CN115030942B - 导热膜基底金属电阻应变计及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种导热膜基底金属电阻应变计及其制备方法，包括：选择导热材料和胶液制备导热基底膜；对导热基底膜进行表面处理；根据满足表面处理时间，在导热基底膜的表面涂布粘结胶；对敏感栅箔材进行清洁处理；根据敏感栅箔材的清洁度满足要求，将敏感栅箔材与导热基底膜粘合。本发明在制备导热膜基底金属电阻应变计的过程中引入了导热材料，加入导热材料后导热基底膜具有更好的导热性能，蠕变和滞后特性得到改善，提高一致性，减弱了通电自发热导致的零点漂移现象。由导热材料和胶液制成的导热基底膜具有高弹性模量、低膨胀系数、高导热性、高绝缘性、一致性好等优点，从各方面提升了导热膜基底金属电阻应变计的性能。

Description

导热膜基底金属电阻应变计及其制备方法

技术领域

本发明属于电子元器件、高分子材料和传感器技术领域，具体涉及一种导热膜基底金属电阻应变计及其制备方法。

背景技术

本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。

1938年，一种纸基丝绕式金属电阻应变计同时分别由美国加州理工学院教授西蒙斯(E.Simmens)和麻省理工学院教授鲁奇(A.Ruge)研制成功。

在长期的工程实践中，业内尝试了各种材料用作金属电阻应变计的导热基底膜，如纸基、胶基和硅基等材料，最早的金属电阻应变计就是用纸作为导热基底膜的。经过长期的甄选目前金属电阻应变计应用的导热基底膜材料中，高分子材料占主导地位。高分子材料导热膜基底金属电阻应变计主要有三种形态：

第一种：高分子胶基膜导热膜基底金属电阻应变计，高分子胶基膜主要使用酚醛树脂(PF)、环氧树脂(EP)、酚醛(PF)-环氧树脂(EP)、聚酰亚胺(PI)、聚醚醚酮(PEEK)等胶液，采用在敏感栅箔材表面刮胶或离心机甩胶工艺，热固成膜。高分子胶基膜的优点是制程设备简易，工艺简单灵活，箔材与导热基底膜间不需增加另外的粘结剂；缺点是弹性模量低，膜厚一致性差，胶水有效利用率低，且丢弃的胶水难以降解从而造成环境污染。高分子胶基膜导热膜基底金属电阻应变计的优点是成本低；缺点是蠕变和滞后特性差，一致性差，存在通电自发热导致的零点漂移现象。

第二种：复合高分子胶基膜导热膜基底金属电阻应变计，高分子复合胶基膜主要是在酚醛树脂、环氧树脂、酚醛-环氧树脂、聚酰亚胺、聚醚醚酮等胶液中，添加玻璃纤维、氧化硅、氧化铝和氮化硼等功能材料作为填料，采用在敏感栅箔材表面刮胶或离心机甩胶工艺，热固成膜。高分子复合胶基膜相比普通胶基膜可显著提高弹性模量，降低线膨胀系数。缺点仍是膜厚一致性差，胶水有效利用率低，且丢弃的胶水难以降解从而造成环境污染。复合高分子胶基导热膜基底金属电阻应变计的优点是改善了蠕变和滞后特性；缺点是一致性差，存在通电自发热导致的零点漂移现象。

第三种：复合高分子预制膜导热膜基底金属电阻应变计，随着科技进步，一些高端设备研发成功，西方材料技术发达国家率先制备出高分子改性预制薄膜，金属电阻应变计导热基底膜材料由此进入预制膜时代。行业里常用两种工程塑料预制薄膜：一种是改性聚酰亚胺(PI)预制薄膜；另外一种是改性聚醚醚酮(PEEK)预制薄膜。以聚酰亚胺或聚醚醚酮为基模，复合氧化硅等粉体功能材料，采用以流延工艺为核心的成套制程设备批量制备出的功能薄膜，可提高薄膜弹性模量，降低线膨胀系数，且膜厚均匀、一致性好，可作为性能优良的金属电阻应变计导热基底膜。其缺点是不具备导热性。复合高分子预制膜导热膜基底金属电阻应变计的优点是显著改善了蠕变和滞后特性，一致性好；缺点是存在通电自发热导致的零点漂移现象。

