JPH07174644A - ひずみ計,ひずみ計測装置およびこの装置の製造方法 - Google Patents

ひずみ計,ひずみ計測装置およびこの装置の製造方法

Info

Publication number
JPH07174644A
JPH07174644A JP32258793A JP32258793A JPH07174644A JP H07174644 A JPH07174644 A JP H07174644A JP 32258793 A JP32258793 A JP 32258793A JP 32258793 A JP32258793 A JP 32258793A JP H07174644 A JPH07174644 A JP H07174644A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
strain
gauge
measured
measuring device
resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32258793A
Other languages
English (en)
Inventor
Tateki Mitani
干城 三谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP32258793A priority Critical patent/JPH07174644A/ja
Publication of JPH07174644A publication Critical patent/JPH07174644A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】 被測定物のひずみ量を、高温または低温下で
安定して長期にわたり測定できるひずみ計およびひずみ
計測装置を提供する。 【構成】 被測定物1のネジ穴8にねじ込んだ状態で、
被測定物1に加わる応力を測定できるように、ひずみ計
9にネジ部9aを有しかつこのネジ部9aの頭部9bに
ゲージ抵抗4を形成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は荷重やトルクを測定す
るひずみ計測法に関する。
【0002】
【従来の技術】図6は従来のひずみ量を測定する方法を
示すひずみ計測状態の斜視図である。図において、1は
ひずみ量を測定したい被測定物,2はひずみ量を測定す
るひずみゲージで、外部と接続するパッド3,例えば銅
・ニッケル合金を材料とするゲージ抵抗4,パッド3や
ゲージ抵抗4を形成させる樹脂製のベース5等で構成さ
れ、接着剤6で被測定物1の表面に貼り付けられてい
る。
【0003】図7は図6のひずみ計測状態のホイートス
トンブリッジ回路を示す図である。図において、Rgは
図6におけるゲージ抵抗4、Rは固定抵抗である。ま
た、Eはブリッジ電圧、eo は出力電圧である。
【0004】次に動作について説明する。図6におい
て、例えば矢印7の方向に一様な引張り応力が働くとす
れば、ゲージ抵抗4は被測定物1の形状変化に伴い変化
する。ひずみの変化εo (ΔL/L)(最初Lの長さの
ものが、ΔLだけ伸びたとした場合)に対する抵抗の変
化ΔRg/Rgの比,すなわちゲージ率をKs とすれ
ば、 の式で、ひずみの量が表わされる。従って、矢印7の方
向の圧縮,引張り力はひずみゲージ2をパッド3を用い
て図示しない外部回路と接続することにより、ひずみ量
としてeo の上式で表わされ、被測定物1の受けるひず
み量が測定できる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来のひずみ計測法は
以上のように構成されているので、ひずみ量を測定する
とき、ひずみゲージを被測定物1に接着剤6にて貼りつ
けねばならず、例えば自動車等の高温で長時間使用する
環境下では、はがれてしまうことがあり、この場合使用
できないという問題点があった。
【0006】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、高温や低温という悪影響下でも
長時間安定して使用できるひずみ計およびひずみ計測装
置を得ることを目的とする。
【0007】また、この発明はひずみ計に空洞を利用し
て薄肉部を形成することにより、この薄肉部に形成した
ゲージ抵抗の感度が良くなるというひずみ計およびひず
み計測装置を得ることを目的とする。
【0008】また、この発明はひずみ計のネジ部を被測
定物にねじ込むことによってひずみ計測装置を製造する
ことにより、温度変化によっても安定した測定性能が得
られるひずみ計測装置の製造方法を得ることを目的とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係るひ
