JPS581046A - 電解コンデンサ用アルミニウム合金箔およびその製造法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム合金箔およびその製造法Info
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- JPS581046A JPS581046A JP8493581A JP8493581A JPS581046A JP S581046 A JPS581046 A JP S581046A JP 8493581 A JP8493581 A JP 8493581A JP 8493581 A JP8493581 A JP 8493581A JP S581046 A JPS581046 A JP S581046A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ニウム合金箔およびその製造法に関する。
電解コンデンサの静電容量は電極板の誘電体皮膜特性が
同等ならば、表面積が大きいほど高い容量を得ることが
できる。そこで電極板の表面積を拡大するため、電解エ
ノチングを行なうが、同一通電量でより多くの溶解が起
きて表面積を拡大きせることか、静電容量向上のひとつ
の必要条件となる。さらに、この溶解が表面積を拡大す
るように微細な立体構造を構成するように生ずることが
重要である。
同等ならば、表面積が大きいほど高い容量を得ることが
できる。そこで電極板の表面積を拡大するため、電解エ
ノチングを行なうが、同一通電量でより多くの溶解が起
きて表面積を拡大きせることか、静電容量向上のひとつ
の必要条件となる。さらに、この溶解が表面積を拡大す
るように微細な立体構造を構成するように生ずることが
重要である。
アルミニウムに対する添加成分が増せば、一般に溶解量
が増すが、立体構造を有効に得るには、添加元素および
その分布状態等を適正にコントロールする必要がある。
が増すが、立体構造を有効に得るには、添加元素および
その分布状態等を適正にコントロールする必要がある。
添加元素はまた誘電体皮膜の特性をも考慮して添加され
なければならない。なお、上記立体構造とは、海綿状エ
ツチング構造のことで、表面だけを粗にするのではなく
、エッチビットを内部に向けて立体的に発生させた構造
のことである。
なければならない。なお、上記立体構造とは、海綿状エ
ツチング構造のことで、表面だけを粗にするのではなく
、エッチビットを内部に向けて立体的に発生させた構造
のことである。
本発明における第１発明は、かかる電解コンデンサに用
いるに適したアルミニウム合金箔に係るものである。
いるに適したアルミニウム合金箔に係るものである。
すなわち、Ｇａ ２ ０〜１ ５ ０ ｐｐｍと８１，
ＣｕあるいはＭｇのうち１種以上を２０〜１ ５ ０
ｐｐｍ含み、他の不可避的な不純物成分の総和が２００
ｐｐｍ以下、残部Ａｌからなる電解コンデンサ用アルミ
ニウム合金箔をその要旨とするものである。
ＣｕあるいはＭｇのうち１種以上を２０〜１ ５ ０
ｐｐｍ含み、他の不可避的な不純物成分の総和が２００
ｐｐｍ以下、残部Ａｌからなる電解コンデンサ用アルミ
ニウム合金箔をその要旨とするものである。
アルミニウム中に添加されるＧａはアルミニウム箔を電
解エツチングするに際し、分解における分極電位を著し
く低下させることによって、電気的溶解を容易ならしめ
る。すなわち２０〜１ ５ ０ ｐｐｍのＧａを含む箔
は同一．通電量によって大きな溶解量を得る。１ ５
０ ｐｐｍをこえるＧａはこの溶解反応が促進されすぎ
て、立体構造をもった粗面を得ることがむずかしくなる
ので不適当である。又、２０ｐｐｍ未満のＧａは電気的
溶解効果が少ない。
解エツチングするに際し、分解における分極電位を著し
く低下させることによって、電気的溶解を容易ならしめ
る。すなわち２０〜１ ５ ０ ｐｐｍのＧａを含む箔
は同一．通電量によって大きな溶解量を得る。１ ５
０ ｐｐｍをこえるＧａはこの溶解反応が促進されすぎ
て、立体構造をもった粗面を得ることがむずかしくなる
ので不適当である。又、２０ｐｐｍ未満のＧａは電気的
溶解効果が少ない。
Ｓｉ， Ｃｕ， Ｍｇはいずれもアルミマトリックス中
に固溶し、箔の強度を高める。Ｇａによって溶解量の増
した箔は、エソチング後強度が低くなり、コンデンサ製
作に際して破断を起すことがあるが、この成分添加によ
って、その強度低下を補う。１ ５ ０ ｐｐｍをこえ
る多量の添加はＧａの効果を減する恐れがあり、また、
誘電体皮膜の特性を劣化させるので好ましくない。又、
２０ｐｐｍ未満では強度低下を補う目的を達成できない
。
に固溶し、箔の強度を高める。Ｇａによって溶解量の増
した箔は、エソチング後強度が低くなり、コンデンサ製
作に際して破断を起すことがあるが、この成分添加によ
って、その強度低下を補う。１ ５ ０ ｐｐｍをこえ
る多量の添加はＧａの効果を減する恐れがあり、また、
誘電体皮膜の特性を劣化させるので好ましくない。又、
２０ｐｐｍ未満では強度低下を補う目的を達成できない
。
不可避な不純物は、各々の成分ｉそれぞれ５ ０ ｐｐ
ｍをこえてはならない。なぜならＧａ等添加成分の固溶
゛を妨げ、その効果を損うほか、固溶しない不純物は誘
電体皮嘗中に欠陥をもたらし、電解コンデンサの漏えい
