JPS58138110A - トランジスタ保護回路 - Google Patents
トランジスタ保護回路Info
- Publication number
- JPS58138110A JPS58138110A JP57020502A JP2050282A JPS58138110A JP S58138110 A JPS58138110 A JP S58138110A JP 57020502 A JP57020502 A JP 57020502A JP 2050282 A JP2050282 A JP 2050282A JP S58138110 A JPS58138110 A JP S58138110A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- transistor
- voltage
- zener diode
- positive
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はトランジスタ保護回路に関す〇（ｂ） 従来
技術と問題点 一般にトランジスタ増幅器の出力段のトランジスタは外
部よりサージ１圧或いは＾′成圧に直接さらされるため
に、出力段のトランジスタには篩耐圧のものが使用され
ているｏ ＊ＫＬ Ｓ Ｉ ｋ使用するときチップ面積
を拡げて間耐圧形にしなければならない。このようにす
ると、コスト高を招くだけでなく、ＬＳＩの性能を低下
させることになる。
技術と問題点 一般にトランジスタ増幅器の出力段のトランジスタは外
部よりサージ１圧或いは＾′成圧に直接さらされるため
に、出力段のトランジスタには篩耐圧のものが使用され
ているｏ ＊ＫＬ Ｓ Ｉ ｋ使用するときチップ面積
を拡げて間耐圧形にしなければならない。このようにす
ると、コスト高を招くだけでなく、ＬＳＩの性能を低下
させることになる。
このためトランジスタ増幅器やＬＳＩの出力段のトラン
ジスタに簡易な回ｗ！ｒ索子で栴成されたトランジスタ
保護回路が賛望されている。
ジスタに簡易な回ｗ！ｒ索子で栴成されたトランジスタ
保護回路が賛望されている。
第１図は従来？Ｕのトランジスタ保護回路を示す。
同図において、トランジスタ増幅器１（以下トランジス
タＡＭＰとｍｌす）の出力端子２に接続される負荷３の
影響により発生した負のサージ電圧により、トランジス
タ４のコレクターエミッタ間に接続されたダイオード５
にサージ電流６が流れることによりトランジスタ４が負
のサージ電圧より保護される。
タＡＭＰとｍｌす）の出力端子２に接続される負荷３の
影響により発生した負のサージ電圧により、トランジス
タ４のコレクターエミッタ間に接続されたダイオード５
にサージ電流６が流れることによりトランジスタ４が負
のサージ電圧より保護される。
しかし、正のサージ電圧に対してはトランジスタ４が破
損されるので、コレクターエミッタ間の耐圧を高くしな
ければならない。この様にすると単にコスト高を招くだ
けでなく、例えばＬＳＩの場合は耐圧を上げるためにチ
ップ面積を拡くすることはＬＳＩの性能を低下させるこ
とになる。
損されるので、コレクターエミッタ間の耐圧を高くしな
ければならない。この様にすると単にコスト高を招くだ
けでなく、例えばＬＳＩの場合は耐圧を上げるためにチ
ップ面積を拡くすることはＬＳＩの性能を低下させるこ
とになる。
（ｃ） 発明の目的
本発明は上記従来例の欠点に鑑み、ツェナーダイオード
とダイオードを用いて、ＬＳＩあるいはトランジスタＡ
ＭＰ等の出力段のトランジスタをサージ電圧より保護す
る新規なトランジスタ保護回路を提供することを目的と
する。
とダイオードを用いて、ＬＳＩあるいはトランジスタＡ
ＭＰ等の出力段のトランジスタをサージ電圧より保護す
る新規なトランジスタ保護回路を提供することを目的と
する。
（ｄ） 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、出力段トランジスタ
のコレクターエミッタ間を、負のサージに対して動作す
るダイオードが接続されてなるトランジスタ保護回路に
おいて、前ｉ己トランジスタのコレクターエミッタ間に
印加される正のサージに対して動作する直列接続された
ツェナダイオードとダイオードを接続することにより正
、負のサージに対して該トランジスタを保護することに
より達成される。
のコレクターエミッタ間を、負のサージに対して動作す
るダイオードが接続されてなるトランジスタ保護回路に
おいて、前ｉ己トランジスタのコレクターエミッタ間に
印加される正のサージに対して動作する直列接続された
ツェナダイオードとダイオードを接続することにより正
、負のサージに対して該トランジスタを保護することに
より達成される。
（ｅ） 発明の突流例
以下本発明を第２図の実施例に基づいて説明する。図中
、１〜５は第１図と同一機能をもつ同一部材であ小〇 第２図はｇ１図の１」路にツェナーダイオード８しトラ
ンジスタ４を保護した回路である。
、１〜５は第１図と同一機能をもつ同一部材であ小〇 第２図はｇ１図の１」路にツェナーダイオード８しトラ
ンジスタ４を保護した回路である。
第２図において、負荷３の影響により発生した正のサー
ジ電圧によりサージ電流７がツェナーダイオード８．ダ
イオ−ド９に流れ、これｒｃより、正のサージ’＋［圧
ｖＣよるトランジスタ４の破損が防止される。
ジ電圧によりサージ電流７がツェナーダイオード８．ダ
イオ−ド９に流れ、これｒｃより、正のサージ’＋［圧
ｖＣよるトランジスタ４の破損が防止される。
この場合、ツェナダイオード８の動作電圧Ｖｚｏ＋とダ
イオード９の動作電圧Ｖｌ）２との和は出力′電圧より
高くしておく必要がある。
イオード９の動作電圧Ｖｌ）２との和は出力′電圧より
高くしておく必要がある。
通常ツェナダイオードの接骨容量はダイオードに比べて
大きい、ツェナーダイオード８を直接、トランジスタ４
のコレクターエミッタ間に接続するとトランジスタ４の
コレクターエミッタ間の容量が増え、立上り時間が遅延
して、高速での動作を低下させる。これにより、トラン