ずみ計は、ネジ部を有しかつこのネジ部の頭部にゲージ
抵抗を形成したものである。請求項2の発明に係るひず
み計は、ネジ部を有すると共にこのネジ部の内側に空洞
を有しかつこの空洞を利用して前記ネジ部の頭部薄肉部
にゲージ抵抗を形成したものである。
【0010】請求項3の発明に係るひずみ計測装置は、
請求項1または2のひずみ計と、被測定物に形成したネ
ジ部をねじ込むためのネジ穴とからなるものである。
【0011】請求項4の発明に係るひずみ計測装置の製
造方法は、ネジ部を形成しかつこのネジ部の頭部にゲー
ジ抵抗を形成したひずみ計を被測定物にねじ込むもので
ある。請求項5の発明に係るひずみ計測装置の製造方法
は、ネジ部を形成すると共にこのネジ部の内側に空洞を
形成しかつこの空洞を利用して前記ネジ部の頭部薄肉部
を形成し、この頭部薄肉部にゲージ抵抗を形成したひず
み計を被測定物にねじ込むものである。
【0012】
【作用】この発明における特に請求項1,3のひずみ計
およびひずみ計測装置は、ひずみを測る対象物すなわち
被測定物にネジ穴を切っておき、このネジ穴にひずみ計
のネジ部をねじ込むこととされているので、被測定物に
かかるひずみ量を測定するにあたり、高温,低温下でも
安定して長時間測定できる。
【0013】また、特に請求項2,3のひずみ計および
ひずみ計測装置は、ひずみ計に空洞を利用して薄肉部を
形成しているので、この薄肉部に形成したゲージ抵抗の
感度が良くなる。
【0014】また、請求項4,5のひずみ計測装置の製
造方法は、ひずみ計のネジ部を被測定物にねじ込むこと
によってひずみ計測装置が製造されるので、温度変化に
よっても安定した測定性能が得られるひずみ計測装置を
簡易に製造できる。
【0015】
【実施例】
実施例1.以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1は縦断側面図、図2は図1の平面図であり、
前記従来のものと同一または相当部分には同一符号を付
して説明を省略する。図において、8は被測定物1に形
成されたネジ穴、9はひずみ計で、ネジ穴8にねじ込ま
れるネジ部9aと、ゲージ抵抗4が形成された頭部9b
とからなると共に、被測定物1にねじ込み易いように例
えば六角形状をしたボルト形状をしている。
【0016】ゲージ抵抗4の製作方法は、例えばひずみ
計9の材料がSUS(ステンレス)の場合、SUS頭部
9bを絶縁し、その上に例えばCVD(化学蒸着)によ
り形成することができる。頭部9b上の絶縁は、例えば
SiO2 の膜を蒸着などによって絶縁部12を形成して
おくことにより行う。
【0017】次に動作について説明する。ひずみ計9の
ネジ部9aを被測定物1のネジ穴8にネジ部9aが充分
に嵌合するように固くねじ込む。この時、ゲージ抵抗4
の最終位置が被測定物1の応力(ひずみ)を測定したい
方向と合わせることが必要である。但し、若干のズレは
オフセットとなって現われるが、図示しない回路によっ
て補正することができる。なお、ゲージ抵抗4を使って
被測定物1の受けるひずみ量を測定する方法は、従来の
ところで図7を用いて説明したのと同じであるので説明
を省略する。
【0018】実施例2.上記実施例1において、図3に
示すようにひずみ計9のネジ部9a内側に空洞10を設
けてこの空洞10を利用して薄肉部11を形成しておく
と、ゲージ抵抗4の感度が良くなる。
【0019】すなわち、ゲージ抵抗4は頭部9bの表面
の歪により変化するが、この歪は頭部9bに発生する応
力(ひずみ)に比例する。応力はネジ部9aを締めつけ
る時に発生し、これは薄肉部11の厚みをhとすると、
2 に反比例する。 この式から、薄肉部11が薄いことによる効果が特に締
めつけ力が小さいときに有効となることが解る。
【0020】実施例3.上記実施例1,2において、ゲ
ージ抵抗4を図4,図5に示すように4本(Rg1 ,R
2 ,Rg3 ,Rg4 )としておくと、安定した出力を
取り出せるという効果が得られる。
【0021】つまり、この実施例の場合、図5に即すれ
ば、 (但し、νはポアソン比、ゲージ抵抗Rg1,Rg3は
ひずみεo 相当、ゲージ抵抗Rg2,Rg4はひずみ−
νεo 相当である。)で表わされ、出力が2(1+ν)
倍にて得られる。
【0022】以上の各実施例では、圧縮や引張りという
応力を測定する場合について述べたが、トルク等他の力
学量を測定しても同様の効果が得られる。
【0023】
【発明の効果】以上のように、この発明によればネジ部
の頭部にゲージ抵抗を形成したひずみ計を被測定物にね
じ込み、被測定物に印加されるひずみ量を測定できるよ
うにしたので、悪い環境下でも長期にわたり安定してひ
ずみを測定できるという効果が得られる。
【0024】また、この発明によればひずみ計に空洞を
