JPS58142517A - 厚膜コンデンサ− - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は耶■コンデンサーに関する。

４編コンジンナーの一つに１１１１１ｆＩＡ〜篇３図に
示す構造のコンデンサーかある。このコンデンサーは、
セラミックからなる絶縁性基板１の上面に矩形の下部導
体層２を設けるとともＫ、この下部導体層２上にセラミ
ックからなる誘電体層３．および下部導体層２に対面し
かつ同一形状の上ｍ導体層４１１１次積層形成し、さら
に、絶縁性のコーティング＃５で全体會豪いコンデンサ
ーの周辺の洩れ電Ｒｆ：＃、瓢し、耐湿性の同上を図っ
ている。なお、下部・上部導体層２．４からは幅の狭い
引出部６．７カ１在し、その％端は絶縁性基板ｌ上で電
極８．すを形成している。前配電４ｇ　、　９および引
出部６．７の一部は前記コーチインクｌ［５には蛋われ
ていない。

ところで、このような構造のコンデンサーは、薄形化に
は遇しているか、面積に大きくなる１６１点かある。

また、耐湿性向上のｋめに行っているコーティングは一
般にガラスか使用されているが、このガラスは一電率が
ｌＯ慟歇である。上部導体層４と下部導体Ｎ１２との間
に設けられるＷ／／Ｉ電体層電体−電率がｔｓｓｉａ’
であることからすれば、前記コーティングＩＩ５の誘電
率は比較的高い。このため、１１Ｅ２図の矢印で示すよ
うに、上部導体層４と下部導体層２０周縁間のコーティ
ングｌＩｓ内を走る洩れ電界の影譬は大暑く、実質的Ｋ
ＩＮ量Ｉ［が増大してしまう。

そこで、本発明者は、このコーティング層による容量値
の増大を積極的に利用することによって、コンデンサー
の不磨化を図ることかできることに気か付き、本発明を
成した。

し穴がって、本発明ＯＩＩ的は小塵化が可能な厚膜コン
デンサーを提供することＫＴｏる。

このような目的を連成するために本実ＷＡは、絶縁性基
板と、この絶縁基板上に設ける下部導体層と、仁の下Ｓ
導体層ｔＩＩう誘電体層と、この誘電体層上に前記下部
導体層と対面するようＫｅ！けられる上１ｌｔｌＩｌｌ
１体層と、ＩＩｇ記上部・下部導体層から絶縁性基板上
に延在して露出する電極と、からなる４誤コンデンサー
において、前記下部導体層および下ｉＩＩ尋体層ｏｍｉ
ｔ凹凸状態として上部導体層と下部導体層の全周縁長を
長くするものである。

ま几、周縁長の増大を図るべく前記上部導体層および下
部導体層を無端状パターンとし、その内周ｌ１１ｔ−も
凹凸状パターンとする−のである。

以下、実１１ＩＡｉＦｉＩｌにより本発明を説明する。

謳４図は本発明の一実施例による鯵娯コンジンサー會示
す平面図、第５図は第４図の■−■１に沿う断面図であ
る。

この実施ガは前記従来ガと同様に、絶縁性基板１の上面
に下部４体層２．誘電体層３．上ｉｌｓ導体層４．コー
ティング躾５を臘次パターニングしながら導電ペースト
あるいは絶縁ペーストを印刷した後、焼成して形成する
。下部導体層２．上部導体層４の一部は細長の引出部６
．７を青し、その先端は絶縁基板ｌ上に露出する電極８
．９に繋っている。

