JPS58142206A - 歪センサ - Google Patents
歪センサInfo
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- JPS58142206A JPS58142206A JP57024939A JP2493982A JPS58142206A JP S58142206 A JPS58142206 A JP S58142206A JP 57024939 A JP57024939 A JP 57024939A JP 2493982 A JP2493982 A JP 2493982A JP S58142206 A JPS58142206 A JP S58142206A
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- JP
- Japan
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- insulating resin
- film
- creep
- beam body
- strain sensor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49103—Strain gauge making
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ロードセル秤等への利用に適した自センナに
関するものである。
関するものである。
従来、薄膜抵抗体を有する歪センサにおいては、起歪部
を備え九ビーム体にＢｂＯ＠中ム１３偽やＴａｚＯｌな
ど−の無機酸化物による絶縁膜が形成され、この絶縁膜
上に薄膜抵抗体が形成されている。このような絶縁膜や
薄膜抵抗体は真空槽中でスパッタリング中蒸着等の手Ｒ
Ｋよシビーム体の表面に形成するものであるが、クリー
プ現象が生じると云う欠点を有する。すなわち、歪セン
サにおけるクリープとは、その歪センサに印加された荷
重に比例した歪量が時間によル変化する現象を云う。こ
のとき、ビーム体の歪は絶縁膜を介して薄膜抵抗体に伝
達されるものであり、クリープ現象は絶縁膜の特性に大
部分起因す゛る。もちろん、薄膜抵抗体の材質や膜厚お
よびそのパターンの形状、ビーム体の形状や材質等もク
リープ現象には関連がある。
を備え九ビーム体にＢｂＯ＠中ム１３偽やＴａｚＯｌな
ど−の無機酸化物による絶縁膜が形成され、この絶縁膜
上に薄膜抵抗体が形成されている。このような絶縁膜や
薄膜抵抗体は真空槽中でスパッタリング中蒸着等の手Ｒ
Ｋよシビーム体の表面に形成するものであるが、クリー
プ現象が生じると云う欠点を有する。すなわち、歪セン
サにおけるクリープとは、その歪センサに印加された荷
重に比例した歪量が時間によル変化する現象を云う。こ
のとき、ビーム体の歪は絶縁膜を介して薄膜抵抗体に伝
達されるものであり、クリープ現象は絶縁膜の特性に大
部分起因す゛る。もちろん、薄膜抵抗体の材質や膜厚お
よびそのパターンの形状、ビーム体の形状や材質等もク
リープ現象には関連がある。
本発明は、このような点Ｋ１１ｌみなされたもので、ク
リープの影響のない歪センサを得ることを目的とする。
リープの影響のない歪センサを得ることを目的とする。
本発明は、絶縁樹脂に所定量の固体粉末を混合すること
により、クリープの調整を行なうことができ、これによ
り、実質的にクリープのない状態を得ることができるよ
うに構成したものである。
により、クリープの調整を行なうことができ、これによ
り、実質的にクリープのない状態を得ることができるよ
うに構成したものである。
本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
まず、ビーム体（１）は８０８６３０等によるステンレ
ス材で形成されている。すなわち、機械加工によシ溝（
２）で連設された二つの孔（３バ４）が形成されて薄肉
の起歪１１（５） （６）（７）（８）が形成され、一
方では取付用の二個の孔（９）が形成され、他方では皿
受フレームが取付けられる一個の受孔（至）が形成され
ている。そして、熱九理によ如所定の弾性特性を得た後
にパターン形成面（ロ）を研磨加工により形成する。
ス材で形成されている。すなわち、機械加工によシ溝（
２）で連設された二つの孔（３バ４）が形成されて薄肉
の起歪１１（５） （６）（７）（８）が形成され、一
方では取付用の二個の孔（９）が形成され、他方では皿
受フレームが取付けられる一個の受孔（至）が形成され
ている。そして、熱九理によ如所定の弾性特性を得た後
にパターン形成面（ロ）を研磨加工により形成する。
このようなビーム体（１）のパターン形成面α〃には絶
