JPS58121653A - 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物とその製法 - Google Patents
半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物とその製法Info
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- JPS58121653A JPS58121653A JP57002311A JP231182A JPS58121653A JP S58121653 A JPS58121653 A JP S58121653A JP 57002311 A JP57002311 A JP 57002311A JP 231182 A JP231182 A JP 231182A JP S58121653 A JPS58121653 A JP S58121653A
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- epoxy
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- resin
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ゴム状微粒子を均一に分散させた半導体装置
封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
近年、半導体素子、抵抗体、コンデンサ、コイル等の電
子回路部品は、従来のハーメチックシール方式に比べ量
産性が高く、価格の安い樹脂封止方式によって生産され
ている。それらの樹脂封止に用いられている封止材（成
形材料）は、シリコーン系、エポキシ系の熱硬化性成形
材料が大半で、特に、エポキシ系成形材料が多い。
子回路部品は、従来のハーメチックシール方式に比べ量
産性が高く、価格の安い樹脂封止方式によって生産され
ている。それらの樹脂封止に用いられている封止材（成
形材料）は、シリコーン系、エポキシ系の熱硬化性成形
材料が大半で、特に、エポキシ系成形材料が多い。
これらエポキシ系成形材料で封止された半導体装置（Ｔ
ＢＳ、■（：！、ＬＳＩ等）は、従来のハーメチックシ
ール品（ガラス、金属、セラミックなどで封止され九半
導体製品）に比べ、信頼性（耐クラツク性、耐湿性、高
温動作等）に若干劣る欠点がめる。
ＢＳ、■（：！、ＬＳＩ等）は、従来のハーメチックシ
ール品（ガラス、金属、セラミックなどで封止され九半
導体製品）に比べ、信頼性（耐クラツク性、耐湿性、高
温動作等）に若干劣る欠点がめる。
ところで、最近の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子
自体が従来に比べ高密度化、大型化される傾向にめり、
ま九、成形品のパッケージ構造も小型化、薄型化される
傾向にある。更に、高信頼性（耐クラツク性、耐湿性、
高温動作性等がセラミック封止品と同等でろること）が
要求されている。このような、高密度化、大型化された
半導体素子を、従来のエポキシ系成形材料で小型、薄型
のパッケージ構造に成形した場合、あるものは、成形後
に素子がクランクし友り、成形樹脂がクラックし几りす
る。ま几、するものは成形後の信頼性試験（耐熱衝撃試
験、耐湿試験、高温動作試験等）において素子がクラッ
クしｔす、樹脂がクラックしたりする。更に、耐湿性が
悪く、高温動作性にも問題が生じている。また、上記の
半導体素子をシリコーン系成形材料で成形しても、エポ
キシ系成形材料と同様な問題が生じている。
自体が従来に比べ高密度化、大型化される傾向にめり、
ま九、成形品のパッケージ構造も小型化、薄型化される
傾向にある。更に、高信頼性（耐クラツク性、耐湿性、
高温動作性等がセラミック封止品と同等でろること）が
要求されている。このような、高密度化、大型化された
半導体素子を、従来のエポキシ系成形材料で小型、薄型
のパッケージ構造に成形した場合、あるものは、成形後
に素子がクランクし友り、成形樹脂がクラックし几りす
る。ま几、するものは成形後の信頼性試験（耐熱衝撃試
験、耐湿試験、高温動作試験等）において素子がクラッ
クしｔす、樹脂がクラックしたりする。更に、耐湿性が
悪く、高温動作性にも問題が生じている。また、上記の
半導体素子をシリコーン系成形材料で成形しても、エポ
キシ系成形材料と同様な問題が生じている。
本発明者らは、これらの諸問題を解決するために、まず
素子及び成形樹脂が成形時及び耐熱衝撃試験時にクラッ
クするということは、成形樹脂の成形時及び耐熱衝撃試
験時に発生する応力が大きいことによると推定した。そ
して、それを改良するには、応力の発生の主要因子であ