利用して薄肉部を形成しているので、この薄肉部に形成
したゲージ抵抗の感度が良くなるという効果が得られ
る。
【0025】また、この発明によればひずみ計のネジ部
を披測定物にねじ込むことによってひずみ計測装置が製
造できるので、温度変化によっても安定した測定性能が
得られるひずみ計測装置の製造方法が得られるという効
果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例1を示す縦断側面図である。
【図2】図1の平面図である。
【図3】この発明の実施例2を示す縦断側面図である。
【図4】この発明の実施例3を示す平面図である。
【図5】図4のゲージ抵抗の等価回路を示す図である。
【図6】従来のものを示す斜視図である。
【図7】図6のゲージ抵抗の等価回路を示す図である。
【符号の説明】
1 被測定物 4 ゲージ抵抗 8 ネジ穴 9 ひずみ計 9a ネジ部 9b 頭部 10 空洞 11 薄肉部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年3月23日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0004
【補正方法】変更
【補正内容】
【0004】次に動作について説明する。図6におい
て、例えば矢印7の方向に一様な引張り応力が働くとす
れば、ゲージ抵抗4は被測定物1の形状変化に伴い変化
する。ひずみの変化εo (ΔL/L)(最初Lの長さの
ものが、ΔLだけ伸びたとした場合)に対する抵抗の変
化ΔRg/Rgの比,すなわちゲージ率をKs とすれ
ば、o = E・Ks ・εo /4 の式で、ひずみの量が表わされる。従って、矢印7の方
向の圧縮,引張り力はひずみゲージ2をパッド3を用い
て図示しない外部回路と接続することにより、ひずみ量
としてeo の上式で表わされ、被測定物1の受けるひず
み量が測定できる。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0019
【補正方法】変更
【補正内容】
【0019】すなわち、ゲージ抵抗4は頭部9bの表面
の歪により変化するが、この歪は頭部9bに発生する応
力(ひずみ)に比例する。応力はネジ部9aを締めつけ
る時に発生し、これは薄肉部11の厚みをhとすると、
2 に反比例する。応力=k/h2 (k=定数) この式から、薄肉部11が薄いことによる効果が特に締
めつけ力が小さいときに有効となることが解る。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0021
【補正方法】変更
【補正内容】
【0021】つまり、この実施例の場合、図5に即すれ
ば、o =(1+ν)・E・Ks ・εo /2 (但し、νはポアソン比、ゲージ抵抗Rg1,Rg3は
ひずみεo 相当、ゲージ抵抗Rg2,Rg4はひずみ−
νεo 相当である。)で表わされ、出力が2(1+ν)
倍にて得られる。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ネジ部を有しかつこのネジ部の頭部にゲ
    ージ抵抗を形成したことを特徴とするひずみ計。
  2. 【請求項2】 ネジ部を有すると共にこのネジ部の内側
    に空洞を有しかつこの空洞を利用して前記ネジ部の頭部
    薄肉部にゲージ抵抗を形成したことを特徴とするひずみ
    計。
  3. 【請求項3】 請求項1または2のひずみ計と、被測定
    物に形成したネジ部をねじ込むためのネジ穴とからなる
    ことを特徴とするひずみ計測装置。
  4. 【請求項4】 ネジ部を形成しかつこのネジ部の頭部に
    ゲージ抵抗を形成したひずみ計を被測定物にねじ込むこ
    とを特徴とするひずみ計測装置の製造方法。
  5. 【請求項5】 ネジ部を形成すると共にこのネジ部の内
    側に空洞を形成しかつこの空洞を利用して前記ネジ部の
    頭部薄肉部を形成し、この頭部薄肉部にゲージ抵抗を形
    成したひずみ計を被測定物にねじ込むことを特徴とする
    ひずみ計測装置の製造方法。
JP32258793A 1993-12-21 1993-12-21 ひずみ計,ひずみ計測装置およびこの装置の製造方法 Pending JPH07174644A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32258793A JPH07174644A (ja) 1993-12-21 1993-12-21 ひずみ計,ひずみ計測装置およびこの装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32258793A JPH07174644A (ja) 1993-12-21 1993-12-21 ひずみ計,ひずみ計測装置およびこの装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07174644A true JPH07174644A (ja) 1995-07-14

