JPH1197286A - 誘電体作製方法およびコンデンサ作製方法 - Google Patents
誘電体作製方法およびコンデンサ作製方法Info
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- JPH1197286A JPH1197286A JP25823697A JP25823697A JPH1197286A JP H1197286 A JPH1197286 A JP H1197286A JP 25823697 A JP25823697 A JP 25823697A JP 25823697 A JP25823697 A JP 25823697A JP H1197286 A JPH1197286 A JP H1197286A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜厚が薄く比誘電率が大きい誘電体を作製す
る。 【解決手段】 ＢａＴｉＯ3 粉体を感光性エポキシ樹脂
溶液に混合したペースト状の混合体３を基板１表面の下
部電極２上に印刷する（ａ）。印刷された混合体３の膜
厚は例えば約５０［μｍ］である。印刷された混合体３
を室温で約１時間保持し、ＢａＴｉＯ3 粉体を下部電極
２表面に沈殿させ、沈殿層３ａを形成する。沈殿層３ａ
上には樹脂層３ｂが形成される。次に約８０［℃］で約
３０分間加熱し、混合体３を乾燥させる（ｂ）。次に樹
脂層３ｂ側から紫外線を照射し、樹脂層３ｂのエポキシ
樹脂を感光させ（ＢａＴｉＯ3 粉体により沈殿層３ａの
エポキシ樹脂は感光しない）、感光した樹脂層３ｂを現
像し、これを除去する。このあと、約１５０［℃］で約
３０分加熱し、コンデンサの誘電体４となる沈殿層３ａ
を硬化させる（（ｃ）、（ｄ））。
る。 【解決手段】 ＢａＴｉＯ3 粉体を感光性エポキシ樹脂
溶液に混合したペースト状の混合体３を基板１表面の下
部電極２上に印刷する（ａ）。印刷された混合体３の膜
厚は例えば約５０［μｍ］である。印刷された混合体３
を室温で約１時間保持し、ＢａＴｉＯ3 粉体を下部電極
２表面に沈殿させ、沈殿層３ａを形成する。沈殿層３ａ
上には樹脂層３ｂが形成される。次に約８０［℃］で約
３０分間加熱し、混合体３を乾燥させる（ｂ）。次に樹
脂層３ｂ側から紫外線を照射し、樹脂層３ｂのエポキシ
樹脂を感光させ（ＢａＴｉＯ3 粉体により沈殿層３ａの
エポキシ樹脂は感光しない）、感光した樹脂層３ｂを現
像し、これを除去する。このあと、約１５０［℃］で約
３０分加熱し、コンデンサの誘電体４となる沈殿層３ａ
を硬化させる（（ｃ）、（ｄ））。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂にセラミック
質粉体を混合してなる誘電体の作製方法、および前記誘
電体を用いたコンデンサの作製方法に関するものであ
る。
質粉体を混合してなる誘電体の作製方法、および前記誘
電体を用いたコンデンサの作製方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の誘電体としては特開昭５５
−１４８３０８号公報に開示されたものがあった。この
公報に開示された誘電体は、樹脂溶剤にチタン酸バリウ
ム（ＢａＴｉＯ3 ）等のセラミック質粉体を混練させ、
この混合体を硬化させることにより作製される。作製さ
れた誘電体の比誘電率はセラミック質粉体の体積比率等
に依存して変化する。
−１４８３０８号公報に開示されたものがあった。この
公報に開示された誘電体は、樹脂溶剤にチタン酸バリウ
ム（ＢａＴｉＯ3 ）等のセラミック質粉体を混練させ、
この混合体を硬化させることにより作製される。作製さ
れた誘電体の比誘電率はセラミック質粉体の体積比率等
に依存して変化する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図４は上記従来の方法
により誘電体を作製したときのペースト状の混合体中の
セラミック質粉体の体積率と作製された誘電体の比誘電
