JPS58135892A - セフアロスポリン誘導体 - Google Patents
セフアロスポリン誘導体Info
- Publication number
- JPS58135892A JPS58135892A JP57016386A JP1638682A JPS58135892A JP S58135892 A JPS58135892 A JP S58135892A JP 57016386 A JP57016386 A JP 57016386A JP 1638682 A JP1638682 A JP 1638682A JP S58135892 A JPS58135892 A JP S58135892A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- reaction
- acid
- lower alkyl
- groups
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Cephalosporin Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は広い抗菌スペクトルを有し、グラメ陽性llI
およびグラム陽性−の多くの一株に対し活性であるセフ
ァ四スポリンー導体に関する。
およびグラム陽性−の多くの一株に対し活性であるセフ
ァ四スポリンー導体に関する。
本発明は、一般式(1)
(式中、R11およびBlmは、それぞれ独立に、水嵩
原子、へロゲン原子、低級アルコキシ基、低級アルキル
基、低級アルカノイル基またけ低級アルj キシカJI
4pボニル基?、R″は水素原子、低級アル中ル基また
は基−x−yl意味し、そして、R11および−が共に
水素原子を意味する場合は、R2F1基−x−yのみを
意味する。ここで、Xは低級アル中しン基であり、そし
て、yFixom換基であ九ル中ル基、低級アルカノイ
ル基、ま九は水酸基若しくは低級アルコキシ基で置換さ
れた低級アルキル基を、Rtj水素原子ま友は低級アル
キル基を、a!3 #i氷水素原子。トロ基または低級
アルコキシ基を、R34は水酸基または基−o o o
R’(R”は前記と同一)を意味し、犠は1.21友
は3を、nFio。
原子、へロゲン原子、低級アルコキシ基、低級アルキル
基、低級アルカノイル基またけ低級アルj キシカJI
4pボニル基?、R″は水素原子、低級アル中ル基また
は基−x−yl意味し、そして、R11および−が共に
水素原子を意味する場合は、R2F1基−x−yのみを
意味する。ここで、Xは低級アル中しン基であり、そし
て、yFixom換基であ九ル中ル基、低級アルカノイ
ル基、ま九は水酸基若しくは低級アルコキシ基で置換さ
れた低級アルキル基を、Rtj水素原子ま友は低級アル
キル基を、a!3 #i氷水素原子。トロ基または低級
アルコキシ基を、R34は水酸基または基−o o o
R’(R”は前記と同一)を意味し、犠は1.21友
は3を、nFio。
1.2または3を意味する。なおYが基−40N)sで
あるときは、Xは炭素数がト以上の低級アル中ル基を意
味し、Yがその他の基であるときFi突素数が1以上の
低級アルキル基を意味する BMは水素原子または水酸
基を 34は水素原子または低級アルコキシ基を、ナし
て♂は、水素原子、アセトキシ基、カルバモイルオキシ
基、置換されていてもよいピリジニウム基を友は基−8
−一を意味する。
あるときは、Xは炭素数がト以上の低級アル中ル基を意
味し、Yがその他の基であるときFi突素数が1以上の
低級アルキル基を意味する BMは水素原子または水酸
基を 34は水素原子または低級アルコキシ基を、ナし
て♂は、水素原子、アセトキシ基、カルバモイルオキシ
基、置換されていてもよいピリジニウム基を友は基−8
−一を意味する。
ここで、R”#iNおよび場合により8を含み、且つ置
換されていてもよい5員複素環、6員複素環または縮合
複素環上意味する。)で表わされるセ1、・□ 7アロスポリン誘導体またはその医薬として許容され得
る塩に関する。
換されていてもよい5員複素環、6員複素環または縮合
複素環上意味する。)で表わされるセ1、・□ 7アロスポリン誘導体またはその医薬として許容され得
る塩に関する。
日本1%許出願公開昭和55年第143995号には、
γ位アシル基中にベンゾイルウレイド基を有する化合物
が記載されている。殊に該ベンゾイル基が水酸基に加え
て、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、低級アルコキシ
カルボニル基または低級アルキル基で置換されている化
合物についての記載がある。しかしながら、具体的に記
載されているものは何れも、水酸基の数が1個のもので
あ)、前記−毅武(j)の化合物のごとく、2個の水酸
基に加えて、他の鷺換基(Bll 、 Bu )を有す
る化合物についての記載は存在しない、tた、上記会1
lll会報にけ、誼ベンゾイル基が2個の水酸基のみで
置換されている化合物についての記載もあるが、その場
合は、舘記一般式(1) KおけるR3に相轟する基が
、水素原子または低級アルキル基に限られていて、基−
x−Yを有する化合物についてO記載は全く存在しない
。
γ位アシル基中にベンゾイルウレイド基を有する化合物
が記載されている。殊に該ベンゾイル基が水酸基に加え
て、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、低級アルコキシ
カルボニル基または低級アルキル基で置換されている化
合物についての記載がある。しかしながら、具体的に記
載されているものは何れも、水酸基の数が1個のもので
あ)、前記−毅武(j)の化合物のごとく、2個の水酸
基に加えて、他の鷺換基(Bll 、 Bu )を有す
る化合物についての記載は存在しない、tた、上記会1
lll会報にけ、誼ベンゾイル基が2個の水酸基のみで
置換されている化合物についての記載もあるが、その場
合は、舘記一般式(1) KおけるR3に相轟する基が
、水素原子または低級アルキル基に限られていて、基−
x−Yを有する化合物についてO記載は全く存在しない
。
本発明は、前記一般式(1)で表わされる、文献未載の
新規化合物を提供することを目的とするもOであ為0本
発明に係るセファロスポリン誘導体は、グフム陽性1お
よびグフム陰性画に対し強イ抗−力を有する。殊にシ凰
−ドモナス属薗および4ラシアl1aiKltしてはセ
ファゾリン、セファロリジンその他従来汎用されている
セファロスポリン系抗繭剤に比べ著効を有する。ま九、
本物質は動物投与後の吸収、排泄9分布1代謝等の体内
挙動においても優れており、且つ優れた感染防禦効果を
示す、従って、本発明の目的化合物は抗1剤として有用
である。
新規化合物を提供することを目的とするもOであ為0本
発明に係るセファロスポリン誘導体は、グフム陽性1お
よびグフム陰性画に対し強イ抗−力を有する。殊にシ凰
−ドモナス属薗および4ラシアl1aiKltしてはセ
ファゾリン、セファロリジンその他従来汎用されている
セファロスポリン系抗繭剤に比べ著効を有する。ま九、
本物質は動物投与後の吸収、排泄9分布1代謝等の体内
挙動においても優れており、且つ優れた感染防禦効果を
示す、従って、本発明の目的化合物は抗1剤として有用
である。
一般式(1)において、BllおよびBlmが意味する
ところのハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子。
ところのハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子。
沃素原子またはフッ素原子から選ばれ、塩素原子まえは
フッ素原子が好ましい、ま九、8 および111が意味
する低級アルキル基並びに低級アルコキシ基、低級アル
カノイル基および低級アルコキシカルボニル基に含まれ
る低級アルキル−基は炭素数が1乃至4の直鎖ま虎は分
枝していて4よい飽和炭化水素基である。
フッ素原子が好ましい、ま九、8 および111が意味
する低級アルキル基並びに低級アルコキシ基、低級アル
カノイル基および低級アルコキシカルボニル基に含まれ
る低級アルキル−基は炭素数が1乃至4の直鎖ま虎は分
枝していて4よい飽和炭化水素基である。
内(意味する低級アルキル基は、炭素数が1乃至4のi
f*まえは分枝していてもよい飽和炭化水素基であるa
R”が意味する基−X−Yにおいて、Xが意味すると
ζろの低級アルキレン基は炭素数が1乃至5(4Jiし
、後述t ルコト< Y カ基−4OR”)sであると
きは、2乃至S)で直鎖または分枝していてもよい、Y
の定義において、R” 、 R”、R”tたはR”K含
まれる低級アルキル部分(低級アルキ、ル基\ 並びに低級アルカノイル基および低級アルコキシ基中に
存在する低級アル中ル残基)は炭素数が1乃至4の直鎖
を九社分唆していてもよい飽和炭化水素基である。但し
111が低級アルコ中シ基で置換され友低級アルキル
基である場合の、酋低級アルキル基の炭素数は2乃至4
である。
f*まえは分枝していてもよい飽和炭化水素基であるa
R”が意味する基−X−Yにおいて、Xが意味すると
ζろの低級アルキレン基は炭素数が1乃至5(4Jiし
、後述t ルコト< Y カ基−4OR”)sであると
きは、2乃至S)で直鎖または分枝していてもよい、Y
の定義において、R” 、 R”、R”tたはR”K含
まれる低級アルキル部分(低級アルキ、ル基\ 並びに低級アルカノイル基および低級アルコキシ基中に
存在する低級アル中ル残基)は炭素数が1乃至4の直鎖
を九社分唆していてもよい飽和炭化水素基である。但し
111が低級アルコ中シ基で置換され友低級アルキル
基である場合の、酋低級アルキル基の炭素数は2乃至4
である。
R4が意味するところの低級アルコキシ基は、好ましく
はメトキシ基である。
はメトキシ基である。
R1が意味するピリジニウム基はカルバモイル基を友は
