JPS58134649A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS58134649A JPS58134649A JP1555582A JP1555582A JPS58134649A JP S58134649 A JPS58134649 A JP S58134649A JP 1555582 A JP1555582 A JP 1555582A JP 1555582 A JP1555582 A JP 1555582A JP S58134649 A JPS58134649 A JP S58134649A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cds
- photoconductive
- bi2s3
- halogen
- binder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真用感光体に関し、特には長波長光に
対しても高い光感度を有する感光体に関する。
対しても高い光感度を有する感光体に関する。
従来よりＣｄ５−バインダー系感光体が用いられている
が、該感光体はその光感度が６００ｎｍ台が限界であり
、より長波長領域に感度範囲を拡大することが望まれる
。即ち、光導電性材料として用いられているＣｄＳの光
励起エネルギーｐ、ｏｐｔは約２．４．ｅＶといわれ、
その分光感度の極大は５２０ｎｍにある。そこで長波長
域へ増感する為ＩＢ族のＣ１１がドープされていだが、
ｃｕは多量にドープすると、電子に対する捕獲断面積を
大きくして光感度を低下させると共にＣｕ Ｓを形成し
、感光体特性を損ねるので微少量に限定された。従って
、得られる増感効果も十分とは云えなかった。そこで、
前述の銅に加えてＣｄＳの結晶系をαタイプに移行させ
且つ結晶成長を促進し、ドナーとして働くハロゲン及び
／又はＩＩＩ Ａ族の元素をドープする試みもなされて
いるが、特に半導体レーザープリンター用感光体の如き
８００ ｎｍに十分な光感度を必要とするものには、ま
だまだ不十分であった。
が、該感光体はその光感度が６００ｎｍ台が限界であり
、より長波長領域に感度範囲を拡大することが望まれる
。即ち、光導電性材料として用いられているＣｄＳの光
励起エネルギーｐ、ｏｐｔは約２．４．ｅＶといわれ、
その分光感度の極大は５２０ｎｍにある。そこで長波長
域へ増感する為ＩＢ族のＣ１１がドープされていだが、
ｃｕは多量にドープすると、電子に対する捕獲断面積を
大きくして光感度を低下させると共にＣｕ Ｓを形成し
、感光体特性を損ねるので微少量に限定された。従って
、得られる増感効果も十分とは云えなかった。そこで、
前述の銅に加えてＣｄＳの結晶系をαタイプに移行させ
且つ結晶成長を促進し、ドナーとして働くハロゲン及び
／又はＩＩＩ Ａ族の元素をドープする試みもなされて
いるが、特に半導体レーザープリンター用感光体の如き
８００ ｎｍに十分な光感度を必要とするものには、ま
だまだ不十分であった。
そこで本発明は、更にＣｄＳ系感光体の増感を図ったも
のであり、特には、通常の電子写真複写機は勿論のこと
、Ｂｏｏｎｍ台に高い感度を要求される半導体レーザー
プリンター用の感光体としでも好適々電子写真用感光体
を提供するものである。
のであり、特には、通常の電子写真複写機は勿論のこと
、Ｂｏｏｎｍ台に高い感度を要求される半導体レーザー
プリンター用の感光体としでも好適々電子写真用感光体
を提供するものである。
即ち、本発明は、導電性支持体上に光導電層を有する電
子写真用感光体において、光導電層をＣｄＳ −Ｂｉ２
５３とバインダーとより構成したものであり、更に所望
により不純物として周期律表第１Ｂ族の元素及び／又は
ハロゲンをドープしたものである。
子写真用感光体において、光導電層をＣｄＳ −Ｂｉ２
５３とバインダーとより構成したものであり、更に所望
により不純物として周期律表第１Ｂ族の元素及び／又は
ハロゲンをドープしたものである。
前述のＣｄＳとＢｉ２５３の使用割合としては、ＣｄＳ
１モルに対してＢｉ、、Ｎ３が１Ｏ−１モルから１Ｏ
−３モル混在するようにすることが好ましく、この時目
的とする増感効果が緒特性を害することなく得られる。
１モルに対してＢｉ、、Ｎ３が１Ｏ−１モルから１Ｏ
−３モル混在するようにすることが好ましく、この時目
的とする増感効果が緒特性を害することなく得られる。
このような含有割合のＣｄＳ −Ｂｉ２Ｓ３を得るには
、例えば以下の反応式の如く、ＣｄＳとＢｉ２５３が同
時に生成されるような反応を起し、これによりＣｄＳ中
にＢｉ、、Ｎ３が混在した状態とする。
１ ＣｄＳ０４＋２ＢＩＣ１３＋Ｈ２ＳＯ４＋４Ｈ２Ｓ−＋
ＣｄＳ＋Ｂ１２５３＋２Ｈ２ＳＯ４＋６ＨＣＩＢ１２Ｓ
３の光励起エネルギーＥｐ は約１．４．ｅＶと低く
、ＣｄＳに混在することにより感光体の光感度を大幅に
長波長側に増感することができる。
、例えば以下の反応式の如く、ＣｄＳとＢｉ２５３が同
時に生成されるような反応を起し、これによりＣｄＳ中
にＢｉ、、Ｎ３が混在した状態とする。
１ ＣｄＳ０４＋２ＢＩＣ１３＋Ｈ２ＳＯ４＋４Ｈ２Ｓ−＋
ＣｄＳ＋Ｂ１２５３＋２Ｈ２ＳＯ４＋６ＨＣＩＢ１２Ｓ
３の光励起エネルギーＥｐ は約１．４．ｅＶと低く
、ＣｄＳに混在することにより感光体の光感度を大幅に
長波長側に増感することができる。
第１Ｂ族元素並びにハロゲンは、Ｂｉ２５３の増感効果
を更に増大するものであって、これらをイ よってＣｄＳ −Ｂｉ ２Ｓ３を得る場合には、ノ・ロ
ゲンが既に混入されているので特にノ・ロゲンを加える
必要がない。これら不純物のドーピング量としては、第
１Ｂ族元素が４０〜１００ ｐｐｍ、 ノ□ロゲンが２
０〜２００ ｐｐｍが好ましく、これより少ないと十分