率との関係を示した図である。樹脂溶液としては、ビス
マレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂を溶剤Ｎ−メチルピ
ロリジノン（ＮＭＰ）に溶かし込んだＢＴ樹脂溶液を用
い、またセラミック質粉体としては、平均粒径１．５７
［μｍ］のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）粉体を用
いた。また混練したペースト状の混合体を１７５［℃］
で１時間加熱し、熱硬化させた。比誘電率の測定周波数
は１［ＭＨｚ］である。図４に示すように、誘電体の比
誘電率は、セラミック質粉体の体積率の増加に対し、あ
る粉体体積率（図３では約６０［ｖｏｌ％］）までの範
囲では増加し、この粉体体積率で最大値をとり、この粉
体体積率以上の範囲では逆に減少する傾向を示す。これ
は、樹脂分に対してセラミック質粉体分が多くなると、
セラミック質粉体の間のすき間を樹脂が埋め尽くせず、
空泡が形成されるようになるためである。
により誘電体を作製したときのペースト状の混合体中の
セラミック質粉体の体積率と作製された誘電体の比誘電
率との関係を示した図である。樹脂溶液としては、ビス
マレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂を溶剤Ｎ−メチルピ
ロリジノン（ＮＭＰ）に溶かし込んだＢＴ樹脂溶液を用
い、またセラミック質粉体としては、平均粒径１．５７
［μｍ］のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）粉体を用
いた。また混練したペースト状の混合体を１７５［℃］
で１時間加熱し、熱硬化させた。比誘電率の測定周波数
は１［ＭＨｚ］である。図４に示すように、誘電体の比
誘電率は、セラミック質粉体の体積率の増加に対し、あ
る粉体体積率（図３では約６０［ｖｏｌ％］）までの範
囲では増加し、この粉体体積率で最大値をとり、この粉
体体積率以上の範囲では逆に減少する傾向を示す。これ
は、樹脂分に対してセラミック質粉体分が多くなると、
セラミック質粉体の間のすき間を樹脂が埋め尽くせず、
空泡が形成されるようになるためである。
【０００４】また図５は上記従来の方法におけるペース
ト状の混合体中のセラミック質粉体の体積率と混合体の
粘度（ペースト粘度）との関係を示す図である。混合体
としては、図４と同じもの、すなわちＢＴ樹脂溶液にＢ
ａＴｉＯ3 粉体を混練したものを用いた。図４に示すよ
うに、ペースト粘度は、セラミック質粉体の体積率の増
加とともに増加する。コンデンサを作製する等の目的で
混合体を基板に印刷する場合に、薄膜化が可能なペース
ト粘度は１０5 ［ｃＰ(センチホ゜アス゛)］以下であり、従って
薄膜化可能な粉体体積率は約５０［ｖｏｌ％］以下であ
る。
ト状の混合体中のセラミック質粉体の体積率と混合体の
粘度（ペースト粘度）との関係を示す図である。混合体
としては、図４と同じもの、すなわちＢＴ樹脂溶液にＢ
ａＴｉＯ3 粉体を混練したものを用いた。図４に示すよ
うに、ペースト粘度は、セラミック質粉体の体積率の増
加とともに増加する。コンデンサを作製する等の目的で
混合体を基板に印刷する場合に、薄膜化が可能なペース
ト粘度は１０5 ［ｃＰ(センチホ゜アス゛)］以下であり、従って
薄膜化可能な粉体体積率は約５０［ｖｏｌ％］以下であ
る。
【０００５】このように上記従来の誘電体作製方法にお
いては、比誘電率を大きくするためにセラミック質粉体
の混合体積率を多くすると、ペースト粘度が増大して膜
厚を薄くできず、コンデンサに用いた場合に大きな容量
を得られないといった問題点があった。
いては、比誘電率を大きくするためにセラミック質粉体
の混合体積率を多くすると、ペースト粘度が増大して膜
厚を薄くできず、コンデンサに用いた場合に大きな容量
を得られないといった問題点があった。
【０００６】本発明はこのような従来の問題を解決する
ものであり、膜厚が薄く比誘電率が大きい誘電体を作製
することができる誘電体作製方法、および容量の大きい
