JPH1197536A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH1197536A JPH1197536A JP27343097A JP27343097A JPH1197536A JP H1197536 A JPH1197536 A JP H1197536A JP 27343097 A JP27343097 A JP 27343097A JP 27343097 A JP27343097 A JP 27343097A JP H1197536 A JPH1197536 A JP H1197536A
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- tungsten
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コンタクト孔における配線層の安定かつ良好
なステップカバレッジを確保するとともに、配線層から
のＳｉ析出も同時に防止できるようにする。 【解決手段】 半導体基板１１と、拡散層１４と、絶縁
膜１２とを備える半導体装置の製造方法において、前記
絶縁膜１２に、拡散層１４が露出するようコンタクト孔
ＣＴを形成する工程と、前記半導体基板１１全面にタン
グステン１５を形成する第二の工程と、前記コンタクト
孔ＣＴ外のタングステン１５をエッチバックにより除去
する第三の工程と、前記コンタクト孔ＣＴの開口近傍の
絶縁膜１２を等方性エッチングによりテーパ形状に加工
する第四の工程と、前記半導体基板１１上にアルミニウ
ム配線層１６を形成する第五の工程とを備える。
なステップカバレッジを確保するとともに、配線層から
のＳｉ析出も同時に防止できるようにする。 【解決手段】 半導体基板１１と、拡散層１４と、絶縁
膜１２とを備える半導体装置の製造方法において、前記
絶縁膜１２に、拡散層１４が露出するようコンタクト孔
ＣＴを形成する工程と、前記半導体基板１１全面にタン
グステン１５を形成する第二の工程と、前記コンタクト
孔ＣＴ外のタングステン１５をエッチバックにより除去
する第三の工程と、前記コンタクト孔ＣＴの開口近傍の
絶縁膜１２を等方性エッチングによりテーパ形状に加工
する第四の工程と、前記半導体基板１１上にアルミニウ
ム配線層１６を形成する第五の工程とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関するものであり、さらに詳細に言えば、半導体集
積回路のコンタクト構造の製造方法に関するものであ
る。
法に関するものであり、さらに詳細に言えば、半導体集
積回路のコンタクト構造の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体基板上に形成された絶縁
膜にコンタクト孔を形成する場合、後工程において前記
コンタクト孔に被着される金属配線の断線を防止するこ
とが重要である。
膜にコンタクト孔を形成する場合、後工程において前記
コンタクト孔に被着される金属配線の断線を防止するこ
とが重要である。
【０００３】この点に関して、例えば特開昭５８−６４
０３３号公報に、前記コンタクト孔の形状をテーパ状に
形成することによってステップカバレッジを向上させ、
金属配線の断線を防止する技術が開示されている。
０３３号公報に、前記コンタクト孔の形状をテーパ状に
形成することによってステップカバレッジを向上させ、
金属配線の断線を防止する技術が開示されている。
【０００４】図３（ａ）〜図３（ｅ）は、従来の半導体
装置の製造方法の一例を示す断面図である。まず、図３
（ａ）に示すように、半導体基板１上に形成された絶縁
膜２上にフォトレジスト３を被着し、フォトリソグラフ
ィーによって前記フォトレジスト３に開口部Ｈを形成す
る。
装置の製造方法の一例を示す断面図である。まず、図３
（ａ）に示すように、半導体基板１上に形成された絶縁
膜２上にフォトレジスト３を被着し、フォトリソグラフ
ィーによって前記フォトレジスト３に開口部Ｈを形成す
る。
【０００５】ここで、半導体基板１の表面には、拡散層
４が前工程において事前に形成されている。次に、図３
（ｂ）に示すように、フォトレジスト３を保護膜として
絶縁膜２に異方性のエッチング処理を行い、絶縁膜２を
完全に除去する。
４が前工程において事前に形成されている。次に、図３
（ｂ）に示すように、フォトレジスト３を保護膜として