スルホ基(スルホン酸基)、若しくはこれらで置換され
吟−珍今番曇た低級アルキレン基で置換されていてもよ
い、基−8−R”において、配挿 号Bllが意味する5員複素環、6員複素環ま九は緒合
複素場は、例えば1.3.4−チアジアゾール。
スルホ基(スルホン酸基)、若しくはこれらで置換され
吟−珍今番曇た低級アルキレン基で置換されていてもよ
い、基−8−R”において、配挿 号Bllが意味する5員複素環、6員複素環ま九は緒合
複素場は、例えば1.3.4−チアジアゾール。
トリアゾール、テトラゾール、ピリジン−N−オキサイ
ドピリダジン、テトラゾピリダジン、トリびカルボキシ
ル基g瞳換アミノ基またはスルホ基(スルホン酸基)で
置換され九低級アルキレン基等で置換されている場合を
含む、ここで、低級アルキル基および低級アルキレン基
は炭素数1乃至3の直鎖飽和炭化水素基である。1+、
低級アルキレン基の置換基の一つである「瞳換アはノ基
」は、置換基として炭素数が1乃至3の直鎖アルカリ金
属する。
ドピリダジン、テトラゾピリダジン、トリびカルボキシ
ル基g瞳換アミノ基またはスルホ基(スルホン酸基)で
置換され九低級アルキレン基等で置換されている場合を
含む、ここで、低級アルキル基および低級アルキレン基
は炭素数1乃至3の直鎖飽和炭化水素基である。1+、
低級アルキレン基の置換基の一つである「瞳換アはノ基
」は、置換基として炭素数が1乃至3の直鎖アルカリ金
属する。
本発明に係るセファロスポリン誘導体はカルボキシル基
を有するため、該基において種々の塩基性物質と塩を形
成することができる。これらすべての塩類は本発明の範
囲に含まれる。
を有するため、該基において種々の塩基性物質と塩を形
成することができる。これらすべての塩類は本発明の範
囲に含まれる。
本発明の化4!−の医薬として許容され得る塩の例とし
て、無機塩基の塩九とえば、ナトリウムおよびカリウム
のごときアルカリ金属の塩、カルシウムのごときアルカ
リ土類金属の塩および有機塩基の塩九とえば、プロカイ
ン、およびジペンジルエチレンジア建ン塩があげられる
。
て、無機塩基の塩九とえば、ナトリウムおよびカリウム
のごときアルカリ金属の塩、カルシウムのごときアルカ
リ土類金属の塩および有機塩基の塩九とえば、プロカイ
ン、およびジペンジルエチレンジア建ン塩があげられる
。
本発明の化合物の中KFi、7−アセトアミド基中の不
整炭素原子の丸め、光学異性体が存在する。
整炭素原子の丸め、光学異性体が存在する。
DL−、D−およびL−異性体、更には場合によりジア
ステレオマーである。これらは倒れも本発明の範囲に含
まれる。
ステレオマーである。これらは倒れも本発明の範囲に含
まれる。
一般式(冨)で表わされるセファロスポリン鱒導体は種
々の方法で製造することができる0例えば、一般式(厘
) 24 (式中、R4およびR“IIi前記と同一 RFは水素
原子11工は保纒基を意味する。)で表わされる7−ア
建ノセ7アースポリンまたはその反応性誘導体(式中−
R” −R’ e R” h I U R” n fi
l Y ト同a )で表わされる化合物、その反応に関
与しない官能基が保循された化合物またはこれらの反応
性−導体とを反応させ、次いで生成物が保纒基を有する
場合は、それを脱離させることを特徴とする製法である
。
々の方法で製造することができる0例えば、一般式(厘
) 24 (式中、R4およびR“IIi前記と同一 RFは水素
原子11工は保纒基を意味する。)で表わされる7−ア
建ノセ7アースポリンまたはその反応性誘導体(式中−
R” −R’ e R” h I U R” n fi
l Y ト同a )で表わされる化合物、その反応に関
与しない官能基が保循された化合物またはこれらの反応
性−導体とを反応させ、次いで生成物が保纒基を有する
場合は、それを脱離させることを特徴とする製法である
。
ここで、前記一般式(厘)で表わされる7−ア電ノセ7
アロスボリンの反応性誘導体とは、該化合物中の7位ア
ンノ基が活性化され九誘導体を意味する。7位アンノ基
は例えばトリメチルシリル基の導入により活性化される
。
アロスボリンの反応性誘導体とは、該化合物中の7位ア
ンノ基が活性化され九誘導体を意味する。7位アンノ基
は例えばトリメチルシリル基の導入により活性化される
。
一般式(1) において、記号R6が保喝基を意味する
場合その例として、まずト、リチル基、ペンツヒドリル
苓のごときア之ルキル基ま曳けそれらのアリル核上にメ
トキシ基、ニトロ基等の瞳換基壇有する置換アフルキル
基を挙げることかで色、Il!に、2 、2 ’;v’
−トリクpルエチル基、2.2.2−トリフルオロエチ
ル基のごときハロゲン化低級アルキル基、或はトリメチ
ルシリル基、のごときシリル基を挙げることができる。
場合その例として、まずト、リチル基、ペンツヒドリル
苓のごときア之ルキル基ま曳けそれらのアリル核上にメ
トキシ基、ニトロ基等の瞳換基壇有する置換アフルキル
基を挙げることかで色、Il!に、2 、2 ’;v’
−トリクpルエチル基、2.2.2−トリフルオロエチ
ル基のごときハロゲン化低級アルキル基、或はトリメチ
ルシリル基、のごときシリル基を挙げることができる。
R’に含まれる保護基の他の例として、3−カルボキシ
ル基において塩を形成し得る無機または有機塩基を挙げ
ることができ、例えばアルカリ金属塩、アルカリ土類金
属塩、トリエチルア建ン、N−メチルピペリジン、N−
メチルモルホリン、ピリジン郷の三級有機壇基である。
ル基において塩を形成し得る無機または有機塩基を挙げ
ることができ、例えばアルカリ金属塩、アルカリ土類金
属塩、トリエチルア建ン、N−メチルピペリジン、N−
メチルモルホリン、ピリジン郷の三級有機壇基である。
−で表わされる基がカルボキシル基を有する場合、その
保111IJ!lは、風6につiて述ぺたと同様のもの
から選ばれる。
保111IJ!lは、風6につiて述ぺたと同様のもの
から選ばれる。
一般式(厘)で表わされる化合物の反応に関与しない官
能基が保−されている化合物とは、ベンゾイル基が、そ
の3および4位に有する水酸基、R1が基−x−Yであ
る場合にお!て、Yに含まれる水酸基またはカルボキシ
ル基 BSが意味するところの水酸1郷が保護されてい
るものである。
能基が保−されている化合物とは、ベンゾイル基が、そ
の3および4位に有する水酸基、R1が基−x−Yであ
る場合にお!て、Yに含まれる水酸基またはカルボキシ
ル基 BSが意味するところの水酸1郷が保護されてい
るものである。
易に脱離する基であれば足プ、例えばホルミル基。
アセチル基、グロピオニル基、ブチリル基、タロロアセ
チル基のごときアシル基、ベンジル基、ベンズヒドリル
基、トリチル基のごときアラルキル基、を友はそれらの
アリル核上にメトキシ基、ニトロ基等の置換基を有する
着換アラルキル基、トリメチルシリル基、トリエチルシ
リル基、ジエチルメトキシシリル基、ジエチルメトキシ
シリル基、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル
基のごときシリル基、−Ktj感−ブチル基、メトキシ
メチル基、7エナシル基、テトラヒドロピラニル基のご
とき水酸基のために通常用いられる保−1畔を挙げるこ
とができる。
チル基のごときアシル基、ベンジル基、ベンズヒドリル
基、トリチル基のごときアラルキル基、を友はそれらの
アリル核上にメトキシ基、ニトロ基等の置換基を有する
着換アラルキル基、トリメチルシリル基、トリエチルシ
リル基、ジエチルメトキシシリル基、ジエチルメトキシ
シリル基、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル
基のごときシリル基、−Ktj感−ブチル基、メトキシ
メチル基、7エナシル基、テトラヒドロピラニル基のご
とき水酸基のために通常用いられる保−1畔を挙げるこ
とができる。
また、YK含まれるカルボキシル基の保−基としては、
2.2.2−トリタロロエチル基、鵞。
2.2.2−トリタロロエチル基、鵞。
2.2−トリフルオロエチル基のごときハーゲンjll
l 化低級アルキル基、ベンジル基、ベンツヒドリル基、ト
リチル基のごときアラルキル基またはそれらのアリル核
上にメトキシ基、ニド−基等の置換基を有する置換アラ
ルキル基、−には、メチル基。
l 化低級アルキル基、ベンジル基、ベンツヒドリル基、ト
リチル基のごときアラルキル基またはそれらのアリル核
上にメトキシ基、ニド−基等の置換基を有する置換アラ
ルキル基、−には、メチル基。
エチル基のごとき低級アルキル基、トリメトキシ呼ル基
のごときシリル基を挙げることができる。
のごときシリル基を挙げることができる。
前記にいう「反応性誘導体」とは、反応に関与するカル
ボキシル基が活性化され九霞導体を意味する0例えば酸
無水物、活性エステル、活性アミド、酸ハロゲン化物等
である。
ボキシル基が活性化され九霞導体を意味する0例えば酸
無水物、活性エステル、活性アミド、酸ハロゲン化物等
である。
具体的には、例えばピパリン酸、トリタ四ル酢酸、ペン
タン酸のごとき脂肪族カルボン酸との混合無水物;アル
キル員酸混合無水物;フェニル燐酸温合燦水物;芳香族
カルボン酸混合無水物;1−ヒドロキシベンゾトリアゾ
リルエステル、2#4−ジエトロフ翼ニルエステル、N
−ヒドロキシスタシンイ建ジルエステル、N−ヒドロキ
シックルイ<シルエステル、ペンタクロロフェニルエス
テル、フェニルアゾフェニルエステル、シアノメチルエ
ステル、メトキタメチルエステル;イミダゾール、トリ
アゾール、テトラゾール等との酸アミド等である。
タン酸のごとき脂肪族カルボン酸との混合無水物;アル
キル員酸混合無水物;フェニル燐酸温合燦水物;芳香族
カルボン酸混合無水物;1−ヒドロキシベンゾトリアゾ
リルエステル、2#4−ジエトロフ翼ニルエステル、N
−ヒドロキシスタシンイ建ジルエステル、N−ヒドロキ
