JPS5957245A - 光導電材料 - Google Patents
光導電材料Info
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- JPS5957245A JPS5957245A JP16654782A JP16654782A JPS5957245A JP S5957245 A JPS5957245 A JP S5957245A JP 16654782 A JP16654782 A JP 16654782A JP 16654782 A JP16654782 A JP 16654782A JP S5957245 A JPS5957245 A JP S5957245A
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 21
- WBTCZEPSIIFINA-MSFWTACDSA-J dipotassium;antimony(3+);(2r,3r)-2,3-dioxidobutanedioate;trihydrate Chemical compound O.O.O.[K+].[K+].[Sb+3].[Sb+3].[O-]C(=O)[C@H]([O-])[C@@H]([O-])C([O-])=O.[O-]C(=O)[C@H]([O-])[C@@H]([O-])C([O-])=O WBTCZEPSIIFINA-MSFWTACDSA-J 0.000 claims abstract description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 Antimonyl potassium chloride Chemical compound 0.000 claims 1
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M potassium chloride Inorganic materials [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 4
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 3
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 3
- 150000001661 cadmium Chemical class 0.000 abstract description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 abstract 1
- QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L cadmium sulfate Chemical compound [Cd+2].[O-]S([O-])(=O)=O QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 229910000331 cadmium sulfate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 9
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 5
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052959 stibnite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021592 Copper(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、可視域から近赤外域（４００ｎｍへ・１０１
０００ｎに亘って高い光感度を有する光導電材わ１に関
りるものである。
０００ｎに亘って高い光感度を有する光導電材わ１に関
りるものである。
最近、半導体レーザ゛の発展に伴ない、レーザープリン
ターや光通信等に使用されるフッ１トレンリーなどにお
いて可視域から近赤外域の光に対して高い感度を有する
光導電材料が要求されている。しかしながら従来より用
いられている光導電月別、例えば３ｅを初め５００〜７
００ｎｍの波長光（こ対して感度を有するＣｄ Ｓ、Ｃ
ｄ Ｓｅ、Ｓｂ２Ｓ３は比較的短波長域の光に対しては
光導電材料として優れた特性を有するが近赤外（８００
ｎｍ 〜１０１０００ｎとなると感度を示さない。
ターや光通信等に使用されるフッ１トレンリーなどにお
いて可視域から近赤外域の光に対して高い感度を有する
光導電材料が要求されている。しかしながら従来より用
いられている光導電月別、例えば３ｅを初め５００〜７
００ｎｍの波長光（こ対して感度を有するＣｄ Ｓ、Ｃ
ｄ Ｓｅ、Ｓｂ２Ｓ３は比較的短波長域の光に対しては
光導電材料として優れた特性を有するが近赤外（８００
ｎｍ 〜１０１０００ｎとなると感度を示さない。
しかしながら現在用いられている（ＧａＡｊ２）ＡＳ系
レーザーダイオードは遷移の関係からＡβの割合が必・
熟的に決定されてしまうため、その発光波長の短波化に
限界があり、該ダイオードに前記の如き波長域に感度を
有する従来の光導電材料を適用することは困ＩＩである
。この為、レーザーダイオードをプリンター等に使用す