絶縁膜２に異方性のエッチング処理を行い、絶縁膜２を
完全に除去する。
【０００６】次に、図３（ｃ）に示すように、気相成長
法によりタングステン５を成長させてコンタクト孔内を
埋め込む。
法によりタングステン５を成長させてコンタクト孔内を
埋め込む。
【０００７】続いて、図３（ｄ）に示すように、開口部
Ｈをフォトレジスト（不図示）をマスクとして等方性の
エッチング処理を行うと、エッチングの進み方がフォト
レジスト３の開口部Ｈの側面方向にも進み、結果的には
絶縁膜２に開口されたコンタクト孔の形状にテーパが形
成できる。
Ｈをフォトレジスト（不図示）をマスクとして等方性の
エッチング処理を行うと、エッチングの進み方がフォト
レジスト３の開口部Ｈの側面方向にも進み、結果的には
絶縁膜２に開口されたコンタクト孔の形状にテーパが形
成できる。
【０００８】最後に、図３（ｅ）に示すように、フォト
レジスト３を除去した後に、拡散層４とアルミニウム配
線６とを接続する。
レジスト３を除去した後に、拡散層４とアルミニウム配
線６とを接続する。
【０００９】このように、コンタクト孔がテーパ状に形
成されているためにステップカバレッジが向上し、アル
ミニウム配線の断線を防止することができる。
成されているためにステップカバレッジが向上し、アル
ミニウム配線の断線を防止することができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３
（ｃ）で見られるように、タングステン５を気相成長さ
せると非常に制御がしにくく、凸状に成膜される。その
ため、図３（ｄ）のように、開口部Ｈをフォトレジスト
３を保護膜として等方性のエッチング処理を行うと、さ
らにタングステン５の凸部が激しくなるため、この部分
においてアルミニウム配線６のステップカバレッジの向
上には限界があった。
（ｃ）で見られるように、タングステン５を気相成長さ
せると非常に制御がしにくく、凸状に成膜される。その
ため、図３（ｄ）のように、開口部Ｈをフォトレジスト
３を保護膜として等方性のエッチング処理を行うと、さ
らにタングステン５の凸部が激しくなるため、この部分
においてアルミニウム配線６のステップカバレッジの向
上には限界があった。
【００１１】また、タングステン５を気相成長させると
安定して一定の膜厚および一定の形状が得難い問題があ
った。その結果、この部分においてアルミニウム配線６
のステップカバレッジが悪く、断線の主原因となり、歩
留が低下する問題があった。
安定して一定の膜厚および一定の形状が得難い問題があ
った。その結果、この部分においてアルミニウム配線６
のステップカバレッジが悪く、断線の主原因となり、歩
留が低下する問題があった。
【００１２】本発明は以上の問題点を念頭に創作された
ものであり、金属配線断線の発生の恐れがなく、かつコ
ンタクト抵抗を安定に低減した微細コンタクトの構造の
製造方法を提供することを目的としている。
ものであり、金属配線断線の発生の恐れがなく、かつコ
ンタクト抵抗を安定に低減した微細コンタクトの構造の
製造方法を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された
拡散層と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜とを備
える半導体装置の製造方法において、前記半導体基板に
形成された前記拡散層が露出するよう前記絶縁膜にコン
タクト孔を形成する第一の工程と、前記第一の工程後、
前記半導体基板上に金属膜を形成する第二の工程と、前
記コンタクト孔外の前記金属膜をエッチバックにより除
去する第三の工程と、前記第三の工程後、前記コンタク
ト孔の開口近傍の前記絶縁膜を等方性エッチングにより
テーパ形状に加工する第四の工程と、前記第四の工程
後、前記半導体基板上に配線層を形成する第五の工程と
を備えることを特徴としている。
造方法は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された
拡散層と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜とを備
える半導体装置の製造方法において、前記半導体基板に
形成された前記拡散層が露出するよう前記絶縁膜にコン
タクト孔を形成する第一の工程と、前記第一の工程後、