シックルイ<シルエステル、ペンタクロロフェニルエス
テル、フェニルアゾフェニルエステル、シアノメチルエ
ステル、メトキタメチルエステル;イミダゾール、トリ
アゾール、テトラゾール等との酸アミド等である。
なお、風で表わされろ基が有するカルボキシル基の保護
基および、R6が意味する保−基が、エステルを構成し
得る基である場合、アミド結合形成反応は、愛換ウレイ
ドフェニル酢酸を反応性誘導体に導くことなく、カルボ
ン酸のttでN、 N’−ジシクロへキシルカルボシイ
建ド、N、N’−ジエチルカルボシイ建ド、N−シクロ
へキシル−N′−モルホリンエチルカルボジイミド、N
、N’−ジイソプロピルカルボジイミド等のカルがシイ
ζド類を纏舎剤として用いて効率よく行なわせることも
でき石。
基および、R6が意味する保−基が、エステルを構成し
得る基である場合、アミド結合形成反応は、愛換ウレイ
ドフェニル酢酸を反応性誘導体に導くことなく、カルボ
ン酸のttでN、 N’−ジシクロへキシルカルボシイ
建ド、N、N’−ジエチルカルボシイ建ド、N−シクロ
へキシル−N′−モルホリンエチルカルボジイミド、N
、N’−ジイソプロピルカルボジイミド等のカルがシイ
ζド類を纏舎剤として用いて効率よく行なわせることも
でき石。
更に、一般式(■)で表わされる化合物において、反応
に関与しない官能基である水酸基およびカルボキシル基
の総てが保鏝されている場合は、該化合物を酸無水物1
+はハロゲン化物の形で反応(供することができる。酸
ハロゲン化物に導びくKは、塩化オキずリル、塩化チオ
ニルのごとき通常使用されるハロゲン化物を作用させる
方法、或はジメチルホルムアミド1 九tf N−メチ
ルホルムアニリドと塩化チオニル、オキシ塩化憐、トリ
クー關メチルクロロホルメートまたはホスゲン等との反
応で得られるビルスマイヤー試薬を作用させる方法−が
用いられる。
に関与しない官能基である水酸基およびカルボキシル基
の総てが保鏝されている場合は、該化合物を酸無水物1
+はハロゲン化物の形で反応(供することができる。酸
ハロゲン化物に導びくKは、塩化オキずリル、塩化チオ
ニルのごとき通常使用されるハロゲン化物を作用させる
方法、或はジメチルホルムアミド1 九tf N−メチ
ルホルムアニリドと塩化チオニル、オキシ塩化憐、トリ
クー關メチルクロロホルメートまたはホスゲン等との反
応で得られるビルスマイヤー試薬を作用させる方法−が
用いられる。
アセト結合形成反応は通常溶媒中で行なうのが好ましく
、溶媒としてはアセトン、テトラヒドロフフン、ジメチ
ルホルムアンド、ピリジン、アセトニドシル、ジオ中サ
ン、クロロホルム、メチレンタロリド、酢峻エチルのご
とき不活性有機溶媒が用いられる。これらのうち親水性
溶媒は水と混食して使用すること4可能である。
、溶媒としてはアセトン、テトラヒドロフフン、ジメチ
ルホルムアンド、ピリジン、アセトニドシル、ジオ中サ
ン、クロロホルム、メチレンタロリド、酢峻エチルのご
とき不活性有機溶媒が用いられる。これらのうち親水性
溶媒は水と混食して使用すること4可能である。
反応は1通常冷却ないし室温で行なわれるが、7JII
11下で行なうこともある0反応時間は反応温度、反応
に供せられる化合物9m媒等によって異なるが、数時間
乃至数十時間の間で遺宜選択される。
11下で行なうこともある0反応時間は反応温度、反応
に供せられる化合物9m媒等によって異なるが、数時間
乃至数十時間の間で遺宜選択される。
反応混合物からの目的物の単離は常法に従うて容易に行
なうことができる。
なうことができる。
なお、上記アセト結合形成反応は、微生物の生産する酵
素を用いて行なうこともでき、而してその場合、前記一
般式(1)で表わされる化合物ま九□ はその反応に関与しない官能基が保護された化合物は、
好重しくけ低級アルキルエステルの形で反応に供せられ
る。すなわち、前記一般式(厘)で表わされる化合物t
たはその保護され走化合物の反応性誘導体にはメチルエ
ステル、エチルエステルのとと龜低級アルキルエステル
も含まれる。使用できる微生物#素の例を挙げればシ島
−ドモナス禰、バチルス属、エシエダヒア属、プロテウ
ス属。
素を用いて行なうこともでき、而してその場合、前記一
般式(1)で表わされる化合物ま九□ はその反応に関与しない官能基が保護された化合物は、
好重しくけ低級アルキルエステルの形で反応に供せられ
る。すなわち、前記一般式(厘)で表わされる化合物t
たはその保護され走化合物の反応性誘導体にはメチルエ
ステル、エチルエステルのとと龜低級アルキルエステル
も含まれる。使用できる微生物#素の例を挙げればシ島
−ドモナス禰、バチルス属、エシエダヒア属、プロテウ
ス属。
ベネチア鵬、アルカリ土類金属、ンクロバクテリウム属
等に属する微生物によって生産されるアシル化能を有す
る酵素である0反応は既知の条件を適用して行なうこと
ができる。
等に属する微生物によって生産されるアシル化能を有す
る酵素である0反応は既知の条件を適用して行なうこと
ができる。
かくして得られる反応生成物が保護基を有する場合、そ
の脱離は常法を適用して行なわれる。すうことができ、
無機塩基の例として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
真等の水酸化アルカリ金属、水酸化マグネシウム、水酸
化カルシラ五等の水酸化アルカリ土類金槁、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム等の炭酸アルカリ金属塩、炭酸マグ
ネシラへ炭酸カルシウム等の炭酸アルカリ土類金属塩、
炭酸水素す) IJウム、炭酸水素カリウ^等の重炭酸
アルiIす金属塩、燐酸カルシウムのごとき燐酸アルカ
リ土類金属塩、 燐酸水嵩シナ)
9ウム、燐酸水素ジカリウム等の燐酸水素アル*号金属
塩、アンモニア等金挙げることができ、育種塩基の例と
して、アルカリ金属の酢酸塩、トリメチルア建ン、トリ
エチルアイソ等のトリアル中ルア電ン、ジエチルア建ノ
エタノール。
の脱離は常法を適用して行なわれる。すうことができ、
無機塩基の例として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
真等の水酸化アルカリ金属、水酸化マグネシウム、水酸
化カルシラ五等の水酸化アルカリ土類金槁、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム等の炭酸アルカリ金属塩、炭酸マグ
ネシラへ炭酸カルシウム等の炭酸アルカリ土類金属塩、
炭酸水素す) IJウム、炭酸水素カリウ^等の重炭酸
アルiIす金属塩、燐酸カルシウムのごとき燐酸アルカ
リ土類金属塩、 燐酸水嵩シナ)
9ウム、燐酸水素ジカリウム等の燐酸水素アル*号金属
塩、アンモニア等金挙げることができ、育種塩基の例と
して、アルカリ金属の酢酸塩、トリメチルア建ン、トリ
エチルアイソ等のトリアル中ルア電ン、ジエチルア建ノ
エタノール。
トリエタノ−ルア建ン等のアルコールアミンを挙げるこ
とができる。これ等塩基によるアシル基の除去は、水オ
えはアルコール性水酸基を有する有機溶媒(例えば、メ
タノール、エタノール、エタノ−ルア電ン)或はそれ等
の混合物を用いて行なわれる。好ましい例として、メタ
ノール性アンモニア、トシエチルアζンートリエタノー
ルアミンージメチルホル五ア建ド混合物を挙げることが
で自重。
とができる。これ等塩基によるアシル基の除去は、水オ
えはアルコール性水酸基を有する有機溶媒(例えば、メ
タノール、エタノール、エタノ−ルア電ン)或はそれ等
の混合物を用いて行なわれる。好ましい例として、メタ
ノール性アンモニア、トシエチルアζンートリエタノー
ルアミンージメチルホル五ア建ド混合物を挙げることが
で自重。
保5lIitIがアラル中ル基または鷺換アツルキル基
でhる場合は接触還元、例えばパラジウム−炭素を用い
先接触量元により除去を行なうことができ為、1!に、
−−ブチル基、メトキシメチル基、7エナシル基−テト
ラヒト四ピッニル基等およびシリル基は、塩酸のごとき
無機酸を用いて除去することができる。
でhる場合は接触還元、例えばパラジウム−炭素を用い
先接触量元により除去を行なうことができ為、1!に、
−−ブチル基、メトキシメチル基、7エナシル基−テト
ラヒト四ピッニル基等およびシリル基は、塩酸のごとき
無機酸を用いて除去することができる。
前記YK含まれるカルボキシル基の保−基、8で表わさ
れる基がカルボキシル基を有する場合のその保−基およ
び前記R6が意味するところの保護基の除去は、ハロゲ
ン化低級アルキル基の場合は亜 金属と酸、例えば−鉛一酢一による還元により、アラル
キル基および置換アラル午ル基の場合は接触還元、例え
ばパラジウム−炭素を用い友接触遺元によ多行なうこと
ができ、また酸、例えば蟻酸。
れる基がカルボキシル基を有する場合のその保−基およ
び前記R6が意味するところの保護基の除去は、ハロゲ
ン化低級アルキル基の場合は亜 金属と酸、例えば−鉛一酢一による還元により、アラル
キル基および置換アラル午ル基の場合は接触還元、例え
ばパラジウム−炭素を用い友接触遺元によ多行なうこと
ができ、また酸、例えば蟻酸。
トリフルオ關酢酸、ベン(ンスルホン酸、p−トルエン
スルホン酸、塩酸、陽イオン交換樹脂等の有機または無
機酸を用いても行・なうことができ、更にシリル基は上
記酸、或はメタノールのごときアルコールによる処理に
よp行なうことができ、低級アル中ル基の場合は、水酸
化す) 17ウムのごとき無機塩基により除去すること
ができる。
スルホン酸、塩酸、陽イオン交換樹脂等の有機または無
機酸を用いても行・なうことができ、更にシリル基は上
記酸、或はメタノールのごときアルコールによる処理に
よp行なうことができ、低級アル中ル基の場合は、水酸
化す) 17ウムのごとき無機塩基により除去すること
ができる。
反応混合物からの目的物の単離、精製は常法に従って容
