JPS5813583A - 2−(2−チエニル)−および−(3−チエニル)エチルアミン誘導体の製造方法 - Google Patents

2−(2−チエニル)−および−(3−チエニル)エチルアミン誘導体の製造方法

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JPS5813583A
JPS5813583A JP57113844A JP11384482A JPS5813583A JP S5813583 A JPS5813583 A JP S5813583A JP 57113844 A JP57113844 A JP 57113844A JP 11384482 A JP11384482 A JP 11384482A JP S5813583 A JPS5813583 A JP S5813583A
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Sanofi SA
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    • C07F9/40Esters thereof
    • C07F9/4003Esters thereof the acid moiety containing a substituent or a structure which is considered as characteristic
    • C07F9/4006Esters of acyclic acids which can have further substituents on alkyl

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は次式I: (式中、 R1は2 +、 3 +、 4−もしくは5位にあ抄、
水素原子、直鎖もしくは枝分れしたアルキル基、場合に
よってはアルキル、フェニル、ハロゲン、ニトロ、シア
ノ、アミノ、カルボキシルもしくはアルコキシ基により
モノ−もしくはポリ−置換されたチェニル、フルフリル
、ピリジル、フェニル、ナフチルのような複素環式もし
くは非複素環式芳香族基、アルコキシ基、ハロゲン原子
、ニトロ基、カルボキシル基、シアノ基、アミノ基を表
わし、 アミノエチル鎖はチオフェン核の2位もしくは3位を占
めることができ、 R2は水素原子、直鎖もしく紘枝分れしたアルキル基、
 場合によつr’hアルキル、フェニル、ハロゲン、ニ
トロ、シアノ、アミン、カルボキシルもしくはアルコキ
シ基によりモノ−もしくはポリ−置換されたチェニル、
フルフリル、ピリジル、フェニル、ナフチルのような複
素法式もしくは非複素環式芳香族基を表わし、 At t[合によってはアルキル、フェニル、ハロゲン
、ニトロ、シアノ、アミノもしくはカルボキシル基によ
りモノ−もしくはポリ−置換されたチェニル、フルフリ
ル、ピリジル、フェニル、ナフチルのような複素環式も
しくは非複素環式芳香族基を表わす。) を有するチェニルアミン類の新規製造方法に関する。
数多くの式!の誘導体が知られ、化学工業および医薬品
工業の両者において使用される化合物の製造の中間体と
して用いられている。
例えば、本発艷?新規製造方法に0得らh九誘導体のな
かす:絆、公知の方法を用い、一方において(アミノ蔓
チル鎖が一?位に1そして基R1が4位もしくは5位の
化合物)は、4.5.6゜7−チトラヒドローチエノ(
3,2−C)ピリジン誘導体に、他方において(アミノ
エチル鎖が3位に、そして基亀が4位もしくは5位の化
合物)li4,5.S、7−チトラヒドローチエノ〔2
,3−C)ピリジン誘導体へ導びくこ七ができ、両者と
もその治療効果および/lたはその製造方法のため、数
多くの特許出願の対象となっている。(フランス特許第
7305505号、第75039758号、第7520
241号、第7525786号、第7524486号、
第7600005号、第7721517号)本発明は、
式Iの化合物の製造のために一先行技術に関し一簡単で
兼価な方法に関するものである。
従って、本発明は次の構成よりなる式■の誘導体の製造