ところで、前記下部導体層２および上鄭晦体層４は共に
同一パターンとなるとともに、ＷＡ４図で示すように弓
の字状に曲９（ねっている。

このよりなｊｌｌ験コンデンサーは、上部・下部導体層
４．２の周縁がｍｅ＜ねっていることからそれら周縁長
は従来品に比誘して癌かに長くなる。

このため、洩れ電界による容量の変化分Δ０は増大する
。

すなワチ、層膜コンデンサーの容量Ｏは次式によって与
えられる。

０−０１＋Δ０ ここで、０・は洩れ電界のな い場合の容量値でｈ９、換言す れに設計線である。

箇７ｔ％Δ０は誘電体層３における洩れ電昇による変動
容量Δ０・と、コーティング−５における洩れ電界によ
る変動容重Δ０■とに分けられる。

そして、容ｔＯは具体的には以下の式で与えられる。

０　コ＝０．　　＋Δ０　蟲　＋ΔＯ婁４　　　　　　
　ｉ　　　　　　　ｅＬここにおいて、 Ｃｏ　：　真空誘電率 ぽＩ　：　誘電体層の比誘寛厚 ぎｌ　：　コーテイング膜の比誘 電率 ８：　上部導体層重７ｔは下部 導体層の面積、換言丁れ ば設計線 ａｍａｌｌ電体層における洩れ 電界部分の面積 ＳＩ　：　コーティングＩＩＩＫおけ る洩れ電界部分の面積 ｄ：　電界が掛る間隔（式の ２項、３項は厳密にはｄ ではないが、近似してい るのでその電管用りる。） また、Ｗａ配８・および８諺は下部導体層４および下ｆ
Ｍ４体層２の＃１緻に沿りて延在する棒状の面積でＴｏ
９、それぞれ洩れ電界（２）Ｉｌｌと上部・下部導体層
４．２の周縁長ｔＫ比内する。そこで、上部・下部導体
層４．２が作９出丁コンデンを一素子の周縁全長ｔ−積
極的に長くすることによって洩電界による容量の変化分
ΔＣ′に大きくすることができることになる。

したがって、この実施ガでは、積極的にコンデンサー素
子の周縁！ｋを長くしていることがら△０か大となる。

そこで、このΔ０會も最初からコンデンサーの設計上の
容量として蒐込んでおけば、その△０に対応する面積だ
け上部・下部導体層重２の大きさを小さくすることかで
き、導躾コンデンサーの小型化、すなわち、絶縁性基板
ｌにおける占有面積の細小化か図れ、萬集積寂化が可能
となる。

また、コンデンサー素子の耐湿性を向上させる友めに設
けるコーテイング膜５としてハ、酸化チタン（Ｔｔｏｍ
）あるいはチタン酸バリウム（Ｂ。

ＴＬＯ，）２主成分とするガラスに丁れば、誘電率’Ｉ
ｔｏｏｏ以上とすることもで１％洩れ電界によるΔ０の
増大をさらに尚めることができ、導膜コンデンサーの小
型化かさらに可能となる。筐た、この際、コーティング
−５はコンデンサー素子の剃ＩＩＲ部分のの１−豪う枠
−遺としてもよい。この場合、上部導体Ｐｔ１４の上面
中央が露出するが、実用上特に支障はない。

なお、本発明は前記実施例に＠定されない。たとえば、
１１Ｅ６図に示すように１上部・下部導体層４．２のパ
ターンを無端状パターンとして、その内周縁および外周
縁を凹凸状にして胸嶽長を増大させてΔＯｔさらに大き
くするよう圧してもよい。

以上のように１本発明によれは小型化か可能となる耐湿
性の優れた厚膜コンデンサーを提供することかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のｆＩＩ膜コンデンサーの平面図、纂２図
および第３図は属１図のト装置および門−１１１に沿う
断面図、纂４図は本発明の一実施ガによるＪＩＩａコン
デンサーの平ｒｋＪ図、纂５図は第４図のｖ−■−に沿
う断面図、第６図は他の実施例による上部・下１Ｍ１４
体層を示す概略平面図である。 ｌ・・・ＩＰＪ鰍性基板、２・・・下ｓ４体層、３・・
・酵電体層、４・・・上部４体層、５・・・コーテイン
グ膜、８゜す・・・ＩＩＬＩｋ、１０・・・内網縁、１
１・・・外周縁。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １１＆縁性基板と、このＩＰ！縁性基徽上に設ける下部
   導体層と、この下部導体層を豪う誘電体層と、この霞電
   体層上に前記下部導体層と対面するように般けちれる上
   部導体層と、前記上部・下部導体層からＩＰ３縁性縁板
   基板上在して露出する電極と、からなるＩＩＩａＩコン
   デンサーにおいて、前記上部導体層および下部導体層の
   周縁を凹凸状態とすることを特徴とするｆＩＩＩＩＫコ
   ンデンサー。 ２、前記上部導体層および下部導体層は無端状パターン
   となっている仁とｔ−％黴とする特許請求の範曲第１項
   記載の厚膜コンデンサー。 ３、上部導体層は絶縁性のコーティング鎮で豪われてい
   ることを特徴とする特許請求の範ｌｌ！ｆｌＩＩＩｌ］
   ＪＩまたは１Ｅ２ＪＪＩ記載の厚膜コンデノナ−０