JPS5849617A - 光導電性硫化カドミウム粒子の製造方法 - Google Patents
光導電性硫化カドミウム粒子の製造方法Info
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- JPS5849617A JPS5849617A JP14574981A JP14574981A JPS5849617A JP S5849617 A JPS5849617 A JP S5849617A JP 14574981 A JP14574981 A JP 14574981A JP 14574981 A JP14574981 A JP 14574981A JP S5849617 A JPS5849617 A JP S5849617A
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- Japan
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- cadmium sulfide
- cadmium
- chlorine
- sulfide
- particles
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真用硫化カドミウムの製造方法に関す
るもので、特に、非常に結晶性が高く、均一、単一で、
且つ、長波長に感度を有する硫化カドミウム粒子の製造
方法に関するものである0電子写真感光材料を代表例と
して用いられる光導電性硫化カドミウム(CdS )の
製造の最も一般的な方法は、硫醗カドミウム、塩化カド
ミウム、などのカドミウムの水溶性塩に硫化水素を作用
させて硫化カドミウム粒子の沈澱を得、次いでこの硫化
カドミウム粒子に活性剤をドーピングするために高温焼
成して得るものである。即ち、光導電性硫化カドミウム
は、硫化カドミウム粒子に活性剤としてCuCl21C
uSO4等また、融剤としてCaCl2 、 ZnCl
2等のハロゲン化物全混入して焼成を行なうことにより
、Cu 、 CL等を硫化カドミウム中にドープさせ製
造するのが一般である。しかしながらこのような従来の
方法においては、焼成工程を経て生成されたCdSは、
沈澱生成時にCdSの表面付近に非常に多くの欠陥全有
している。
るもので、特に、非常に結晶性が高く、均一、単一で、
且つ、長波長に感度を有する硫化カドミウム粒子の製造
方法に関するものである0電子写真感光材料を代表例と
して用いられる光導電性硫化カドミウム(CdS )の
製造の最も一般的な方法は、硫醗カドミウム、塩化カド
ミウム、などのカドミウムの水溶性塩に硫化水素を作用
させて硫化カドミウム粒子の沈澱を得、次いでこの硫化
カドミウム粒子に活性剤をドーピングするために高温焼
成して得るものである。即ち、光導電性硫化カドミウム
は、硫化カドミウム粒子に活性剤としてCuCl21C
uSO4等また、融剤としてCaCl2 、 ZnCl
2等のハロゲン化物全混入して焼成を行なうことにより
、Cu 、 CL等を硫化カドミウム中にドープさせ製
造するのが一般である。しかしながらこのような従来の
方法においては、焼成工程を経て生成されたCdSは、
沈澱生成時にCdSの表面付近に非常に多くの欠陥全有
している。
この表面欠陥は、光キャリアーのトラップ準位となるた
め、CdSの光メモリーを増大し、即ち、光応答速度を
遅くシ、この様なCdSを用いて作成される感光体を高
速の複写機に適用すると初期コピーにおける明部と暗部
と暗部の静電コントラストが不十分となる〇 また、上記の様な方法で製造されたCdSの粒子形状は
、粒子が互いに集合し合って形成された強い凝集体であ
不2次粒子からなっており、この2次粒子は3次元的に
集合して団塊状であったりあるいは2次元的に集合して
平板状であったり様々であるがその中には−大きなもの
は10数ミクロンから数10ミクロンに及ぶものがある
。
め、CdSの光メモリーを増大し、即ち、光応答速度を
遅くシ、この様なCdSを用いて作成される感光体を高