な効果が得られず、又これより多いと、第１Ｂ族元素に
よる不純物準位密度増大のだめ電予め補かく断面積が大
きくなるため光感度の低下の原因となる。さらにＣｕ２
Ｓを形成し所定の電４写真特性を得る事ができなくなる
。一方・・・ρ１トンの増加は、ド址密度を増大し暗電
流の増加を促進するため、電子写真用感光材料としての
役目を果さなくなる。
を更に増大するものであって、これらをイ よってＣｄＳ −Ｂｉ ２Ｓ３を得る場合には、ノ・ロ
ゲンが既に混入されているので特にノ・ロゲンを加える
必要がない。これら不純物のドーピング量としては、第
１Ｂ族元素が４０〜１００ ｐｐｍ、 ノ□ロゲンが２
０〜２００ ｐｐｍが好ましく、これより少ないと十分
な効果が得られず、又これより多いと、第１Ｂ族元素に
よる不純物準位密度増大のだめ電予め補かく断面積が大
きくなるため光感度の低下の原因となる。さらにＣｕ２
Ｓを形成し所定の電４写真特性を得る事ができなくなる
。一方・・・ρ１トンの増加は、ド址密度を増大し暗電
流の増加を促進するため、電子写真用感光材料としての
役目を果さなくなる。
以下、本発明を実施例を挙げて説明する。
実施例
硫酸カドミウム１モル、塩化ビスマス５×１０”モルを
含む２．５ Ｎ硫酸水溶液を６０℃に保持し、硫化水素
ガスを毎分０．５ｔの流量で通じた。反応が終了後、生
成したＣｄＳ −Ｂｉ２５Ａ沈殿物（Ｃｔが８０ ｐｐ
ｍ混入）を洗浄、分離後、乾燥し、これにＣｕを５０
ｐｐｍドープしＮ２雰囲気中で５００℃、１時間熱処理
を行ない、これとポリエステル樹脂との重量比が６＝１
に々るようにトルエンとメチルエチルケトンの重量比が
９：ｌの混合溶媒中で十分混練し、Ａｌ導電性支持体上
に塗布、乾燥して約３０μの光導電層を形成し、本発明
の感光体を作成した。
含む２．５ Ｎ硫酸水溶液を６０℃に保持し、硫化水素
ガスを毎分０．５ｔの流量で通じた。反応が終了後、生
成したＣｄＳ −Ｂｉ２５Ａ沈殿物（Ｃｔが８０ ｐｐ
ｍ混入）を洗浄、分離後、乾燥し、これにＣｕを５０
ｐｐｍドープしＮ２雰囲気中で５００℃、１時間熱処理
を行ない、これとポリエステル樹脂との重量比が６＝１
に々るようにトルエンとメチルエチルケトンの重量比が
９：ｌの混合溶媒中で十分混練し、Ａｌ導電性支持体上
に塗布、乾燥して約３０μの光導電層を形成し、本発明
の感光体を作成した。
比較用としてＣｄＳ中にＣ１００ｐｐｍ、 Ｃｕ ５０
ｐｐｍ加え前述の熱処理を施す他は同様にして感光体を
作成した。
ｐｐｍ加え前述の熱処理を施す他は同様にして感光体を
作成した。
以上のようにして得た本発明並びに比較用感光体の分光
感度を測定したところ、図のようになった。分光感度曲
線１は本発明感光体のものであり、２は比較用のもので
ある。図から明らかなように、本発明感光体は８００
ｎｍ台の光に対して犬なる感度を示し、光感度範囲が比
較用にくらべより広いことがわかる。
感度を測定したところ、図のようになった。分光感度曲
線１は本発明感光体のものであり、２は比較用のもので
ある。図から明らかなように、本発明感光体は８００
ｎｍ台の光に対して犬なる感度を示し、光感度範囲が比
較用にくらべより広いことがわかる。
特許出願人 株式会社リコー
代理人弁理士 小 松 秀 岳
Claims (2)
- （１）導電性支持体上に光導電層を有する電子写真用感
光体において、該光導電層がＣｄ５−Ｂｉ２５３とバイ
ンダーとより成ることを特徴とする電子写真用感光体。 - （２）光導電層中に不純物として周期律表第１Ｂ族の元
素及び／又はハロゲンがドープされていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1555582A JPS58134649A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1555582A JPS58134649A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58134649A true JPS58134649A (ja) | 1983-08-10 |
Family
ID=11892010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1555582A Pending JPS58134649A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58134649A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61163345A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| CN102008966A (zh) * | 2010-11-08 | 2011-04-13 | 安徽师范大学 | 一种硫族异质结构纳米材料、制备方法及其应用 |
-
1982
- 1982-02-04 JP JP1555582A patent/JPS58134649A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61163345A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| JPH0462577B2 (ja) * | 1985-01-16 | 1992-10-06 | Canon Kk | |
| CN102008966A (zh) * | 2010-11-08 | 2011-04-13 | 安徽师范大学 | 一种硫族异质结构纳米材料、制备方法及其应用 |
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