るには該レーザダイオードの発光波長に合った光導電材
料の開発が強く望まれている。従来の光導電材料におい
てＳｉ 、 Ｃｄ Ｔｅ 。
レーザーダイオードは遷移の関係からＡβの割合が必・
熟的に決定されてしまうため、その発光波長の短波化に
限界があり、該ダイオードに前記の如き波長域に感度を
有する従来の光導電材料を適用することは困ＩＩである
。この為、レーザーダイオードをプリンター等に使用す
るには該レーザダイオードの発光波長に合った光導電材
料の開発が強く望まれている。従来の光導電材料におい
てＳｉ 、 Ｃｄ Ｔｅ 。
Ｓｂ ３ｅ ３のごくわずかなものが近赤外域の光に感
度を有する光導電材料として知られているが、実際には
これらの光導電材料を大面積の受光素子どして使用する
ことが困ｔｌＩでその実用性は殆んどないのが現状であ
る。
度を有する光導電材料として知られているが、実際には
これらの光導電材料を大面積の受光素子どして使用する
ことが困ｔｌＩでその実用性は殆んどないのが現状であ
る。
従って本発明は、可視から近赤外域（５００ｎｍ〜９０
０ｎｍ ）の光に対して感度を有する光導電祠わ１を提
供りることを目的とするものであり、前記レーザ−プリ
ンター、光通信等に極めて有用な光導電材料を提供づる
ものである。
０ｎｍ ）の光に対して感度を有する光導電祠わ１を提
供りることを目的とするものであり、前記レーザ−プリ
ンター、光通信等に極めて有用な光導電材料を提供づる
ものである。
即ら本発明は塩化アンチモン＜Ｓｂ ＣＪ２３）と、酒
石酸アンデモニルカリウムＫ ［５ｂ（Ｃ４Ｎ２０６
）（ＯＨ２）］と、カドミウム塩との水溶液に１−＋
２ Ｓどｌ−１２３ｅどのガスを通気して得ることを特
徴とする可視域から近赤外域（５００〜９００ｎｍ ）
に光感度を有りる光導電材料を要旨と】るものである。
石酸アンデモニルカリウムＫ ［５ｂ（Ｃ４Ｎ２０６
）（ＯＨ２）］と、カドミウム塩との水溶液に１−＋
２ Ｓどｌ−１２３ｅどのガスを通気して得ることを特
徴とする可視域から近赤外域（５００〜９００ｎｍ ）
に光感度を有りる光導電材料を要旨と】るものである。
３ｂ ２３ｅ ３はその励起エネルギーが１．２ｅＶで
あって〜１１０３０ｎの光に感度を有し、Ｓｂ２Ｓ３及
びＣｄＳｅは１．７ｅｖテ〜７３０ｎｍの光に対して、
又ＣｄＳは２．４ ｅＶで〜５１５ｎｍの光に対して夫
々感度を有する。本発明によれば、このような波長光に
感度を有する光導電性材料を一つの沈澱物中に混在せし
め、その製造条イ！１によって９００ｎｍの波長まで感
度域を拡大することができる。
あって〜１１０３０ｎの光に感度を有し、Ｓｂ２Ｓ３及
びＣｄＳｅは１．７ｅｖテ〜７３０ｎｍの光に対して、
又ＣｄＳは２．４ ｅＶで〜５１５ｎｍの光に対して夫
々感度を有する。本発明によれば、このような波長光に
感度を有する光導電性材料を一つの沈澱物中に混在せし
め、その製造条イ！１によって９００ｎｍの波長まで感
度域を拡大することができる。
以下本発明を実施例を挙げより詳細に説明する。
実施例１
Ｓｂ Ｃ２３０，２モル、Ｋ ［Ｓｂ （０４ｔ−１
２０ｓ ） （ＯＨ２） ］ ００．１モル及びＣ
ｄＳＯ４０，５モルを２Ｎの硫酸水溶液中に溶解して、
該溶液を５０℃に温調させた後、１」２Ｓ並びにｔｌ
２ Ｓ ｅを夫々毎分０．１ρ及び０．０５１で３０分
通気し、Ｃ（１（３６，７５Ｓｅ６，２ｙ） ＄ ＜
０，７５ Ｓｂ ２Ｓ３）・（０，２５８ｂ２Ｓｏ３）
と推定される沈澱物を得た。これを洗浄、乾燥後、銅を
上記沈澱物に対して５ｘ １０−’ ｍｏβ／ｍｏＲど
なるようにＣｕＣｌ２水溶液を添加した。次いで得られ
た沈澱物を乾燥、粉砕じた後、石英ルツボに充填し、Ｎ
２雰囲気下５００℃で２時間焼成した。
２０ｓ ） （ＯＨ２） ］ ００．１モル及びＣ
ｄＳＯ４０，５モルを２Ｎの硫酸水溶液中に溶解して、
該溶液を５０℃に温調させた後、１」２Ｓ並びにｔｌ
２ Ｓ ｅを夫々毎分０．１ρ及び０．０５１で３０分
通気し、Ｃ（１（３６，７５Ｓｅ６，２ｙ） ＄ ＜
０，７５ Ｓｂ ２Ｓ３）・（０，２５８ｂ２Ｓｏ３）
と推定される沈澱物を得た。これを洗浄、乾燥後、銅を
上記沈澱物に対して５ｘ １０−’ ｍｏβ／ｍｏＲど
なるようにＣｕＣｌ２水溶液を添加した。次いで得られ
た沈澱物を乾燥、粉砕じた後、石英ルツボに充填し、Ｎ
２雰囲気下５００℃で２時間焼成した。
焼成後、充分に洗浄、乾燥し、１５龍φ、厚さｔ＝’１
ｍｍにプレス成型した後、メタ、ルマスクを使用して金
蒸着を行ない、クシ型の電極を設【ノた後、分光特性を
測定した。測定は、ハロゲンを光源としてブレーズ波長
５００ｎｍのグレーティングを有するモノクロメータ（
格子刻線１２００木／龍）を使用して波長域５００ｎｍ
〜９００ｎｍまで測定した。波長による光エネルギーの
変動を防止するため、モノクロメータを通過した光を一
部フォトマルに受光させ、これを回転型連続ＮＤフィル
ターにフィードバックさせ、常、にフォトマルが受ける
光エネルギーが一定になるように、即ち試料に照射さＵ
る光エネルギーがなるべく一定になる様にした。第１図
は、前記によって得られた本発明の光導電材料の分光特
性測定結果を ＣｄＳ並びにＣｄＳｅの比較用の光＞ｇ電月利の分光特
性と其に示したものであり、８１は本発明の光導電材料
の分光特性曲線、ｂ並びにＯは夫々Ｃ，（ｌ Ｓ並びに
Ｃｄ ３ｅの分光特性曲線である。測定結果からも明ら
かなように本発明で得られた光導電材料は、８００ｎｍ