前記半導体基板上に金属膜を形成する第二の工程と、前
記コンタクト孔外の前記金属膜をエッチバックにより除
去する第三の工程と、前記第三の工程後、前記コンタク
ト孔の開口近傍の前記絶縁膜を等方性エッチングにより
テーパ形状に加工する第四の工程と、前記第四の工程
後、前記半導体基板上に配線層を形成する第五の工程と
を備えることを特徴としている。
【００１４】また、本発明の他の特徴とするところは、
半導体基板と、前記半導体基板に形成された拡散層と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜とを備える半導体
装置の製造方法において、前記拡散層上方の前記絶縁膜
に、等方性エッチングによりテーパ状の凹みを形成する
第一の工程と、前記凹みから前記半導体基板に向かって
続くように、前記拡散層が露出するよう前記絶縁膜にコ
ンタクト孔を形成する第二の工程と、前記第二の工程
後、前記半導体基板上に金属膜を形成する第三の工程
と、前記コンタクト孔外の前記金属膜をエッチバックに
より除去する第四の工程と、前記第四の工程後、前記半
導体基板上に配線層を形成する第五の工程とを備えるこ
とを特徴としている。
半導体基板と、前記半導体基板に形成された拡散層と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜とを備える半導体
装置の製造方法において、前記拡散層上方の前記絶縁膜
に、等方性エッチングによりテーパ状の凹みを形成する
第一の工程と、前記凹みから前記半導体基板に向かって
続くように、前記拡散層が露出するよう前記絶縁膜にコ
ンタクト孔を形成する第二の工程と、前記第二の工程
後、前記半導体基板上に金属膜を形成する第三の工程
と、前記コンタクト孔外の前記金属膜をエッチバックに
より除去する第四の工程と、前記第四の工程後、前記半
導体基板上に配線層を形成する第五の工程とを備えるこ
とを特徴としている。
【００１５】また、本発明のその他の特徴とするところ
は、前記金属膜はタングステン膜を含み、前記配線層は
アルミニウム合金であることを特徴としている。
は、前記金属膜はタングステン膜を含み、前記配線層は
アルミニウム合金であることを特徴としている。
【００１６】
【作用】本発明によれば、コンタクト孔の内部以外のタ
ングステンをエッチバックするため、コンタクト孔内の
タングステン膜厚の制御が容易になり、またタングステ
ン形状も平坦化されるため、良好なアルミニウム配線の
ステップカバレッジが安定的に得られる。また、コンタ
クト孔内に部分的にタングステンが埋め込まれているの
で、コンタクト孔が実質的に浅くなる。また、コンタク
ト孔はテーパ状の内壁を有するのでタングステン上に形
成された配線層は十分良好なステップカバレッジが確保
される。また、タングステンが埋め込まれていることに
より、配線層からのＳｉの析出を防止し、コンタクト抵
抗を低減することもできる。
ングステンをエッチバックするため、コンタクト孔内の
タングステン膜厚の制御が容易になり、またタングステ
ン形状も平坦化されるため、良好なアルミニウム配線の
ステップカバレッジが安定的に得られる。また、コンタ
クト孔内に部分的にタングステンが埋め込まれているの
で、コンタクト孔が実質的に浅くなる。また、コンタク
ト孔はテーパ状の内壁を有するのでタングステン上に形
成された配線層は十分良好なステップカバレッジが確保
される。また、タングステンが埋め込まれていることに
より、配線層からのＳｉの析出を防止し、コンタクト抵
抗を低減することもできる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて説明する。まず、第１の実施の形態について図１を
参照しながら説明する。図１（ａ）に示すように、半導
体基板１１上に形成された絶縁膜１２上にフォトレジス
ト１３を被着し、フォトリソグラフィーによって前記フ
ォトレジスト１３に開口部Ｈを拡散層１４上方に形成す
る。
いて説明する。まず、第１の実施の形態について図１を
参照しながら説明する。図１（ａ）に示すように、半導
体基板１１上に形成された絶縁膜１２上にフォトレジス
ト１３を被着し、フォトリソグラフィーによって前記フ
ォトレジスト１３に開口部Ｈを拡散層１４上方に形成す
る。
【００１８】ここで、絶縁膜１２は１７００ｎｍの膜厚
に形成されており、その膜種はＳｉＯ2 、ＰＳＧ、ＢＰ