縁樹脂ｊｉ［ｏ４が形成され′ｔ″＆、、Ｆ 、 ！
＋７）絶縁樹脂膜（ロ）の形成手段とその組成にういて
は後述する。
縁樹脂ｊｉ［ｏ４が形成され′ｔ″＆、、Ｆ 、 ！
＋７）絶縁樹脂膜（ロ）の形成手段とその組成にういて
は後述する。
この絶縁樹脂膜（２）の上にはＮＬＣｒ （ＮＬ５０ｗ
Ｊ％、Ｃｒ ＠０ｓｅｔ ％ ）による抵抗膜斡がスパ
ッタリングによシ積層形成されている。この抵抗膜に）
の厚さは、たとえば１０００ムである。つぎに、リード
電極としてスパッタリングによや厚さ２μのム、Ｉ［Ｃ
１４を前記抵抗膜（２）の上に積層する。このような抵
抗膜（至）とＡ１膜−とは落４図（−３に示すようにフ
ォトエツチングによシ所定のパターンを形成する。そし
て、第４図（４）に示すように部分的にム、膜α→のみ
をエツチングして電、８嵩、Ｒａ 、Ｒ４と表示し九四
個の薄膜抵抗体（至）が形成される。これらの薄膜抵抗
体に）の位置は前記起歪＠ （５）（６）の上面に一致
している。このような薄膜抵抗体（至）のそれぞれ＃ｉ
Ｒｔ、と表示したリードパターンに）によシブリッジ結
合され、各リードパターン（２）の端部はｖｖ４とＶ４
と＊ボし圧入力端子部（ロ）とｖｏとｖｏとｌ！！ボし
た出力端子部ＤＩとよりなる。
Ｊ％、Ｃｒ ＠０ｓｅｔ ％ ）による抵抗膜斡がスパ
ッタリングによシ積層形成されている。この抵抗膜に）
の厚さは、たとえば１０００ムである。つぎに、リード
電極としてスパッタリングによや厚さ２μのム、Ｉ［Ｃ
１４を前記抵抗膜（２）の上に積層する。このような抵
抗膜（至）とＡ１膜−とは落４図（−３に示すようにフ
ォトエツチングによシ所定のパターンを形成する。そし
て、第４図（４）に示すように部分的にム、膜α→のみ
をエツチングして電、８嵩、Ｒａ 、Ｒ４と表示し九四
個の薄膜抵抗体（至）が形成される。これらの薄膜抵抗
体に）の位置は前記起歪＠ （５）（６）の上面に一致
している。このような薄膜抵抗体（至）のそれぞれ＃ｉ
Ｒｔ、と表示したリードパターンに）によシブリッジ結
合され、各リードパターン（２）の端部はｖｖ４とＶ４
と＊ボし圧入力端子部（ロ）とｖｏとｖｏとｌ！！ボし
た出力端子部ＤＩとよりなる。
しかして、前記絶縁樹脂膜（２）の形成に尚っては、ビ
ーム体（１）のパターン形成面（Ｌｍを平坦に研磨加工
１］１・：。
ーム体（１）のパターン形成面（Ｌｍを平坦に研磨加工
１］１・：。
した後に清浄に洗浄し、その上に形成する。まず、絶縁
樹脂としては、九とえばポリインド樹脂が用いられ、固
体粉末としては、たとえばＳ↓０露微粉末が用いられる
。すなわち、ポリイミドフェスの中に所定量のＳ↓０３
の微粉末を混合して均一に分散させる。そして、１００
ＯＣＰ（センデボイズ）に調整し九後にビーム体（１）
のパターン形成面鎮論に滴下し、スピンナで１８０Ｏｒ
、ｐ、ｍの回転速度によって均一す膜厚として塗布し、
溶剤を乾燥後に３５０＠ｃで１時間加熱し、厚さ約４μ
傷の絶縁樹脂膜（２）を形成する。
樹脂としては、九とえばポリインド樹脂が用いられ、固
体粉末としては、たとえばＳ↓０露微粉末が用いられる
。すなわち、ポリイミドフェスの中に所定量のＳ↓０３
の微粉末を混合して均一に分散させる。そして、１００
ＯＣＰ（センデボイズ）に調整し九後にビーム体（１）
のパターン形成面鎮論に滴下し、スピンナで１８０Ｏｒ
、ｐ、ｍの回転速度によって均一す膜厚として塗布し、
溶剤を乾燥後に３５０＠ｃで１時間加熱し、厚さ約４μ
傷の絶縁樹脂膜（２）を形成する。
このように絶縁樹脂膜（２）中にＳシ偽等の固体粉末を
フィラーとして混合すゐと云うことは、荷重印加時のク
リープ量を調整する丸めのものである。
フィラーとして混合すゐと云うことは、荷重印加時のク
リープ量を調整する丸めのものである。
い壕、固体初末管混合しない場゛合、すなわち、ポリイ
ンド樹脂のみで絶縁樹脂膜（ロ）を形成した場合と、
１ｉｉｏ１のみで絶縁−脂膜（２）を形成した場合との
二過如について説明する。
ンド樹脂のみで絶縁樹脂膜（ロ）を形成した場合と、
１ｉｉｏ１のみで絶縁−脂膜（２）を形成した場合との
二過如について説明する。
ｔず、第１図に示すものはビーム体（１）に８Ｕ８４１
３Ｇ（ＪＩＩ）を使用し、純粋のポリインド樹脂によ如
厚さ約４μの絶縁樹脂膜（６）に１０００ Ｋの厚さの
薄膜抵抗体（２）を形成した場合である。荷重を印加後
に出力電圧（Ｗｅ）はプラス方向に変化し、荷重印加時
と１０分経過時とではΔＶ４１なる出力電圧変化が生じ
る。
３Ｇ（ＪＩＩ）を使用し、純粋のポリインド樹脂によ如
厚さ約４μの絶縁樹脂膜（６）に１０００ Ｋの厚さの
薄膜抵抗体（２）を形成した場合である。荷重を印加後
に出力電圧（Ｗｅ）はプラス方向に変化し、荷重印加時