る樹脂の熱膨張率及び弾性率を小さくすればよいと考え
た。まず樹脂の熱膨張率を小さくするには、樹脂の中の
無機充てん剤の配合量を増す方法がある。しかしながら
、従来、樹脂の無機充てん剤配合量（約６５〜７０重量
係）をより増加させると、成形樹脂の流動性が悪くなり
、実際にＩＣ，ＬＳＩ等に成形した場合、半導体素子と
リード線とを結んでいるコネクタワイヤー（大体２５〜
３５μの金線）が大きく曲ったり、切断したりする問題
が起り、実用上好ましくない。
素子及び成形樹脂が成形時及び耐熱衝撃試験時にクラッ
クするということは、成形樹脂の成形時及び耐熱衝撃試
験時に発生する応力が大きいことによると推定した。そ
して、それを改良するには、応力の発生の主要因子であ
る樹脂の熱膨張率及び弾性率を小さくすればよいと考え
た。まず樹脂の熱膨張率を小さくするには、樹脂の中の
無機充てん剤の配合量を増す方法がある。しかしながら
、従来、樹脂の無機充てん剤配合量（約６５〜７０重量
係）をより増加させると、成形樹脂の流動性が悪くなり
、実際にＩＣ，ＬＳＩ等に成形した場合、半導体素子と
リード線とを結んでいるコネクタワイヤー（大体２５〜
３５μの金線）が大きく曲ったり、切断したりする問題
が起り、実用上好ましくない。
そこで、本発明者らは、樹脂の弾性率を小さくする方法
について検討を行つ九。樹脂の弾性率を低減する方法に
は、従来から可とり化剤を使用すれば可能とされている
。しかしながら、通常用いられている長鎖状のエポキシ
樹脂、酸無水物硬化剤などのエポキシ樹脂と相溶するタ
イプの可とう化剤を用い九場合、樹脂の弾性率は若干小
さくなるが、硬化物のガラス転移点が大きく低下するた
め、実用上好ましくない。そこで、本発明者らは、樹脂
の弾性率の低減効果が大きく、且つ、硬化物のガラス転
移点を低下させない可とう化剤の探索を行い、ポリブタ
ジェン及びポリイソプレン化合物又はそれらの誘導体が
有効であることを見出した。これらポリブタジェン及び
ポリイソプレン化合物又はそれらの誘導体は、それら自
体がゴム性質を持ち、しかもエポキシ樹脂と併用した場
合、前記可とう化剤とは異なりエポキシ樹脂とは相溶せ
ず、エポキシ樹脂中にゴム状微粒子状に均一に分散する
。そのために、樹脂の弾性率の低減効果が犬きく、シか
もガラス転移点の低下がないものと考えられる。
について検討を行つ九。樹脂の弾性率を低減する方法に
は、従来から可とり化剤を使用すれば可能とされている
。しかしながら、通常用いられている長鎖状のエポキシ
樹脂、酸無水物硬化剤などのエポキシ樹脂と相溶するタ
イプの可とう化剤を用い九場合、樹脂の弾性率は若干小
さくなるが、硬化物のガラス転移点が大きく低下するた
め、実用上好ましくない。そこで、本発明者らは、樹脂
の弾性率の低減効果が大きく、且つ、硬化物のガラス転
移点を低下させない可とう化剤の探索を行い、ポリブタ
ジェン及びポリイソプレン化合物又はそれらの誘導体が
有効であることを見出した。これらポリブタジェン及び
ポリイソプレン化合物又はそれらの誘導体は、それら自
体がゴム性質を持ち、しかもエポキシ樹脂と併用した場
合、前記可とう化剤とは異なりエポキシ樹脂とは相溶せ
ず、エポキシ樹脂中にゴム状微粒子状に均一に分散する
。そのために、樹脂の弾性率の低減効果が犬きく、シか
もガラス転移点の低下がないものと考えられる。
このように、エポキシ樹脂に相溶しない可とう化剤、い
わゆるポリブタジェン及びポリイソプレン化合物又はそ
れらの誘導体をエポキシ樹脂中にゴム状微粒子状に均一
に分散させて作成したエポキシ系成形材料は、半導体素
子（工Ｃ。
わゆるポリブタジェン及びポリイソプレン化合物又はそ
れらの誘導体をエポキシ樹脂中にゴム状微粒子状に均一
に分散させて作成したエポキシ系成形材料は、半導体素
子（工Ｃ。
ＬＳＩ、ＴＲ８）をトランスファ成形した場合、成形時
の素子及び成形樹脂のクラックは防止できる。また、こ
れら成形品は耐熱衝撃試験、耐湿試験及び高温動作試験
などの信頼性試験を行っても良好な結果を収めた。これ
らの理由は、詳しいことは明らかでないが、ゴム状微粒
子が成形時及び耐熱衝撃試験時に発生する樹脂の内部応
力を緩和、又は吸収することによると考えられている。
の素子及び成形樹脂のクラックは防止できる。また、こ
れら成形品は耐熱衝撃試験、耐湿試験及び高温動作試験
などの信頼性試験を行っても良好な結果を収めた。これ
らの理由は、詳しいことは明らかでないが、ゴム状微粒
子が成形時及び耐熱衝撃試験時に発生する樹脂の内部応
力を緩和、又は吸収することによると考えられている。
しかしながら、これらゴム状微粒子を均一に分散させた
エポキシ系成形材料でトランスファ成形し几成形品（工
Ｃ，ＬＳＩ等）は外観に若干曇り現象が見られ、この点
を改良する必要がある。
エポキシ系成形材料でトランスファ成形し几成形品（工