ＳＧのうちいずれを用いても良い。また、半導体基板１
１の表面には、前工程において拡散層１４があらかじめ
形成されている。
に形成されており、その膜種はＳｉＯ2 、ＰＳＧ、ＢＰ
ＳＧのうちいずれを用いても良い。また、半導体基板１
１の表面には、前工程において拡散層１４があらかじめ
形成されている。
【００１９】次に、図１（ｂ）に示すように、フォトレ
ジスト１３を保護膜として絶縁膜１２に異方性のエッチ
ング処理を施し、１７００ｎｍの膜厚をエッチングし、
図１（ｃ）に示すようにフォトレジスト１３を除去す
る。
ジスト１３を保護膜として絶縁膜１２に異方性のエッチ
ング処理を施し、１７００ｎｍの膜厚をエッチングし、
図１（ｃ）に示すようにフォトレジスト１３を除去す
る。
【００２０】続いて、図１（ｄ）に示すように、コンタ
クト孔内を含む全面にバリアメタル２０を１００ｎｍ、
およびタングステン１５を６００ｎｍの膜厚で気相成長
させて成膜する。なお、前記バリアメタル２０は、Ｔｉ
Ｗ、ＴｉＮ、Ｔｉのうちのいずか一つの単層であるか、
もしくはいずれか二つを積層したものである。
クト孔内を含む全面にバリアメタル２０を１００ｎｍ、
およびタングステン１５を６００ｎｍの膜厚で気相成長
させて成膜する。なお、前記バリアメタル２０は、Ｔｉ
Ｗ、ＴｉＮ、Ｔｉのうちのいずか一つの単層であるか、
もしくはいずれか二つを積層したものである。
【００２１】次に、図１（ｅ）に示すように、コンタク
ト孔内以外のタングステン１５をエッチバックし、コン
タクト孔上部のタングステン形状を平坦にする。次に、
図１（ｆ）に示すように、フォトリソグラフィー法によ
りフォトレジストパターン（不図示）をマスクとして絶
縁膜１２に等方性のエッチング処理を施し、２００ｎｍ
の膜厚をエッチングしてテーパ状にする。
ト孔内以外のタングステン１５をエッチバックし、コン
タクト孔上部のタングステン形状を平坦にする。次に、
図１（ｆ）に示すように、フォトリソグラフィー法によ
りフォトレジストパターン（不図示）をマスクとして絶
縁膜１２に等方性のエッチング処理を施し、２００ｎｍ
の膜厚をエッチングしてテーパ状にする。
【００２２】最後に、図１（ｇ）に示すように、タング
ステン１５上にアルミニウム配線１６または微量のＳｉ
を含有するアルミニウム配線１６を形成して、コンタク
ト構造が完成する。
ステン１５上にアルミニウム配線１６または微量のＳｉ
を含有するアルミニウム配線１６を形成して、コンタク
ト構造が完成する。
【００２３】次に、第２の実施の形態について説明す
る。まず、図２（ａ）に示すように、半導体基板１１上
に形成された絶縁膜１２上にフォトレジスト１３を被着
し、フォトリソグラフィー法によって前記フォトレジス
ト１３に開口部Ｈを拡散層１４上方に形成する。
る。まず、図２（ａ）に示すように、半導体基板１１上
に形成された絶縁膜１２上にフォトレジスト１３を被着
し、フォトリソグラフィー法によって前記フォトレジス
ト１３に開口部Ｈを拡散層１４上方に形成する。
【００２４】ここで、絶縁膜１２は１７００ｎｍの膜厚
に形成されており、その膜種はＳｉＯ2 、ＰＳＧ、ＢＰ
ＳＧのうち、いずれの膜を用いても良い。また、半導体
基板１１の表面には、前工程において拡散層１４があら
かじめ形成されている。
に形成されており、その膜種はＳｉＯ2 、ＰＳＧ、ＢＰ
ＳＧのうち、いずれの膜を用いても良い。また、半導体
基板１１の表面には、前工程において拡散層１４があら
かじめ形成されている。
【００２５】次に、図２（ｂ）に示すように、フォトレ
ジスト１３のパターンをマスクとして絶縁膜１２に等方
性のエッチング処理を施し、２００ｎｍの膜厚をエッチ
ングする。
ジスト１３のパターンをマスクとして絶縁膜１２に等方
性のエッチング処理を施し、２００ｎｍの膜厚をエッチ
ングする。
【００２６】次に、図２（ｃ）に示すようにフォトレジ
スト１３をマスクとして絶縁膜１２に異方性のエッチン
グ処理を施し、残存する１５００ｎｍの絶縁膜１２を除
去して半導体基板１１が露出するようコンタクト孔ＣＴ
を形成した後、図２（ｄ）のようにフォトレジスト１３
を除去する。
スト１３をマスクとして絶縁膜１２に異方性のエッチン
グ処理を施し、残存する１５００ｎｍの絶縁膜１２を除
去して半導体基板１１が露出するようコンタクト孔ＣＴ
を形成した後、図２（ｄ）のようにフォトレジスト１３
を除去する。
