JPS58135965U - ラテラル型トランジスタ素子 - Google Patents

ラテラル型トランジスタ素子

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Publication number
JPS58135965U
JPS58135965U JP3155682U JP3155682U JPS58135965U JP S58135965 U JPS58135965 U JP S58135965U JP 3155682 U JP3155682 U JP 3155682U JP 3155682 U JP3155682 U JP 3155682U JP S58135965 U JPS58135965 U JP S58135965U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type transistor
lateral type
transistor element
base
buried diffusion
Prior art date
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Pending
Application number
JP3155682U
Other languages
English (en)
Inventor
松香　光信
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のラテラル型トランジスタ素子の断面図、
第２図は本考案の一実施例を示す断面図である。 ３・・・・・・埋込拡散領域、１４・・・・・・ベース
引出領域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 内部にベース埋込拡散領域を形成したラテラル型トラン
    ジスタ素子において、素子表層部から前記ベース埋込拡
    散領域に達する深さで高い不純物濃度のベース引出領域
    を選択拡散したことを特徴とするラテラル型トランジス
    タ素子。
JP3155682U 1982-03-05 1982-03-05 ラテラル型トランジスタ素子 Pending JPS58135965U (ja)

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JP3155682U JPS58135965U (ja) 1982-03-05 1982-03-05 ラテラル型トランジスタ素子

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JP3155682U JPS58135965U (ja) 1982-03-05 1982-03-05 ラテラル型トランジスタ素子

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Publication Number Publication Date
JPS58135965U true JPS58135965U (ja) 1983-09-13

Family

ID=30043227

Family Applications (1)

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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5216188A (en) * 1975-07-29 1977-02-07 Citizen Watch Co Ltd Semiconductor integrated circuit device and its producing method
JPS54162477A (en) * 1978-06-13 1979-12-24 Mitsubishi Electric Corp Lateral transistor
JPS5643760A (en) * 1979-09-18 1981-04-22 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPS5660049A (en) * 1980-10-20 1981-05-23 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor integrated circuit device
JPS5674963A (en) * 1979-11-24 1981-06-20 Matsushita Electronics Corp Horizontal-type transistor

Patent Citations (5)

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