コンデンサを作製することができるコンデンサ作製方法
を提供することを目的とするものである。
ものであり、膜厚が薄く比誘電率が大きい誘電体を作製
することができる誘電体作製方法、および容量の大きい
コンデンサを作製することができるコンデンサ作製方法
を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の誘電体作製方法は、樹脂にセラミック質粉
体を混合してなる誘電体の作製方法において、セラミッ
ク質粉体を樹脂溶液に混合した混合体中に前記セラミッ
ク質粉体を沈殿させることにより、前記誘電体となる沈
殿層を形成する工程と、前記沈殿層上の樹脂層を除去す
る工程とを含むことを特徴とするものである。
めに本発明の誘電体作製方法は、樹脂にセラミック質粉
体を混合してなる誘電体の作製方法において、セラミッ
ク質粉体を樹脂溶液に混合した混合体中に前記セラミッ
ク質粉体を沈殿させることにより、前記誘電体となる沈
殿層を形成する工程と、前記沈殿層上の樹脂層を除去す
る工程とを含むことを特徴とするものである。
【０００８】また、本発明のコンデンサ作製方法は、セ
ラミック質粉体を樹脂溶液に混合した混合体を、表面に
第１電極を形成した基板上に印刷する工程と、前記印刷
された混合体中に前記セラミック質粉体を沈殿させるこ
とにより、沈殿層を形成する工程と、前記沈殿層上の樹
脂層を除去し、前記沈殿層からなる誘電体を形成する工
程と、前記誘電体上に第２電極を設ける工程とを含むこ
とを特徴とするものである。
ラミック質粉体を樹脂溶液に混合した混合体を、表面に
第１電極を形成した基板上に印刷する工程と、前記印刷
された混合体中に前記セラミック質粉体を沈殿させるこ
とにより、沈殿層を形成する工程と、前記沈殿層上の樹
脂層を除去し、前記沈殿層からなる誘電体を形成する工
程と、前記誘電体上に第２電極を設ける工程とを含むこ
とを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態のコン
デンサ作製工程を説明する図である。まず、図１（ａ）
に示すように、セラミック質粉体を感光性樹脂溶液に混
合したペースト状の混合体３を、表面に下部電極２（第
１電極）を形成した基板１上に印刷する。セラミック質
粉体として、ここでは平均粒径１．５７［μｍ］のＢａ
ＴｉＯ3 粉体を用いる。ＢａＴｉＯ3 粉体は高誘電体で
ある。なお、セラミック質粉体はＢａＴｉＯ3 に限定さ
れるものではなく、例えばＢａＴｉＯ3 粉体以外のセラ
ミック質高誘電体粉体を用いても良い。感光性樹脂溶液
としては、ここでは感光性エポキシ樹脂を含む樹脂溶液
（感光性エポキシ樹脂溶液）である日本チバガイギー社
製の商品名「プロビマー５２」を用いる。なお、感光性
樹脂溶液も、エポキシ樹脂溶液に限定されるものではな
い。基板１としては、表面に下部電極２となる銅箔が貼
られたガラスエポキシ基板を用いる。
デンサ作製工程を説明する図である。まず、図１（ａ）
に示すように、セラミック質粉体を感光性樹脂溶液に混
合したペースト状の混合体３を、表面に下部電極２（第
１電極）を形成した基板１上に印刷する。セラミック質
粉体として、ここでは平均粒径１．５７［μｍ］のＢａ
ＴｉＯ3 粉体を用いる。ＢａＴｉＯ3 粉体は高誘電体で
ある。なお、セラミック質粉体はＢａＴｉＯ3 に限定さ
れるものではなく、例えばＢａＴｉＯ3 粉体以外のセラ
ミック質高誘電体粉体を用いても良い。感光性樹脂溶液
としては、ここでは感光性エポキシ樹脂を含む樹脂溶液
（感光性エポキシ樹脂溶液）である日本チバガイギー社
製の商品名「プロビマー５２」を用いる。なお、感光性
樹脂溶液も、エポキシ樹脂溶液に限定されるものではな
い。基板１としては、表面に下部電極２となる銅箔が貼
られたガラスエポキシ基板を用いる。
【００１０】ＢａＴｉＯ3 粉体：感光性エポキシ樹脂溶
液＝１：９の混合体積比率で両者を混合し、ＢａＴｉＯ
3 粉体を均一に分散させるために擂潰（らいかい）機に
よって約３時間混練してペースト状の混合体３を作る。