目前，三种导热膜基底金属电阻应变计均存在缺点。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的第一方面提出了一种导热膜基底金属电阻应变计的制备方法，包括：

选择导热材料和胶液制备导热基底膜；

对所述导热基底膜进行表面处理；

根据满足表面处理时间，在所述导热基底膜的表面涂布粘结胶；

对敏感栅箔材进行清洁处理；

根据所述敏感栅箔材的清洁度满足要求，将所述敏感栅箔材与所述导热基底膜粘合。

当导热膜基底金属电阻应变计处于不同环境温度时，工作状态下敏感栅箔材会因通电而自发热，从而产生热输出。本发明在制备导热膜基底金属电阻应变计的过程中引入了导热材料，加入导热材料后导热基底膜具有更好的导热性能，蠕变和滞后特性得到改善，提高一致性，减弱了通电自发热导致的零点漂移现象。在导热膜基底金属电阻应变计的结构组成中，基底膜的作用是传递应变、保持绝缘并保持敏感栅的静态几何图形和动态结构相对位置，由导热材料和胶液制成的导热基底膜具有高弹性模量、低膨胀系数、高导热性、高绝缘性、一致性好等优点，从各方面提升了导热膜基底金属电阻应变计的性能。

使用本发明的导热膜基底金属电阻应变计相比较于现有技术中的电阻应变计，表面更加光滑，粗糙度更低，因此，在进行敏感栅箔材与导热基底膜贴合之前，需要对导热基底膜进行表面处理，以保证良好的贴合。通过对导热基底膜进行表面处理，能够提高导热基底膜的粘合力和附着力，增强各层之间的贴合度。对敏感栅箔材进行清洁，洗去敏感栅箔材表面的脏污或浮尘，避免影响应变计的质量。

需要说明的是，由于导热基底膜的特性改善了蠕变和滞后特性，因此，在实际设计导热膜基底金属电阻应变计的结构时，需要调整敏感栅端环宽度和测量栅宽度的比例，进而能够更好地适应蠕变特性。

在本发明的一些实施例中，所述选择导热材料和胶液制备导热基底膜包括：

将所述导热材料和所述胶液置于反应釜中搅拌；

根据搅拌至所述导热材料在所述胶液中分散均匀，等待消泡；

根据消泡完成后，将所述导热材料和所述胶液的混合体储存于不锈钢树脂溶液储罐中；

采用流延拉伸法将所述混合体制备所述导热基底膜。

在本发明的一些实施例中，在所述选择导热材料和胶液制备导热基底膜中，所述导热材料包括氮化硼、氧化铝或氧化镁，所述胶液包括聚酰亚胺胶液或聚醚醚酮胶液。

在本发明的一些实施例中，所述氮化硼与所述聚酰亚胺胶液的重量比为20-30％。

在本发明的一些实施例中，所述氮化硼与所述聚酰亚胺胶液的重量比为23％。

在本发明的一些实施例中，在所述采用流延拉伸法将混合体制备所述导热基底膜中，所述导热基底膜的厚度为20μm-30μm。

在本发明的一些实施例中，所述导热基底膜的厚度为25μm。

在本发明的一些实施例中，在所述对所述导热基底膜进行表面处理中，采用等离子发生器对所述导热基底膜的表面进行等离子活化处理或在所述导热基底膜表面底涂表调剂。

在本发明的一些实施例中，在所述根据满足表面处理时间，在所述导热基底膜的表面涂布粘结胶中，采用等离子发生器对所述导热基底膜的表面进行等离子活化处理，所述表面处理时间大于等于5分钟，所述粘结胶为环氧树脂粘结胶。