方法に関する: (凰)次式間: (式中、XおよびYはそれぞれ独立してアルキル基、ア
リール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキ
ル−もしくはジアリールアミノ基を表わす。) で示される誘導体で式■の有機リン化合物は例エバホス
ホネート、ホスフィネート、ホスフィンオキサイドもし
くはホスホンアミドであり得るものと次式間: (式中、R1は式■の定義と同一) のカルボニル化合物と縮合し、次式P/:(式中、RI
XおよびYは前記定義と同一)の化合物を与える。
(b)  式Wの化合物を式ニー−の塩基と処理し、次
式V: のカルバニオンを与える。
(e)  式Vのカルバニオンを加熱下に式■:の誘導
体となし、水を処理し、次式■:の化合物を与える。
この反応は一般に一78℃ないし150℃の間で行なわ
れるが、よシ詳細には塩基tyPの性質によりその範囲
内の嵩い温度下で、特にステップCは効果的であれ (d)  化合物■を還元試薬と作用させ次式■:の誘
導体へ変換する。
(e)  引き続いて化合物■を式=B′。M2Oの塩
基と反応させ、次いで式■: Ar  CHX &          (D()(式
中、ArおよびRfは式!の定義と同一、Xはハロゲン
原子を表わす。) のハロゲン誘導体と反応させ、次式X:Ar の誘導体を与える。
(f)  最後に1式Xの誘導体を酸の作用下に上記の
式lの化合物へ変換する。
本発明による4、、、、、、lの化合物の製造方法は次
の反応式のように1示することかできる。
(厘)                     (
1)一変形方法によれば、ステップdおよびeの順序は
逆になり、従ってこれらは以下のように表わされる。
(d−2) Ar (荀        (v2) (@−2) 0 r 0 方法は以下のように有利に成し遂げられる。
(&)  弐■の有機リン化合物は、良く知られた製造
方法、例えばアイ、シー、ボボフ(1,C。
popoff )および協力者らKより記載〔ジャーナ
ルオプオルガニツクケミストリー(J。
Qrg、 Ch@w、)第28巻2898頁(19S3
年)〕ノ方法によシ容易に入手され、このものは弐璽の
カルボニル誘導体と溶媒および触媒の不存在下、反応中
に生成する水を工程の終了時には適当な方法で除去する
ように反応することができる。縮合は溶媒、例えばトル
エンのような芳香族炭化水素屯し:、(、:、<はエタ
ノールのようなアルコール中でも有利、に行なわれ、水
は共沸蒸留により除くことができる。また縮合は(速度
の点より)、触媒量の無機もしくは有機酸、例えばパラ
トルエンスルホン酸の触媒量の存在下有利に行なうこと
もできる。この変換の温度は種々費えることができるが
、ごく通常には20℃から120℃の間である。
(b)((り  このステップで用いる塩基Bθ−はア
ルカリ金属水素化物特に水素化す) IJウム、水素化
リチウム、水素化カリウム、アルカリ金属アミドもしく
はアルキルアミド4GKリチウムジイソプロピルアミド
のようなジアルキルアミド、有機金属化合物特にn−ブ
チルリチウムのような有機リチウム化合物、もしくは有
機ナトリウムあるいは有機マグネシウム化合物を使用す
ることができる。また、ナトリウムメトキサイド、リチ
ウムメトキサイド、カリウムメトキサイドおよびマグネ
シウムメトキサイドのようなアルカリ金属もしくはアル
カリ土類金属←:)ルコキシドも使用し得る。
水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、水酸化カリウムお
よび水酸化マグネシウムのようなアルカリ金属もしくは
アルカリ土類金属水酸化物4を九使用し得る。
一般K、塩基BeMeは理論量もしくはいく分多めに使
用され、例えば理論当量に対し1〇−過剰が使用される
。しかし理論当量より少なめ・・・・・・著しく少々め
でも・・・・・・の使用もまた可能である。
ステップdおよびeの順序を逆にする変形方法を使用し
、塩基Be yeの理論当量を使用する場合には、誘導
体■の単離を行なわずそして直接化合物■をハロゲン化
誘導体■と反応させることが有利であり、また塩基B′
M′Φの使用を避けられる点がより有利な点となる。