そのあと混練時に混入した気泡を抜くために混合体３を
真空脱泡槽に入れて約１５分間脱泡する。脱泡された混
合体３を、基板１表面の下部電極２上にバーコーター
（Bar-Coater）により印刷する。印刷された混合体３の
膜厚は例えば約５０［μｍ］である。
液＝１：９の混合体積比率で両者を混合し、ＢａＴｉＯ
3 粉体を均一に分散させるために擂潰（らいかい）機に
よって約３時間混練してペースト状の混合体３を作る。
そのあと混練時に混入した気泡を抜くために混合体３を
真空脱泡槽に入れて約１５分間脱泡する。脱泡された混
合体３を、基板１表面の下部電極２上にバーコーター
（Bar-Coater）により印刷する。印刷された混合体３の
膜厚は例えば約５０［μｍ］である。
【００１１】次に図１（ｂ）に示すように、印刷された
混合体３を室温で約１時間保持し、ペースト状の混合体
３内のＢａＴｉＯ3 粉体を下部電極２表面に沈殿させ、
ＢａＴｉＯ3 粉体と感光性エポキシ樹脂溶液からなる沈
殿層３ａを形成する。沈殿層３ａ上には樹脂層３ｂが形
成される。次に約８０［℃］で約３０分間加熱し、混合
体３を乾燥させる。これにより、混合体３は、感光性エ
ポキシ樹脂とＢａＴｉＯ3 粉体からなる沈殿層３ａ上
に、主に感光性エポキシ樹脂からなる樹脂層３ｂを有す
るものとなる。図２は図１（ｂ）の工程における断面Ｓ
ＥＭ写真を模式的に示した図であり、図中のＡがＢａＴ
ｉＯ3 粉体、Ｂが感光性エポキシ樹脂である。
混合体３を室温で約１時間保持し、ペースト状の混合体
３内のＢａＴｉＯ3 粉体を下部電極２表面に沈殿させ、
ＢａＴｉＯ3 粉体と感光性エポキシ樹脂溶液からなる沈
殿層３ａを形成する。沈殿層３ａ上には樹脂層３ｂが形
成される。次に約８０［℃］で約３０分間加熱し、混合
体３を乾燥させる。これにより、混合体３は、感光性エ
ポキシ樹脂とＢａＴｉＯ3 粉体からなる沈殿層３ａ上
に、主に感光性エポキシ樹脂からなる樹脂層３ｂを有す
るものとなる。図２は図１（ｂ）の工程における断面Ｓ
ＥＭ写真を模式的に示した図であり、図中のＡがＢａＴ
ｉＯ3 粉体、Ｂが感光性エポキシ樹脂である。
【００１２】次に図１（ｃ）、（ｄ）に示すように、樹
脂層３ｂ側から紫外線を照射し、樹脂層３ｂのエポキシ
樹脂を感光させ、感光した樹脂層３ｂを現像し、これを
除去する。このあと、約１５０［℃］で約３０分加熱
し、コンデンサの誘電体４となる沈殿層３ａを硬化させ
る。紫外線を照射したときに、沈殿層３ａにおいてはＢ
ａＴｉＯ3 粉体が紫外線を遮断するため、沈殿層３ａの
エポキシ樹脂は感光せず、従って現像されずに残る。
脂層３ｂ側から紫外線を照射し、樹脂層３ｂのエポキシ
樹脂を感光させ、感光した樹脂層３ｂを現像し、これを
除去する。このあと、約１５０［℃］で約３０分加熱
し、コンデンサの誘電体４となる沈殿層３ａを硬化させ
る。紫外線を照射したときに、沈殿層３ａにおいてはＢ
ａＴｉＯ3 粉体が紫外線を遮断するため、沈殿層３ａの
エポキシ樹脂は感光せず、従って現像されずに残る。
【００１３】そして図１（ｅ）に示すように、誘電体４
（沈殿層３ａ）の表面に無電解銅メッキによる上部電極
５を形成し、水洗してから約１００［℃］で約１５分間
乾燥させる。以上の工程によりコンデンサが作製され
る。
（沈殿層３ａ）の表面に無電解銅メッキによる上部電極
５を形成し、水洗してから約１００［℃］で約１５分間
乾燥させる。以上の工程によりコンデンサが作製され
る。
【００１４】図３は図１に適用した本発明の誘電体作製
工程により誘電体を作製したときのＢａＴｉＯ3 粉体の
体積率と作製された誘電体の比誘電率との関係を示す図
である。すなわち、図３は上記図１（ａ）の説明におい
て１：９としたＢａＴｉＯ3粉体と感光性エポキシ樹脂
溶液との混合体積比を変化させ、それぞれの混合体積比
の混合体を用いて作製された誘電体の比誘電率を測定す
ることにより上記の関係を求めたものである。比誘電率
の測定機にはヒューレットパッカード社製の機種名「４
１９４Ａ IMPEDANCE/GAIN-PHASE ANALYZER 」を用い