速の複写機に適用すると初期コピーにおける明部と暗部
と暗部の静電コントラストが不十分となる〇 また、上記の様な方法で製造されたCdSの粒子形状は
、粒子が互いに集合し合って形成された強い凝集体であ
不2次粒子からなっており、この2次粒子は3次元的に
集合して団塊状であったりあるいは2次元的に集合して
平板状であったり様々であるがその中には−大きなもの
は10数ミクロンから数10ミクロンに及ぶものがある
。
この様な粗大粒子を多数含むCdSを用いて作成される
感光体は、その表面状態が劣悪となり、その結果得られ
る画像はガサつきが激しく、解像力も不十分となる。ま
た、さらに絶縁層を設ける感光体の場合には、絶縁層の
CdS層へのしみ込み等かおこり、良好な感光体を得る
ことが困難となる。
感光体は、その表面状態が劣悪となり、その結果得られ
る画像はガサつきが激しく、解像力も不十分となる。ま
た、さらに絶縁層を設ける感光体の場合には、絶縁層の
CdS層へのしみ込み等かおこり、良好な感光体を得る
ことが困難となる。
前記欠点については本出願人の発明に係る特願昭56−
10966号明細書に記載されているような方法によっ
て克服されている。
10966号明細書に記載されているような方法によっ
て克服されている。
しかしながら、最近インテリジェント・フビアーへの関
心が高まり、特にレーザー光源を用いたコピア−への要
求が現われ始めると、感光体粒子としては長波長、特に
レザー光の関係から750〜800 nm以上での感度
を有するものが必要となってくる。前記発明における粒
子は長波長側には感度を有してなく、赤外領域の光に対
しての感度は十分でなく上記目的には使用出来ない。本
発明は前記発明の特徴を有すると共に、且つ長波長側へ
の感度を有する硫化カドミウム粒子の製造方法に関する
ものである口 本発明者等は、特開昭52−58542号公報に記載さ
れているように電子写真用硫化カドミウムは、塩素、イ
ンジウムの存在で、長波長に感度を伸ばすことが出来る
ことを確認した。しかL1塩素イオンは従来性われてい
たように電子写真用として必要な暗抵抗を持たすために
、05N以下の塩酸を含む、カドミウムの水溶液中で沈
澱生成した原料硫化カドミウムを使用して本出願人の発
明にかかる方法(特願昭56−10966号)に適用し
た場合、焼成段階で融剤の融点よりも50℃以上高い温
度で焼成を行うため、焼成後の粒子中に塩素量が殆んど
なく、そのため長波長側への感度が不十分であることが
判明した。
心が高まり、特にレーザー光源を用いたコピア−への要
求が現われ始めると、感光体粒子としては長波長、特に
レザー光の関係から750〜800 nm以上での感度
を有するものが必要となってくる。前記発明における粒
子は長波長側には感度を有してなく、赤外領域の光に対
しての感度は十分でなく上記目的には使用出来ない。本
発明は前記発明の特徴を有すると共に、且つ長波長側へ
の感度を有する硫化カドミウム粒子の製造方法に関する
ものである口 本発明者等は、特開昭52−58542号公報に記載さ
れているように電子写真用硫化カドミウムは、塩素、イ
ンジウムの存在で、長波長に感度を伸ばすことが出来る
ことを確認した。しかL1塩素イオンは従来性われてい
たように電子写真用として必要な暗抵抗を持たすために
、05N以下の塩酸を含む、カドミウムの水溶液中で沈
澱生成した原料硫化カドミウムを使用して本出願人の発
明にかかる方法(特願昭56−10966号)に適用し
た場合、焼成段階で融剤の融点よりも50℃以上高い温
度で焼成を行うため、焼成後の粒子中に塩素量が殆んど
なく、そのため長波長側への感度が不十分であることが
判明した。
本発明者等は、この欠点を克服するため、0.8モル/
1以上の塩素を含むカドミウム塩水溶液かう硫化カドミ
ウム粒子を沈澱生成することにより、得られた硫化カド
ミウムを原料として用いることにより焼成後の粒子中に
塩素を残すことに成功したものである0又、このように
して作成された硫化カドミウム粒子は長波長に感度を有
していることが判明した。
