JPH1198672A - Ｃｖケーブルの外部半導電層端部の処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 フリーストリッピング型外導の場合、切り込
みを入れてから、はぎ取る。切り込みはケーブル絶縁体
に達するまで入れない。そのため外導の端末を引きちぎ
り、その部分に必ず剥離が起きる。今、66〜77kV級以上
のＣＶケーブルにフリーストリッピング型外導半導電層
の適用にあたり、この剥離が外導はぎ取り後の外導処理
工程を経ても、接続部の電気性能に影響を及ぼす懸念が
あった。 【解決手段】 所定位置Ａ（外導端末となる位置）か
らｅ（5〜10mm）だけ前方のＢから前端にかけて切り込
み１８２を入れる。次にＡより後方のＣからＡに向か
ってペンシリング処理を施し、同時にＡからｇ（約50mm
程度）だけ前方のＤまでの間の外導１８を削る。そのと
き、ＡＢ間はケーブル絶縁体１６を露出させる。それ
から外導１８をはぎ取る。こうすると、外導の端末を引
きちぎらないから、剥離が起きない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＶケーブルに
おけるフリーストリッピング型外部半導電層端部の処理
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】接続箱の組立に際して、規定寸法の外部
半導電層の端部をはぎ取る必要がある。フリーストリッ
ピング型の外部半導電層を持つＣＶケーブルの場合にお
ける、従来のはぎ取り法を、図２、図３について述べ
る。なお、図２、図３において、１０はＣＶケーブルの
全体、１２はその導体、１４は内部半導電層、１６はケ
ーブル絶縁体、１８は外部半導電層である。

【０００３】外部半導電層のはぎ取りは、次のようにす
る。 図２（ａ）のように、ＣＶケーブル１０の端部の所定
位置Ａの外部半導電層１８に、専用の工具２０を使っ
て、切り込み１８０を入れる。また、所定位置Ａから前
方の外部半導電層１８に、らせん形の切り込み１８２を
入れる。

【０００４】なお、所定位置Ａというのは、その所から
前方の外部半導電層１８をはぎ取ろうとする位置、言い
換えれば、外部半導電層１８をはぎ取った後、ケーブル
上に残る外部半導電層１８の端末となる位置を言う。

【０００５】切り込み１８０，１８２を入れた部分の
外部半導電層１８をはき取って、図２（ｂ）のようケー
ブル絶縁体１６を露出させる。

【０００６】’あるいは、同図（ｃ）のように、ＣＶ
ケーブル１０の母線と平行な切り込み１８４を入れて、
外部半導電層１８をはき取り、図２（ｂ）のようにする
こともある。

【０００７】ここで、66〜77kV級以上のＣＶケーブルに
フリーストリッピング型外部半導電層を適用する場合
は、接続部の電気性能への影響を考慮して、次のような
外部半導電層の端部処理等が必要と考えられる。 図３（ａ）のように、外部半導電層１８の端部を、ガ
ラス削りの工具２２等でペンシリング処理する。 それから同図（ｂ）に示す斜線部分をサンドペーパ削
りして仕上げる。 仕上げた上に、同図（ｃ）のように半導電塗料２４を
塗布する。 最後に同図（ｄ）のように、半導電テープであるＡＣ
Ｐテープ（ＣＨ用）又はＣテープ（ＪＢ用）２６を巻
く。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記の切り込み１８０
等を工具２０で入れるとき、図４（ａ）のように、工具
２０の刃２００はケーブル絶縁体１６に達するところま
で入れない。ケーブル絶縁体１６を傷つける恐れがある
からである。そのため、切り込み１８０等の下に、切り
残り１８６ができる。その結果、外部半導電層１８をは
ぎ取るとき、最終的に、この切り残り１８６の部分を引
きちぎるようになる。

【０００９】そのため、この部分で、図４（ｂ）のよう
に、外部半導電層１８の端末が、僅かではあるが、必ず
剥離してしまう（図では誇張してあるが）。また、ペン
シリング処理する場合でも、見落としにより剥離部を完
全除去できない可能性がある。さらに、ガラス削り及び
サンドペーパー削りのやり方によっては、かえって剥離
を大きくする（図４（ｃ）参照）。

【００１０】以上のように、フリーストリッピング型外
部半導電層の場合は、外部半導電層端末に剥離が生ずる
ため、66〜77kV級以上のＣＶケーブルにフリーストリッ
ピング型外部半導電層の適用を考えた場合には、接続部
の電気性能に大きな影響を及ぼすことも懸念される。