電流を増し、耐電圧特性を低下させることがあるからで
ある。不純物の総和が２ ０ ０ ｐｐｍを越えると、
個々の不純物と同様の悪影響を及ぼし、前記Ｇａの効果
を損う。
ｍをこえてはならない。なぜならＧａ等添加成分の固溶
゛を妨げ、その効果を損うほか、固溶しない不純物は誘
電体皮嘗中に欠陥をもたらし、電解コンデンサの漏えい
電流を増し、耐電圧特性を低下させることがあるからで
ある。不純物の総和が２ ０ ０ ｐｐｍを越えると、
個々の不純物と同様の悪影響を及ぼし、前記Ｇａの効果
を損う。
第２発明は、第１発明における組成の合金を高温状態か
ら急冷させて添加成分を固溶させたのち、冷延すること
を特徴とする電解コンデンサ・用アルミニウム合金箔の
製造法であるが、箔の製造過程において高温度から急冷
することにより、Ｇａ， Ｓ ｉ， Ｃｕ， Ｍｇ等の
添加成分を固溶させるためである。この処理によって溶
入化されたＧａ等は電解エツチングに際して微細なかつ
立体的な海綿状エツチング構造を得るに適する。この際
の急冷速度は．５０〜２Ｘ１０５℃／秒の範囲が好適で
、冷延後の箔の厚さは１５０μ以下が好適である。
ら急冷させて添加成分を固溶させたのち、冷延すること
を特徴とする電解コンデンサ・用アルミニウム合金箔の
製造法であるが、箔の製造過程において高温度から急冷
することにより、Ｇａ， Ｓ ｉ， Ｃｕ， Ｍｇ等の
添加成分を固溶させるためである。この処理によって溶
入化されたＧａ等は電解エツチングに際して微細なかつ
立体的な海綿状エツチング構造を得るに適する。この際
の急冷速度は．５０〜２Ｘ１０５℃／秒の範囲が好適で
、冷延後の箔の厚さは１５０μ以下が好適である。
第４項の発明は、前記第１発明における組成の合金鋳塊
を熱間圧延しあるいはさらに冷間圧延したのち、４５０
℃以上に加熱保持してから１０℃／秒以上の冷却速度で
冷却したのち冷間圧延して１５０μ厚さ以下の箔にする
方法である。
を熱間圧延しあるいはさらに冷間圧延したのち、４５０
℃以上に加熱保持してから１０℃／秒以上の冷却速度で
冷却したのち冷間圧延して１５０μ厚さ以下の箔にする
方法である。
このような条件を採ることにより、３００〜５００℃で
行なわれる熱間圧延中に粗大析出した添加成分は再びア
ルミニウム地の中に固溶し、第３項め発明と同様の効果
を得ることができる。
行なわれる熱間圧延中に粗大析出した添加成分は再びア
ルミニウム地の中に固溶し、第３項め発明と同様の効果
を得ることができる。
第５項の発明は第４項における組成の合金鋳塊を４５０
℃以上で熱間圧延を開始し、途中強制的に冷却しながら
終了温度２２０℃以下になるよう熱間圧延したのち、冷
間圧延して１５０μ厚さ以下の箔にする方法であるが、
熱間圧延の途中で強制冷却することにより添加成分の析
出を防止することができる。
℃以上で熱間圧延を開始し、途中強制的に冷却しながら
終了温度２２０℃以下になるよう熱間圧延したのち、冷
間圧延して１５０μ厚さ以下の箔にする方法であるが、
熱間圧延の途中で強制冷却することにより添加成分の析
出を防止することができる。
上記各発明によって得られた箔は３５０℃以下で熱処理
して軟質箔とする。すなわち３５０℃以下で焼鈍した箔
は添加成分の微細な析出物分布を有し、電解エツチング
によって微細な海綿状構造を得るに適する。３５０℃を
こえる高温での処理は析出物が粗大化して好ましくない
。
して軟質箔とする。すなわち３５０℃以下で焼鈍した箔
は添加成分の微細な析出物分布を有し、電解エツチング
によって微細な海綿状構造を得るに適する。３５０℃を
こえる高温での処理は析出物が粗大化して好ましくない
。
つぎに実施例について述べる。
合金として表１に示す如く本発明組成４、比較組成１を
用意した。
用意した。
なお、比較合金は従来から多く用いられている９９．９
９％のアルミニウム箔に相当するものであるＯ 上記合金１．２を１００〆金型で鋳造し鋳塊とし、表面
層除去後５００℃で２５１１１ａｔから３１１１ｔに熱
間圧延し、ついで４５０℃で５分保持後冷却速度約５０
℃／秒で水冷し、厚さ１００μに冷間圧延し、３３０℃
で３０分焼鈍して合金箔とした。合金３については、水
冷銅板上に合金溶湯を約３ｍ厚さになるように注入して
急速に凝固させたのち、これを１００μに冷間圧延し、
３３０’ＣＸ３０分焼鈍した。合金４は１００〆金型で
鋳造して鋳塊とし、表面層を除去してから２５關厚さの
板状試片に成形し、これを５２５℃に加熱して直ちに熱
間圧延を開始し、途中７朋厚さで４３０℃であった材料
に冷却水を霧状にして吹きかけることによって３００′
Ｇまで強制冷却し、引きつづき熱間圧延して３１１１１
厚さとした。この圧延、終了時の材料温度は２０７℃で
あった。この材料をさらに冷間圧延によって１００μ厚
さとし、最終３３０℃で３０分焼鈍して合金箔とした。
９％のアルミニウム箔に相当するものであるＯ 上記合金１．２を１００〆金型で鋳造し鋳塊とし、表面
層除去後５００℃で２５１１１ａｔから３１１１ｔに熱
間圧延し、ついで４５０℃で５分保持後冷却速度約５０
℃／秒で水冷し、厚さ１００μに冷間圧延し、３３０℃
で３０分焼鈍して合金箔とした。合金３については、水
冷銅板上に合金溶湯を約３ｍ厚さになるように注入して
急速に凝固させたのち、これを１００μに冷間圧延し、