Ｃ，ＬＳＩ等）は外観に若干曇り現象が見られ、この点
を改良する必要がある。
そこで、本発明者らは、ゴム状微粒子を配合したエポキ
シ樹脂組成物の特長を失わないで、成形品の外観を向上
させる検討を行つ几。
シ樹脂組成物の特長を失わないで、成形品の外観を向上
させる検討を行つ几。
本発明の目的とするところは、エポキシ系成形材料中に
ゴム状微粒子を均一に分散させて、成形樹脂の弾性率を
低減し、半導体素子を成形し九時に発生する内部応力を
小さくし、半導体素子及び成形品のクラック発生を防ぎ
、しかも、成形品の外観が良好で、且つ耐湿性、高温動
作特性等の良好な樹脂封止半導体装置を提供することに
るる。
ゴム状微粒子を均一に分散させて、成形樹脂の弾性率を
低減し、半導体素子を成形し九時に発生する内部応力を
小さくし、半導体素子及び成形品のクラック発生を防ぎ
、しかも、成形品の外観が良好で、且つ耐湿性、高温動
作特性等の良好な樹脂封止半導体装置を提供することに
るる。
すなわち、本発明を概説すれば、本発明は、高分子量の
合成ゴム微粒子をエポキシ樹脂中に分散固定化した生成
物を含有することを特徴とする半導体装置封止用エポキ
シ樹脂組成物に関する。
合成ゴム微粒子をエポキシ樹脂中に分散固定化した生成
物を含有することを特徴とする半導体装置封止用エポキ
シ樹脂組成物に関する。
本発明の特徴とするところは、高分子量の合成ゴム微粒
子成分を均一にエポキシ樹脂中に分散、固定化したとこ
ろにあり、該ゴム微粒子の好適なものがポリブタジェン
若しくはポリイソプレン化合物又はそれらの誘導体であ
ること、また、該ゴム微粒子の好適なものが１分子中に
少なくとも１個以上の水酸基、カルボキシル基、アミン
基、チオール基、インシアネート基、エポキシ基を有す
るポリブタジェン若しくはポリインプレン化合物又はそ
れらの□誘導体にあること、更に低分子量合成ゴムをエ
ポキシ樹脂中に均一に分散すると同時に化学反応させて
高分子量化Ｌ１固定化させる工程と、該生成物と、エポ
キシ樹脂、硬化剤、充てん剤とを混練する工程を包含す
るエポキシ樹脂組成物の製造方法にある。
子成分を均一にエポキシ樹脂中に分散、固定化したとこ
ろにあり、該ゴム微粒子の好適なものがポリブタジェン
若しくはポリイソプレン化合物又はそれらの誘導体であ
ること、また、該ゴム微粒子の好適なものが１分子中に
少なくとも１個以上の水酸基、カルボキシル基、アミン
基、チオール基、インシアネート基、エポキシ基を有す
るポリブタジェン若しくはポリインプレン化合物又はそ
れらの□誘導体にあること、更に低分子量合成ゴムをエ
ポキシ樹脂中に均一に分散すると同時に化学反応させて
高分子量化Ｌ１固定化させる工程と、該生成物と、エポ
キシ樹脂、硬化剤、充てん剤とを混練する工程を包含す
るエポキシ樹脂組成物の製造方法にある。
本発明で述べている高分子量の合成ゴム微粒子をエポキ
シ樹脂中に均一に分散し、固定化する方法には種種な方
法がある。例えば、エポキシ樹脂とゴム状分子の成分の
一例である低分子量のポリブタジェン若しくはポリイソ
プレン化合轟それらの誘導体をそれぞれ、所定量例え△ ば５００−の丸底フラスコに秤量し、温度＋ＳＯ°Ｃで
数時間、かくはん反応（一種の懸濁重合）させる。そし
て、エポキシ樹脂のエポキシ基及びポリブタジェン若し
くはポリイソプレン化合物又はそれらの誘導体の末端官
能基の赤外線吸収スペクトルを調べながら、それらの吸
収スペクトルが消失するまで、又は変化しなくなるまで
反応させる。そして、変化がなくなった時が反応の終点
である。この反応過程を行うことに工りエポキシ樹脂中
に高分子量の合成ゴム微粒子成分が均一に分散固定化さ
れるのでおる。他方、高分子量の合成ゴム微粒子を使用
する場合には、それらをエポキシ樹脂中に単に分散させ
れ・ば固定化される。そして、その後これら生成物をエ
ポキシ樹脂、硬化剤、充てん剤と混練する。
シ樹脂中に均一に分散し、固定化する方法には種種な方
法がある。例えば、エポキシ樹脂とゴム状分子の成分の
一例である低分子量のポリブタジェン若しくはポリイソ
プレン化合轟それらの誘導体をそれぞれ、所定量例え△ ば５００−の丸底フラスコに秤量し、温度＋ＳＯ°Ｃで
数時間、かくはん反応（一種の懸濁重合）させる。そし
て、エポキシ樹脂のエポキシ基及びポリブタジェン若し
くはポリイソプレン化合物又はそれらの誘導体の末端官
能基の赤外線吸収スペクトルを調べながら、それらの吸
収スペクトルが消失するまで、又は変化しなくなるまで
反応させる。そして、変化がなくなった時が反応の終点
である。この反応過程を行うことに工りエポキシ樹脂中
に高分子量の合成ゴム微粒子成分が均一に分散固定化さ
れるのでおる。他方、高分子量の合成ゴム微粒子を使用
する場合には、それらをエポキシ樹脂中に単に分散させ
れ・ば固定化される。そして、その後これら生成物をエ