【００１１】

【課題を解決するための手段】図１に例示するように、 同図（ｂ）に斜線で示す部分について、同図（ｃ）の
ように所定位置Ａとそれより若干後方の適当位置Ｃとの
間の外部半導電層１８にペンシリング処理を施すと同時
に、所定位置Ａから前方の外部半導電層１８を若干の長
さにわたって削り取り、 その後同図（ｄ）のように、削り取った前記部分から
先の外部半導電層１８をはぎ取る。

【００１２】

【発明の実施の態様】 実際には、図１（ａ）のように、まず、所定位置Ａか
ら若干距離ｅ（例えば5〜10mm程度）だけ前方に寄った
位置Ｂから、外部半導電層１８の前端にかけて、工具２
０により、らせん状の切り込み１８２を入れる。

【００１３】次に同図（ｂ）に斜線で示す部分につい
て、同図（ｃ）のように所定位置Ａから若干の距離ｆ
（たととえば10〜20mm程度）だけ後方の位置Ｃから所定
位置Ａに向かってガラス削り工具２２により、ペンシリ
ング処理を施し、同時に所定位置Ａから若干距離ｇ（例
えば約50mm程度）だけ前方のＤまでの間の外部半導電層
１８を削る。そのとき、同図（ｃ）に示すように、所定
位置ＡからＢまでの間は外部半導電層１８を完全に削り
取ってケーブル絶縁体１６を露出させる。ＢＤ間の外部
半導電層１８はテーパ状にしておいて良い。

【００１４】次に同図（ｃ）のように、ＣＶケーブル
１０の終端から後方に向かって外部半導電層１８をはぎ
取り、同図（ｄ）のようにする。

【００１５】その後は、従来の場合同様に、図３
（ｂ）の斜線部分に相当する部分をサンドペーパー削り
して仕上げ、 仕上げた上に半導電塗料を塗布し（図３（ｃ）参
照）、 最後に、ＡＣＰテープ（ＣＨ用）又はＣテープ（ＪＢ
用）を巻く（図３（ｄ）参照）。

【００１６】

【発明の効果】

（１）外部半導電層のはぎ取り作業において、最終的に
端末を引きちぎる作用がないため、外部半導電層の端末
が剥離しない。 （２）端末が剥離しないことから、始めから電気的欠陥
が発生する可能性が無く、66〜77kV級以上のＣＶケーブ
ルへの外部半導電層フリーストリッピング化が可能とな
る。 （３）外部半導電層のペンシリング作業が同時に行え、
最終サンドペーパーがけまで行っても外部半導電層端末
が剥離しない。よって接続箱の電気物性を低下させるこ
となく組立を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の説明図。

【図２】従来の外部半導電層端部の処理法における外部
半導電層１８の剥離までの工法の説明図。

【図３】従来の外部半導電層端部の処理法における外部
半導電層１８の剥離後の工程の説明図。

【図４】本発明の解決すべき課題の説明図。

【符号の説明】

１０ ＣＶケーブル １２ ケーブル導体 １４ 内部半導電層 １６ ケーブル絶縁体 １８ 外部半導電層 １８０，１８２，１８４ 切り込み １８６ 切り残り ２０，２２ 工具 ２００ 刃 ２４ 半導電塗料 ２６ テープ Ａ 所定位置

フロントページの続き (72)発明者 加藤 洋一 愛知県名古屋市東区東新町１番地 中部電 力株式会社内 (72)発明者 吉澤 英文 愛知県名古屋市東区東新町１番地 中部電 力株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フリーストリッピング型外部半導電層を
   有するＣＶケーブルの、端部における所定位置から前方
   の外部半導電層をはぎ取る工程と、前記所定位置から後
   方に残った外部半導電層の端部をペンシリング処理する
   工程、を有するＣＶケーブルの外部半導電層端部の処理
   方法において、前記所定位置とそれより若干後方の適当
   位置との間の外部半導電層にペンシリング処理を施すと
   同時に前記所定位置から前方の外部半導電層を若干の長
   さにわたって削り取る工程と、前記削り取った部分から
   先の外部半導電層をはぎ取る工程、を有することを特徴
   とする、ＣＶケーブルの外部半導電層端部の処理方法。