JPS5957245A - 光導電材料 - Google Patents
光導電材料Info
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- JPS5957245A JPS5957245A JP16654782A JP16654782A JPS5957245A JP S5957245 A JPS5957245 A JP S5957245A JP 16654782 A JP16654782 A JP 16654782A JP 16654782 A JP16654782 A JP 16654782A JP S5957245 A JPS5957245 A JP S5957245A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、可視域から近赤外域(400nmへ・101
000nに亘って高い光感度を有する光導電材わ1に関
りるものである。
000nに亘って高い光感度を有する光導電材わ1に関
りるものである。
最近、半導体レーザ゛の発展に伴ない、レーザープリン
ターや光通信等に使用されるフッ1トレンリーなどにお
いて可視域から近赤外域の光に対して高い感度を有する
光導電材料が要求されている。しかしながら従来より用
いられている光導電月別、例えば3eを初め500〜7
00nmの波長光(こ対して感度を有するCd S、C
d Se、Sb2S3は比較的短波長域の光に対しては
光導電材料として優れた特性を有するが近赤外(800
nm 〜101000nとなると感度を示さない。
ターや光通信等に使用されるフッ1トレンリーなどにお
いて可視域から近赤外域の光に対して高い感度を有する
光導電材料が要求されている。しかしながら従来より用
いられている光導電月別、例えば3eを初め500〜7
00nmの波長光(こ対して感度を有するCd S、C
d Se、Sb2S3は比較的短波長域の光に対しては
光導電材料として優れた特性を有するが近赤外(800
nm 〜101000nとなると感度を示さない。
しかしながら現在用いられている(GaAj2)AS系
レーザーダイオードは遷移の関係からAβの割合が必・
熟的に決定されてしまうため、その発光波長の短波化に
限界があり、該ダイオードに前記の如き波長域に感度を
有する従来の光導電材料を適用することは困IIである
。この為、レーザーダイオードをプリンター等に使用す
るには該レーザダイオードの発光波長に合った光導電材
料の開発が強く望まれている。従来の光導電材料におい
てSi 、 Cd Te 。
レーザーダイオードは遷移の関係からAβの割合が必・
熟的に決定されてしまうため、その発光波長の短波化に
限界があり、該ダイオードに前記の如き波長域に感度を
有する従来の光導電材料を適用することは困IIである
。この為、レーザーダイオードをプリンター等に使用す
るには該レーザダイオードの発光波長に合った光導電材
料の開発が強く望まれている。従来の光導電材料におい
てSi 、 Cd Te 。
Sb 3e 3のごくわずかなものが近赤外域の光に感
度を有する光導電材料として知られているが、実際には
これらの光導電材料を大面積の受光素子どして使用する
ことが困tlIでその実用性は殆んどないのが現状であ
る。
度を有する光導電材料として知られているが、実際には
これらの光導電材料を大面積の受光素子どして使用する
ことが困tlIでその実用性は殆んどないのが現状であ
る。
従って本発明は、可視から近赤外域(500nm〜90
0nm )の光に対して感度を有する光導電祠わ1を提
供りることを目的とするものであり、前記レーザ−プリ
ンター、光通信等に極めて有用な光導電材料を提供づる
ものである。
0nm )の光に対して感度を有する光導電祠わ1を提
供りることを目的とするものであり、前記レーザ−プリ
ンター、光通信等に極めて有用な光導電材料を提供づる
ものである。
即ら本発明は塩化アンチモン<Sb CJ23)と、酒
石酸アンデモニルカリウムK [5b(C4N206
)(OH2)]と、カドミウム塩との水溶液に1−+
2 Sどl−123eどのガスを通気して得ることを特
徴とする可視域から近赤外域(500〜900nm )
に光感度を有りる光導電材料を要旨と】るものである。
石酸アンデモニルカリウムK [5b(C4N206
)(OH2)]と、カドミウム塩との水溶液に1−+
2 Sどl−123eどのガスを通気して得ることを特