と１０分経過時とではΔＶ４１なる出力電圧変化が生じ
る。
これがクリープ値である。まえ、荷重を除去した後の零
点の変化はノＶｏである。ここで、ΔＶｏとΔＶｏ’と
の絶対値は尋しく符号は反対である。
点の変化はノＶｏである。ここで、ΔＶｏとΔＶｏ’と
の絶対値は尋しく符号は反対である。
具体的な数値で表わすと、ビーム体（１）に荷重をＡ１
印加し九とき、薄膜抵抗体０４の歪量がＥ ｗ ７ ＝
０．１％、そのゲージ亭には宣１、入力電圧がＶ、＝１
０，０００顎とすると、出力電圧Ｖｏは、Ｖ（１圏Ｖ４
・Ｋ、ＥよシＶ＠”” １０８１０”Ｘ １１ Ｘ Ｏ
，Ｉ Ｘ １０−” −１１１ｔｘＶである。このとき
、クリープの実測１１Ｖｏ−＋２０μＶであった。すΔ
Ｖｏ 、２Ｇ なわち、クリープは ／ ／’１８０００−ｏ、
１１％でＶ。
０．１％、そのゲージ亭には宣１、入力電圧がＶ、＝１
０，０００顎とすると、出力電圧Ｖｏは、Ｖ（１圏Ｖ４
・Ｋ、ＥよシＶ＠”” １０８１０”Ｘ １１ Ｘ Ｏ
，Ｉ Ｘ １０−” −１１１ｔｘＶである。このとき
、クリープの実測１１Ｖｏ−＋２０μＶであった。すΔ
Ｖｏ 、２Ｇ なわち、クリープは ／ ／’１８０００−ｏ、
１１％でＶ。
ある。このクリープ値を薄膜抵抗体（２）の寸法変化に
適用すると、薄膜抵抗体（至）が３■の場合、ΔＥ、ｆ
ｆＸ０．１１％−１１０，Ｉ Ｘ Ｏ，１１−１１ｘ
１０ ’し九がって、ｌ ｍ Ｘ １１ Ｘ １Ｇ−’
５ｍ３８ Ａとなる。
適用すると、薄膜抵抗体（至）が３■の場合、ΔＥ、ｆ
ｆＸ０．１１％−１１０，Ｉ Ｘ Ｏ，１１−１１ｘ
１０ ’し九がって、ｌ ｍ Ｘ １１ Ｘ １Ｇ−’
５ｍ３８ Ａとなる。
このように、クリープ量が０．１１％の場合においても
非常にわずかな寸法変化しかない、しかも、クリープ量
０．１１％の場合、歪センサとして使用するものとすれ
ば、その精度が約／□。。。であり、温度変化や回路の
誤葺勢の他の条件を含めるとさらに精度の低いセンサし
かで龜なｉことになる。実用上の精度は／３゜００−九
とえは秤量３に？、分解能ｌＩの秤が必要であシ、さら
にクリープ量を低減させる必要がある。
非常にわずかな寸法変化しかない、しかも、クリープ量
０．１１％の場合、歪センサとして使用するものとすれ
ば、その精度が約／□。。。であり、温度変化や回路の
誤葺勢の他の条件を含めるとさらに精度の低いセンサし
かで龜なｉことになる。実用上の精度は／３゜００−九
とえは秤量３に？、分解能ｌＩの秤が必要であシ、さら
にクリープ量を低減させる必要がある。
つｆＫ、第一図に示すものはポリイミド樹脂の代９に厚
さ３μのＢｂＯｚ膜を形成した場合であｐ、クリープは
ｊｖｏ／Ｖｏｓｗ Ｏ，２％であった。このように出力
電圧Ｖｏが時間とともに減少するのがマイナスクリープ
である。この場合も精度”７３０００のような高精度秤
の歪センサに使用することはできないものである。
さ３μのＢｂＯｚ膜を形成した場合であｐ、クリープは
ｊｖｏ／Ｖｏｓｗ Ｏ，２％であった。このように出力
電圧Ｖｏが時間とともに減少するのがマイナスクリープ
である。この場合も精度”７３０００のような高精度秤
の歪センサに使用することはできないものである。
しかして、絶縁樹脂に固体粉末を混合し丸場合の混合率
とクリープ量との関係を第７図ないし纂ｌＯ図に基づい
て説明する。まず、いずれの場合もビーム体（１）は８
ＵＳ６：１０（ＪＩ８）によるものであシ、絶縁樹脂は
ポリイミド樹脂で厚さ４μの絶縁樹脂膜（６）であシ、
クリープ量の測定値は荷重印加後１０分経過時のもので
ある。また、固体粉末は８ｉ０１であシ、平均粒径は約
１５ｍμである。
とクリープ量との関係を第７図ないし纂ｌＯ図に基づい
て説明する。まず、いずれの場合もビーム体（１）は８
ＵＳ６：１０（ＪＩ８）によるものであシ、絶縁樹脂は
ポリイミド樹脂で厚さ４μの絶縁樹脂膜（６）であシ、
クリープ量の測定値は荷重印加後１０分経過時のもので
ある。また、固体粉末は８ｉ０１であシ、平均粒径は約
１５ｍμである。
まず、第７図に示すものは薄膜抵抗体に）の材質がＮｂ
Ｃｒ （ＮＬ５０％、Ｃｒ ！ｔｏ％）で６９、膜厚が
１０００ムのものである。クリープ量はし偽粉末の含有
量が増加するにし九がってマイナス方向に向う傾向を示
し、約ｘｂｔ％でクリープ量は零付近になる。
Ｃｒ （ＮＬ５０％、Ｃｒ ！ｔｏ％）で６９、膜厚が
１０００ムのものである。クリープ量はし偽粉末の含有
量が増加するにし九がってマイナス方向に向う傾向を示
し、約ｘｂｔ％でクリープ量は零付近になる。
第８図に示す賜のは薄膜抵抗体に）の膜厚を６０００１
とした場合であｐ、クリープ量が零になるのはＳ ｂｏ
＠粉末の含有量が約５ ｍ１％のと自である。