〜９００ｎｍにかりても光導電素子どして使用するに十
分な光感度を右（ることがＩｉ９認された。
ｍｍにプレス成型した後、メタ、ルマスクを使用して金
蒸着を行ない、クシ型の電極を設【ノた後、分光特性を
測定した。測定は、ハロゲンを光源としてブレーズ波長
５００ｎｍのグレーティングを有するモノクロメータ（
格子刻線１２００木／龍）を使用して波長域５００ｎｍ
〜９００ｎｍまで測定した。波長による光エネルギーの
変動を防止するため、モノクロメータを通過した光を一
部フォトマルに受光させ、これを回転型連続ＮＤフィル
ターにフィードバックさせ、常、にフォトマルが受ける
光エネルギーが一定になるように、即ち試料に照射さＵ
る光エネルギーがなるべく一定になる様にした。第１図
は、前記によって得られた本発明の光導電材料の分光特
性測定結果を ＣｄＳ並びにＣｄＳｅの比較用の光＞ｇ電月利の分光特
性と其に示したものであり、８１は本発明の光導電材料
の分光特性曲線、ｂ並びにＯは夫々Ｃ，（ｌ Ｓ並びに
Ｃｄ ３ｅの分光特性曲線である。測定結果からも明ら
かなように本発明で得られた光導電材料は、８００ｎｍ
〜９００ｎｍにかりても光導電素子どして使用するに十
分な光感度を右（ることがＩｉ９認された。
実施例２
ＳＩＩＣＩ：＋ ０．１モル及び酒石酸アンチモニ
ルカリウム ０．１モルとＣｄＳＯ４０，５モルを２Ｎ
の硫酸水溶液中に溶解して、該溶液を５０℃に温調させ
ながら、Ｈ２Ｓ並びにＨ２Ｓｅを夫々毎分０，７５ 、
ｅ及び０．７５℃を３０分通気し、Ｃｄ （ｓ、、ｓ
ｅ、、ｆ）” （０，５Ｓｂ ２ Ｓ ３ ）”（０
，５Ｓｂ ２ Ｓｅ ３ ）と推定される沈澱物を得た
。これを洗浄、乾燥後、銅を上記沈澱物に対して５Ｘ
１０−’ ｍｏρ／ｍｏβとなるようにＣｕ Ｃβ２水
溶液を添加した後、再度乾燥し、粉砕した後、石英ルツ
ボに充填し、Ｎ２雰囲気下５００℃で２時間焼成した。
ルカリウム ０．１モルとＣｄＳＯ４０，５モルを２Ｎ
の硫酸水溶液中に溶解して、該溶液を５０℃に温調させ
ながら、Ｈ２Ｓ並びにＨ２Ｓｅを夫々毎分０，７５ 、
ｅ及び０．７５℃を３０分通気し、Ｃｄ （ｓ、、ｓ
ｅ、、ｆ）” （０，５Ｓｂ ２ Ｓ ３ ）”（０
，５Ｓｂ ２ Ｓｅ ３ ）と推定される沈澱物を得た
。これを洗浄、乾燥後、銅を上記沈澱物に対して５Ｘ
１０−’ ｍｏρ／ｍｏβとなるようにＣｕ Ｃβ２水
溶液を添加した後、再度乾燥し、粉砕した後、石英ルツ
ボに充填し、Ｎ２雰囲気下５００℃で２時間焼成した。
以下、実施例１ど全く同様な方法で試料を作成し、その
分光特性を測定した。その結果を第２図のａ２に示した
。
分光特性を測定した。その結果を第２図のａ２に示した
。
図中、ｂ、ｃは第１図と同様にＣｄＳ、ＣｄＳｅの分光
特性曲線である。
特性曲線である。
このように本発明の光導電材料は、可視から近赤外域に
おいて大きな光導電性を有し、レーザーダイオードの用
いられているレーザープリンター、光通信等への適用が
可能である。
おいて大きな光導電性を有し、レーザーダイオードの用
いられているレーザープリンター、光通信等への適用が
可能である。
第１図並ひに第２図は本発明の光導電月別、並びにＣｄ
Ｓ 、Ｃｄ Ｓ ｅの比較用光導電材料の分光特性曲
線である。 特許出願人 株式会社 リコー 代理人 弁理士 小松秀岳
Ｓ 、Ｃｄ Ｓ ｅの比較用光導電材料の分光特性曲
線である。 特許出願人 株式会社 リコー 代理人 弁理士 小松秀岳
Claims (1)
- 塩化ノ７ンチＥン（Ｓｂ Ｃβ３）と、酒石酸アンチモ
ニルカリウムＫ ［Ｓｂ ’（Ｃ４Ｈ２０６）（０１４
２）］と、カドミウム塩との水溶液に）−１２８とＨ２
３ｅとのガスを通気して得ることを特徴とりる光導電材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16654782A JPS5957245A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 光導電材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16654782A JPS5957245A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 光導電材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957245A true JPS5957245A (ja) | 1984-04-02 |
Family
ID=15833289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16654782A Pending JPS5957245A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 光導電材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957245A (ja) |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP16654782A patent/JPS5957245A/ja active Pending
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