徴とする可視域から近赤外域(500〜900nm )
に光感度を有りる光導電材料を要旨と】るものである。
3b 23e 3はその励起エネルギーが1.2eVで
あって〜11030nの光に感度を有し、Sb2S3及
びCdSeは1.7evテ〜730nmの光に対して、
又CdSは2.4 eVで〜515nmの光に対して夫
々感度を有する。本発明によれば、このような波長光に
感度を有する光導電性材料を一つの沈澱物中に混在せし
め、その製造条イ!1によって900nmの波長まで感
度域を拡大することができる。
あって〜11030nの光に感度を有し、Sb2S3及
びCdSeは1.7evテ〜730nmの光に対して、
又CdSは2.4 eVで〜515nmの光に対して夫
々感度を有する。本発明によれば、このような波長光に
感度を有する光導電性材料を一つの沈澱物中に混在せし
め、その製造条イ!1によって900nmの波長まで感
度域を拡大することができる。
以下本発明を実施例を挙げより詳細に説明する。
実施例1
Sb C230,2モル、K [Sb (04t−1
20s ) (OH2) ] 00.1モル及びC
dSO40,5モルを2Nの硫酸水溶液中に溶解して、
該溶液を50℃に温調させた後、1」2S並びにtl
2 S eを夫々毎分0.1ρ及び0.051で30分
通気し、C(1(36,75Se6,2y) $ <
0,75 Sb 2S3)・(0,258b2So3)
と推定される沈澱物を得た。これを洗浄、乾燥後、銅を
上記沈澱物に対して5x 10−’ moβ/moRど
なるようにCuCl2水溶液を添加した。次いで得られ
た沈澱物を乾燥、粉砕じた後、石英ルツボに充填し、N
2雰囲気下500℃で2時間焼成した。
20s ) (OH2) ] 00.1モル及びC
dSO40,5モルを2Nの硫酸水溶液中に溶解して、
該溶液を50℃に温調させた後、1」2S並びにtl
2 S eを夫々毎分0.1ρ及び0.051で30分
通気し、C(1(36,75Se6,2y) $ <
0,75 Sb 2S3)・(0,258b2So3)
と推定される沈澱物を得た。これを洗浄、乾燥後、銅を
上記沈澱物に対して5x 10−’ moβ/moRど
なるようにCuCl2水溶液を添加した。次いで得られ
た沈澱物を乾燥、粉砕じた後、石英ルツボに充填し、N
2雰囲気下500℃で2時間焼成した。
焼成後、充分に洗浄、乾燥し、15龍φ、厚さt=’1
mmにプレス成型した後、メタ、ルマスクを使用して金
蒸着を行ない、クシ型の電極を設【ノた後、分光特性を
測定した。測定は、ハロゲンを光源としてブレーズ波長
500nmのグレーティングを有するモノクロメータ(
格子刻線1200木/龍)を使用して波長域500nm
〜900nmまで測定した。波長による光エネルギーの
変動を防止するため、モノクロメータを通過した光を一
部フォトマルに受光させ、これを回転型連続NDフィル
ターにフィードバックさせ、常、にフォトマルが受ける
光エネルギーが一定になるように、即ち試料に照射さU
る光エネルギーがなるべく一定になる様にした。第1図
は、前記によって得られた本発明の光導電材料の分光特
性測定結果を CdS並びにCdSeの比較用の光>g電月利の分光特
性と其に示したものであり、81は本発明の光導電材料
の分光特性曲線、b並びにOは夫々C,(l S並びに
Cd 3eの分光特性曲線である。測定結果からも明ら
かなように本発明で得られた光導電材料は、800nm
〜900nmにかりても光導電素子どして使用するに十
分な光感度を右(ることがIi9認された。
mmにプレス成型した後、メタ、ルマスクを使用して金
蒸着を行ない、クシ型の電極を設【ノた後、分光特性を
測定した。測定は、ハロゲンを光源としてブレーズ波長
500nmのグレーティングを有するモノクロメータ(
格子刻線1200木/龍)を使用して波長域500nm
〜900nmまで測定した。波長による光エネルギーの
変動を防止するため、モノクロメータを通過した光を一
部フォトマルに受光させ、これを回転型連続NDフィル
ターにフィードバックさせ、常、にフォトマルが受ける
光エネルギーが一定になるように、即ち試料に照射さU
る光エネルギーがなるべく一定になる様にした。第1図
は、前記によって得られた本発明の光導電材料の分光特
性測定結果を CdS並びにCdSeの比較用の光>g電月利の分光特
性と其に示したものであり、81は本発明の光導電材料