方法は一般に、−78℃ないし+100℃の間で行なわ
れ、より詳細には塩基B0Meの性質に関係して選択さ
れ、特にステップCを行なう場合には上記範囲の高い温
度である。
好ましい溶媒は、テトラヒドロフランのような直鎖もし
くは褒状エーテル;炭化水素特にベンゼン、トルエン、
キシレンのヨウナ芳香族炭化水素;アルコール;アミド
特にジメチルホルムアミド;スルホキシド特にジメチル
スルホキシドである。また、金属水酸化物を使用する場
合には、特に2相システム(水+ハロゲン化溶媒、例え
ばクロロホルム、もシくはベンゼン、トルエン、キシレ
ンのヨウな芳香族炭化水素溶媒)中、移相触媒、特にテ
トラ−n−ブチルアンモニウムアイオダイドのよう表第
4級アンモニウ塩あるいけホスホニウム塩の存在下行表
うのが有利である。
化合物■は通常の処理に従い単離される。
(d)  誘導体■の還元はアルカリ金属水素化物、特
に水素化ホウ素ナトリウムあるいは水素化ホウ素カリウ
ムのような水素化ホウ素化合物と混合鳴ることによシ有
利に行なわれる。還元は不活性溶媒、例えばテトラヒド
ロフランまたはジオキサンのようなエーテル、もしく祉
例えばメタノールまたはエタノールのよう表アルコール
中でも行なわれる。
この還元はまた均一もしくは不均質相中の触媒水素化に
より、一般に良く知られた条件下で行なうこともできる
(・) この第5ステツプの第1の部分で使用される塩
基B′eM′eは、上記(b)および(e)でリストし
たなかから選択することができる。一般に理論量が使用
されるが、いく分多め、例えば該理論轟量に対し5もし
くは1〇−過剰を使用することができる。
この方法は通常−20℃から+100℃の範囲で行なわ
れ、その範囲内の低い温度が好ましい。
溶媒は上記ステップ(b)のために既述したものが使用
される。
このステップの第2の部分において、式■のハロゲン化
化合物は、一般には第1の部分と同様の温度で、上に示
したような反応媒体と反応させる。    ・ (f)  誘導体Xのリンー蜜素・、結合の酸触媒によ
る開裂は、例えば塩酸もしくは臭化水素酸であるハロゲ
ン化水素酸のよう表無機酸により、しかしまた有機酸、
特にベンゼンスルホン酸モジくハパラトルエンスルホン
酸のような強酸により行なわれる。好ましい溶媒はエー
テル、4!にテトラヒドロフランもしくはジオキサンの
ような環状エーテル、メタノールもしくはエタノールの
ようなアルコール、ジメチルホルムアミドのようなアは
ド、ジメチルスルホキシドのようなスルホキシドである
。水を含まないそのような溶媒中で行なうむきも可能の
みならず水を種々の割合いで含有している混合物中でも
可能である。最終的には水それ自体中で行なうこともま
た可能である。
酸の1ないし2理論当量が通常使用される。
この方法は、一般KOないし100℃の範囲内、より詳
細には30ないし70℃で行なわれる。
得られた式tonヒ合物合物用慣用手段い単I、精製す
ること赤できる。仁の目的のため、弐■の遊離化合物を
□それらの塩、例えばそれらの酸付加塩へ無機酸あるい
れ有機酸と反応させると&により有利に便換するこきが
できる。式Iの化合物はそれらの塩より公知の方法によ
シ遊離にすることができる。
本発明はまた、合成の種々のステップ中で得られた以下
の中間体も発明範囲に含むものである。
以下の実施例は本発明を説明するものであるが、本発明
を限定するものではない。
実施例1 ステツ7’aニジエチルN−(2−テニリデン)−アミ
ツメチルホスホネート 147p(a1モル)のジエチルアξノメチルホスホネ
ートの200耐無水エタノール溶液中に112p(α1
毛ル)の2−テニルアルデヒトヲ加え、混合物を50分
間還流する。反応中に生じ丸木を共沸蒸留により除去す
る。溶媒を完全に留去し28I(はば1oo%)のクロ
マドグ2フイー(LPC,TLCおよびcpc )的に
純品表黄色油状物が得られる。
IRスペクトル(フィルム) C= N  1645.−1 P = 0 1260cm−’ P−0−C1060−1080儂−1 NMRスペクトル(Cい61.)δ/TM815ya 
    (t、6H) 五9−4.45sp+  (m、 (SR)7−7.6
’ppr   (m、5H)a5P     (d、I