ポキシ樹脂、硬化剤、充てん剤と混練する。
本発明では、上記具体的に述べた合成ゴムに限らず、各
種の高分子量合成ゴムが使用可能でありその分子量は、
単に分散させる場合は約数百方以上でらればよい。それ
故、天然ゴムは低分子量であるし、反応による固定化も
困難なので本発明では使用できない。
種の高分子量合成ゴムが使用可能でありその分子量は、
単に分散させる場合は約数百方以上でらればよい。それ
故、天然ゴムは低分子量であるし、反応による固定化も
困難なので本発明では使用できない。
本発明において固定化とは、エポキシ樹脂の中から高分
子量合成ゴム微粒子を浸出させないための処理をいう。
子量合成ゴム微粒子を浸出させないための処理をいう。
本発明の対象となるエポキシ樹脂は、特に限定されたも
のではなく、公知のエポキシ化合物が広く使用できる。
のではなく、公知のエポキシ化合物が広く使用できる。
例えば、ビスフェノールＡいとスフエノールＦ、レゾル
シノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラッ
クなどのフェノール類のグリシジルエーテル、ブタンジ
オール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリ
コールなどのアルコール類のグリシジルエーテル、フタ
ル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸などのカル
ボン酸類のグリシジルエステル、アニリン、イン７アヌ
ール酸などの窒素原子に結合した活性水素をグリシジル
基で置換したものなどのグリシジル型（メチルグリシジ
ル型も含む）エポキシ樹脂、分子内のオレフィン結合を
過酸等でエポキシ化して得られるビニルシクロヘキセン
ジエポキシド、３．４−エポキシシクロヘキシルメチル
−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、
２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−ス
ビロ（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキ
サンなどのいわゆる脂猿型エポキソドなどが用いられる
。また、硬化剤としては公知のエポキシ樹脂用硬化剤を
用いることができる。幾つか例示すると、例えば、無水
マレイン酸、無水フタル酸、無水テトラヒドロフタル酸
、無水ヘキサヒドロンタル酸、無水エンドメチレンテト
ラヒドロフタル酸、無水メチルエンドメチレンテトラヒ
ドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸、テト
ラクロル無水フタル酸、無水エンドジクロロメチレンテ
トラクロルフタル酸、テトラブロム無水フタル酸、無水
トリメリット酸、シクロペンタンテトラカルボン酸二無
水物、ベンゾフェノンテトラカルポン酸二無水物、ピロ
メリット酸二無水物などのいわゆる酸無水物硬化剤、ジ
アミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル
、ジアミノジフェニルスルホン、ベンジジン、ジアニシ
ジン、フェニレンジアミン、メチレンビス（０−クロロ
アニリン）、３．３’−ジカルボキシルベンジジン、３
．３’−ジカルボキシルジアミノジフェニルメタンなど
の芳香族アミン、フェノールノボラック、クレゾールノ
ボラックや、フェノール、クレゾール等とパラキシリレ
ンジメトキサイドとの結合物、フェノール、クレゾール
等とジフェニルエーテル、ホルムアルデヒ）” ト（Ｄ
Ａ１１ｔ 合物などの多価フェノール性水酸基を有す
るいわゆるフェノール系硬化剤などがるる。さらに、エ
ポキシ樹脂と反応してオキサゾリドン環を生成して硬化
するとともに、それ自身が３量化してポリマー化するイ
ンシアネート類、例えばトリレンジイソシアネート、ジ
フェニルメタンジイソシアネート、水素化ジフェニルメ
タンジイソシアネート、ヘキサン−１，６−ジイソシア
ネート、ナフタリンジイソシアネート、ポリメチレンポ
リフェニレンポリイソシアネート、および上記イソシア
ネートの２量化ないし３量化［７たものなどがある。ま
た、ジアミノジフェニルメタン、ポリメチレンポリフェ
ニレンポリアミンなどのアミンと無水マレイン酸から合
成されるマレイミド類も、それ自身重合することは勿論
、分子中に残存するアミド酸にエポキシ樹脂が反応して
硬化するものでらり、エポキシ樹脂の硬化剤として用い
ることができる。ま之、上記マレイミド類とポリアミン
の付加物も、エポキシ樹脂の硬化剤として用いることが
できる。
シノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラッ
クなどのフェノール類のグリシジルエーテル、ブタンジ