とした場合であｐ、クリープ量が零になるのはＳ ｂｏ
＠粉末の含有量が約５ ｍ１％のと自である。
つぎに、纂９図に示す４ｈｏ社薄膜抵抗体四の材質がＮ
ｂＣｒＢｂ （Ｎｂ ７０％、Ｃｒ ２０％、し１０％
）、膜厚１０００ Ｘｏものについての結果を示すもの
で、８ＬＯ＝粉末含有量が３９Ａ％でクリープ量はほぼ
零付近になる。
ｂＣｒＢｂ （Ｎｂ ７０％、Ｃｒ ２０％、し１０％
）、膜厚１０００ Ｘｏものについての結果を示すもの
で、８ＬＯ＝粉末含有量が３９Ａ％でクリープ量はほぼ
零付近になる。
を九、第１０図に示すものはその膜厚が６００ＯＡのも
のについての結果であシ、８ｉＱｍ粉末含有量６．５−
％でクリープ量は＃１埋零付近になる。
のについての結果であシ、８ｉＱｍ粉末含有量６．５−
％でクリープ量は＃１埋零付近になる。
以上の夷験結釆番よシ、れ０３粉末の混合量により容易
にクリープ量の調整かで龜ることが解った。
にクリープ量の調整かで龜ることが解った。
し九がって、各種条件にしたがってクリープ量が零の状
態を設定すれば、クリープの影響のない歪センナが得ら
れる。
態を設定すれば、クリープの影響のない歪センナが得ら
れる。
しかして、固体粉末としては、ＢｂＯ＠粉末のかわりと
してムＪ禽偽、Ｍ＃Ｏ，Ｔ＝０１等を用いることも可能
である。ただし、粒径依存性を示し、粒径が大暑くなる
とその混合量が多くなる傾向にある。まえ、粉末の材質
については、微粒子化が容易であシ、絶縁樹脂との反応
性のない安定したものであれば如何なるものでもよく、
九とえば、ＢＮ、 ｍｏｓｓなど４クリープ制御の丸め
には有効である。さらに、カーボン等の導電性を示す微
粉末であっても均一に絶縁樹脂に分散させれば使用可能
であシ、絶縁特性を書することはない。
してムＪ禽偽、Ｍ＃Ｏ，Ｔ＝０１等を用いることも可能
である。ただし、粒径依存性を示し、粒径が大暑くなる
とその混合量が多くなる傾向にある。まえ、粉末の材質
については、微粒子化が容易であシ、絶縁樹脂との反応
性のない安定したものであれば如何なるものでもよく、
九とえば、ＢＮ、 ｍｏｓｓなど４クリープ制御の丸め
には有効である。さらに、カーボン等の導電性を示す微
粉末であっても均一に絶縁樹脂に分散させれば使用可能
であシ、絶縁特性を書することはない。
ま九、絶縁樹脂としてポリイミド樹脂を用いた状態につ
いて説明したが、ビーム体（１）の表面に均一な膜が形
成でき、しかも、ビーム体（１）との接着性が嵐好であ
如、上層に形成する薄膜抵抗体に）との接着性を低下さ
せることがないものであれば使用可能である。ただし、
薄膜抵抗体（至）をスノ（ツタリングあるいは蒸着する
場合には、絶縁樹脂膜（６）が温度上昇するために、少
なくとも１００＠Ｃ以上の耐熱温度が必要である。そし
て、その膜厚としては１μ倶〜２０μ淋の範囲が実用土
適している。その理由としては、膜厚が１μ惰以上でな
いとビーム体（１）と薄膜抵抗体（ロ）との間の絶縁性
を維持することが難かしく、また、厚さが２０μ淋以上
になると均一に塗布形成することが難かしいためである
。
いて説明したが、ビーム体（１）の表面に均一な膜が形
成でき、しかも、ビーム体（１）との接着性が嵐好であ
如、上層に形成する薄膜抵抗体に）との接着性を低下さ
せることがないものであれば使用可能である。ただし、
薄膜抵抗体（至）をスノ（ツタリングあるいは蒸着する
場合には、絶縁樹脂膜（６）が温度上昇するために、少
なくとも１００＠Ｃ以上の耐熱温度が必要である。そし
て、その膜厚としては１μ倶〜２０μ淋の範囲が実用土
適している。その理由としては、膜厚が１μ惰以上でな
いとビーム体（１）と薄膜抵抗体（ロ）との間の絶縁性
を維持することが難かしく、また、厚さが２０μ淋以上
になると均一に塗布形成することが難かしいためである
。
このような条件に適合する絶縁樹脂としては、耐熱性の
あること中膜の形成のし易さ等の点でポリイミド樹脂が
適しているが、この他にも環化ポリブタジェン樹脂中エ
ポキシ樹脂、エポキシ変成ボリイイド樹脂等を使用する
ことが可能である。
あること中膜の形成のし易さ等の点でポリイミド樹脂が
適しているが、この他にも環化ポリブタジェン樹脂中エ
ポキシ樹脂、エポキシ変成ボリイイド樹脂等を使用する
ことが可能である。
本発明は、上述のように起歪部を有するビーム体の表面
に絶縁樹脂膜を形成して薄膜抵抗体を形成するようにし
たものにおいて、固体粉末を絶縁樹脂に混合して絶縁樹
脂膜を形成するようにしたので、固体粉末の含有量を調
整することによりクリープ量を変化させることかで自、
これにより、クリープの壕いものを得ることかで畷、き
わめて高い精度のものを得ることがで龜るものである。