易に行なうことができる0例えば、ジタ關ルメタン、ク
ロロホルムl酢酸エチルのごとき有横尋媒による抽出、
¥It#i活性炭素活性炭素ダシリカゲル交換樹脂、デ
キストラン架橋重合体、スチレン若しくはアクリル酸エ
ステルの多孔質1合体等を用い九各種の夕qマドグラフ
ィーを適用して行なうことができる。
易に行なうことができる0例えば、ジタ關ルメタン、ク
ロロホルムl酢酸エチルのごとき有横尋媒による抽出、
¥It#i活性炭素活性炭素ダシリカゲル交換樹脂、デ
キストラン架橋重合体、スチレン若しくはアクリル酸エ
ステルの多孔質1合体等を用い九各種の夕qマドグラフ
ィーを適用して行なうことができる。
一般式(1)で表わされるセファロスポリン誘導体は、
他の方法によっても製造することができる。
他の方法によっても製造することができる。
すなわち、一般式(W)
g斗
3
(式中、 R” 、 R’、R’Th!ヒR’R前記ト
1iiJ −e )で表わされる化合物、その反応に関
与しない官能基が保護された化合物、f九はこれ等の反
応性誘導体と、一般式(V) Q10 の保1III−Il!iを意味する。)で表わされるベ
ンゾイルイソシアネートまたは、一般式(W) 11 (式中、Bll 、 BllおよびR7は前記と同一、
が1は、吐出♂に対応する基であって、R3が有する官
能基が保護されているものを意味し、2は/%ロゲン原
原子量意味る。)で表わされるカルバミン酸ハライドと
を反応させ、次いで反応生成物中の保護基を脱離させる
ことを特徴とする製法である。
1iiJ −e )で表わされる化合物、その反応に関
与しない官能基が保護された化合物、f九はこれ等の反
応性誘導体と、一般式(V) Q10 の保1III−Il!iを意味する。)で表わされるベ
ンゾイルイソシアネートまたは、一般式(W) 11 (式中、Bll 、 BllおよびR7は前記と同一、
が1は、吐出♂に対応する基であって、R3が有する官
能基が保護されているものを意味し、2は/%ロゲン原
原子量意味る。)で表わされるカルバミン酸ハライドと
を反応させ、次いで反応生成物中の保護基を脱離させる
ことを特徴とする製法である。
一般式CM>で表わされる化合物であって、その反応に
関与しない官能基が保護され良化合物とは該式中−が意
味する水酸基、−が意味するピリジニラA1ま九は基−
8−R″1においてB Mlが意味する5員複素環、6
111素環を九は縮合複素環が有していることもある置
換基、例えばスルホ基(スルホン酸基)、水酸基、カル
ボ中シル基で着換され九低級アル中しン基の倒れかま九
は全てが保−された化合物、憂にはB・が保護基を意味
する場合の当核化合物である。
関与しない官能基が保護され良化合物とは該式中−が意
味する水酸基、−が意味するピリジニラA1ま九は基−
8−R″1においてB Mlが意味する5員複素環、6
111素環を九は縮合複素環が有していることもある置
換基、例えばスルホ基(スルホン酸基)、水酸基、カル
ボ中シル基で着換され九低級アル中しン基の倒れかま九
は全てが保−された化合物、憂にはB・が保護基を意味
する場合の当核化合物である。
上記各保暢基のうち、水酸基、カルボキシル基の保護基
は、先に、一般式(1)で表わされる化合物の反応に関
与しない官能基が保瞳されている化合物について述べ九
と同様である。スルホ基(スルホン酸基)を保曖する場
合は、アルカリ金属塩。
は、先に、一般式(1)で表わされる化合物の反応に関
与しない官能基が保瞳されている化合物について述べ九
と同様である。スルホ基(スルホン酸基)を保曖する場
合は、アルカリ金属塩。
アルカリ土類金属塩、トリエチルア建ン、N−メチルモ
ルホリンのごときスルホ基(スルホン酸基)との間で壇
を形成し得る無機または有機塩基、およびトリメチルシ
リル基のごときシリル基を挙げることがで★る。
ルホリンのごときスルホ基(スルホン酸基)との間で壇
を形成し得る無機または有機塩基、およびトリメチルシ
リル基のごときシリル基を挙げることがで★る。
一般式(It)で表わされる化合物またはその反応に関
与しない官能基が保−された化合物の反応性−導体とは
、その7位アクル基中のα−ア建ノ基が活性化され友誘
導体の意味であシ、而して活性化は、該ア建ノ基K例え
ばトリメチルシリル基を尋人することKより行なわれる
。
与しない官能基が保−された化合物の反応性−導体とは
、その7位アクル基中のα−ア建ノ基が活性化され友誘
導体の意味であシ、而して活性化は、該ア建ノ基K例え
ばトリメチルシリル基を尋人することKより行なわれる
。
一般式ff)および(W) において H?が意味する
ところの保護基は、一般式(−)に関し、ベンゾイル基
の3および4位の水酸基の保護基として述べ友ものと同
様である。
ところの保護基は、一般式(−)に関し、ベンゾイル基
の3および4位の水酸基の保護基として述べ友ものと同
様である。
一般式ff)で表わされるベンゾイルイソシアネートを
反応させるときは、一般式(1) において−が水素原
子である化合物が得られ、一般式(■)で表わされるカ
ルバミン酸ハライドを反応させるときは、最終的に一般
式(1) においてR3が低級アル中ル基壕九は基−X
−Yである化合物が得られる。
反応させるときは、一般式(1) において−が水素原
子である化合物が得られ、一般式(■)で表わされるカ
ルバミン酸ハライドを反応させるときは、最終的に一般
式(1) においてR3が低級アル中ル基壕九は基−X
−Yである化合物が得られる。
これらの反応i1′溶媒中で行なうのが好ましく、溶媒
としてはジクロルメタン、1.2−ジクロルメタン、り
費pホルム、アセトニトリル、ア七トン。
としてはジクロルメタン、1.2−ジクロルメタン、り
費pホルム、アセトニトリル、ア七トン。
テトラヒドロフラン、酢酸エチル、ジオ中ナンのごとき
不活性有機溶媒が用いられる。なお、親水性溶媒につい
ては水と混合して用いることもできる6反応温間は通常
冷却ないし室温の範囲で選ばれる1反応時間は、反応温
度、反応に供せられる化合物、溶媒等によって異なるが
、数時間乃至数十時間の範囲で適宜選択される。
不活性有機溶媒が用いられる。なお、親水性溶媒につい
ては水と混合して用いることもできる6反応温間は通常
冷却ないし室温の範囲で選ばれる1反応時間は、反応温
度、反応に供せられる化合物、溶媒等によって異なるが
、数時間乃至数十時間の範囲で適宜選択される。
反応生成物からの保噛基の脱離は、水酸基およびカルボ
キシル基の保傾基については、前に述べ九と同様な手段
によって脱離させることができる。
キシル基の保傾基については、前に述べ九と同様な手段
によって脱離させることができる。
スルホ基(スルホン酸基)の保護基の脱離は、塩酸のご
とき無機酸により行なうことができる。
とき無機酸により行なうことができる。
反応混合働きらの目的物の単離は既に述べ友ごとく、常
法に従って容易に行なうことができる。
法に従って容易に行なうことができる。
本発明に係る一般式(1)で表わされるセファロスポリ
ン誘導体の製法においては、以上述べたごと合方法を実
権した後で、必要に応じ、(1)生成物中に含まれるカ
ルボキシル基を所望の塩に変換すること、(厘)−がア
セトキシ基である場合、それ?−カルバモイルオキシ基
または基−8−一1に変換することの何れか−まえは二
を行なうことができる。
ン誘導体の製法においては、以上述べたごと合方法を実
権した後で、必要に応じ、(1)生成物中に含まれるカ
ルボキシル基を所望の塩に変換すること、(厘)−がア
セトキシ基である場合、それ?−カルバモイルオキシ基
または基−8−一1に変換することの何れか−まえは二
を行なうことができる。
カルボ中シル基の所望の塩への変換は、常法全適用して
行なうことができる。
行なうことができる。
3位のアセトキシ基の、カルバモイルオ中7基□
i九社基−8−風への変換は、基−0HIOHを経て、
或は相当する求核試薬を用いて直接的に行なわれる。
或は相当する求核試薬を用いて直接的に行なわれる。
すなわち、一般式(1)においてR6が基−00008
3であるセファロスポリン誘導体に、脱アシル化剤、次
いでインシアネー)1、或はR5が基−0000Hsで
あるセファロスポリン四導体に一般式R” −8)1 (式中BS1は前記と同一、)で表わされるチオールa
ま走はその塩を反応させるか、または相当するピリジン
を反応させることにより変換される。
3であるセファロスポリン誘導体に、脱アシル化剤、次
いでインシアネー)1、或はR5が基−0000Hsで
あるセファロスポリン四導体に一般式R” −8)1 (式中BS1は前記と同一、)で表わされるチオールa
ま走はその塩を反応させるか、または相当するピリジン
を反応させることにより変換される。
R”−8Hft反応させる場合、反応は通常溶媒中で行
なわれ、#l媒としてはアセトン、メタノール。
なわれ、#l媒としてはアセトン、メタノール。
エタノール、テトラヒドロ7ラン等が繁用され、場合に
よりては水と混合して使用することもできる0反応は通
常室温乃至加温下に行なわれる。
よりては水と混合して使用することもできる0反応は通
常室温乃至加温下に行なわれる。
チオール類は一般に、例えばナトリウム塩、カリウム基
環の形で用いられる。また、遊離のチオール類を水酸化
アルカリ、炭酸アルカリ、炭酸水素アルカリのごとき無
機塩基、トリアルキルアミンのごとき有機塩基の専在下
に反応させることもできる。ピリジンを反応させる場合
は、チオシアン酸カリまたFi!−ドカリのごとき無機
塩の存奄下に行なうのが望ましり。
環の形で用いられる。また、遊離のチオール類を水酸化
アルカリ、炭酸アルカリ、炭酸水素アルカリのごとき無
機塩基、トリアルキルアミンのごとき有機塩基の専在下
に反応させることもできる。ピリジンを反応させる場合
は、チオシアン酸カリまたFi!−ドカリのごとき無機
塩の存奄下に行なうのが望ましり。
一般式(1)で表わされる本発明の目的化合物の−っで