３３０’ＣＸ３０分焼鈍した。合金４は１００〆金型で
鋳造して鋳塊とし、表面層を除去してから２５關厚さの
板状試片に成形し、これを５２５℃に加熱して直ちに熱
間圧延を開始し、途中７朋厚さで４３０℃であった材料
に冷却水を霧状にして吹きかけることによって３００′
Ｇまで強制冷却し、引きつづき熱間圧延して３１１１１
厚さとした。この圧延、終了時の材料温度は２０７℃で
あった。この材料をさらに冷間圧延によって１００μ厚
さとし、最終３３０℃で３０分焼鈍して合金箔とした。
これらの合金箔を８５°Ｃ，１０％ＨＣＩ水溶液中で電
流密度５００ ｍＡ ／Ｃｔｆｌで２分間交流で電解エ
ツチングし、つぎにホウ酸２．５％、ホウ酸アンモン１
％の混合水溶液に８５℃で２５ ｍＡ ／ｃｌの直流電
流でＳＯＶに化成し、化成誘電体皮膜を形成した。
流密度５００ ｍＡ ／Ｃｔｆｌで２分間交流で電解エ
ツチングし、つぎにホウ酸２．５％、ホウ酸アンモン１
％の混合水溶液に８５℃で２５ ｍＡ ／ｃｌの直流電
流でＳＯＶに化成し、化成誘電体皮膜を形成した。
電解エツチング前後の重量差（溶解減量）、化成箔の静
電容量および化成箔１０朋巾当りの引張強さを測定した
。
電容量および化成箔１０朋巾当りの引張強さを測定した
。
結果を表２に示す。
この表によれば本発明の試料１．２．３．４は比較品に
比べて溶解減量が大き゛く、かつこれと対応して静電容
量が大きい。これは添加したＧａが電解エツチングにお
いて溶解を促進し、かつ立体的エツチング構造を得るに
適した状態に分布していたことを示す。破断強さは箔の
未エツチング部分の断面積と強度に対応するもので、Ｓ
ｔ。
比べて溶解減量が大き゛く、かつこれと対応して静電容
量が大きい。これは添加したＧａが電解エツチングにお
いて溶解を促進し、かつ立体的エツチング構造を得るに
適した状態に分布していたことを示す。破断強さは箔の
未エツチング部分の断面積と強度に対応するもので、Ｓ
ｔ。
Ｃｕ、Ｍｇを多く含む発明の試料では比較例より高い強
度が得られている。
度が得られている。
特許出願人 住友軽金属工業株式会社
代理人弁理士 小 松 秀 岳
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉ Ｇａ ２０〜１５０ ｐｐｍとＳｔ、Ｃｕあるい
はＭｇのうち１種以上を２０〜１５０ ｐｐｍ含み、他
の不可避的な不純物成分の総和が２００ ｐｐｍ以下、
残部Ａｌからなる電解コンデンサ用アルミニウム合金箔
。 ２ Ｇａ２Ｏ〜１５０ｐｐｍとＳｉ、ＣｕあるいはＭ
ｇのうち１種以上を２０〜１５０ ｐｐｍ含み、他の不
可避的な不純物成分の総和が２００ ｐｐｍ以下、残部
Ａｌからなる合金を高温状態から急冷させて添加成分を
固溶させたのち冷間圧延することを特徴とする電解コン
デンサ用アルミニウム合金箔の製造法。 ３ 急冷速度を５０〜２Ｘ１０３し俄とし、冷延後の箔
の厚さを１５０μ以下としてなる特許請求の範囲第２項
記載の電解コンデンサ用アルミニウム合金箔の製造法。 ４ Ｇａ ２ （１〜１５０ ｐｐｍとＳｉ、Ｃｕあ
るいはＭｇのうち１種以上を２０〜１５０ ｐｐｍ含み
、他の不可避的な不純物成分の総和が２００ ｐｐｍ以
下、残部Ａｌからなる合金鋳塊を熱間圧延しあるいはさ
らに冷間圧延したのち、４５０℃以上に加熱保持してか
らｌＯ℃／秒以上の冷却速度で冷却したのち冷間圧延し
て１５０μ厚さ以下の箔にすることを特徴とする電解コ
ンデンサ用アルミニウム合金箔の製造法。 ５ Ｇａ ２０〜１５０ ｐｐｍとＳｔ、Ｃｕあるい
はＭｇのうち１種以上を２０〜１５０ ｐｐｍ含み、他
の不可避的な不純物成分の総和が２００ ｐｐｍ以下、
残部ｈｌからなる合金鋳塊を４５０℃以上で熱間圧延を
開始し、途中強制的に冷却しながら終了温度２２０℃以
下受なるよう熱間圧延したのち、冷間圧延して１５０μ
厚さ以下の箔にすることを特徴とする電解コンデンサ用
アルミニウム合金箔の製造法。 記載の電解コンデンサ用アルミニウム合金箔の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8493581A JPS581046A (ja) | 1981-06-04 | 1981-06-04 | 電解コンデンサ用アルミニウム合金箔およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8493581A JPS581046A (ja) | 1981-06-04 | 1981-06-04 | 電解コンデンサ用アルミニウム合金箔およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS581046A true JPS581046A (ja) | 1983-01-06 |
| JPH0146576B2 JPH0146576B2 (ja) | 1989-10-09 |
Family
ID=13844523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8493581A Granted JPS581046A (ja) | 1981-06-04 | 1981-06-04 | 電解コンデンサ用アルミニウム合金箔およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS581046A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066806A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | ニチコン株式会社 | 電解コンデンサ用アルミニウム合金電極 |