H) ステップb、cニジエチルβ″□−(2−チェニル)−
N−ビニルホヌホラアミデ―ト 1t2,9(0,1モル)のカリウム第3ブトキシドの
160−テトラヒドロフラン(以下、 THFと記す。
)懸濁液中に27.9g(Q、1モル)のジエチル−N
−(2−テニリデン)−アミノメチルホヌホネートの4
fi1mA!THF溶液を滴下する。滴下中に温度は2
0°から55℃に上昇する。滴下完後、温度を40〜4
5℃Kgo分間上昇させ、その後反応溶液を飽和塩化ア
ンモニウム水溶液4001117中に注ぐ。水層をイソ
プロピルエーテルにて抽出し、合せたエーテル層を飽和
食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、留去すれば
2α9N(75%)の標記成績体を黄色油状物として得
る。
NMRスペクトル((欠輸)δ/TMSt5P  Ct
、6角) !195P (dq、4H) &55ypa (m、 IH) 19 7、5111 (m、 5H)−pro変換彼は
Cme4H) IRスペクトル(フィルム) NH550G(z’ C= Cj650cyx−’ P = 0 1250cm−’ P−0−C1050,、−’ ステップdニジエチルN−(2−(2−チェニル)−エ
チル〕ホスホラアミデート 上記で得た2(L9p(α075モル)のジエチルβ−
(2−チェ二^) −N−ビニルーホスホラア建デート
を2.155.9(1075モル)の水素化ホウ素ナト
リウムの200−エタノール溶液中へ加える。
添加中K11度は上昇し、次いで30℃で一定となる。
更に2時間攪拌後、反応溶液の温度を45〜50℃に1
時間上昇させ、その後エタノールを留去し、得られた残
留物をイソプロピルエーテル−水中へ処理する。
水層をくヤ返しイソプロピルエーテルで抽出し、合せた
有機層を水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥し、留去すれば
21.9(出発物質アミノメチルホスホネートに対し約
75チ)の標記成績体を黄色油状物として得る。
IRスペクトル(フィルム) 5400cm−’      1520α−11275
cIIL−1121oclL−’NMRスペクトル(c
ade3)δ/TMSt!ip1m(t、6H) & I  P (m−5H)A r  CU2   C
U、   NU ”  Dt O*換すると11 wa
K(m、 4 H)を与える。
4.051p(dq、 4H) 475−y、2P(m、 5H) ス?ツブ・ニジエチルN−オルトクロルベンジル−N 
−(2−(2−チェニル)エチル〕ホスホラアミデート 16g(1075モル)の水素化ナトリウム(油中50
−)の150+aJ)ルエン懸濁液中へ、室温攪拌下[
21g(1075モル)のジエチルN−(2−(2−チ
ェニル)−エチル〕ホスホラアばデートの20WJトル
エン液を滴下する。反応液は赤色へ変化する。80℃ま
で1時間加熱し、その後16.1,9(α1モル)のオ
ルトクロルベンジルクロライドを滴下する。反応混合物
を80℃にて3時間攪拌を続け、冷却後水で洗浄する。
トルエン層を次いで留去すれば標記ホスホラアミデート
(過剰のオルトクロルベンジルクロライドを含む不純品
)を油状物として得、これはそのまま次のステップへ使
用した。
純品はカラムクロマトグラフィー(シリカ;溶出:酢酸
エチル)Ki□゛ゝり得た。
IRスペクトル(フィルム) 5000CRM−’       1550CR−’N
MRX ベクトル(cc)css)δ/TM815ys
  (t、 61() &IP  (m、4H) 4 戸 (dq、4H) 4.45P (d、2H) 48−7.6ppm(m、 7H) ステッ7’f:N−オルトクロルベンジル−2−(2−
チェニル)エチルアミン塩酸塩 上記で得た粗製ホスホラアミデートを20〇−の3N塩
酸水溶液で90℃にて2時間処理する。
同温にて1.2−ジクロルエタン20−ずつで2回抽出
後、水溶液を冷却し生成する沈澱を口取し、乾燥すれば
15g(ジエチルアミノメチルホスホネートに対し52
−)の標記塩酸塩を白色結晶として得る。
融点:143℃ く IRスペクトル(KBr錠) 3400(@−’      2900 2600C1