在本发明的一些实施例中，所述对敏感栅箔材进行清洁处理包括：

使用丙酮对所述敏感栅箔材进行清洗；

使用工业酒精再对所述敏感栅箔材进行清洗；

将经过清洗的所述敏感栅箔材晾干。

在本发明的一些实施例中，在根据所述敏感栅箔材的清洁度满足要求，将所述敏感栅箔材与所述导热基底膜粘合中，所述敏感栅箔材与所述导热基底膜之间无气泡。

在本发明的一些实施例中，在所述根据所述敏感栅箔材的清洁度满足要求，将所述敏感栅箔材与所述导热基底膜粘合之后，所述导热膜基底金属电阻应变计的制备方法还包括：对所述导热基底膜与所述敏感栅箔材的粘合体进行加压热固、光刻、蚀刻、调阻、检测、加保护层和再次加压热固。

在本发明的一些实施例中，在所述对所述导热基底膜与所述敏感栅箔材的粘合体进行加压热固、光刻、蚀刻、调阻、检测、加保护层和再次加压热固之后，所述导热膜基底金属电阻应变计的制备方法还包括：对所述导热基底膜与所述敏感栅箔材的粘合体进行剪片、分选和包装，所述导热膜基底金属电阻应变计制备完成。

本发明的第二方面提出了一种导热膜基底金属电阻应变计，通过上述技术方案中的导热膜基底金属电阻应变计的制备方法获得，包括层叠设置的敏感栅箔材、粘结胶和混合体，所述混合体包括导热材料和胶液。

本发明实施例的导热膜基底金属电阻应变计与上述实施例中的导热膜基底金属电阻应变计的制备方法所具有的有益效果相同，在此不再赘述。

在本发明的一些实施例中，所述导热材料为氮化硼、氧化铝或氧化镁，所述胶液为聚酰亚胺胶液或聚醚醚酮胶液。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为本发明实施例的导热膜基底金属电阻应变计的制备方法的流程图；

图2为本发明实施例的选择导热材料和胶液制备导热基底膜的流程图；

图3为本发明实施例的对敏感栅箔材进行清洁处理的流程图；

图4为本发明实施例四中的导热膜基底金属电阻应变计的截面示意图。

附图中各标记表示如下：

1、保护层；

2、保护层粘结胶；

3、敏感栅箔材；

4、粘结胶；

5、导热基底膜。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

应理解的是，文中使用的术语仅出于描述特定示例实施方式的目的，而无意于进行限制。除非上下文另外明确地指出，否则如文中使用的单数形式“一”、“一个”以及“所述”也可以表示包括复数形式。术语“包括”、“包含”、“含有”以及“具有”是包含性的，并且因此指明所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除存在或者添加一个或多个其它特征、步骤、操作、元件、部件、和/或它们的组合。

尽管可以在文中使用术语第一、第二、第三等来描述多个元件、部件、区域、层和/或部段，但是，这些元件、部件、区域、层和/或部段不应被这些术语所限制。这些术语可以仅用来将一个元件、部件、区域、层或部段与另一区域、层或部段区分开。除非上下文明确地指出，否则诸如“第一”、“第二”之类的术语以及其它数字术语在文中使用时并不暗示顺序或者次序。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部段在不脱离示例实施方式的教导的情况下可以被称作第二元件、部件、区域、层或部段。

为了便于描述，可以在文中使用空间相对关系术语来描述如图中示出的一个元件或者特征相对于另一元件或者特征的关系，这些相对关系术语例如为“内部”、“外部”、“内侧”、“外侧”、“下面”、“下方”、“上面”、“上方”等。这种空间相对关系术语意于包括除图中描绘的方位之外的在使用或者操作中装置的不同方位。例如，如果在图中的装置翻转，那么描述为“在其它元件或者特征下面”或者“在其它元件或者特征下方”的元件将随后定向为“在其它元件或者特征上面”或者“在其它元件或者特征上方”。因此，示例术语“在……下方”可以包括在上和在下的方位。装置可以另外定向(旋转90度或者在其它方向)并且文中使用的空间相对关系描述符相应地进行解释。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。

