JPS58142516A - 厚膜コンデンサ− - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は厚膜コンデンサーに関する。

厚膜コンデンサーの一つに第１ＩＩ〜第３　図ＩＫ−示
ス構１１のコンデンサーがある。このコンデンサーは、
セラミックからなる絶縁性基１［１の上面に一辺の長さ
がａの略正″Ｍ形の下部導体層２ｖ設けるとともに、こ
の下部導体層２上にセラミックからなる誘電体層３、お
よび下部導体層２に対面しかつ同一形状の上部導体層４
ｔ’ｌ［次積層形成し、さらに、絶縁性のコーティング
層５で全体を被いコンデンサーの周辺の洩れ電流を低減
し、耐湿性の向上を図りている。なお、下部・上部導体
層２゜４からは幅の狭い引出ｗ６，７が延在し、その先
端は絶縁性基板ｌ上で電＠８．　９＆−形成している。

前記電極８．９および引出部６．７の一部は前記コーテ
イング膜５には被われていない。

ところで、このような構造のコンデンサーは、薄形化に
は適しているが、面積は大きくなる一点がある。

また、耐湿性陶土のために行っているコーティングは一
般にガラスが使用されているが、このガラスは誘電率が
ｌθ程度である。上部導体層４と下部導体層２との関に
設けられる誘電体層３は誘電率が１５程駅であることか
らすれば、前記コーテイング膜５の誘電率は比較的高い
。このため、第２図の矢印で示すように、上部導体層４
と下部導体層２０周縁間のコーティング属ｓ内を走る洩
れ電界の影響は大會く、実質的に容量値が増大してしま
う。

なお、コーテイング膜がない場合でも上部導体層４と下
部導体層２０周縁から外れた誘電体層３領域に電界の洩
れが生じるため、コンデンサーの容量は設計値よりも大
きくなる。

したがって、本発明の目的は容量精度の高い構造の厚膜
コンデンサーｔ’ｓ供するととｋある。

このような目的を達成するために本発明は、絶縁性基板
と、この絶縁性基板上に設ける下部導体層と、この下部
導体層Ｖ砿う誘電体層と、この誘電体層上に前記下部導
体層と対面するよう＆ｌｃ設けられる上部導体層と、前
記上部・下部導体層から絶縁性基板上に延在して露出す
る電極と、からなる厚１［コンデン学−において、前記
上部導体層および下部導体層を円形とするものであ−）
′Ｃ１以下実施例により本実＠を説明する。

第４図は本尭−の一実施例による厚膜コンデンサー１示
す平面図、ａＳＳは第４図のｖ−■綴にこの実施例は前
記実施例と同様に、絶縁性基板ｌの上面に下部導体層２
．　ＩＩ誘電体層、上部導体層４．コーテイング膜５と
順次パターニングしながら導電ペーストあるいは絶縁ベ
ース）１−印刷した後、焼成して形成する。下部導体層
２．上部導体層４の一部は細長の引出部６．　７ｔｌ′
有し、その先端は絶縁性基板１１に露出する電極８．９
に繁りている。

ところで、前記下部導体層２および上部導体層４は共に
１径すなる円形となり、かつ相互に１歇するように誘電
体１１３ｔ−挾んで重なっ１いる。

このような実施例によれは、下部・上部導体層２．４の
形状を従来の正方形（矩形）から円形としたことｋよっ
て、同一の面積の場合では、円形の方が正方形に比較し
てその周縁長が短かいことから、洩れ電界による容量の
変化分Δ０が小さくなる。

すなわち、厚膜コンデンサーの容量０は次式によって与
えられる。

０＝０゜＋Δ０　　　・・・・・・・・・・・・・・−
・・・・・・・・・・・（１）ここで、０．は洩れ電界
のない場合の容量値であり、換嘗すれに設計値である。

會た、Δ０は誘電体層３における洩れ電界による変動容
量ΔＯ１と、コーテイング膜ｓ＃！ｃおける洩れ電界に
よる変動容量Δ０．とに分けられる。

そして、容量０は具体的には以下の式を与えられる。

０＝０．＋Δ０．＋Δ０．　・・・・・・・・・・・・
・・・・・・（２）ここｋおいて、 一〇＝真空−電率 ＃Ｉ：Ｉｌ電体層の比誘電率 Ｃ１：コーテイング膜の比−電率 魯：上舊導体層壇たは下部導体層の面積、換１すれは設
計値 ｓ、：誘電体層における洩れ電界部分の面積 ＄、；コー予インダ膜における洩れ電界部分の面積 ｄ：電界が掛る間隔（式の２項、３項は厳密Ｋ）ｉｄで
はないが、近似してい るのでその壇を用いる・） ｔた、前記＄、＄ＰよびＩ、は上部導体層４および下部
導体層２の周縁に沿つ″′Ｃ延在する枠状の面積であり
、それぞれ洩れの電界の輻Ｗと上部・下部導体層４．２
の周縁長ｌに比例する。そこで、上部・下部導体層４．
２が作り出すコンデンサー素子の周縁全長を短かくする
ととｋよって洩れ電界による容量の変化分ΔＯｔ−小さ
くできることになる。

また、従来例による正号形コンデンサー素子の一辺の長
さ１とし、この実施例の円形コンデンサー素子の１径ｔ
！−ｂとし、かつ両面積が同一とした場合には次式が成
立する＠ ６　！　＝＝＝　ａ　ｍ　　　　・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（４）また
、正方形コンデンサー素子の＊周辺長！。

と、円形コンデンサー素子の全外周兼ｊｃとの長短を確
認するために、前記（４）式！利用してその差を求める
ことｋする。

すなわち、 １　、−１　ｃ＝４１−宵ｂ −４ｍ　−２／ｊｒ　＠　）Ｑ　　・・・・・・・・・
・・・・・・（５）したがって、（５）式でもわかるよ
うに１円形コンデンサー素子の場合には、コンデンサー
素子の周縁長が短かくなり、容量の変化分Δ０は小さく
なる。このため、容量０は設計値０゜により近づき、従
来よりも馬精屓な厚膜コンデンサーを提供することがで
きる。

なお、本発明は前記（２）式で明らかなように、コーテ
イング膜５がない場合にもΔ０．が発生することから、
同様に適用できる。

以上のように１本発明によれば、洩れ電界による容量の
変化分１最小に抑えることのできる構造の厚膜コンデン
サーｖＩＩ供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の厚膜コンデンサーを示す平面図、第２図
および第３図は第１図の厘−厘■および■−厘ｌＩに沿
う断面図、第４図は本発明の一実施例による厚膜コンデ
ンサーの平面図、１８５図は第４図のＶ−Ｖ＊＜沿う断
面図である。 １・・・絶縁性基板、２・・・下部導体層、３・・・誘
電体層、４・・・上部導体層、５・・・コーテイング膜
、８゜９・・・電極。 第１図 亙−」 第　　４　　図 第２図 １５　　ツ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板と、この絶縁性基板上に設ける下部導体
   層と、この下部導体層を被う誘電体層と、との霞電体層
   上に前記下−導体層と対画するように設けられる上部導
   体層と、前記上部・下部導体層から艶縁性基板上ＫＩＩ
   ＆在して露出する電極と、からなる厚膜コンジン！−に
   おいて、前記上部導体層および下部導体層を円形とする
   ととｖ４Ｉ黴とする厚膜コンデンサー。 ２、前記上部導体層は絶縁性のコーティング層で被われ
   ているととｖ４Ｉ黴とする特許請求の範囲第１項記載の
   厚膜コンデンサー。