ある光学活性体(D−またはL−異性体)またはジアス
テレオマーの製造は、α−フイノフェニル酢酸類または
一般式(1)で表わされる置換フレイドフェニル酢酸の
段階において、i友は最終生成物について通常の光学分
割技術を適用することにより行なわれる。
ある光学活性体(D−またはL−異性体)またはジアス
テレオマーの製造は、α−フイノフェニル酢酸類または
一般式(1)で表わされる置換フレイドフェニル酢酸の
段階において、i友は最終生成物について通常の光学分
割技術を適用することにより行なわれる。
本発明の目的化合物は、他の七7ア四スポリン系化合物
の場合と同様に種々の投与方法に適する形11に処方さ
れ得る。従って、本発明の実施の態1111にけ、ヒト
又は動物医薬用に適した種々の**組成物が含まれる。
の場合と同様に種々の投与方法に適する形11に処方さ
れ得る。従って、本発明の実施の態1111にけ、ヒト
又は動物医薬用に適した種々の**組成物が含まれる。
それらの組成物は必要な製薬指体又は賦形剤を使用して
常法によpII供される。
常法によpII供される。
すなわち、注射用組成物として提供する場合は油性又は
水性ビヒクル中で懸濁液、溶液、乳濁液のごとき剤形を
とることができる。
水性ビヒクル中で懸濁液、溶液、乳濁液のごとき剤形を
とることができる。
坐剤とすることもでき、通常の坐剤基質たとえばココア
乳脂、或はその他のグリセリドを用いることができる。
乳脂、或はその他のグリセリドを用いることができる。
これらの組成物は、投与方法に従ってα1%以上5例え
ば5〜99%好ましくは10〜60%の活性物質を含有
することができる。
ば5〜99%好ましくは10〜60%の活性物質を含有
することができる。
ヒトに対する投与量は、成人の場合100〜3000〜
の範囲で選ばれる。九とえば投与経路、回数あるいは体
重、年令、樹状にもよるが1日500〜2000jlF
の投与量が好ましい例である。
の範囲で選ばれる。九とえば投与経路、回数あるいは体
重、年令、樹状にもよるが1日500〜2000jlF
の投与量が好ましい例である。
以下に本発明の化合物の製造方法を具体例によ実施例L
(1) N −(3−ヒドロキシプロピル) −3,4
−ジヒドロキクペンズア(ド5.Ofとトリメチルシリ
ルクロライド1″L91とを含む乾燥ジクロルメタンγ
0NIO懸濁液に、)リエチルアミン1Lsfを含む乾
燥ジクロルメタン溶液4o−を氷−水冷却下に滴下する
。温液t−窒素雰囲気中、40分間加熱還流させ、次い
で冷却下、−10〜−5℃でトリクローメチルタロロホ
ルメートλ8dt滴下する。液温を徐々に上昇させ、6
〜5℃で2時間攪拌したのち、減圧下に過剰のホスゲン
および溶媒1*去する。残渣に冷却した乾燥ジクロルメ
タン80−を加え、不溶物を自然−過により除去し、後
述の反応に供する。
−ジヒドロキクペンズア(ド5.Ofとトリメチルシリ
ルクロライド1″L91とを含む乾燥ジクロルメタンγ
0NIO懸濁液に、)リエチルアミン1Lsfを含む乾
燥ジクロルメタン溶液4o−を氷−水冷却下に滴下する
。温液t−窒素雰囲気中、40分間加熱還流させ、次い
で冷却下、−10〜−5℃でトリクローメチルタロロホ
ルメートλ8dt滴下する。液温を徐々に上昇させ、6
〜5℃で2時間攪拌したのち、減圧下に過剰のホスゲン
および溶媒1*去する。残渣に冷却した乾燥ジクロルメ
タン80−を加え、不溶物を自然−過により除去し、後
述の反応に供する。
(り D −(−) −7エ二ルグリシン4.7tとト
リメチルシリルクロライド7.8fを含む乾燥ジクロル
メタン106−の懸濁液に一、トリエチルアイン7.1
2t5〜10℃で滴下する0次イテN、O−ヒX (ト
リメチルシリル)ア1ドア建ド111jt−同温度で嘴
下し、室温で1時間攪拌したのち、上記(1)で調に滴
下する。同温度で1時間攪拌し、次いで減圧下に室温で
蒸発乾固させたのち、残渣に酢酸エチル300dとテト
ラヒドロフラン100idおよび冷6N−塩酸100a
#の混合液を加え、有機層を分取する。該有機層を冷飽
和食塩水30G−で洗浄したのち、冷飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液30・−で2(ロ)に分けて目的物を抽出
する0次いで該水層に酢酸エチル200dとテトラヒト
ミフラン80mJの混合液を加え、冷6N−塩酸で一億
を約1.5とし、これに食塩を加えて水性層を飽和させ
たのち、有機層を分取する0分取した有機層を冷飽和食
塩水1OOdで洗滌後、無水m酸マグネシウ^で乾燥さ
せ、減圧下に溶媒を留去する。残留物をア七トン−クロ
ロホルムで結晶化させ、同溶媒系で再結晶させると、D
(−)−α−(3−(3,4−ジヒドロキシベンゾイル
)−3−(3−にドロキシプロピル)−1−”)しく
)”)7エエルー酸5.5fが白色結晶として得られる
。
リメチルシリルクロライド7.8fを含む乾燥ジクロル
メタン106−の懸濁液に一、トリエチルアイン7.1
2t5〜10℃で滴下する0次イテN、O−ヒX (ト
リメチルシリル)ア1ドア建ド111jt−同温度で嘴
下し、室温で1時間攪拌したのち、上記(1)で調に滴
下する。同温度で1時間攪拌し、次いで減圧下に室温で
蒸発乾固させたのち、残渣に酢酸エチル300dとテト
ラヒドロフラン100idおよび冷6N−塩酸100a
#の混合液を加え、有機層を分取する。該有機層を冷飽
和食塩水30G−で洗浄したのち、冷飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液30・−で2(ロ)に分けて目的物を抽出
する0次いで該水層に酢酸エチル200dとテトラヒト
ミフラン80mJの混合液を加え、冷6N−塩酸で一億
を約1.5とし、これに食塩を加えて水性層を飽和させ
たのち、有機層を分取する0分取した有機層を冷飽和食
塩水1OOdで洗滌後、無水m酸マグネシウ^で乾燥さ
せ、減圧下に溶媒を留去する。残留物をア七トン−クロ
ロホルムで結晶化させ、同溶媒系で再結晶させると、D
(−)−α−(3−(3,4−ジヒドロキシベンゾイル
)−3−(3−にドロキシプロピル)−1−”)しく
)”)7エエルー酸5.5fが白色結晶として得られる
。
犠 点 139〜141℃(分解)元素分析 0誇
H飾N207・HjOとしてOHN 計算値−5N16 5.46 &419実欄値(1)
5&30 5.40 aJ171 74
、に11r(a11″):3540,3500.169
0゜16M 167G、1595.152O N M R(0M80−d@、60MHz)J(pp)
: 13〜1G(2H1喝)、135(2H,蓼、J■
6H震)、173(2H、g 、Jsw6.5)1g)
、 5.22 (IH、d 、J−7H冨)、&7〜
7.5(8H,1+a)、9.19(1)1.d 、J
露7H1) 塩化第二鉄呈色反応:陽性(暗緑色) (3)上記1りで得られる置換フェニル酢酸&Ofと1
−ヒドロキシベンゾトリアゾール28fを無水テトラヒ
ドロフラン200dK溶解させる。この溶液に、N、N
’−ジシクロへキシルカルボシイ(ド&IFの無水テト
ラヒドロ7ラン溶液3011Llを窒素雰囲気中3〜7
℃において滴下する。液温を徐々に電電Kまで上昇させ
ながら攪拌し、3時間後に沈澱物(ジシクロヘーキシル
尿素)を沖去する。
H飾N207・HjOとしてOHN 計算値−5N16 5.46 &419実欄値(1)
5&30 5.40 aJ171 74
、に11r(a11″):3540,3500.169
0゜16M 167G、1595.152O N M R(0M80−d@、60MHz)J(pp)
: 13〜1G(2H1喝)、135(2H,蓼、J■
6H震)、173(2H、g 、Jsw6.5)1g)
、 5.22 (IH、d 、J−7H冨)、&7〜
7.5(8H,1+a)、9.19(1)1.d 、J
露7H1) 塩化第二鉄呈色反応:陽性(暗緑色) (3)上記1りで得られる置換フェニル酢酸&Ofと1
−ヒドロキシベンゾトリアゾール28fを無水テトラヒ
ドロフラン200dK溶解させる。この溶液に、N、N
’−ジシクロへキシルカルボシイ(ド&IFの無水テト
ラヒドロ7ラン溶液3011Llを窒素雰囲気中3〜7
℃において滴下する。液温を徐々に電電Kまで上昇させ
ながら攪拌し、3時間後に沈澱物(ジシクロヘーキシル
尿素)を沖去する。
このp液はD(−)−α−(3−(3,4−ジヒドロキ
シベンゾイル)−3−(3−ヒドロキシプロピル) −
i−rしく )’ j フェニル酢酸の1−ベンゾトリ
アゾリルエステルを含み後述の反応に供せられる。
シベンゾイル)−3−(3−ヒドロキシプロピル) −
i−rしく )’ j フェニル酢酸の1−ベンゾトリ
アゾリルエステルを含み後述の反応に供せられる。
(4)7−アミノ−3−(l−メチル−IH−テトラゾ
ール−5−イルチオメチル)−3−セフェム−4−カル
ボン酸&8fを乾燥ジクロルメタン200sdKlll
濁させ、省素富囲気中、室温において、N、0−ビス(
トリメチルシリル)ア竜ドア建ドl&9+wjt−加え
、均一になるまで攪拌する。混合液を5〜10℃に保ち
ながら、(3)で調製し友テトラヒドロ7ラン溶液の全
量を攪拌下に/liTする。!1温下で8時間攪拌し九
のち、減圧下に蒸発乾固させる。残渣に酢酸エチル25
0dとテトラヒト−7ラン250dおよびIN−塩酸1
00dの混合液を加え、冷却Fでよく攪拌する。析出し
た不溶物′tP去し、有機@を分取する。#有機層を冷
飽和食塩水200a/で洗浄後、冷1!I和炭酸水素ナ
トリウ真水溶液300dで2回に分けて目的物を抽出す
る。
ール−5−イルチオメチル)−3−セフェム−4−カル
ボン酸&8fを乾燥ジクロルメタン200sdKlll
濁させ、省素富囲気中、室温において、N、0−ビス(
トリメチルシリル)ア竜ドア建ドl&9+wjt−加え
、均一になるまで攪拌する。混合液を5〜10℃に保ち