如图1所示，本发明的第一方面提出了一种导热膜基底金属电阻应变计的制备方法，包括：

选择导热材料和胶液制备导热基底膜5；

对导热基底膜5进行表面处理；

根据满足表面处理时间，在导热基底膜5的表面涂布粘结胶4；

对敏感栅箔材3进行清洁处理；

根据敏感栅箔材3的清洁度满足要求，将敏感栅箔材3与导热基底膜5粘合。

当导热膜基底金属电阻应变计处于不同环境温度时，工作状态下敏感栅箔材3会因通电而自发热，从而产生热输出。本发明在制备导热膜基底金属电阻应变计的过程中引入了导热材料，加入导热材料后导热基底膜5具有更好的导热性能，蠕变和滞后特性得到改善，提高一致性，减弱了通电自发热导致的零点漂移现象。在导热膜基底金属电阻应变计的结构组成中，基底膜的作用是传递应变、保持绝缘并保持敏感栅的静态几何图形和动态结构相对位置，由导热材料和胶液制成的导热基底膜5具有高弹性模量、低膨胀系数、高导热性、高绝缘性、一致性好等优点，从各方面提升了导热膜基底金属电阻应变计的性能。

使用本发明的导热基底膜5的导热膜基底金属电阻应变计相比较于现有技术中的电阻应变计，表面更加光滑，粗糙度更低，因此，在进行敏感栅箔材3与导热基底膜5贴合之前，需要对导热基底膜5进行表面处理，以保证良好的贴合。通过对导热基底膜5进行表面处理，能够提高导热基底膜5的粘合力和附着力，增强各层之间的贴合度。对敏感栅箔材3进行清洁，洗去敏感栅箔材3表面的脏污或浮尘，避免影响应变计的质量。

需要说明的是，由于导热基底膜5的特性改善了蠕变和滞后特性，因此，在实际设计导热膜基底金属电阻应变计的结构时，需要调整敏感栅端环宽度和测量栅宽度的比例，进而能够更好地适应蠕变特性。

如图2所示，在本发明的一些实施例中，选择导热材料和胶液制备导热基底膜5包括：将导热材料和胶液置于反应釜中搅拌；根据搅拌至导热材料在胶液中分散均匀，等待消泡；根据消泡完成后，将导热材料和胶液的混合体储存于不锈钢树脂溶液储罐中；采用流延拉伸法将混合体制备导热基底膜5。搅拌至均匀也是为了保证导热基底膜5各处的弹性模量、膨胀系数、导热性、绝缘性等性能差异不大，进而保证导热膜基底金属电阻应变计的品质。在进行敏感栅箔材3与导热基底膜5粘合时，气泡会影响贴合的效果，因此需要提前进行消泡处理。采用流延拉伸法在特定设备中，经过流延、热风干燥、亚胺化、拉伸和收卷等工艺，完成导热基底膜5的制备。

在本发明的一些实施例中，在选择导热材料和胶液制备导热基底膜5中，导热材料包括氮化硼、氧化铝或氧化镁，胶液包括聚酰亚胺胶液或聚醚醚酮胶液。为了提高导热膜基底金属电阻应变计的品质，也为了搅拌能够更加均匀，导热材料采用纳米级粉体。

在本发明的一些实施例中，氮化硼与聚酰亚胺胶液的重量比为20％-30％。在一个实施例中，选择纳米级粉体氮化硼和聚酰亚胺胶液制备导热基底膜5，两者的重量比在20％-30％之间，包括端点值20％和30％，在该重量比范围内，导热基底膜5的导热系数、膜厚、机械性能和流延工艺性都更加协调和平衡。通过优化导热材料和胶液的重量比，协调了导热系数与机械性能之间的制约关系，制备出导热膜基底金属电阻应变计专用的导热基底膜5。

在本发明的一些实施例中，在一个实施例中，氮化硼与聚酰亚胺胶液的重量比为23％。

在本发明的一些实施例中，在采用流延拉伸法将混合体制备导热基底膜5中，导热基底膜5的厚度为20μm-30μm。

在本发明的一些实施例中，在一个实施例中，导热基底膜5的厚度为25μm。

在本发明的一些实施例中，在对导热基底膜5进行表面处理中，采用等离子发生器对导热基底膜5的表面进行等离子活化处理或在导热基底膜5表面底涂表调剂。由于加入了导热材料，对应地，生产工艺进行调整，增加了对导热基底膜5的表面处理工艺，以提高导热基底膜5的粘合力和附着力，增强各层之间的贴合度。