1以上の塩素を含むカドミウム塩水溶液かう硫化カドミ
ウム粒子を沈澱生成することにより、得られた硫化カド
ミウムを原料として用いることにより焼成後の粒子中に
塩素を残すことに成功したものである0又、このように
して作成された硫化カドミウム粒子は長波長に感度を有
していることが判明した。
本発明の方法は予めインジウムおよび0.8モル/1以
上の塩素イすン暫含むカドミウム水溶液中に硫化水素全
欧き込んで硫化カドミウム粒子全沈澱生成する0この硫
化カドミウムを原料とし、この硫化カドミウムに対して
20重量%以上の融剤を混ぜて、融剤の融点よりも50
℃以上高い湿度で焼成後、更に再焼成することを特徴と
するものである。
上の塩素イすン暫含むカドミウム水溶液中に硫化水素全
欧き込んで硫化カドミウム粒子全沈澱生成する0この硫
化カドミウムを原料とし、この硫化カドミウムに対して
20重量%以上の融剤を混ぜて、融剤の融点よりも50
℃以上高い湿度で焼成後、更に再焼成することを特徴と
するものである。
本発明により製造される硫化カドミウムは結節性が高仁
また、走査型、電子顕微鏡による形状観察では粒子が互
いv:、凝集していない単粒子でありかつその表面が滑
らかになっている。
また、走査型、電子顕微鏡による形状観察では粒子が互
いv:、凝集していない単粒子でありかつその表面が滑
らかになっている。
また、本発明により得られた硫化カドミウム粉体は粒子
形状が均一でがっ粒径がそろっているため、作成される
光導電層の塗面は、密で平滑なため、非常に良質の画像
が得られると共FC,75,Onm以下の可視域の感度
は勿論更に長波長、特に800nmないし8jOnmま
で感度が伸びている。
形状が均一でがっ粒径がそろっているため、作成される
光導電層の塗面は、密で平滑なため、非常に良質の画像
が得られると共FC,75,Onm以下の可視域の感度
は勿論更に長波長、特に800nmないし8jOnmま
で感度が伸びている。
本発明において、使用される塩素イオンは塩酸をカドミ
ウム塩水溶液に添加してもよいし、出発材料として、塩
化カドミウムを使用してもよい。
ウム塩水溶液に添加してもよいし、出発材料として、塩
化カドミウムを使用してもよい。
0.8モル/l未滴の濃度の塩酸を含もカドミウム塩水
溶液から作成された硫化カドミウム粒子は塩素の焼成に
よる消失が大きく、長波長感度を伸ばすという目的から
は不十分である。又、2モル/1以上となると出来た硫
化カドミウム中に残留する塩素量が多すぎ、電子写真用
としては暗抵抗が低く使用出来なくなる。
溶液から作成された硫化カドミウム粒子は塩素の焼成に
よる消失が大きく、長波長感度を伸ばすという目的から
は不十分である。又、2モル/1以上となると出来た硫
化カドミウム中に残留する塩素量が多すぎ、電子写真用
としては暗抵抗が低く使用出来なくなる。
長波長に感度を伸ばすためには塩素と共にインジウムの
存在も必要である。インジウムは残留する塩素との・ぐ
ランスによって最適量が決定されるが、長波長側に感度
を伸ばす目的のためには最低量生成する硫化カドミウム
1モルに対して5XIOモル必要である。又、上限とし
ては電子写真用としての暗抵抗が満足される量硫化カド
ミウム1モルあたり30X10モルが限度となる。従っ
て、インジウム5×10〜30X10 モル1モルC
dS 。
存在も必要である。インジウムは残留する塩素との・ぐ
ランスによって最適量が決定されるが、長波長側に感度
を伸ばす目的のためには最低量生成する硫化カドミウム
1モルに対して5XIOモル必要である。又、上限とし
ては電子写真用としての暗抵抗が満足される量硫化カド
ミウム1モルあたり30X10モルが限度となる。従っ
て、インジウム5×10〜30X10 モル1モルC
dS 。
および塩素0,8〜2モル/ノの間でインジウムと塩素
とのノ々ランスをとって、製造条件を決定する必要があ
る。
とのノ々ランスをとって、製造条件を決定する必要があ
る。
一般的には、インジウム量を多くすると、塩素量を少な
くすることが、暗抵抗を高くするために必要であり、又