ジスタ４を破損することになる。
大きい、ツェナーダイオード８を直接、トランジスタ４
のコレクターエミッタ間に接続するとトランジスタ４の
コレクターエミッタ間の容量が増え、立上り時間が遅延
して、高速での動作を低下させる。これにより、トラン
ジスタ４を破損することになる。
このために接合容量の小さいダイオード９をツェナーダ
イオード８に直列接続することにより、保護回路素子ツ
ェナーダイオード８．ダイオード３− ってダイオード５，９の並列容量ＣｐはＣｐｚ Ｃｏ＋
十Ｃｏｔとなる。ここでＣｚ Ｄ〉）ＣＤＩ 、ＣＤ
Ｉはダイオード７の接金容量、ＣＤＩはダイオード９の
接合ｕ 電、ＣＺ Ｉ）はツェナダイオード８の接合容
ｉｔ’に示す。
イオード８に直列接続することにより、保護回路素子ツ
ェナーダイオード８．ダイオード３− ってダイオード５，９の並列容量ＣｐはＣｐｚ Ｃｏ＋
十Ｃｏｔとなる。ここでＣｚ Ｄ〉）ＣＤＩ 、ＣＤ
Ｉはダイオード７の接金容量、ＣＤＩはダイオード９の
接合ｕ 電、ＣＺ Ｉ）はツェナダイオード８の接合容
ｉｔ’に示す。
以上の如く、接合谷童の減少によりトランジスタＡＭＰ
Ｉの伝送信号の劣化が防止できる。
Ｉの伝送信号の劣化が防止できる。
（ｆ） 発明の効果
以上本発明は、ＬＳＩの外部端子、或いはトランジスタ
ＡＭＰの出力段に直列接続したツェナーダイオードとダ
イオードを接続することにより、ＬＳＩの性能を劣化さ
せることがない。またＬＳ Ｉ。
ＡＭＰの出力段に直列接続したツェナーダイオードとダ
イオードを接続することにより、ＬＳＩの性能を劣化さ
せることがない。またＬＳ Ｉ。
トランジスタＡＭＰの伝送品質がこの保禮回路に損われ
ることがない。
ることがない。
′ｉｇ１図は従来例のダイオードを用いたトランジスタ
保護回路、第２図は本発明の実施例を示す０図中、１は
トランジスタＡＭＰ、２は出力端子、一４− ３は負荷、４はトランジスタ、５，９はダイオード、６
．７はサージ電流、８はツェナーダイオードを示す。
保護回路、第２図は本発明の実施例を示す０図中、１は
トランジスタＡＭＰ、２は出力端子、一４− ３は負荷、４はトランジスタ、５，９はダイオード、６
．７はサージ電流、８はツェナーダイオードを示す。
Claims (1)
- トランジスタに負のサージ電圧で動作する方向に並列接
続されてなるトランジスタ保護回路において、直列接続
されたダイオードとツェナーダイオードを該トランジス
タに並列接続して正、負のサージ電圧或いは尚′鑞圧に
より該トランジスタが破損されるのを防止すること全特
徴としたトランジスタ保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57020502A JPS58138110A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | トランジスタ保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57020502A JPS58138110A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | トランジスタ保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58138110A true JPS58138110A (ja) | 1983-08-16 |
Family
ID=12028930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57020502A Pending JPS58138110A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | トランジスタ保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58138110A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1441574A1 (en) * | 2001-11-01 | 2004-07-28 | Harison Toshiba Lighting Corporation | Discharging lamp apparatus |
| JP2009033462A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 信号伝送路の電圧制限装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4912847B1 (ja) * | 1969-11-11 | 1974-03-27 |
-
1982
- 1982-02-10 JP JP57020502A patent/JPS58138110A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4912847B1 (ja) * | 1969-11-11 | 1974-03-27 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1441574A1 (en) * | 2001-11-01 | 2004-07-28 | Harison Toshiba Lighting Corporation | Discharging lamp apparatus |
| EP1441574A4 (en) * | 2001-11-01 | 2007-05-09 | Harison Toshiba Lighting Corp | DISCHARGE LAMP APPARATUS |
| JP2009033462A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 信号伝送路の電圧制限装置 |
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