| JPS62193238A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-25 | 住友軽金属工業株式会社 | 電解コンデンサ陰極用アルミニウムはくの製造方法 |
| JPS63160323A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | 昭和アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ用アルミニウム電極材料の製造方法 |
| JPS63160322A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | 昭和アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ用アルミニウム電極材料 |
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| JPH02270928A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-06 | Nippon Foil Mfg Co Ltd | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔及びその製造方法 |
| JPH04124806A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-24 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ陽極箔用アルミニウム合金 |
| JPH055145A (ja) * | 1991-06-18 | 1993-01-14 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ電極箔用アルミニウム合金 |
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| US6170396B1 (en) | 1998-02-13 | 2001-01-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Printing method and device for mounting printing plates via cooperating holes and protrusions |
| KR100403245B1 (ko) * | 1996-12-25 | 2004-02-14 | 니폰 케미콘 가부시키가이샤 | 전해콘덴서용알루미늄전극박및이박을사용한전해콘덴서 |
| JP2007238994A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Toyo Aluminium Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
-
1981
- 1981-06-04 JP JP8493581A patent/JPS581046A/ja active Granted
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0521288A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-29 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金 |
| KR100403245B1 (ko) * | 1996-12-25 | 2004-02-14 | 니폰 케미콘 가부시키가이샤 | 전해콘덴서용알루미늄전극박및이박을사용한전해콘덴서 |
| US6170396B1 (en) | 1998-02-13 | 2001-01-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Printing method and device for mounting printing plates via cooperating holes and protrusions |
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| JP2007238994A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Toyo Aluminium Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0146576B2 (ja) | 1989-10-09 |
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