【００２７】続いて、図２（ｅ）に示すように、コンタ
クト孔ＣＴ内を含む全面にバリアメタル２０を１００ｎ
ｍ、およびタングステン１５を６００ｎｍの膜厚で気相
成長させて成膜する。なお、前記バリアメタル２０は、
ＴｉＷ、ＴｉＮ、Ｔｉのうちのいずか一つの単層である
か、もしくはいずれか二つを積層したものである。
クト孔ＣＴ内を含む全面にバリアメタル２０を１００ｎ
ｍ、およびタングステン１５を６００ｎｍの膜厚で気相
成長させて成膜する。なお、前記バリアメタル２０は、
ＴｉＷ、ＴｉＮ、Ｔｉのうちのいずか一つの単層である
か、もしくはいずれか二つを積層したものである。
【００２８】次に、図２（ｆ）に示すように、タングス
テン１５をエッチバックし、コンタクト孔ＣＴにタング
ステン１５を埋め込むようにしてタングステン１５の表
面形状を平坦にする。
テン１５をエッチバックし、コンタクト孔ＣＴにタング
ステン１５を埋め込むようにしてタングステン１５の表
面形状を平坦にする。
【００２９】最後に、図２（ｇ）に示すように、タング
ステン１５上にアルミニウム配線１６または微量のＳｉ
を含有するアルミニウム配線１６を形成して、コンタク
ト構造が完成する。
ステン１５上にアルミニウム配線１６または微量のＳｉ
を含有するアルミニウム配線１６を形成して、コンタク
ト構造が完成する。
【００３０】このようにして形成されたコンタクト構造
は、図２（ｇ）に示すように、半導体基板１１上に付着
する絶縁膜１２に開口されたテーパ状の内壁を有するコ
ンタクト孔に、部分的にタングステン１５が埋め込ま
れ、前記タングステン１５上に良好なステップカバレッ
ジを確保したアルミニウム配線１６が形成されている構
造となっている。
は、図２（ｇ）に示すように、半導体基板１１上に付着
する絶縁膜１２に開口されたテーパ状の内壁を有するコ
ンタクト孔に、部分的にタングステン１５が埋め込ま
れ、前記タングステン１５上に良好なステップカバレッ
ジを確保したアルミニウム配線１６が形成されている構
造となっている。
【００３１】このような構造によれば、コンタクト孔が
タングステン１５に部分的に埋め込まれることによりコ
ンタクトのアスペクト比を小さくすることができる。ま
た、タングステン１５上に形成されたアルミニウム配線
１６は十分良好なステップカバレッジが確保されるとと
もに、タングステン１５の存在によってアルミニウム配
線１６からのＳｉ析出を防止することができる。
タングステン１５に部分的に埋め込まれることによりコ
ンタクトのアスペクト比を小さくすることができる。ま
た、タングステン１５上に形成されたアルミニウム配線
１６は十分良好なステップカバレッジが確保されるとと
もに、タングステン１５の存在によってアルミニウム配
線１６からのＳｉ析出を防止することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の製造方法によれば、コンタクトにおける配線層の安
定かつ良好なステップカバレッジを確保することがで
き、かつ配線層からのＳｉ析出も同時に防止できるの
で、集積回路におけるコンタクトの歩留向上および信頼
性向上に寄与することができる。
置の製造方法によれば、コンタクトにおける配線層の安
定かつ良好なステップカバレッジを確保することがで
き、かつ配線層からのＳｉ析出も同時に防止できるの
で、集積回路におけるコンタクトの歩留向上および信頼
性向上に寄与することができる。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の第１の実施の
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の第２の実施の
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
る。
１ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３ フォトレジスト ４ 拡散層 ５ タングステン ６ アルミニウム配線 １１ 半導体基板 １２ 絶縁膜 １３ フォトレジスト １４ 拡散層 １５ タングステン １６ アルミニウム配線 ２０ バリアメタル ＣＴ コンタクト孔
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板と、前記半導体基板に形成さ