l−’1575C1lI−’      1450cI
IL−’NMRスペクトル(OMSO−d、)δ/TM
S7−7.8pp  (m、 8H) ”h351ga   (s、4H) 4.15pp  (s、2H) はば10 P (m、 2 H) DtOKて消失元素
分析: Cs5H+tCLN8−HCL (288,2
36)計算値f@: C,516; H,5,24; 
N、 4.135実験値(@: C,54,11; H
5,28; N、 4.80実施例2 方法B ステップミニジエチル N−(2−テニIJ テン)−
アきツメチルホスホネート 標記成績体(0,1モル)を実施例1の方法に従い得た
ステップb、d−2ニジエチル N−オルトクロルベン
ジル−N−(β−(2−’F−エニル)ビニル〕ホスホ
ラアミデート U] 112.9(11モル)のカリウム第3ブトキシドの1
dOdTHF懸濁液中へ27.9!!(α1モル)のジ
エチルN−(2−テニリデン)アミノメチルホスホネー
トの40dTHF溶液を滴下する。
滴下中、温度は20℃から35℃へ上昇する。
滴下完了後、温度を40〜45℃に30分間上昇シ1、
ソのlk t 6 fi (0,1モル)のオルトクロ
ルベンジルクロライドを反応溶液中へ滴下する。
滴下完了後、反応溶液を3時間還流し、THFを次いで
留去する。得られた残留物をイソプロピルエーテル中へ
処理し、エーテル層を水洗し、乾燥し、留去すれば52
.79(851g)の標記成績体をオレンジ−黄色油状
物として得、その11次のステップへ使用した。
サンプルはカラムクロマトグラフィー(シリカ;溶出:
酢酸エチル)により精製し、次の性質を示す: IRスペクトル(フィルム) 3000CIl−’      1650(y−’12
401−’      1045傷−1ルMRスペクト
# (Cp、qa)δ/TMSt1wa    (t、
6H) 4.05pp   (m、 6H) 47−Z5p* (m、 7H) ステップ・−2ニジエチルN−オルトクロルベンジル−
N−(2−(2−チェニル)エチル〕ホスホラアミデー
ト 先のステップで得た粗成績体を65g(α17モル)の
水素化ホウ素ナトリウムの100dジオキサン懸濁液中
へ加える。0℃に冷却した反応溶液中へトリフロロ酢酸
(14,3p;0j7−1ル)を滴下する。滴下完了後
、得られた物質t−1時間還流し、冷却後200−の水
を加えるととKよ)加水分解する。反応溶液をメ、チレ
ンクロライ1゜ ドで抽出する。分離した有機層を硫酸ナトリウムで乾燥
し、留去すれば33g(出発物質のアずツメチルホスホ
ネートに対し85チ)の標記サンプルはシリカによるカ
ラムクロマトグラフィーで精製すれば方法人に従りて得
た成績体と同一の特性を示した。
ステラ2f:N−オルトクロルベンジル−2−(2−4
エニル)エチルアミン塩酸塩 l!施例1の方法で17.!S、9(収率:ジエチア建
ツメチルホスホネートに対し60%)のN−オルトクロ
ルベンジル−2−(2−チェニル)エチルアミン塩酸塩
を得、本品の物理的、スペクトル的特性および元素分析
は実施例1で得た成績体のそれと同一であった。
(ほか1名)

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)次式■: (式中、 粗は2+、s−,4−もしくは5位にあり、水素原子、
    直鎖もしくは枝分れしたアルキル基、場合によってはア
    ルキル、フェニル、)10ゲン、ニトロ、シアノ、カル
    ボキシルもしくはアルコキシ基により七ノーもしくはポ
    リー雪換された複素環式もしくは非複素環式芳香族基、
    アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシ基
    、シアノ基、アミノ基を表わし、ア建ノエチル鎖はチオ
    フェン核の2位もしくは3位を占めることができ、 Rfは水素原子、直鎖もしくは枝分れしたアルキル基、
    場合によって祉アルキル、フェニル、ハロタン、ニトロ
    、シアノ、アミノ、カルボキシルもしくはアルコキシ基
    によりモノ−もしくはポリ−置換された複素環式もしく