在本发明的一些实施例中，在根据满足表面处理时间，在导热基底膜5的表面涂布粘结胶4中，采用等离子发生器对导热基底膜5的表面进行等离子活化处理，表面处理时间大于等于5分钟，粘结胶4为环氧树脂粘结胶4。

如图3所示，在本发明的一些实施例中，对敏感栅箔材3进行清洁处理包括：使用丙酮对敏感栅箔材3进行清洗；使用工业酒精再对敏感栅箔材3进行清洗；将经过清洗的敏感栅箔材3晾干。对敏感栅箔材3进行清洁，洗去敏感栅箔材3表面的脏污或浮尘，避免影响应变计的质量。

在本发明的一些实施例中，在根据敏感栅箔材3的清洁度满足要求，将敏感栅箔材3与导热基底膜5粘合中，敏感栅箔材3与导热基底膜5之间无气泡，保证敏感栅箔材3与导热基底膜5之间贴合平整，进而提高导热膜基底金属电阻应变计的品质。

在本发明的一些实施例中，在根据敏感栅箔材3的清洁度满足要求，将敏感栅箔材3与导热基底膜5粘合之后，导热膜基底金属电阻应变计的制备方法还包括：对导热基底膜5与敏感栅箔材3的粘合体进行加压热固、光刻、蚀刻、调阻、检测、加保护层1和再次加压热固。由于导热基底膜5不同于现有技术中基底膜，需要在粘合之后增加了加压热固和再次加压热固的工艺。其中，保护层通过保护层粘结胶2与敏感栅箔材3贴合。

在本发明的一些实施例中，在对导热基底膜5与敏感栅箔材3的粘合体进行加压热固、光刻、蚀刻、调阻、检测、加保护层1和再次加压热固之后，导热膜基底金属电阻应变计的制备方法还包括：对导热基底膜5与敏感栅箔材3的粘合体进行剪片、分选和包装，导热膜基底金属电阻应变计制备完成。

如图4所示，本发明的第二方面提出了一种电阻应变计，通过上述技术方案中的导热膜基底金属电阻应变计的制备方法获得，包括层叠设置的敏感栅箔材3、粘结胶4和混合体，混合体包括导热材料和胶液。

在本发明的一些实施例中，导热膜基底金属电阻应变计还包括位于敏感栅箔材3上的保护层1和保护层粘结胶2。

在本发明的一些实施例中，导热材料为氮化硼、氧化铝或氧化镁，胶液为聚酰亚胺胶液或聚醚醚酮胶液。

下面将以一个实施例对本发明所提供的导热膜基底金属电阻应变计的制备方法及制备出的导热膜基底金属电阻应变计进行说明：

选择导热材料和胶液制备导热基底膜5：用纳米级粉体氮化硼和聚酰亚胺胶液以23％的重量比置于反应釜中搅拌，确纳米级粉体氮化硼在聚酰亚胺胶液中分散均匀，等待消泡，混合体消泡后存储于不锈钢树脂溶液储罐中，采用流延拉伸法在特定设备中经过流延、热风干燥、亚胺化、拉伸和收卷等工艺，制备膜厚25μm的导热基底膜5；

对导热基底膜5进行表面处理：采用等离子发生器对导热基底膜5进行等离子活化处理；

根据满足表面处理时间，在导热基底膜5的表面涂布粘结胶4：等离子活化时间为5分钟，等离子活化5分钟内在导热基底膜5表面涂布环氧树脂粘结胶4；

对敏感栅箔材3进行清洁处理：用丙酮和工业酒精先后清洗敏感栅箔材3并晾干；

根据敏感栅箔材3的清洁度满足要求，将敏感栅箔材3与导热基底膜5粘合：导热基底膜5与敏感栅箔材3粘合，确保两者平整结合，中间无气泡；

对导热基底膜5与敏感栅箔材3的粘合体进行加压热固、光刻、蚀刻、调阻、检测、加保护层1和再次加压热固；

对导热基底膜5与敏感栅箔材3的粘合体进行剪片、分选和包装，导热膜基底金属电阻应变计制备完成。

下表为不同基底膜的参数对比，PI-BN为纳米级粉体氮化硼与聚酰亚胺胶液制备出的导热基底膜5，PI+为复合填料与聚酰亚胺胶液制备出的非导热功能基底膜，EP-PF为环氧树脂胶液与酚醛树脂胶液制备出的基底膜。从实验数据上看，PI-BN的性能在7个指标中全面占优：