オール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリ
コールなどのアルコール類のグリシジルエーテル、フタ
ル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸などのカル
ボン酸類のグリシジルエステル、アニリン、イン７アヌ
ール酸などの窒素原子に結合した活性水素をグリシジル
基で置換したものなどのグリシジル型（メチルグリシジ
ル型も含む）エポキシ樹脂、分子内のオレフィン結合を
過酸等でエポキシ化して得られるビニルシクロヘキセン
ジエポキシド、３．４−エポキシシクロヘキシルメチル
−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、
２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−ス
ビロ（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキ
サンなどのいわゆる脂猿型エポキソドなどが用いられる
。また、硬化剤としては公知のエポキシ樹脂用硬化剤を
用いることができる。幾つか例示すると、例えば、無水
マレイン酸、無水フタル酸、無水テトラヒドロフタル酸
、無水ヘキサヒドロンタル酸、無水エンドメチレンテト
ラヒドロフタル酸、無水メチルエンドメチレンテトラヒ
ドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸、テト
ラクロル無水フタル酸、無水エンドジクロロメチレンテ
トラクロルフタル酸、テトラブロム無水フタル酸、無水
トリメリット酸、シクロペンタンテトラカルボン酸二無
水物、ベンゾフェノンテトラカルポン酸二無水物、ピロ
メリット酸二無水物などのいわゆる酸無水物硬化剤、ジ
アミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル
、ジアミノジフェニルスルホン、ベンジジン、ジアニシ
ジン、フェニレンジアミン、メチレンビス（０−クロロ
アニリン）、３．３’−ジカルボキシルベンジジン、３
．３’−ジカルボキシルジアミノジフェニルメタンなど
の芳香族アミン、フェノールノボラック、クレゾールノ
ボラックや、フェノール、クレゾール等とパラキシリレ
ンジメトキサイドとの結合物、フェノール、クレゾール
等とジフェニルエーテル、ホルムアルデヒ）” ト（Ｄ
Ａ１１ｔ 合物などの多価フェノール性水酸基を有す
るいわゆるフェノール系硬化剤などがるる。さらに、エ
ポキシ樹脂と反応してオキサゾリドン環を生成して硬化
するとともに、それ自身が３量化してポリマー化するイ
ンシアネート類、例えばトリレンジイソシアネート、ジ
フェニルメタンジイソシアネート、水素化ジフェニルメ
タンジイソシアネート、ヘキサン−１，６−ジイソシア
ネート、ナフタリンジイソシアネート、ポリメチレンポ
リフェニレンポリイソシアネート、および上記イソシア
ネートの２量化ないし３量化［７たものなどがある。ま
た、ジアミノジフェニルメタン、ポリメチレンポリフェ
ニレンポリアミンなどのアミンと無水マレイン酸から合
成されるマレイミド類も、それ自身重合することは勿論
、分子中に残存するアミド酸にエポキシ樹脂が反応して
硬化するものでらり、エポキシ樹脂の硬化剤として用い
ることができる。ま之、上記マレイミド類とポリアミン
の付加物も、エポキシ樹脂の硬化剤として用いることが
できる。
硬化促進剤としては、エポキシ樹脂用として有用な公知
のものはすべて使用できる。特に、潜在性の優れたもの
としてテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート、
テトラ置換アルソニウム・テトラ置換ボレート、テトラ
置換アンモニウム・テトラ置換ボレート、各種イミダゾ
ール化合物のボレート化合物及びジメチルアミンエタノ
ールと酸無水物との反応生成物を使用するのが好ましい
。その他に各種イミダゾール化合物とその誘導体なども
有効である。また、これらの硬化促進剤を２種以上併用
してもかまわない。また、本発明のエポキシ樹脂組成物
には、トランジスタ、ＩＯ，ＬＳＩ等の半導体装置をト
ランスファ成形する九めに無機充てん剤を配合すること
が好ましい。無機充てん剤としては、例えば炭酸カルシ
ウム、シリカ粉、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸力ルシワ
ム、石英カラス粉、タルク、クレー、マイカ、ガラス繊
維粉などが有用でるり、これらは、必要に応じて２種以
上併用してもかまわない。また、その他の充てん剤とし
て、離型剤、着色剤、表面カップリング剤、難燃助剤な
どを配合してもよい。