に絶縁樹脂膜を形成して薄膜抵抗体を形成するようにし
たものにおいて、固体粉末を絶縁樹脂に混合して絶縁樹
脂膜を形成するようにしたので、固体粉末の含有量を調
整することによりクリープ量を変化させることかで自、
これにより、クリープの壕いものを得ることかで畷、き
わめて高い精度のものを得ることがで龜るものである。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図はロード
セルの斜視図、第２図はその側面図、第３図は回路図、
落４図（−１（＋）はパターン形成過租を示す平面図、
第５図はポリイミド樹脂を用いた場合のクリープを示す
グラフ、纂６図はＳ↓０３を用い丸場合のクリープを示
すグラフ、第７図ないし第１０＃Ａは固体粉末の含有量
とクリープとの関係を示すグラフである。 １・・・ビーム体、Ｓ〜８・・・起歪部、１２・・・絶
縁樹脂膜、ｌト・・薄膜抵抗体 −羽− 第１頁の続き ■、 続 袖 Ｉ］・ 占 （方式） ％式％ ２ 発明の名称 嚢 セ ン ｔ １＄ 抽１１・を（４石 小角との関１＃ 脣許出鵬人 昭和Ｓ＠年Ｓ月２ｓ日（！１Ｈ過日） １） 袖１１−のχ・ｊ象 特願昭５７−２４９３９号補正誉 この出願に鳴し、明細書及び図面の記載を下記。 のように補正する。 配 置、 明細書中、第１頁第３行目ないし第２頁第１行目
の特許請求の範囲を別紙のように補正する。 ２、°明細書中、第１１頁第５行目の「固体粉末」を「
固体粉末」に補正する。 ３ 図面中、第７図、第８図、ｌＫ９図、第１０図を別
紙のように補正する。 別紙 ２、特許請求の範囲 １、起歪部を有するビーム体の表面に絶縁＊ｒ胎膜を形
成し、この絶縁樹脂膜上に薄膜抵抗体を形成したものに
おいて、前記絶＃ｌｋ樹Ｍ＊換を庖尾菫の徴とする歪セ
／す。 ２、パ絶醸樹脂をポリイミド樹脂としたことｒ特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の歪センサ。 ３ 固体粉末を緻化物、窒化物、硫化ｉｗｔ′ｆｃｔコ
これらの混合物としたことを特徴とする％Ｗｆａｆ４水
の範囲第１項記載の歪センサ。 ４、 固体粉末をＳシロ３、Ａｊｌ ｏｓ、Ｍ、Ｏ％Ｔ
＝０２またはこれらの混合物としたことを特徴とする
％ｆ＋艙水の範囲＃Ｉ１項記載の歪センサ。 ＆ 固体粉末を含んだ状態でビーム体我面に直接塗布し
た後に加熱手段により均一な厚嘔の腺か形成される少な
くとも１００．’Ｃ以上の耐熱性を１する絶縁樹脂とし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の歪セン
サ。
セルの斜視図、第２図はその側面図、第３図は回路図、
落４図（−１（＋）はパターン形成過租を示す平面図、
第５図はポリイミド樹脂を用いた場合のクリープを示す
グラフ、纂６図はＳ↓０３を用い丸場合のクリープを示
すグラフ、第７図ないし第１０＃Ａは固体粉末の含有量
とクリープとの関係を示すグラフである。 １・・・ビーム体、Ｓ〜８・・・起歪部、１２・・・絶
縁樹脂膜、ｌト・・薄膜抵抗体 −羽− 第１頁の続き ■、 続 袖 Ｉ］・ 占 （方式） ％式％ ２ 発明の名称 嚢 セ ン ｔ １＄ 抽１１・を（４石 小角との関１＃ 脣許出鵬人 昭和Ｓ＠年Ｓ月２ｓ日（！１Ｈ過日） １） 袖１１−のχ・ｊ象 特願昭５７−２４９３９号補正誉 この出願に鳴し、明細書及び図面の記載を下記。 のように補正する。 配 置、 明細書中、第１頁第３行目ないし第２頁第１行目
の特許請求の範囲を別紙のように補正する。 ２、°明細書中、第１１頁第５行目の「固体粉末」を「
固体粉末」に補正する。 ３ 図面中、第７図、第８図、ｌＫ９図、第１０図を別
紙のように補正する。 別紙 ２、特許請求の範囲 １、起歪部を有するビーム体の表面に絶縁＊ｒ胎膜を形
成し、この絶縁樹脂膜上に薄膜抵抗体を形成したものに
おいて、前記絶＃ｌｋ樹Ｍ＊換を庖尾菫の徴とする歪セ
／す。 ２、パ絶醸樹脂をポリイミド樹脂としたことｒ特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の歪センサ。 ３ 固体粉末を緻化物、窒化物、硫化ｉｗｔ′ｆｃｔコ
これらの混合物としたことを特徴とする％Ｗｆａｆ４水
の範囲第１項記載の歪センサ。 ４、 固体粉末をＳシロ３、Ａｊｌ ｏｓ、Ｍ、Ｏ％Ｔ
＝０２またはこれらの混合物としたことを特徴とする
％ｆ＋艙水の範囲＃Ｉ１項記載の歪センサ。 ＆ 固体粉末を含んだ状態でビーム体我面に直接塗布し
た後に加熱手段により均一な厚嘔の腺か形成される少な
くとも１００．’Ｃ以上の耐熱性を１する絶縁樹脂とし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の歪セン