、インジウムを少なくした場合は塩素を多くすることが
必要と宏る。
くすることが、暗抵抗を高くするために必要であり、又
、インジウムを少なくした場合は塩素を多くすることが
必要と宏る。
塩素は、予め反応溶液中に存在するようにしなければな
らないが、インジウムは、反応溶液中に添加して共沈と
して硫化カドミウム中に含ませてもよいし、焼成前に硫
化カドミウムと混合させても含ませることが出来る〇 本発明に使用する融剤は、活性剤をCdS中に拡散する
際に一般的に用いられている融剤で、cdCI−2rZ
nCt2 、 KCL+ NaCt、 NH4C4,C
dSO4等の1つあるいは数種類を適当な比率に混合し
たものである0混合して用いる場合の好適例として、c
dCI2とアルカリ金属の塩化物との混合物が挙げられ
るアルカリ金属の塩化物としては、NaCtとKClが
代表的なものである。アルカリ金属の塩化物の融剤全体
における含有量は、90モルチ以下で10モルチ以上が
好適である。
らないが、インジウムは、反応溶液中に添加して共沈と
して硫化カドミウム中に含ませてもよいし、焼成前に硫
化カドミウムと混合させても含ませることが出来る〇 本発明に使用する融剤は、活性剤をCdS中に拡散する
際に一般的に用いられている融剤で、cdCI−2rZ
nCt2 、 KCL+ NaCt、 NH4C4,C
dSO4等の1つあるいは数種類を適当な比率に混合し
たものである0混合して用いる場合の好適例として、c
dCI2とアルカリ金属の塩化物との混合物が挙げられ
るアルカリ金属の塩化物としては、NaCtとKClが
代表的なものである。アルカリ金属の塩化物の融剤全体
における含有量は、90モルチ以下で10モルチ以上が
好適である。
本発明においては、この融剤量は、20チ以上、特に好
ましくは30〜50%が好ましい。20%以下では、製
造されるCdS粒子は焼結して粗大粒子になり、また表
面形状も不均一で、電位保持性が十分でなく、また、解
像性に欠ける悪いCdSになる。また、焼成全融剤の融
点よりも50℃高い温度に及ばない温度で行なった場合
には、製造されるCdS粒子は粒径が大きく、解像性や
塗工性が悪い。
ましくは30〜50%が好ましい。20%以下では、製
造されるCdS粒子は焼結して粗大粒子になり、また表
面形状も不均一で、電位保持性が十分でなく、また、解
像性に欠ける悪いCdSになる。また、焼成全融剤の融
点よりも50℃高い温度に及ばない温度で行なった場合
には、製造されるCdS粒子は粒径が大きく、解像性や
塗工性が悪い。
なお、本発明の製造方法において、焼成温度は、600
℃以下が好適である。また、融剤の、CdSに対する添
加量は、収率の点からは65%以下が好適であ7る。
・ このように焼成された硫化カドミウムは再焼成を行わな
ければならない0この再焼成処理によって、感光体に利
用されたときの形成される画像の静電コントラストが一
層安定化する。再焼成は500℃以下特には400〜4
50℃の温度で行なわれることが好ましい。特に500
℃以上の焼成温度では感光体中に残留電荷が残りやすい
状態になる。
℃以下が好適である。また、融剤の、CdSに対する添
加量は、収率の点からは65%以下が好適であ7る。
・ このように焼成された硫化カドミウムは再焼成を行わな
ければならない0この再焼成処理によって、感光体に利
用されたときの形成される画像の静電コントラストが一
層安定化する。再焼成は500℃以下特には400〜4
50℃の温度で行なわれることが好ましい。特に500
℃以上の焼成温度では感光体中に残留電荷が残りやすい
状態になる。
本発明は更にアクセプターとして銅をドープせしめ、銅
は、予めカドミウム塩水溶液中に添加して共沈させて硫
化カドミウム中に含ませることも出来るし、焼成前、あ
るいは再焼成前に硫化カドミウムと混合した後焼成、あ
るいは再焼成を行うことにより硫化カドミウム中に含ま
せることも出来る。CdSに添加する銅化合物としては
、銅の塩化物、硫化物、硫酸化物などが用いられ、特に
、塩化銅、硫酸銅が好ましい。
は、予めカドミウム塩水溶液中に添加して共沈させて硫