の分光特性曲線、b並びにOは夫々C,(l S並びに
Cd 3eの分光特性曲線である。測定結果からも明ら
かなように本発明で得られた光導電材料は、800nm
〜900nmにかりても光導電素子どして使用するに十
分な光感度を右(ることがIi9認された。
実施例2
SIICI:+ 0.1モル及び酒石酸アンチモニ
ルカリウム 0.1モルとCdSO40,5モルを2N
の硫酸水溶液中に溶解して、該溶液を50℃に温調させ
ながら、H2S並びにH2Seを夫々毎分0,75 、
e及び0.75℃を30分通気し、Cd (s、、s
e、、f)” (0,5Sb 2 S 3 )”(0
,5Sb 2 Se 3 )と推定される沈澱物を得た
。これを洗浄、乾燥後、銅を上記沈澱物に対して5X
10−’ moρ/moβとなるようにCu Cβ2水
溶液を添加した後、再度乾燥し、粉砕した後、石英ルツ
ボに充填し、N2雰囲気下500℃で2時間焼成した。
ルカリウム 0.1モルとCdSO40,5モルを2N
の硫酸水溶液中に溶解して、該溶液を50℃に温調させ
ながら、H2S並びにH2Seを夫々毎分0,75 、
e及び0.75℃を30分通気し、Cd (s、、s
e、、f)” (0,5Sb 2 S 3 )”(0
,5Sb 2 Se 3 )と推定される沈澱物を得た
。これを洗浄、乾燥後、銅を上記沈澱物に対して5X
10−’ moρ/moβとなるようにCu Cβ2水
溶液を添加した後、再度乾燥し、粉砕した後、石英ルツ
ボに充填し、N2雰囲気下500℃で2時間焼成した。
以下、実施例1ど全く同様な方法で試料を作成し、その
分光特性を測定した。その結果を第2図のa2に示した
。
分光特性を測定した。その結果を第2図のa2に示した
。
図中、b、cは第1図と同様にCdS、CdSeの分光
特性曲線である。
特性曲線である。
このように本発明の光導電材料は、可視から近赤外域に
おいて大きな光導電性を有し、レーザーダイオードの用
いられているレーザープリンター、光通信等への適用が
可能である。
おいて大きな光導電性を有し、レーザーダイオードの用
いられているレーザープリンター、光通信等への適用が
可能である。
第1図並ひに第2図は本発明の光導電月別、並びにCd
S 、Cd S eの比較用光導電材料の分光特性曲
線である。 特許出願人 株式会社 リコー 代理人 弁理士 小松秀岳
S 、Cd S eの比較用光導電材料の分光特性曲
線である。 特許出願人 株式会社 リコー 代理人 弁理士 小松秀岳
Claims (1)
- 塩化ノ7ンチEン(Sb Cβ3)と、酒石酸アンチモ
ニルカリウムK [Sb ’(C4H206)(014
2)]と、カドミウム塩との水溶液に)−128とH2
3eとのガスを通気して得ることを特徴とりる光導電材
料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16654782A JPS5957245A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 光導電材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16654782A JPS5957245A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 光導電材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5957245A true JPS5957245A (ja) | 1984-04-02 |
Family
ID=15833289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16654782A Pending JPS5957245A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 光導電材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5957245A (ja) |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP16654782A patent/JPS5957245A/ja active Pending
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