サ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、起歪部を有するビーム体の嶽面に絶縁樹脂膜を形成
し、この絶縁樹脂膜上に薄膜抵抗体を形成したものにお
いて、前記絶縁樹脂膜を所定量の固体粉末による絶縁樹
脂によシ形成したことを特徴とする歪センｔ０ ２、 絶縁樹脂をポリイミド樹脂としたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１３１１記載の歪センナ。 ３、 １４１体粉末を酸化物、窒化物、硫化物ま九はこ
れらの混合物としたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の歪センナ。 ４、 １ａｉ１体粉末をＢＪ−０３、ムｊ、 ａｍ 、
Ｍ、０、ＴＬＯ２またはこれらの混合物としたことを
特徴とする％ＦＦ請求の範ＩＰ！１ＩｌＩ１項記載の歪
センサ。 臥 固体粉末を含んだ状態でビーム体表面に直Ｍｋ塗布
した後に加熱手段によ）均一な厚さの膜が形成される少
なくとも１００°Ｃ以上の耐熱性を有する絶縁樹脂とし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の歪セン
サ。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP57024939A JPS58142206A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | 歪センサ |
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP57024939A JPS58142206A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | 歪センサ |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124731A (ja) * | 1988-10-05 | 1989-05-17 | Tokyo Electric Co Ltd | 歪センサ |
| KR100535897B1 (ko) * | 1997-08-22 | 2006-03-22 | 알파 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 로드셀및그제조방법 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59230131A (ja) * | 1983-06-13 | 1984-12-24 | Tokyo Electric Co Ltd | ロ−ドセル |
| EP0150878B1 (de) * | 1984-01-28 | 1990-09-12 | Philips Patentverwaltung GmbH | Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmmessstreifensystems |
| DE3403042A1 (de) * | 1984-01-30 | 1985-08-01 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Duennfilm-dehnungsmessstreifen-system und verfahren zu seiner herstellung |
| DE3404936A1 (de) * | 1984-02-11 | 1985-08-14 | Bizerba-Werke Wilhelm Kraut GmbH & Co KG, 7460 Balingen | Elektromechanische waegezelle mit biegemesskoerper |
| EP0251563A3 (en) * | 1986-06-17 | 1991-01-09 | Tokyo Electric Co. Ltd. | Photoelectric conversion device |
| JPS63165725A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | Aisin Seiki Co Ltd | 圧力センサ−用歪ゲ−ジ |
| JPH0731091B2 (ja) * | 1987-05-27 | 1995-04-10 | 日本碍子株式会社 | 歪検出器 |
| US4821583A (en) * | 1987-07-14 | 1989-04-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Tension measuring apparatus |