れた拡散層と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と
を備える半導体装置の製造方法において、 前記半導体基板に形成された前記拡散層が露出するよう
前記絶縁膜にコンタクト孔を形成する第一の工程と、 前記第一の工程後、前記半導体基板上に金属膜を形成す
る第二の工程と、 前記コンタクト孔外の前記金属膜をエッチバックにより
除去する第三の工程と、 前記第三の工程後、前記コンタクト孔の開口近傍の前記
絶縁膜を等方性エッチングによりテーパ形状に加工する
第四の工程と、 前記第四の工程後、前記半導体基板上に配線層を形成す
る第五の工程とを備えることを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板と、前記半導体基板に形成さ
れた拡散層と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と
を備える半導体装置の製造方法において、 前記拡散層上方の前記絶縁膜に、等方性エッチングによ
りテーパ状の凹みを形成する第一の工程と、 前記凹みから前記半導体基板に向かって続くように、前
記拡散層が露出するよう前記絶縁膜にコンタクト孔を形
成する第二の工程と、 前記第二の工程後、前記半導体基板上に金属膜を形成す
る第三の工程と、 前記コンタクト孔外の前記金属膜をエッチバックにより
除去する第四の工程と、 前記第四の工程後、前記半導体基板上に配線層を形成す
る第五の工程とを備えることを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項３】 前記金属膜はタングステン膜を含み、前
記配線層はアルミニウム合金であることを特徴とする請
求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27343097A JPH1197536A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27343097A JPH1197536A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197536A true JPH1197536A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17527803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27343097A Withdrawn JPH1197536A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1197536A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100363642B1 (ko) * | 1999-11-11 | 2002-12-05 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 접촉부 형성 방법 |
| CN100414683C (zh) * | 2005-04-30 | 2008-08-27 | 海力士半导体有限公司 | 用于制造具有金属线的半导体器件的方法 |
-
1997
- 1997-09-19 JP JP27343097A patent/JPH1197536A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100363642B1 (ko) * | 1999-11-11 | 2002-12-05 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 접촉부 형성 방법 |
| CN100414683C (zh) * | 2005-04-30 | 2008-08-27 | 海力士半导体有限公司 | 用于制造具有金属线的半导体器件的方法 |
| US7648909B2 (en) | 2005-04-30 | 2010-01-19 | Hynix Semiconductor, Inc. | Method for fabricating semiconductor device with metal line |
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