下表为以本发明的导热基底膜5制备半桥金属电阻应变计，进而制作平行梁式应变传感器的测试数据：

通过该表格可以看出：

(1)本发明中的导热基底膜5的零点与蠕变数据收敛，表现出应变计良好的一致性和良好的蠕变特性，回零良好表示机械滞后性能良好；

(2)零漂数据表现突出，标志着导热基底膜5对电阻应变计的通电自发热量散热效果良好。在11个样本中有7个零漂值接近0，余下4个样本中有3个零漂值为0.0001，1个零漂值为0.0002，零漂均值仅小于0.0001。同样结构、同样工艺、同样测试条件下用环氧树脂-酚醛树脂(EP-PF)基底半桥金属电阻应变计制作的应变传感器，其蠕变平均值大于0.0003，PI-BN导热基底膜5金属电阻应变计的零漂值不到EP-PF树脂膜基底金属电阻应变计的30％。导热基底膜5对金属电阻应变计的通电自发热量的散热效果，叠加其弹性模量的提高以及线膨胀系数的降低，共同达成了以上效果。

以上，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (4)

1.一种导热膜基底金属电阻应变计的制备方法，其特征在于，包括：

(1)选择导热材料和胶液制备导热基底膜：

将所述导热材料和所述胶液置于反应釜中搅拌；

根据搅拌至所述导热材料在所述胶液中分散均匀，等待消泡；

根据消泡完成后，将所述导热材料和所述胶液的混合体储存于不锈钢树脂溶液储罐中；其中，所述导热材料采用纳米级氮化硼粉体，所述胶液采用聚酰亚胺胶液，且所述氮化硼与所述聚酰亚胺胶液的重量比为20-30％；

采用流延拉伸法将所述混合体制备所述导热基底膜，其中，所述导热基底膜的厚度为20μm-30μm；

(2)对所述导热基底膜进行表面处理：

采用等离子发生器对所述导热基底膜的表面进行等离子活化处理或在所述导热基底膜表面底涂表调剂；

(3)根据满足表面处理时间，在所述导热基底膜的表面涂布粘结胶：

采用等离子发生器对所述导热基底膜的表面进行等离子活化处理，所述表面处理时间大于等于5分钟，所述粘结胶为环氧树脂粘结胶；

(4)对敏感栅箔材进行清洁处理：

使用丙酮对所述敏感栅箔材进行清洗；

使用工业酒精再对所述敏感栅箔材进行清洗；

将经过清洗的所述敏感栅箔材晾干；

(5)根据所述敏感栅箔材的清洁度满足要求，将所述敏感栅箔材与所述导热基底膜粘合，该步骤中所述敏感栅箔材与所述导热基底膜之间无气泡；

(6)对所述导热基底膜与所述敏感栅箔材的粘合体进行加压热固、光刻、蚀刻、调阻、检测、加保护层和再次加压热固；

(7)对所述导热基底膜与所述敏感栅箔材的粘合体进行剪片、分选和包装，所述导热膜基底金属电阻应变计制备完成。

2.根据权利要求1所述的导热膜基底金属电阻应变计的制备方法，其特征在于，所述氮化硼与所述聚酰亚胺胶液的重量比为23％。

3.根据权利要求1所述的导热膜基底金属电阻应变计的制备方法，其特征在于，所述导热基底膜的厚度为25μm。

4.一种导热膜基底金属电阻应变计，通过权利要求1-3任一项所述的导热膜基底金属电阻应变计的制备方法获得，其特征在于，包括层叠设置的敏感栅箔材、粘结胶和混合体，所述混合体包括导热材料和胶液。