| FR2622008B1 (fr) * | 1987-10-15 | 1990-01-19 | Commissariat Energie Atomique | Jauges de contrainte a fluage reglable et procede d'obtention de telles jauges |
| US5184520A (en) * | 1989-10-18 | 1993-02-09 | Ishida Scales Mfg. Co., Ltd. | Load sensor |
| US5154247A (en) * | 1989-10-31 | 1992-10-13 | Teraoka Seiko Co., Limited | Load cell |
| US5306873A (en) * | 1990-09-26 | 1994-04-26 | Ishida Scales Mfg. Co., Ltd. | Load cell with strain gauges having low temperature dependent coefficient of resistance |
| EP0544934B1 (de) * | 1991-11-30 | 1996-10-02 | Endress U. Hauser Gmbh U. Co. | Verfahren zum Stabilisieren der Oberflächeneigenschaften von in Vakuum temperaturzubehandelnden Gegenständen |
| FR2685080B1 (fr) * | 1991-12-17 | 1995-09-01 | Thomson Csf | Capteur mecanique comprenant un film de polymere. |
| FR2693795B1 (fr) * | 1992-07-15 | 1994-08-19 | Commissariat Energie Atomique | Jauge de contrainte sur support souple et capteur muni de ladite jauge. |
| JPH115364A (ja) * | 1997-04-24 | 1999-01-12 | Tec Corp | ノンインパクト記録方法 |
| US6647797B2 (en) * | 1997-11-06 | 2003-11-18 | Powerco, S.P.A. | Strain gauge strip and applications thereof |
| DE19814261A1 (de) * | 1998-03-31 | 1999-10-14 | Mannesmann Vdo Ag | Dehnungsempfindlicher Widerstand |
| US6453748B1 (en) | 1999-12-15 | 2002-09-24 | Wayne State University | Boron nitride piezoresistive device |
| US6680668B2 (en) * | 2001-01-19 | 2004-01-20 | Vishay Intertechnology, Inc. | Fast heat rise resistor using resistive foil |
| DE10156160B4 (de) * | 2001-11-15 | 2007-06-14 | Siemens Ag | Mechanisch-elektrischer Wandler |
| AU2002228515A1 (en) * | 2002-01-13 | 2003-07-24 | Piotr Buczkowski | Method for measuring the pipeline creeping |
| FR2867275B1 (fr) * | 2004-03-03 | 2006-05-19 | Seb Sa | Capteur de poids |
| US7188511B2 (en) * | 2004-06-11 | 2007-03-13 | Robert Bosch Gmbh | Stress wave sensor |
| US7231803B2 (en) * | 2004-06-11 | 2007-06-19 | Robert Bosch Gmbh | Hybrid impact sensor |