ながら、(3)で調製し友テトラヒドロ7ラン溶液の全
量を攪拌下に/liTする。!1温下で8時間攪拌し九
のち、減圧下に蒸発乾固させる。残渣に酢酸エチル25
0dとテトラヒト−7ラン250dおよびIN−塩酸1
00dの混合液を加え、冷却Fでよく攪拌する。析出し
た不溶物′tP去し、有機@を分取する。#有機層を冷
飽和食塩水200a/で洗浄後、冷1!I和炭酸水素ナ
トリウ真水溶液300dで2回に分けて目的物を抽出す
る。
次いで該水層(酢酸エチル200mlとテトラヒドロ7
ラン200dの混合液を加え、冷6N−塩酸でμ値を約
1.5とし、これに食塩を加えて水性層を飽和させたの
ち、有機層を分取し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ
、減圧下K11alする。残渣に冷水!6dt7IID
え、これに、0〜5℃で炭酸水素ナトリウム14tを徐
々に加えてゆく、同温度で減圧下KS分間攪拌したのち
、目的物をダイヤイオンHP−10(商品名、三菱化成
社製イオン交換樹*)K吸着させ、水、次いで含水アセ
トン(アセトン滴度: 20 v/vX )で溶出させ
る。
ラン200dの混合液を加え、冷6N−塩酸でμ値を約
1.5とし、これに食塩を加えて水性層を飽和させたの
ち、有機層を分取し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ
、減圧下K11alする。残渣に冷水!6dt7IID
え、これに、0〜5℃で炭酸水素ナトリウム14tを徐
々に加えてゆく、同温度で減圧下KS分間攪拌したのち
、目的物をダイヤイオンHP−10(商品名、三菱化成
社製イオン交換樹*)K吸着させ、水、次いで含水アセ
トン(アセトン滴度: 20 v/vX )で溶出させ
る。
集め走躊出液に酢酸エチル200mとテトッヒドa79
:/IFJOd(D混合液t−加、t、冷IN−fl[
、Jでμ値を約L5とし、次いで食塩を加えて水層を飽
和させ友のち、有機層を分取する。得られた有機層を冷
飽和食塩水100dで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥させ、減圧下に液量が約30−になる壕で濃縮する
。これを襲−ヘキサノ3゜3− (3,4−ジヒドロキ
シベンゾイル)−3−(3−ヒドロキシプロピル)−1
−ウレイド)−tX−フェニルアセトアンド)−3−(
1−メチル−IH−テトラゾール−5−イルチオメチル
)−3セフェム−4−カルボン#λ8fが白色の粉末と
して得られる。
:/IFJOd(D混合液t−加、t、冷IN−fl[
、Jでμ値を約L5とし、次いで食塩を加えて水層を飽
和させ友のち、有機層を分取する。得られた有機層を冷
飽和食塩水100dで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥させ、減圧下に液量が約30−になる壕で濃縮する
。これを襲−ヘキサノ3゜3− (3,4−ジヒドロキ
シベンゾイル)−3−(3−ヒドロキシプロピル)−1
−ウレイド)−tX−フェニルアセトアンド)−3−(
1−メチル−IH−テトラゾール−5−イルチオメチル
)−3セフェム−4−カルボン#λ8fが白色の粉末と
して得られる。
I RuKB’(aii’):3700〜2200s
177Ss賜6s 1680.151O N M R(DM80−ds、 60MHz) J (
p): L4〜1(1(2H、s) 、 12〜40(
6H、m ) 、:t94 (3H。
177Ss賜6s 1680.151O N M R(DM80−ds、 60MHz) J (
p): L4〜1(1(2H、s) 、 12〜40(
6H、m ) 、:t94 (3H。
a) m4.3(2Hebr@) *5.02(IH,
d 、Jam5Hz ) 、 5.4〜&9 (2H、
s) 、 &7〜7.6 (II)1.III)、9.
28 (IH、d 、J−71(冨) 、9.41
(If(、d。
d 、Jam5Hz ) 、 5.4〜&9 (2H、
s) 、 &7〜7.6 (II)1.III)、9.
28 (IH、d 、J−71(冨) 、9.41
(If(、d。
J諷7Hz)
UV λ”0Hss(1):!70(L5X1G’)
、223(S畠1 肩)、202(4,3X10’) 塩化第二鉄呈色反応:陽性(暗緑色) 実施例よ (1) N−メチル−2,5−ジクロロ−3,4−ジヒ
ド■キシペンズア建ド10tとトリメチルシリルクーラ
イド&2Fとを含む乾燥酢酸エチル100dOIIl濁
液にトリエチルアミン4.6tを含む乾燥酢酸エチル2
0wjt氷−水冷却下Kl下する。m液を窒素雰囲気中
50℃で1時間攪拌し、次いで冷却下−10〜−5℃で
トリフルロメチルクロロホルメートα84dtm下する
。液温を徐々に上昇させ室温下で3時間攪拌する。この
反応液は後述の反応に供する。
、223(S畠1 肩)、202(4,3X10’) 塩化第二鉄呈色反応:陽性(暗緑色) 実施例よ (1) N−メチル−2,5−ジクロロ−3,4−ジヒ
ド■キシペンズア建ド10tとトリメチルシリルクーラ
イド&2Fとを含む乾燥酢酸エチル100dOIIl濁
液にトリエチルアミン4.6tを含む乾燥酢酸エチル2
0wjt氷−水冷却下Kl下する。m液を窒素雰囲気中
50℃で1時間攪拌し、次いで冷却下−10〜−5℃で
トリフルロメチルクロロホルメートα84dtm下する
。液温を徐々に上昇させ室温下で3時間攪拌する。この
反応液は後述の反応に供する。
(鵞)セファログリシン&7Fを乾燥酢酸エチルl!!
OdKFm濁させ、竜素雰囲気中、室温においてN、
O−ビス(トリメチルシリル)ア竜ドア電ド14dを加
え、均一になるまで攪拌する。混合液を冷却し、O−8
℃で上1c!11)で得られた罠応液を攪拌下Kf?4
下する。室温下で1時間攪拌し友のち、これ會冷水−3
00mJKあけ、攪拌する。有機層を分暖し、該有機P
at−冷吻和食塩水300dで洗浄し九のち、冷飽和炭
酸水素ナトリク^水溶液250dで2回に分けて目的物
を抽出する6次いで皺水層に酢酸エチル300dを加え
、冷6N−塩醗でμ値を約1.5とし、これに食塩を加
えて、水性層を飽和させたのち、有機層を分取する。有
機層を冷飽和食塩水150−で洗滌後、無水硫酸マグネ
シウムで転線させ、減圧下に溶媒を留去する。
OdKFm濁させ、竜素雰囲気中、室温においてN、
O−ビス(トリメチルシリル)ア竜ドア電ド14dを加
え、均一になるまで攪拌する。混合液を冷却し、O−8
℃で上1c!11)で得られた罠応液を攪拌下Kf?4
下する。室温下で1時間攪拌し友のち、これ會冷水−3
00mJKあけ、攪拌する。有機層を分暖し、該有機P
at−冷吻和食塩水300dで洗浄し九のち、冷飽和炭
酸水素ナトリク^水溶液250dで2回に分けて目的物
を抽出する6次いで皺水層に酢酸エチル300dを加え
、冷6N−塩醗でμ値を約1.5とし、これに食塩を加
えて、水性層を飽和させたのち、有機層を分取する。有
機層を冷飽和食塩水150−で洗滌後、無水硫酸マグネ
シウムで転線させ、減圧下に溶媒を留去する。
残渣に冷水30−を加え、次いでこれKG〜S℃で炭酸
水素ナトリウムα5ett−加える。同温度で減圧下に
5分間攪拌したのち、目的物をダイヤイオンHP−10
(商品名、三菱化成社製イオン交換樹脂)K吸着させ、
水、次いで含水アセトン(アセトン濃度: 25 v/
v%)で溶出させる。
水素ナトリウムα5ett−加える。同温度で減圧下に
5分間攪拌したのち、目的物をダイヤイオンHP−10
(商品名、三菱化成社製イオン交換樹脂)K吸着させ、
水、次いで含水アセトン(アセトン濃度: 25 v/
v%)で溶出させる。
集めた醪出液に酢喰エチル150dとテトラヒドロフラ
ン100mの混合液を加え、冷6N−塩酸でμ値を約1
.5とし、次いで食塩を加えて水層を飽和させ九のち有
機層を分取する。得られ九有横層を冷飽和食塩水100
dで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下
に液量が約30suになるまで濃縮する。これを偽−ヘ
キサノ3G)d中に攪拌下に加えると、? −(D (
−)−α−(3− (2,5−ジクロロ−3,4−ジヒ
ドロキシベンゾイル)−3−メチル−1−ウレイド)−
α−フェニルアセトアンド〕−3−アセトキシメチル−
3−セフェム−4−カルメン#!λ5tが白色の粉末と
して得られる。
ン100mの混合液を加え、冷6N−塩酸でμ値を約1
.5とし、次いで食塩を加えて水層を飽和させ九のち有
機層を分取する。得られ九有横層を冷飽和食塩水100
dで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下
に液量が約30suになるまで濃縮する。これを偽−ヘ
キサノ3G)d中に攪拌下に加えると、? −(D (
−)−α−(3− (2,5−ジクロロ−3,4−ジヒ
ドロキシベンゾイル)−3−メチル−1−ウレイド)−
α−フェニルアセトアンド〕−3−アセトキシメチル−
3−セフェム−4−カルメン#!λ5tが白色の粉末と
して得られる。
1 B−巳:二(ffi4):3700〜22
G0.1770゜16JI5.150O N M R(DM80−(1g、 60MHg) J
(P): 101(!IH。
G0.1770゜16JI5.150O N M R(DM80−(1g、 60MHg) J
(P): 101(!IH。
s)、100(3H,s) 、3.5(2B、brs)
、487(2H,ムBQ)、5.05(IH,d、J膳
5H冨)、5.6〜N0(2H−s)s7.17(IH
,5)−7,2〜7.7(5M、s)、9.53(1)
1.d 、J■8H冨)、9.95(IH,d、J■
7H冨) U V J”” 5ss(#): 257(LIX
IO’) # 2018鴫蟲− (5,3X10 ) 塩化第二鉄呈色反応:陽性(暗緑色) 実施例よ (1) N −(3−ヒドロキシプロピル)−3−クー
