JPS58138608A - 樹脂封止形半導体装置用モ−ルド金型 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置用モ−ルド金型Info
- Publication number
- JPS58138608A JPS58138608A JP2150882A JP2150882A JPS58138608A JP S58138608 A JPS58138608 A JP S58138608A JP 2150882 A JP2150882 A JP 2150882A JP 2150882 A JP2150882 A JP 2150882A JP S58138608 A JPS58138608 A JP S58138608A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- runner
- semiconductor device
- resin
- lead frame
- draft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ＩＣ，）ランジスタなどの半導体装ｔｔ’
ポ／デイングエ機で取り付けたリードフレームを位ｗＬ
決め載置し、上記千尋体装置の部分にｍｍｙｔｍ圧注入
して倒脂封止形手導体装置を成形丁６鰍に用いるモール
ド金ｔｉ；ｍ＜以下、単に金製と略称する）に関するも
のであ゛る。
ポ／デイングエ機で取り付けたリードフレームを位ｗＬ
決め載置し、上記千尋体装置の部分にｍｍｙｔｍ圧注入
して倒脂封止形手導体装置を成形丁６鰍に用いるモール
ド金ｔｉ；ｍ＜以下、単に金製と略称する）に関するも
のであ゛る。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ＊＊封止形ｌＣの
一例の外形を示す斜視図および側田園である。
一例の外形を示す斜視図および側田園である。
ａｇ ２ ｍ ｋｐｍ １ ｍ （ａ） ＃ ｊ：び＜
ｂ） Ｋ示ｆ＠Ｍｉｉ封止形ＩＣがリードフレームに成
形された状ｍを示す斜視図である。
ｂ） Ｋ示ｆ＠Ｍｉｉ封止形ＩＣがリードフレームに成
形された状ｍを示す斜視図である。
＠ａ図は＃ａｉｒ封止形ＩＣ成形用の従来の下型な示す
平面図、［４図は纂３−の１−１−での断面図である。
平面図、［４図は纂３−の１−１−での断面図である。
これらの−において、１は下金緘、２は前記下金騰１に
加工されたランナ、４は前記下金臘１に加工され第１図
に示した＊＊封止形ＩＣの樹劇封止部の下半分の形状と
同一の形状を有したキャビティ、３は前記下金１１ｉ１
に加工されう／す２かりキャビティ４へ１１ｊＩｌＩＩ
−導くゲート、５は位置決めビンで、リードフレーム１
４Ｋｍ工された位置決め穴１４１と嵌合しリードフレー
ム１４＆下金戯１に正しく１位置決めし、フレーム鎮を
向６，１に載置する。８は空気抜きで、ランナ２の端ｓ
Ｋ加工された浅い溝である１、９．１０は前記下金臘１
に付着した樹ｍｖエジェクトするエジェクタ穴で、エジ
ェクタ穴１．１０にはニジエフタビ′／１１゜１２が摺
動可能に挿入されており、モールド終了恢、キャビティ
向ランナ等ｔエジェクトし盤より離１Ｍする。第１図（
１）および＜ｂ）の１２ｍ、１２ｂ。
加工されたランナ、４は前記下金臘１に加工され第１図
に示した＊＊封止形ＩＣの樹劇封止部の下半分の形状と
同一の形状を有したキャビティ、３は前記下金１１ｉ１
に加工されう／す２かりキャビティ４へ１１ｊＩｌＩＩ
−導くゲート、５は位置決めビンで、リードフレーム１
４Ｋｍ工された位置決め穴１４１と嵌合しリードフレー
ム１４＆下金戯１に正しく１位置決めし、フレーム鎮を
向６，１に載置する。８は空気抜きで、ランナ２の端ｓ
Ｋ加工された浅い溝である１、９．１０は前記下金臘１
に付着した樹ｍｖエジェクトするエジェクタ穴で、エジ
ェクタ穴１．１０にはニジエフタビ′／１１゜１２が摺
動可能に挿入されており、モールド終了恢、キャビティ
向ランナ等ｔエジェクトし盤より離１Ｍする。第１図（
１）および＜ｂ）の１２ｍ、１２ｂ。
纂２図のｌｌａ、ｌｌｂ、１２ｍ、１２ｂｋ裏エジエク
タビン跡である。
タビン跡である。
な−、下金１１１に裏下金型１り千ヤビティ４と対向１
６表向部の部分に第１図に示した剃膚封止形ＩＣのｍ＊
封止部の上半分の形状と四−の形状なＭするキャビティ
が形成され、位置決めビン５に対向する表面−の部分に
位１決めピン５を挿入可能な位１ＩＩｌ因めビン挿入穴
が加工されており、う／す２、ゲート３．空気抜き８が
