる昇降機構と、該バキューム
ヘッドに前記ウェハを水平状態で収容するように形成さ
れたすり林状の収容部と、前記ウェハ供給搬出部に該収
容部と対向して昇降自在に設けられた供給用チャ、り及
び搬出用チャ、りと、該チャ、りに前記クエハを水平状
態で固定するように形成された吸着部と、咳供給用チャ
ックに前記ウェハを供給し、かつ、蚊搬出用チャックか
ら前記ウニ・・を搬出するウェノ・４送手段とを具備す
ることを％黴とするＣＶＤ装置用ウェつ為セ。 ター６
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2851982A JPS58147039A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | Ｃｖｄ装置用ウェハセッタ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2851982A JPS58147039A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | Ｃｖｄ装置用ウェハセッタ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147039A true JPS58147039A (ja) | 1983-09-01 |
| JPS6262463B2 JPS6262463B2 (ja) | 1987-12-26 |
Family
ID=12250924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2851982A Granted JPS58147039A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | Ｃｖｄ装置用ウェハセッタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58147039A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211746A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Fujitsu Ltd | Wafer conveying apparatus |
-
1982
- 1982-02-24 JP JP2851982A patent/JPS58147039A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211746A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Fujitsu Ltd | Wafer conveying apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6262463B2 (ja) | 1987-12-26 |
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