化カドミウム中に含ませることも出来るし、焼成前、あ
るいは再焼成前に硫化カドミウムと混合した後焼成、あ
るいは再焼成を行うことにより硫化カドミウム中に含ま
せることも出来る。CdSに添加する銅化合物としては
、銅の塩化物、硫化物、硫酸化物などが用いられ、特に
、塩化銅、硫酸銅が好ましい。
焼成前、あるのは再焼成前に銅化合物を添加する方法は
銅化合物を固体のまま添加混合してもよいし、銅化合物
が水溶性の場合はこれを一度水溶液にしCdSに添加後
、水分を蒸発させる湿式法のいずれも良好な結果が得ら
れるが、均一性の面では湿式方法がよい。
銅化合物を固体のまま添加混合してもよいし、銅化合物
が水溶性の場合はこれを一度水溶液にしCdSに添加後
、水分を蒸発させる湿式法のいずれも良好な結果が得ら
れるが、均一性の面では湿式方法がよい。
銅の添加量は塩素量、インジウム量によって最適量が異
なるが、硫化力ドミミウム1モルに対して1×10から
15X10 モル特には3×10″からl0XIOモ
ルが必要である。
なるが、硫化力ドミミウム1モルに対して1×10から
15X10 モル特には3×10″からl0XIOモ
ルが必要である。
以下実施例によって説明する。
実施例1
硫酸カドミウム1モル硫酸銅5×10 モル、硫酸イン
ジウム6×10 モル全台み、硫酸、塩酸がそれぞれO
:5N、、1.2Nとなるように調製した21水溶液中
′に硫化水素を0.51/n1lnの流量で50分間通
し、硫化カドミウムを沈澱した。該硫化カドミウムは洗
浄した後、200℃の温度で一晩乾燥して原料硫化カド
ミウム粒子とした。
ジウム6×10 モル全台み、硫酸、塩酸がそれぞれO
:5N、、1.2Nとなるように調製した21水溶液中
′に硫化水素を0.51/n1lnの流量で50分間通
し、硫化カドミウムを沈澱した。該硫化カドミウムは洗
浄した後、200℃の温度で一晩乾燥して原料硫化カド
ミウム粒子とした。
このようにして得られたCdS生粉100g、cdCI
2を20IとNaCtを309添加し、よく混合した上
で、石英ルツボに充填し、530℃で30分焼成した(
なお、cdCI2とNaCLの混合融剤の融点は、状態
図からCaCl2・2NaCtの融点の426℃に相当
する)。この様にして得られたCdSの六方度は100
%であり、1万倍の電子顕微鏡写真によれば、粒子表面
は非常に滑らかで、六方晶形特有の形状を持ち、各粒子
は2〜5μの径の単一粒子となっているのが認められた
0次にこのようにして得られたCdS 450℃で1時
間再焼成した。
2を20IとNaCtを309添加し、よく混合した上
で、石英ルツボに充填し、530℃で30分焼成した(
なお、cdCI2とNaCLの混合融剤の融点は、状態
図からCaCl2・2NaCtの融点の426℃に相当
する)。この様にして得られたCdSの六方度は100
%であり、1万倍の電子顕微鏡写真によれば、粒子表面
は非常に滑らかで、六方晶形特有の形状を持ち、各粒子
は2〜5μの径の単一粒子となっているのが認められた
0次にこのようにして得られたCdS 450℃で1時
間再焼成した。
再焼成後これを水洗、イオン交換樹脂による残留イオン
除去、乾燥した。このCd5t−塩化ビニル/酢酸ビニ
ル共重合体中に分散させた後アルミニウム基板上に40
μの厚さに塗布乾燥させて得た感光板に15μ厚のポリ
エステルフィルムをはりつけ三層構成の感光体を得たと
ころ、表面が非常に平滑であった。
除去、乾燥した。このCd5t−塩化ビニル/酢酸ビニ
ル共重合体中に分散させた後アルミニウム基板上に40
μの厚さに塗布乾燥させて得た感光板に15μ厚のポリ
エステルフィルムをはりつけ三層構成の感光体を得たと
ころ、表面が非常に平滑であった。
次にとの感光板について、その分光特性を測定したとこ
ろ750 nmで0.8 lux see 800
nmで1.3 lux see 850 nmで3.
5 lux seaの値が得られた。
ろ750 nmで0.8 lux see 800
nmで1.3 lux see 850 nmで3.