ロ−4,5−ジヒドロキシベンズアミドtoyとジクロ
ロジメチルシラン5.3tとを含む乾燥テトラヒドロ7
ラン100mの懸濁液に、トリエチルアξン&、2fを
含む乾燥テトラヒドロフラン溶液2゜lIjを氷−水冷
却下に滴下する。温液を窒素雰囲気中、1時間加熱還流
させ1次いで冷却下−10〜−5℃でトリクロロメチル
タロロホルメー)1.1dtftl下する。液温を徐々
に上昇させ、室温下で3時間攪拌する。この反応液は後
述の反応に供する。
、487(2H,ムBQ)、5.05(IH,d、J膳
5H冨)、5.6〜N0(2H−s)s7.17(IH
,5)−7,2〜7.7(5M、s)、9.53(1)
1.d 、J■8H冨)、9.95(IH,d、J■
7H冨) U V J”” 5ss(#): 257(LIX
IO’) # 2018鴫蟲− (5,3X10 ) 塩化第二鉄呈色反応:陽性(暗緑色) 実施例よ (1) N −(3−ヒドロキシプロピル)−3−クー
ロ−4,5−ジヒドロキシベンズアミドtoyとジクロ
ロジメチルシラン5.3tとを含む乾燥テトラヒドロ7
ラン100mの懸濁液に、トリエチルアξン&、2fを
含む乾燥テトラヒドロフラン溶液2゜lIjを氷−水冷
却下に滴下する。温液を窒素雰囲気中、1時間加熱還流
させ1次いで冷却下−10〜−5℃でトリクロロメチル
タロロホルメー)1.1dtftl下する。液温を徐々
に上昇させ、室温下で3時間攪拌する。この反応液は後
述の反応に供する。
(2)セフアルグリシン&6Fを乾燥酢酸エチル150
WLIKllI濁させ、5J素雰囲気中、室温において
N、0−ビス(トリメチルシリル)アセドア建ド18d
を加え、均一になるまで攪拌する。7J!合液を冷却し
5〜10℃で上記11)で得られた反応液を攪拌11、
、 下に滴下する。室温下で1時間攪拌し九のち、これを冷
水Woodにあけ攪拌する。有機層を分権し、該有機r
−を冷飽和食塩水300sIjで洗浄したのち、冷飽和
炭酸水素す) IJウム水溶液300dで2(ロ)K分
けて目的物を抽出する0次いで義水層に酢酸エチル15
0.dとテトラヒドロ7ラン100−の混合液を加え、
冷6N−虐酸でμ値を約L5とし、これに食塩を加えて
、水性層f飽和さ誓たのち有機層を分取する。有機層を
冷飽和食塩水150−で洗浄後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥させ、減圧下に溶媒を留去する。残渣に冷水30
wjを加え、次いでこれKG〜5℃で炭酸水素ナトリク
ムcListe加え、以下実施例2(2)中のダイヤイ
オンHP−10による精製操作を同様に行なうことKよ
)、7− (D (−)−α−(3−(3−りam−4
4−ジヒドロキシベンゾイル)−3−(3−ヒトW中ジ
プロピル)−1−ウレイド)−α−7エニルアセトアζ
ド〕−3−アセトキクメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸3.6ft白色の楡末として得る。
WLIKllI濁させ、5J素雰囲気中、室温において
N、0−ビス(トリメチルシリル)アセドア建ド18d
を加え、均一になるまで攪拌する。7J!合液を冷却し
5〜10℃で上記11)で得られた反応液を攪拌11、
、 下に滴下する。室温下で1時間攪拌し九のち、これを冷
水Woodにあけ攪拌する。有機層を分権し、該有機r
−を冷飽和食塩水300sIjで洗浄したのち、冷飽和
炭酸水素す) IJウム水溶液300dで2(ロ)K分
けて目的物を抽出する0次いで義水層に酢酸エチル15
0.dとテトラヒドロ7ラン100−の混合液を加え、
冷6N−虐酸でμ値を約L5とし、これに食塩を加えて
、水性層f飽和さ誓たのち有機層を分取する。有機層を
冷飽和食塩水150−で洗浄後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥させ、減圧下に溶媒を留去する。残渣に冷水30
wjを加え、次いでこれKG〜5℃で炭酸水素ナトリク
ムcListe加え、以下実施例2(2)中のダイヤイ
オンHP−10による精製操作を同様に行なうことKよ
)、7− (D (−)−α−(3−(3−りam−4
4−ジヒドロキシベンゾイル)−3−(3−ヒトW中ジ
プロピル)−1−ウレイド)−α−7エニルアセトアζ
ド〕−3−アセトキクメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸3.6ft白色の楡末として得る。
IRν”’ (j”): 3700〜2200.177
5゜匍蟲1 1715.1690.1515 N M R(DM80−da、 60M)lx) J
(P) : L4〜2.0(2H,m)、2.02 (
3H,s)、3.2〜4.1(6H,m)−4,86(
21(、ABq)、5.04(11−I、d 、J−5
Hz)。
5゜匍蟲1 1715.1690.1515 N M R(DM80−da、 60M)lx) J
(P) : L4〜2.0(2H,m)、2.02 (
3H,s)、3.2〜4.1(6H,m)−4,86(
21(、ABq)、5.04(11−I、d 、J−5
Hz)。
5.4〜6.0 (2H、s) 、 6.9〜7.7
(7H、s) 、 9.20(IH= d e J−7
Bg) * 9.39 (i H−d −J−7Hz)
UV λ1tOH鵠(す: 265(IJXIO’)
、 221(曽IIIm 肩)、202(&9X10’) 塩化第二鉄呈色反応:陽性(暗緑色) 実施装置 (1) 2− クロロ−3,4−ジアセトキシベンズア
ミド4.61の1.2−ジクロルエタン50wj溶液に
、オキダリルクロライドS、、Stを冷却攪拌下に加え
る0次いで混合液を徐々に加熱して両流に至らしめ、1
0時間反応させる0反応混合物から溶媒と過剰のオキダ
リルクロライドを留去して、2−りcy a −3,4
−ジアセトキシベンゾイルイソシアネートを得る。これ
を無水ジクpルメタン50dK迷 溶解させ、後神の反応に供する。
(7H、s) 、 9.20(IH= d e J−7
Bg) * 9.39 (i H−d −J−7Hz)
UV λ1tOH鵠(す: 265(IJXIO’)
、 221(曽IIIm 肩)、202(&9X10’) 塩化第二鉄呈色反応:陽性(暗緑色) 実施装置 (1) 2− クロロ−3,4−ジアセトキシベンズア
ミド4.61の1.2−ジクロルエタン50wj溶液に
、オキダリルクロライドS、、Stを冷却攪拌下に加え
る0次いで混合液を徐々に加熱して両流に至らしめ、1
0時間反応させる0反応混合物から溶媒と過剰のオキダ
リルクロライドを留去して、2−りcy a −3,4
−ジアセトキシベンゾイルイソシアネートを得る。これ
を無水ジクpルメタン50dK迷 溶解させ、後神の反応に供する。
(2) 7 ” (D (−) −a−アミノ−α−フ
ェニルアセドア建ド)−3−(5−メチル−1,3,4
−チアジアゾール−2−イルチオメチル)−3−七フェ
ムー4−カルボン酸10.5tを乾燥ジクロルメタン2
00dK懸濁させ、室温下N、0−ビス(トリメチルシ
リル)アセトアミド14MIを滴下し、均一になるまで
攪拌する0次いで攪拌下に、上記(1)で調製した2−
タロロー3.4−ジアセトキシベンゾイルイソシアネー
トのジクロルメタン溶液を5〜10℃で滴下する。同温
度でL5時間攪拌したのち、減圧下に室温で蒸発乾固さ
せる。残渣に酢駿エチル300wJとテトラヒドロ7ラ
ン150dおよび冷IN−壇酸1501111の混合液
を加え、有機層を分取する。蚊有機層を冷飽和食塩水3
00dで洗浄したのち、冷飽和炭酸水素ナトリウム水尋
液300mで2回に分けて目的物を抽出する。
ェニルアセドア建ド)−3−(5−メチル−1,3,4
−チアジアゾール−2−イルチオメチル)−3−七フェ
ムー4−カルボン酸10.5tを乾燥ジクロルメタン2
00dK懸濁させ、室温下N、0−ビス(トリメチルシ
リル)アセトアミド14MIを滴下し、均一になるまで
攪拌する0次いで攪拌下に、上記(1)で調製した2−
タロロー3.4−ジアセトキシベンゾイルイソシアネー
トのジクロルメタン溶液を5〜10℃で滴下する。同温
度でL5時間攪拌したのち、減圧下に室温で蒸発乾固さ
せる。残渣に酢駿エチル300wJとテトラヒドロ7ラ
ン150dおよび冷IN−壇酸1501111の混合液
を加え、有機層を分取する。蚊有機層を冷飽和食塩水3
00dで洗浄したのち、冷飽和炭酸水素ナトリウム水尋
液300mで2回に分けて目的物を抽出する。
次いで鋏水層に酢酸エチル200dとテトラヒトa77
7100Wjofi合液を加、t、冷6N−[酸でμ値
を約1.5とし、これに食塩を加えて水性層1d和させ
友のち、有機層を分取する0分散し九有機層を冷飽和食
塩水150−で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥さ
せ、減圧下に溶媒を留去する。残留物をジメチルホルム
アンド1oWLIKIIllル10mjt−滴下する。
7100Wjofi合液を加、t、冷6N−[酸でμ値
を約1.5とし、これに食塩を加えて水性層1d和させ
友のち、有機層を分取する0分散し九有機層を冷飽和食
塩水150−で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥さ
せ、減圧下に溶媒を留去する。残留物をジメチルホルム
アンド1oWLIKIIllル10mjt−滴下する。
混合液を室温下で5時間攪拌したのち、これに酢酸エチ
ル10()suとテトラヒドロフラン60yxlおよび
2N−塩#60dの混合液を、氷−水冷却下加え、5分
間攪拌する。有機層を分取し念のち、1!に水層を酢酸
エチル6゜dとテトラヒドロフラン40yJの混合液で
抽出する。該有機層を冷飽和食塩水100dで洗浄した
のち無水憾酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下に溶媒を