のものはすべて使用できる。特に、潜在性の優れたもの
としてテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート、
テトラ置換アルソニウム・テトラ置換ボレート、テトラ
置換アンモニウム・テトラ置換ボレート、各種イミダゾ
ール化合物のボレート化合物及びジメチルアミンエタノ
ールと酸無水物との反応生成物を使用するのが好ましい
。その他に各種イミダゾール化合物とその誘導体なども
有効である。また、これらの硬化促進剤を２種以上併用
してもかまわない。また、本発明のエポキシ樹脂組成物
には、トランジスタ、ＩＯ，ＬＳＩ等の半導体装置をト
ランスファ成形する九めに無機充てん剤を配合すること
が好ましい。無機充てん剤としては、例えば炭酸カルシ
ウム、シリカ粉、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸力ルシワ
ム、石英カラス粉、タルク、クレー、マイカ、ガラス繊
維粉などが有用でるり、これらは、必要に応じて２種以
上併用してもかまわない。また、その他の充てん剤とし
て、離型剤、着色剤、表面カップリング剤、難燃助剤な
どを配合してもよい。
本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料に調製するに当
っては、固状の成分材料をそれぞれ粉砕し、次いで所望
の割合で十分に混合する。
っては、固状の成分材料をそれぞれ粉砕し、次いで所望
の割合で十分に混合する。
混合には、ミキシングロール機、ニーダ、リボンミキサ
ー、ボールミルなど慣用の混合機械を使用できる。得ら
れた混合物は、そのままトランスファ成形に適用できる
。
ー、ボールミルなど慣用の混合機械を使用できる。得ら
れた混合物は、そのままトランスファ成形に適用できる
。
以下、本発明及びその効果を実施例により具体的に説明
するが、本発明はこれに限定されないＯ 実施例１〜１０ 下記第１表に示す２種類のエポキシ樹脂とその末端官能
基の異なる５種類のゴム状微粒子成分とをそれぞれ第１
表に示す割合量で、５００ゴの丸底フラスコに入れ、１
８０°Ｃ，２時間かくはん下で化学反応させ、ゴム状微
粒子をエポキシ樹脂中に均一に分散固定化し、１０種類
の反応生成物を造った。
するが、本発明はこれに限定されないＯ 実施例１〜１０ 下記第１表に示す２種類のエポキシ樹脂とその末端官能
基の異なる５種類のゴム状微粒子成分とをそれぞれ第１
表に示す割合量で、５００ゴの丸底フラスコに入れ、１
８０°Ｃ，２時間かくはん下で化学反応させ、ゴム状微
粒子をエポキシ樹脂中に均一に分散固定化し、１０種類
の反応生成物を造った。
次いで、その反応生成物を下記第２表（組成表）に示す
組成に配合し、８インチのミキシングロール機で、６０
〜８０℃、１０分間混練し、目的のエポキシ樹脂組成物
を得た。
組成に配合し、８インチのミキシングロール機で、６０
〜８０℃、１０分間混練し、目的のエポキシ樹脂組成物
を得た。
第 ２ 表 （組成表）
ｂ）第１表の反応生成物 ４０重量部（１）
２−ヘプタデシルイミダゾール ２重量部ｅ）ス
テアリン酸 ２重量部ｆ）カーボン
１重量部次に、これら組成物で、
ＭＯＳ、ＬＳＩを１８０”Ｃ％ ５０ ｋｇ／ｃｍ２
．２０分でトランスファ成形し成形品の外観を調べ友。
２−ヘプタデシルイミダゾール ２重量部ｅ）ス
テアリン酸 ２重量部ｆ）カーボン
１重量部次に、これら組成物で、
ＭＯＳ、ＬＳＩを１８０”Ｃ％ ５０ ｋｇ／ｃｍ２
．２０分でトランスファ成形し成形品の外観を調べ友。
ま几、同時に、それら成形品の樹脂クラック及び素子ク
ラックなどを測定した。更に、成形品を１８０°Ｃ，５
時間硬化した後、それらの成形品について、信頼性試験
を行った。それらの結果を従来例と共にまとめて後記第
５表に示す。
ラックなどを測定した。更に、成形品を１８０°Ｃ，５
時間硬化した後、それらの成形品について、信頼性試験
を行った。それらの結果を従来例と共にまとめて後記第
５表に示す。
比較例１〜５
下記第３表に示−丁ゴム状微粒子成分を前記第２表に示
した組成分のうちの（ｂ）成分の代シに２０重量部配合
し、実施例と同様な方法でロール混練し、エポキシ樹脂
組成物を得た。
した組成分のうちの（ｂ）成分の代シに２０重量部配合
し、実施例と同様な方法でロール混練し、エポキシ樹脂
組成物を得た。
第 ３ 表
そして、得られた組成物で前記実施例と同様にＭＯＳ
ＬＳＩをトランスファ成形し、成形品の外観及び素子と
成形樹脂のクラックなどを調べ友。その結果、素子、成
形樹脂にはクラックは見られないが、成形品の外観が曇
っており、製品価値がない。
ＬＳＩをトランスファ成形し、成形品の外観及び素子と
成形樹脂のクラックなどを調べ友。その結果、素子、成
形樹脂にはクラックは見られないが、成形品の外観が曇