    祉非複素環式芳香族基を表わし、 Arは場合によってはアルキル、フェニル、ハロゲン、
    ニトロ、シアノ、アミノもしくれカルボキシル基によシ
    モノ一本しくけポリー蓋換された複素環式もしく轄非複
    素環式芳香族基を表わす。) で示される2−(2−チェニル)−および−(3−チェ
    ニル)エチルアミン誘導体を製造するに際し、次式V: (式中、Rttf前記定義と同一、XおよびYはそれぞ
    れ独立してアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ア
    リールオキシ基、ジアルキル−もしくはジアリールアミ
    ノ基を表わす。)のカルバニオンを加熱により変換し、
    次式■:(式中、R,、XおよびYは前記定義と同一)
    の誘導体を与え、水と処理した後、次式■:(式中、R
    ,、XおよびYは前記定義と同一)の化合物を得、化合
    物■を還元剤の作用により次式場: (式中、晧、XおよびYは前記定義と同一)の誘導体へ
    変換し、化合物■を最初に式二B′eMIΦの塩基、次
    いで次式■: Ar  CHX  Rv          (K)(
    式中、ArおよびR7は前記定義と同一、Xはハロゲン
    原子を表わす) のハロゲン化誘導体と反応させ、次式X:Ar (式中、Rle Ar、 XおよびYは前記定義と同一
    )の誘導体を得、化合物Xを酸の作用によシ変換するこ
    とを特徴とする上記式1で示される2−(2−チェ二k
    )−および−(3−チェニル)エチルアミンの製造方法
  2. (2)  MAYがチェニル、フルフリル、ピリジル゛
    、フェニルもしくはナフチル基である特許請求の範囲第
    1項i載の製造方法。
  3. (3)  yPもしくはM心がアルカリ屯しくけアルカ
    リ土類金属で、そしてBeもしくはB10が水素、水酸
    基、アきノ基、七ノーもしくはジアルキルアミノ基、直
    鎖もしくは枝分れしたアルキル基または直鎖もしくは枝
    分れしたアルコキシ基に和尚する負荷基から選択される
    カルバニオン、* *tz塩a BeMe 4 L <
     an’eM’eが有機マグネシウム化合物もしくは有
    機−ナトリウム化合物である特許請求の範囲第1項記載
    の製造方法。
  4. (4)  Meもしくはyt6jがナトリウム、リチウ
    ム、カリウムおよびマグネシウムから選択される金属で
    ある特許請求の範囲第3項記載の製造方法。
  5. (5)  他の態様に従って、塩基ne yleを理論
    量使用し、式鷺の誘導体を式■のハロゲン化誘導体と反
    応させ、次いで還元し、直接式Xの誘導体を得る特許請
    求の範囲第1項記載の製造方法。
  6. (6)式Vの誘導体より弐■の誘導体への変換の九めの
    反応が一78℃から+150℃の温度で行なわれる特許
    請求の範囲第1項記載の製造方法。
  7. (7)反応が、塩基の性質に関係し高い温度範囲で行な
    われる特許請求の範囲第3項記載の製造方法。
  8. (8)反応が直鎖および環式エーテル、芳香族炭化水素
    、アルコール、アミドおよびスルホキシドから選択され
    る有機溶媒空行なわれる特許請求の範囲第6項もしくは
    第7項記載の製造方法。
  9. (9)  i?[がテトラヒドロフラン、ベンゼン、ト
    ルエン、4シレン、エタノール、ジメチルホルムアミド
    およびジメチルスルホキシドから選択されるものである
    特許請求の範囲第8項記載の製造方法。 61  式■の誘導体の還元がアルカリ金属水素化ホウ
    素化合物、特に水素化ホウ素ナトリウ°ムもしくれ水素
    化ホウ素カリ・ラムで行なわれる特許請求の範囲第1項
    記載の製造方法。
JP57113844A 1981-06-30 1982-06-30 2−(2−チエニル)−および−(3−チエニル)エチルアミン誘導体の製造方法 Pending JPS5813583A (ja)

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