留去する。残渣に冷水!JOrxlf加え、これKG〜
5℃で炭酸水素ナトリウム(L60ft加え、以下実施
例2(2)中のダイヤイオン)IF−10による精製操
作を同様に行なうことにより、7−CD(−)−α−(
3−(2−クロロ−3,4−ジヒドロキシベンゾイル)
−1−ウレイドI−α−7エ二ルアセトア建ド)−3−
(5−メチル−1,3,4−チアジアゾール−2−イル
チオメチル)−3−セフェム−4−カルボン酸を白色粉
末として得る。
ル10()suとテトラヒドロフラン60yxlおよび
2N−塩#60dの混合液を、氷−水冷却下加え、5分
間攪拌する。有機層を分取し念のち、1!に水層を酢酸
エチル6゜dとテトラヒドロフラン40yJの混合液で
抽出する。該有機層を冷飽和食塩水100dで洗浄した
のち無水憾酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下に溶媒を
留去する。残渣に冷水!JOrxlf加え、これKG〜
5℃で炭酸水素ナトリウム(L60ft加え、以下実施
例2(2)中のダイヤイオン)IF−10による精製操
作を同様に行なうことにより、7−CD(−)−α−(
3−(2−クロロ−3,4−ジヒドロキシベンゾイル)
−1−ウレイドI−α−7エ二ルアセトア建ド)−3−
(5−メチル−1,3,4−チアジアゾール−2−イル
チオメチル)−3−セフェム−4−カルボン酸を白色粉
末として得る。
I Rw−、:Cm )3700〜220G、177
0゜685 NMR(アセトン−d@ 、 60MHz) J (l
pl) : 168 (3H,s)、173(2H,b
rs)、4.43(2H。
0゜685 NMR(アセトン−d@ 、 60MHz) J (l
pl) : 168 (3H,s)、173(2H,b
rs)、4.43(2H。
ムBQ) 、5.13(IH,d 、J−5Hx) 、
L5.〜6.0(2H,s)、&6〜7.7(7H,s
)塩化第二鉄呈色反応:陽性(暗緑色) II!施例5゜ 実施例2で得られる? −(D (−)−α−(3−(
2,5−ジターEl −3,4−ジヒドロキシベンゾイ
ル)−3−メチル−1−ウレイド)−α−7エ二ルアセ
トア建ド〕−3−アセトキシメチル−3−セ7工ム−4
−カルボン酸2ofと4−ピリジンエタンスルホン酸=
Llfを水1511LIK″雫濁させたのち、2N−水
酸化ナトリウムの水溶液を氷−水冷却下、攪拌しながら
滴下し、溶液の…を7Kして溶解させる。これfcMつ
化ナトリウム1Mft加え、70℃で2時間攪拌する0
反応後、反応液を冷却し、目的物をダイヤイオンHP−
10(i1品名、三菱化成社製イオン交換樹脂)に吸着
させ、水、次いで含水メタノール(メタノール濃度:5
0V%)で溶出させる。目的物を含むフラクシ曹マ ンを集め、メタノールを減圧濃縮によって除いたのち、
凍結転機させて、7− (D (−”)−α−(3−(
2,5−ジクロロ−3,4−ジヒドロキシベンゾイル)
−3−メチル−1−ウレイド)−α−フェニルアセトア
ミド)−3−(4−(2−スルホエチル)ピリジニウム
)メチル−3−セフェム−4−カルボン酸す) IJウ
ム塩を白色の粉末として得る。
L5.〜6.0(2H,s)、&6〜7.7(7H,s
)塩化第二鉄呈色反応:陽性(暗緑色) II!施例5゜ 実施例2で得られる? −(D (−)−α−(3−(
2,5−ジターEl −3,4−ジヒドロキシベンゾイ
ル)−3−メチル−1−ウレイド)−α−7エ二ルアセ
トア建ド〕−3−アセトキシメチル−3−セ7工ム−4
−カルボン酸2ofと4−ピリジンエタンスルホン酸=
Llfを水1511LIK″雫濁させたのち、2N−水
酸化ナトリウムの水溶液を氷−水冷却下、攪拌しながら
滴下し、溶液の…を7Kして溶解させる。これfcMつ
化ナトリウム1Mft加え、70℃で2時間攪拌する0
反応後、反応液を冷却し、目的物をダイヤイオンHP−
10(i1品名、三菱化成社製イオン交換樹脂)に吸着
させ、水、次いで含水メタノール(メタノール濃度:5
0V%)で溶出させる。目的物を含むフラクシ曹マ ンを集め、メタノールを減圧濃縮によって除いたのち、
凍結転機させて、7− (D (−”)−α−(3−(
2,5−ジクロロ−3,4−ジヒドロキシベンゾイル)
−3−メチル−1−ウレイド)−α−フェニルアセトア
ミド)−3−(4−(2−スルホエチル)ピリジニウム
)メチル−3−セフェム−4−カルボン酸す) IJウ
ム塩を白色の粉末として得る。
I Ryx′”(am”)1765.1210.10
40a1 実施例& 実施例1〜5と同様にして合成し光化合物およびそれら
の外蒙、IR、NMRおよびUV4Q各スペクトル、塩
化第二鉄呈色反応および製造法を以第1頁の続き 0発 明 者 野藤隆夫 東京都豊島区高田三丁目41番8 号中外製薬株式会社内 0発 明 者 木村孝雄 東京都豊島区高田三丁目41番8 号中外製薬株式会社内 0発 明 者 根橋敏行 東京都豊島区高田三丁目41番8 号中外製薬株式会社内 0発 明 者 遠藤久男 東京都豊島区高田三丁目41番8 号中外製薬株式会社内 0発 明 者 原田祐輔 東京都豊島区高田三丁目41番8 号中外製薬株式会社内 0発 明 者 小島佳奈 東京都豊島区高田三丁目41番8 号中外製集株式会社内 0発 明 者 松本雅彦 東京都豊島区高田三丁目41番8 号中外製薬株式会社内
40a1 実施例& 実施例1〜5と同様にして合成し光化合物およびそれら
の外蒙、IR、NMRおよびUV4Q各スペクトル、塩
化第二鉄呈色反応および製造法を以第1頁の続き 0発 明 者 野藤隆夫 東京都豊島区高田三丁目41番8 号中外製薬株式会社内 0発 明 者 木村孝雄 東京都豊島区高田三丁目41番8 号中外製薬株式会社内 0発 明 者 根橋敏行 東京都豊島区高田三丁目41番8 号中外製薬株式会社内 0発 明 者 遠藤久男 東京都豊島区高田三丁目41番8 号中外製薬株式会社内 0発 明 者 原田祐輔 東京都豊島区高田三丁目41番8 号中外製薬株式会社内 0発 明 者 小島佳奈 東京都豊島区高田三丁目41番8 号中外製集株式会社内 0発 明 者 松本雅彦 東京都豊島区高田三丁目41番8 号中外製薬株式会社内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l)一般式 (式中、R11およびl”Fi、それぞれ独立に、水素
原子、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、低級は基−x
−Yを意味し、そして、R11およびBlmが共に水素
原子を意味する場合は、R3は基−x−Y04を意味す
る。ここで、Xは低級アルキレン基ルカノイル基ま九は
水酸基若しくは低級アルコキシ基で瞳換され九低級アル
キル基を、R”Fi水素原子ま九は低級アルキル基を、
R”は水素機子、ニトロ基または低級アルコキシ基を、
−は水酸基を九は基−00引−(R18#i前記と同一
)を意味し、鵠は1.2または3を、AFio 、 1
、2または3t−意味する。なお、Yが基+OR”)
sであるときは、Xは炭素数が2以上の低級アルキル基
を意味し、Yがその他の基であるときは炭素数が1以上
の低級アルキル基を意味する@ n” tj水素原子ま
えは水酸基を、R’#i水素原子ま九は低級アルコ争シ
基壇、ここで、R11はNおよび場合によ)8を含み、
且つ瞳換されていてもよい5員複素環、6員複素環1+
は縮合複素環を意味する。)で表わされるセファロスポ
リン誘導体またはその医薬として許容
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57016386A JPS58135892A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | セフアロスポリン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57016386A JPS58135892A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | セフアロスポリン誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58135892A true JPS58135892A (ja) | 1983-08-12 |
Family
ID=11914823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57016386A Pending JPS58135892A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | セフアロスポリン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58135892A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52102294A (en) * | 1976-02-20 | 1977-08-27 | Lilly Co Eli | 77substituteddureidd33 carbamoyloxymethyl cephalospoline |
-
1982
- 1982-02-05 JP JP57016386A patent/JPS58135892A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52102294A (en) * | 1976-02-20 | 1977-08-27 | Lilly Co Eli | 77substituteddureidd33 carbamoyloxymethyl cephalospoline |
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