っており、製品価値がない。
従来例１〜２
下記第４表に示す可とう化剤を前記第２表に示した組成
分のうちの（ｂ）成分の代りに２０重量部配合し、実施
例と同様な方法でロール混練し、エポキシ樹脂組成物を
得た。
分のうちの（ｂ）成分の代りに２０重量部配合し、実施
例と同様な方法でロール混練し、エポキシ樹脂組成物を
得た。
第４表
そして、得られた組成物で実施例と同様にＭＯＳ ＬＳ
Ｉをトランスファ成形し、成形品の外観及び素子と成形
樹脂のクラックなどを調べ之。
Ｉをトランスファ成形し、成形品の外観及び素子と成形
樹脂のクラックなどを調べ之。
ま几、実施例と同様な信頼性試験を行った。それらの結
果を第５表に示す。
果を第５表に示す。
以上の各側の記載から明らかなように、本発明によれば
、成形品の外観が良好で、耐クラツク性、耐湿性及び高
温動作特性の優れた半導体装置を造るための封止用エポ
キシ樹脂組成物が提供される。
、成形品の外観が良好で、耐クラツク性、耐湿性及び高
温動作特性の優れた半導体装置を造るための封止用エポ
キシ樹脂組成物が提供される。
第１頁の続き
０発 明 者 亀沢範正
日立市幸町３丁目１番１号株式
％式％
小平市上水本町１４５０番地株式会
社日立製作所武蔵工場内
０発 明 者 浦野孝志
下館市太字小川１５００番地日立化
成工業株式会社下館研究所内
０出 願 人 日立化成工業株式会社
東京都新宿区西新宿２丁目１番
１号
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 高分子量の合成ゴム微粒子をエポキシ樹脂中に分
散、固定化した生成物を含有することを特徴とする半導
体装置封止用エポキシ樹脂組成物。 ２、 該高分子量の合成ゴムがポリブタジェン若しくは
ポリインプレン化合物又はそれらの誘導体でるる特許請
求の範囲第１項に記載の半導体装置封止用エポキシ樹脂
組成物。 ６、 液状又は固体状の低分子量の合成ゴムをエポキシ
樹脂中に分散すると同時に化学反応させ高分子量の合成
ゴム微粒子を分散固定化させる工程と、該生成物と、エ
ポキシ樹脂、硬化剤及び充てん剤とを混練する工程とを
包含することを特徴とする半導体装置封止用エポキシ樹
脂組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57002311A JPS58121653A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物とその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57002311A JPS58121653A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物とその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58121653A true JPS58121653A (ja) | 1983-07-20 |
Family
ID=11525801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57002311A Pending JPS58121653A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物とその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58121653A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176958A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6067558A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6126671A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用成形材料及びその製造方法 |
| JPS61159752A (ja) * | 1985-01-07 | 1986-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体樹脂パツケ−ジ |
| JPS61221223A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-01 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS61285243A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子部品用成形材料 |