Family

ID=18145366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32258793A Pending JPH07174644A (ja) 1993-12-21 1993-12-21 ひずみ計,ひずみ計測装置およびこの装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07174644A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006200940A (ja) * 2005-01-18 2006-08-03 Japan Atom Power Co Ltd:The 歪み測定センサ及び弁開閉検出用センサ
JP2008126733A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Ntn Corp インホイール型モータ内蔵センサ付き車輪用軸受装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006200940A (ja) * 2005-01-18 2006-08-03 Japan Atom Power Co Ltd:The 歪み測定センサ及び弁開閉検出用センサ
JP4496095B2 (ja) * 2005-01-18 2010-07-07 日本原子力発電株式会社 弁開閉検出用センサ
JP2008126733A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Ntn Corp インホイール型モータ内蔵センサ付き車輪用軸受装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4173900A (en) Semiconductor pressure transducer
GB2369889A (en) Strain sensing device
KR20010086253A (ko) 최초 설치시 기계적 방해 변형을 측정하고 그 방해를기초로 하여 자동 교정하기 위한 인장시험 센서
WO2007002241A2 (en) Strain gage with off axis creep compensation feature
Gieles et al. Miniature pressure transducers with a silicon diaphragm
JPH10170370A (ja) 圧力センサ
JPH07174644A (ja) ひずみ計,ひずみ計測装置およびこの装置の製造方法
JPS59158566A (ja) 半導体加速度センサ
US7398602B2 (en) Precision dendrometer
JP3534205B2 (ja) ひずみゲージ式変換器における過渡温度特性の補償回路およびその補償方法
US5591917A (en) Semiconductor pressure sensor with rated pressure specified for desired error of linearity
JPH0339569B2 (ja)
JPH06207866A (ja) 荷重検出装置
HU210503B (en) Method for mersuring pressure with pressure diaphragm transdilcer
JPS59217374A (ja) 半導体ひずみ変換器
US4719802A (en) Device for and method of determining changes in linear dimension of objects
RU2244970C1 (ru) Способ изготовления термокомпенсированного тензорезистора
JPS5942401A (ja) 歪センサ
JPH06213734A (ja) 荷重検出装置
JPS5824181Y2 (ja) 締付け力の検出可能なボルト
US4410870A (en) Semiconductor strain gauge
JPS5833136A (ja) 温度センサ
Katz Factors affecting strain gauge selection for smart structure applications
JPH0511479Y2 (ja)
JPH02168133A (ja) 応力センサ及びその製造方法