| ITTO20120293A1 (it) | 2012-04-03 | 2013-10-04 | Metallux Sa | Procedimento per tarare un elemento di calibrazione, e relativo dispositivo |
| WO2014188678A1 (ja) * | 2013-05-21 | 2014-11-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 荷重検出装置 |
| JP2017067764A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ、荷重センサ、及びひずみゲージの製造方法 |
| CN115030942B (zh) * | 2022-06-08 | 2023-08-18 | 深圳市力合鑫源智能技术有限公司 | 导热膜基底金属电阻应变计及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA689756A (en) * | 1964-06-30 | The Budd Company | Bending-strain transducer | |
| DE1648788A1 (de) * | 1968-01-05 | 1971-07-22 | Tech Physikalische Werkstaette | Dehnungsmessstreifen mit Traeger aus Kunststoff |
| US4050976A (en) * | 1976-01-27 | 1977-09-27 | Bofors America, Inc. | Strain gage application |
| US4104605A (en) * | 1976-09-15 | 1978-08-01 | General Electric Company | Thin film strain gauge and method of fabrication |
| DE2728916A1 (de) * | 1977-06-27 | 1979-01-18 | Hottinger Messtechnik Baldwin | Verfahren und vorrichtung zum abdecken eines dehnungsmesstreifens |
| DE2916425C2 (de) * | 1979-04-23 | 1981-04-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Dehnungsmeßstreifen und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE2916427C2 (de) * | 1979-04-23 | 1987-02-12 | Hottinger Baldwin Messtechnik Gmbh, 6100 Darmstadt | Meßumformer mit einer Feder und einer darauf applizierten Dehnungsmeßstreifenanordnung |
| EP0053337B1 (en) * | 1980-11-29 | 1987-05-20 | Tokyo Electric Co., Ltd. | Load cell and method of manufacturing the same |
-
1982
- 1982-02-18 JP JP57024939A patent/JPS58142206A/ja active Granted
-
1983
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- 1983-02-16 CA CA000421674A patent/CA1184051A/en not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124731A (ja) * | 1988-10-05 | 1989-05-17 | Tokyo Electric Co Ltd | 歪センサ |
| KR100535897B1 (ko) * | 1997-08-22 | 2006-03-22 | 알파 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 로드셀및그제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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