| JPS61285244A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子部品用成形材料 |
| JPS62197416A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-09-01 | Asahi Chem Ind Co Ltd | エポキシ変性ゴム粒子を含有するエポキシ樹脂組成物 |
| JPS62246920A (ja) * | 1986-04-21 | 1987-10-28 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6330519A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-09 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 熱硬化性樹脂組成物 |
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| JPS63225617A (ja) * | 1987-03-14 | 1988-09-20 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物の製造方法 |
| JPS63225618A (ja) * | 1987-03-14 | 1988-09-20 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物およびその製造方法 |
| JP2019085514A (ja) * | 2017-11-08 | 2019-06-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体装置 |
-
1982
- 1982-01-12 JP JP57002311A patent/JPS58121653A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6258665B2 (ja) * | 1982-04-09 | 1987-12-07 | Nitto Electric Ind Co | |
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| JPS6325608B2 (ja) * | 1985-03-27 | 1988-05-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS61221223A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-01 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS61285244A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子部品用成形材料 |
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| JPH0528242B2 (ja) * | 1985-06-13 | 1993-04-23 | Matsushita Denko Kk | |
| JPS62197416A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-09-01 | Asahi Chem Ind Co Ltd | エポキシ変性ゴム粒子を含有するエポキシ樹脂組成物 |
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| JPH0518323B2 (ja) * | 1986-10-20 | 1993-03-11 | Sunstar Engineering Inc | |
| JPS63225617A (ja) * | 1987-03-14 | 1988-09-20 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物の製造方法 |
| JPS63225618A (ja) * | 1987-03-14 | 1988-09-20 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物およびその製造方法 |
| JP2019085514A (ja) * | 2017-11-08 | 2019-06-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体装置 |
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