ない状−と同様であるので、以下、下金型についての図
示１２らびに説明は省略し、下金型１についてのみ説明
することにする。
６表向部の部分に第１図に示した剃膚封止形ＩＣのｍ＊
封止部の上半分の形状と四−の形状なＭするキャビティ
が形成され、位置決めビン５に対向する表面−の部分に
位１決めピン５を挿入可能な位１ＩＩｌ因めビン挿入穴
が加工されており、う／す２、ゲート３．空気抜き８が
ない状−と同様であるので、以下、下金型についての図
示１２らびに説明は省略し、下金型１についてのみ説明
することにする。
上記でｇ明した下金ｍｌと止金′ＩＮｌン用いて稠腫封
止形ＩＣ４’成形するわけであるが、ます便用する１ｌ
ＩＪ１１、例えばエポキシ＠腫、シリコン樹ｍなどの熱
値化性１１驕の成形温度に下金ｍｔｓよび止金１１１ｗ
Ｉ！＋瓢し、リードフレーム１４ｋ”下金型１に正しく
載置しプレスにより下金Ｍｌと上金型ンｍ−めする。
止形ＩＣ４’成形するわけであるが、ます便用する１ｌ
ＩＪ１１、例えばエポキシ＠腫、シリコン樹ｍなどの熱
値化性１１驕の成形温度に下金ｍｔｓよび止金１１１ｗ
Ｉ！＋瓢し、リードフレーム１４ｋ”下金型１に正しく
載置しプレスにより下金Ｍｌと上金型ンｍ−めする。
次に、第３図の太線矢印方向から樹脂な注入加圧すれば
樹脂は、順次ランナ２→ゲート３→キャビティ４に充填
される。樹脂を注入加圧後、樹脂が硬化するのｔまって
鳳開きゼすると、まず下金型に設けられたエジェクタピ
ンにより下金型に付着した５ａｒｒが１董され、プレス
下死点で下金ｆＩＩ！１に設けられたエジェクタピン１
１，１２にょ９１ｍ脂部が離ｍだれ第２図に示す工５な
成形品が得られる。
樹脂は、順次ランナ２→ゲート３→キャビティ４に充填
される。樹脂を注入加圧後、樹脂が硬化するのｔまって
鳳開きゼすると、まず下金型に設けられたエジェクタピ
ンにより下金型に付着した５ａｒｒが１董され、プレス
下死点で下金ｆＩＩ！１に設けられたエジェクタピン１
１，１２にょ９１ｍ脂部が離ｍだれ第２図に示す工５な
成形品が得られる。
上記従来例による金ＩＩｉ構造においては、プレス下死
点での一臘時にランナ２の終端面Ｂ（纂４−）とエジェ
クタピン１１との閾のｍｓ付着応カのため第４図に示す
Ｃ闇に曲げモーメントが作用し、ランナ２ｍ（第２図）
が艦載するとき振動した９、ランナ２ａが折れ残るとい
うｍ象があった。
点での一臘時にランナ２の終端面Ｂ（纂４−）とエジェ
クタピン１１との閾のｍｓ付着応カのため第４図に示す
Ｃ闇に曲げモーメントが作用し、ランナ２ｍ（第２図）
が艦載するとき振動した９、ランナ２ａが折れ残るとい
うｍ象があった。
従来のｍｍ封止形半導体装置用金屋では、この振ｍ現象
やランナ２ａの折れ椀象のためリードフレーム１４がラ
ンナ２ａから外れリードフレーム１４が臘に残ったり、
折れたランナ２ａが型内に！！＆ることがあった。その
ため成形製品の柩出じや、ランナ２ａが盤内に伐ってい
ないかｔ点検する会費があるなどの欠点があるとともに
、桝ｆ１−ｊｔ止作粂の自動化を阻害する原因ともなっ
ていた。
やランナ２ａの折れ椀象のためリードフレーム１４がラ
ンナ２ａから外れリードフレーム１４が臘に残ったり、
折れたランナ２ａが型内に！！＆ることがあった。その
ため成形製品の柩出じや、ランナ２ａが盤内に伐ってい
ないかｔ点検する会費があるなどの欠点があるとともに
、桝ｆ１−ｊｔ止作粂の自動化を阻害する原因ともなっ
ていた。
この発１１．１、上述の間趙点にかんがみなされたもの
で、う／すの終端面での１１ｒｉＩの引っかかり振ａ’
ｔなくシ、また、ａｍの折れ浅りｔなくした樹ＪＩＩｉ
Ｉｊ１止形半導体装置用金ａｉｈｖ提供すりことな目的
とする◎以下、第１図に示した一膚封止形ＩＣの成形に
用いるこの発明の一実施例の金ｍｔ編５図。
で、う／すの終端面での１１ｒｉＩの引っかかり振ａ’
ｔなくシ、また、ａｍの折れ浅りｔなくした樹ＪＩＩｉ
Ｉｊ１止形半導体装置用金ａｉｈｖ提供すりことな目的
とする◎以下、第１図に示した一膚封止形ＩＣの成形に
用いるこの発明の一実施例の金ｍｔ編５図。
ｇｓｔｌｌＱｒｃついてｉｔｔ明する。
この実施例にＳいても、第３ ｌｌ！Ｑｅ第４図に示し
た値米儒と同様に下金型を工下金盛とほは同様であるの
で、下金型の説明は省略し、下金型についてのみ説明す
る。
た値米儒と同様に下金型を工下金盛とほは同様であるの
で、下金型の説明は省略し、下金型についてのみ説明す
る。
１４５図はこの実施例の下金型を示す平向図、第ｓｇ１
は＃Ｉ５図のト１線でのＭ面図である。これらの図にお