5 lux seaの値が得られた。
一方、インジウム、塩素を含まない他は全く同様の方法
で作成された粒子を同様の方法で感光板化し、感度を測
定したところ、750nm 5.21uxsee s
800 nm 10.3 lux see lなり
明らかに本発明の粒子を用いた場合、感度が伸びている
ことが判明した。
で作成された粒子を同様の方法で感光板化し、感度を測
定したところ、750nm 5.21uxsee s
800 nm 10.3 lux see lなり
明らかに本発明の粒子を用いた場合、感度が伸びている
ことが判明した。
実施例2
硫酸カドミウム1モル、硫酸インジウム15X10’モ
ル、硫酸銅10XIOモルを誉み、塩酸0.8N。
ル、硫酸銅10XIOモルを誉み、塩酸0.8N。
硫酸1,2Nとなるような水溶液から、実施例1と同様
の方法によって、原料硫化カドミウムを作成した。該硫
化カドミウム100gに、CaCl230gとKCl
20.9の混合融剤を混入し、充分混合後480℃で3
0分焼成した。
の方法によって、原料硫化カドミウムを作成した。該硫
化カドミウム100gに、CaCl230gとKCl
20.9の混合融剤を混入し、充分混合後480℃で3
0分焼成した。
その後、実施例1と同様に再焼成を行ない得られたCd
Sを感光体化して評価したところ、実施例1と同様の良
好の結果を得た。なお、CdC22ととKClの混合融
剤の融点は状態図から、KcrlCLBの融点390℃
に相当する。
Sを感光体化して評価したところ、実施例1と同様の良
好の結果を得た。なお、CdC22ととKClの混合融
剤の融点は状態図から、KcrlCLBの融点390℃
に相当する。
実施例3
硫酸カドミウム1モルを含み塩酸1.5Nとなるように
調製した水溶液から実施例1と同様の方法で硫化カドミ
ウムを沈澱生成した0該硫化力ドミウム100gに対し
て、硫酸インジウム及びCuCl2を湿式法によりCd
Sに対しそれぞれ、モル比5×4 10.3X10 添加後、さらにCdC22を411
1NaC1を9I添加し、よく混合した上で石英ルツか
に充填し、500℃で30分焼成した。その後実施例1
と同様にして再焼成処理を行なった。この様にして得ら
れたCdSの六方度は、100q6であり、電子顕微鏡
写真によれば、粒子表面は非常に清らかで、六方晶形特
有の形状を持ち各粒子は、3〜5μの径の均一な単一粒
子となっているのが認められた。得られたCdSを感光
体化して評価したところ、実施例1と同様の良好な結果
を得た。
調製した水溶液から実施例1と同様の方法で硫化カドミ
ウムを沈澱生成した0該硫化力ドミウム100gに対し
て、硫酸インジウム及びCuCl2を湿式法によりCd
Sに対しそれぞれ、モル比5×4 10.3X10 添加後、さらにCdC22を411
1NaC1を9I添加し、よく混合した上で石英ルツか
に充填し、500℃で30分焼成した。その後実施例1
と同様にして再焼成処理を行なった。この様にして得ら
れたCdSの六方度は、100q6であり、電子顕微鏡
写真によれば、粒子表面は非常に清らかで、六方晶形特
有の形状を持ち各粒子は、3〜5μの径の均一な単一粒
子となっているのが認められた。得られたCdSを感光
体化して評価したところ、実施例1と同様の良好な結果
を得た。
Claims (1)
- 1モル当怜インジウムを5〜30 X 1 o−%ル含
む硫化カドミウムに対して20重量%以上の融剤を混和
し、融剤の融点よりも50℃以上高い温度で焼成した後
、更に再焼成を行って製造する光電性硫化カドミウムの
製造法において、該原料硫化カドミウムとして0.8モ
ル/1以上の塩素を含むカドミウム塩水溶液に硫化カド
ミウムを吹き込むことによって得られる硫化カドミウム
を用いることを特徴とする光導電性硫化カドミウム粒子
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14574981A JPS5849617A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 光導電性硫化カドミウム粒子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14574981A JPS5849617A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 光導電性硫化カドミウム粒子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5849617A true JPS5849617A (ja) | 1983-03-23 |
Family
ID=15392258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14574981A Pending JPS5849617A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 光導電性硫化カドミウム粒子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5849617A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05505422A (ja) * | 1989-05-19 | 1993-08-12 | コンツアー・ハードニング・インコーポレーテッド | 機械要素を高周波焼入れするための装置及び方法 |
JP2015193513A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 旭化成株式会社 | 結晶成長促進剤及びそれを用いた金属カルコゲナイド化合物の製造方法 |
-
1981
- 1981-09-16 JP JP14574981A patent/JPS5849617A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05505422A (ja) * | 1989-05-19 | 1993-08-12 | コンツアー・ハードニング・インコーポレーテッド | 機械要素を高周波焼入れするための装置及び方法 |
JP2015193513A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 旭化成株式会社 | 結晶成長促進剤及びそれを用いた金属カルコゲナイド化合物の製造方法 |
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