いて、１〜１２は上述した従来例と同等のものであり、
１３は前記ランナ２より注入されたｌ１１１ｉＩｔ下雀
ｍ１から流出するのｔ封止するための端板、この端＠１
３は下金ｍ１にねじ締め（卸示せず）結合されている。
は＃Ｉ５図のト１線でのＭ面図である。これらの図にお
いて、１〜１２は上述した従来例と同等のものであり、
１３は前記ランナ２より注入されたｌ１１１ｉＩｔ下雀
ｍ１から流出するのｔ封止するための端板、この端＠１
３は下金ｍ１にねじ締め（卸示せず）結合されている。
端板１３には空気抜き８が加工されている。１５はモー
ルド成形後ランナ２の終端面と、端板１３との接触面か
ら固着した樹脂が容易Ｋ１１ｌｌｌｌｌするように、端
板１３とランｆ２（１）＠ｌａ’ｆｌＡｉ１ｇの端１ｊ
１３に加工された本発明の特徴である抜きこう配である
。
ルド成形後ランナ２の終端面と、端板１３との接触面か
ら固着した樹脂が容易Ｋ１１ｌｌｌｌｌするように、端
板１３とランｆ２（１）＠ｌａ’ｆｌＡｉ１ｇの端１ｊ
１３に加工された本発明の特徴である抜きこう配である
。
上記構成の金層によれは、ランナ２の終端−と端板１３
の接触面に加工された抜きこ５ｔＩｉ！、１５により、
従来例で説明した発、化モーメントな着しく軽減できる
。
の接触面に加工された抜きこ５ｔＩｉ！、１５により、
従来例で説明した発、化モーメントな着しく軽減できる
。
なお、この発明の説明は、下金型１にランナ２が設けら
れたものについて行ったが、止金層にランナがあった場
合にも、抜きこう配を同様に設けることにより同等の作
用な行わせることができる。
れたものについて行ったが、止金層にランナがあった場
合にも、抜きこう配を同様に設けることにより同等の作
用な行わせることができる。
以上詳＃ＩＫＩｌ！明したように、この発明はモールド
金層のランナの終端面に抜きこう配を形成したので、モ
ールド成形後、固着した＠ｆ１を容易ＫＪ緘できるので
、作業総皐および時間の短編がはかれ砺勅皐を向上でき
る利点がある。
金層のランナの終端面に抜きこう配を形成したので、モ
ールド成形後、固着した＠ｆ１を容易ＫＪ緘できるので
、作業総皐および時間の短編がはかれ砺勅皐を向上でき
る利点がある。
嬉１図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ１１側封止形Ｉ
Ｃの一例の外形な示す斜視図および側面図、第２図はＭ
ｌ−に示す樹驕封止形ＩＣがリードフレームに成形され
た状ｊｌｌな示す斜視図、第３図は従来例における下金
型の平面図、ＪＩ４図は第３図の１−１＃ｌＫよる断Ｉ
ｌｉ図、第５図はこの発明の一実施例を示す下金型の平
面図、第６図は第５図のト」−による１ＩｌｉＩｊｌ！
ｌＱである。 図中、１は下金型、２はランナ、３はゲート、４番工千
ヤビテイ、５は位置決めビン、６．ＴはフＬ’−ム鎮ａ
ｍ、 ＠４！空ｊＬＪｔｌ、９．ｌ Ｑ＠＠ｚジｚクタ
穴、１１．１２はエジェクタビン、１３は端板、１４は
リードフレーム、１５は抜きこう配である。なお、図中
の同一符号は同一または相当部分を示す。 代塩人 扁野傷−（外１名） 第１図 第３図 第４図 第５図 第６図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 ’ 、参ｆ＋ ノ表示特願昭８７−２１８０８ ’！２
、発明の名称 樹脂封止形半導体装置用モールド
余慶３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者片由仁へ部 ４、代理人 ５、補正の対象 図面 ６、 補正の内容 図面の第６図中の符号１３の引出線を別紙朱書のように
補正する。 以上 第５図 第６図
Ｃの一例の外形な示す斜視図および側面図、第２図はＭ
ｌ−に示す樹驕封止形ＩＣがリードフレームに成形され
た状ｊｌｌな示す斜視図、第３図は従来例における下金
型の平面図、ＪＩ４図は第３図の１−１＃ｌＫよる断Ｉ
ｌｉ図、第５図はこの発明の一実施例を示す下金型の平
面図、第６図は第５図のト」−による１ＩｌｉＩｊｌ！
ｌＱである。 図中、１は下金型、２はランナ、３はゲート、４番工千
ヤビテイ、５は位置決めビン、６．ＴはフＬ’−ム鎮ａ
ｍ、 ＠４！空ｊＬＪｔｌ、９．ｌ Ｑ＠＠ｚジｚクタ
穴、１１．１２はエジェクタビン、１３は端板、１４は
リードフレーム、１５は抜きこう配である。なお、図中
の同一符号は同一または相当部分を示す。 代塩人 扁野傷−（外１名） 第１図 第３図 第４図 第５図 第６図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 ’ 、参ｆ＋ ノ表示特願昭８７−２１８０８ ’！２
、発明の名称 樹脂封止形半導体装置用モールド
余慶３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者片由仁へ部 ４、代理人 ５、補正の対象 図面 ６、 補正の内容 図面の第６図中の符号１３の引出線を別紙朱書のように
補正する。 以上 第５図 第６図
Claims (1)
- 千尋体ａｍが組み立てられたリードフレームと、このリ
ードフレームを位１１にめ載置し前記千尋体＃を鑑の部
分に横型を注入するためのランナ、ゲート、Ｓよびキャ
ビチイン肩する上下一対のモールド盆ｍＫ＃いて、この
そ−ルド金″麺の前記ランナの終端函に扱きこう配ヶ形
成したことな特徴とする１ｉ！腫到止形半導体装置用モ
ールド金臘。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150882A JPH0233509B2 (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | Jushifushigatahandotaisochomoorudokanagata |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150882A JPH0233509B2 (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | Jushifushigatahandotaisochomoorudokanagata |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58138608A true JPS58138608A (ja) | 1983-08-17 |
| JPH0233509B2 JPH0233509B2 (ja) | 1990-07-27 |
Family
ID=12056904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2150882A Expired - Lifetime JPH0233509B2 (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | Jushifushigatahandotaisochomoorudokanagata |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0233509B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003033922A (ja) * | 2001-05-18 | 2003-02-04 | Hitachi Ltd | 成形金型クリーニング用シートおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| CN114228017A (zh) * | 2022-02-24 | 2022-03-25 | 南京博兰得电子科技有限公司 | Dcdc转换器的成型装置、成型工艺及dcdc转换器 |
-
1982
- 1982-02-10 JP JP2150882A patent/JPH0233509B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003033922A (ja) * | 2001-05-18 | 2003-02-04 | Hitachi Ltd | 成形金型クリーニング用シートおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| CN114228017A (zh) * | 2022-02-24 | 2022-03-25 | 南京博兰得电子科技有限公司 | Dcdc转换器的成型装置、成型工艺及dcdc转换器 |
| CN114228017B (zh) * | 2022-02-24 | 2022-04-29 | 南京博兰得电子科技有限公司 | Dcdc转换器的成型装置、成型工艺及dcdc转换器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0233509B2 (ja) | 1990-07-27 |
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