た。また測定周波数は１［ＭＨｚ］とした。図３からＢ
ａＴｉＯ3 粉体の体積率が５０［ｖｏｌ％］以下の範囲
では、比誘電率は３０以上の高い値に安定していること
が判る。これは、ＢａＴｉＯ3 粉体を沈殿させることに
より、ペースト状の混合体３を作るときの混合体積比率
にかかわらず、ＢａＴｉＯ3 粉体が一定の高い体積率で
充填された、空泡の少ない沈殿層３ａすなわち誘電体４
を作製できるからである。
工程により誘電体を作製したときのＢａＴｉＯ3 粉体の
体積率と作製された誘電体の比誘電率との関係を示す図
である。すなわち、図３は上記図１（ａ）の説明におい
て１：９としたＢａＴｉＯ3粉体と感光性エポキシ樹脂
溶液との混合体積比を変化させ、それぞれの混合体積比
の混合体を用いて作製された誘電体の比誘電率を測定す
ることにより上記の関係を求めたものである。比誘電率
の測定機にはヒューレットパッカード社製の機種名「４
１９４Ａ IMPEDANCE/GAIN-PHASE ANALYZER 」を用い
た。また測定周波数は１［ＭＨｚ］とした。図３からＢ
ａＴｉＯ3 粉体の体積率が５０［ｖｏｌ％］以下の範囲
では、比誘電率は３０以上の高い値に安定していること
が判る。これは、ＢａＴｉＯ3 粉体を沈殿させることに
より、ペースト状の混合体３を作るときの混合体積比率
にかかわらず、ＢａＴｉＯ3 粉体が一定の高い体積率で
充填された、空泡の少ない沈殿層３ａすなわち誘電体４
を作製できるからである。
【００１５】また、沈殿層３ａすなわち誘電体４の厚さ
は、ペースト状の混合体３におけるＢａＴｉＯ3 粉体の
体積率に依存し、粉体体積率が小さいほど薄くなる。な
お、粉体体積率は５０［ｖｏｌ％］以下で良いので、ペ
ースト状の混合体３の粘度が大きく、薄く印刷できなく
なることはない。従って粉体体積率を程度に小さくする
ことにより、図３に示す一定の高い比誘電率を有する薄
い誘電体を作製でき、この誘電体により大容量のコンデ
ンサを作製することができる。
は、ペースト状の混合体３におけるＢａＴｉＯ3 粉体の
体積率に依存し、粉体体積率が小さいほど薄くなる。な
お、粉体体積率は５０［ｖｏｌ％］以下で良いので、ペ
ースト状の混合体３の粘度が大きく、薄く印刷できなく
なることはない。従って粉体体積率を程度に小さくする
ことにより、図３に示す一定の高い比誘電率を有する薄
い誘電体を作製でき、この誘電体により大容量のコンデ
ンサを作製することができる。
【００１６】このように本発明の実施の形態によれば、
セラミック質粉体を感光性樹脂溶液に低体積率で混練し
たペースト状の混合体３を、基板１表面に形成された下
部電極２上に印刷し、セラミック質粉体を沈殿させて誘
電体４となる沈殿層３ａを形成し、そのあと沈殿層３ａ
上の樹脂層３ｂを紫外線照射および現像によって除去す
ることにより、比誘電率が大きく膜厚が薄い誘電体４を
形成でき、この誘電体４を用いることにより容量の大き
なコンデンサを作製することができる。
セラミック質粉体を感光性樹脂溶液に低体積率で混練し
たペースト状の混合体３を、基板１表面に形成された下
部電極２上に印刷し、セラミック質粉体を沈殿させて誘
電体４となる沈殿層３ａを形成し、そのあと沈殿層３ａ
上の樹脂層３ｂを紫外線照射および現像によって除去す
ることにより、比誘電率が大きく膜厚が薄い誘電体４を
形成でき、この誘電体４を用いることにより容量の大き
なコンデンサを作製することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、セ
ラミック質粉体を樹脂溶液に混合した混合体中にセラミ
ック質粉体を沈殿させることにより、誘電体となる沈殿
層を形成し、沈殿層上の樹脂層を除去することにより、
比誘電率が大きく膜厚が薄い誘電体を作成することがで
きるという効果がある。また、この誘電体を用いること
により容量の大きなコンデンサを作製することができる
という効果がある。
ラミック質粉体を樹脂溶液に混合した混合体中にセラミ
ック質粉体を沈殿させることにより、誘電体となる沈殿
層を形成し、沈殿層上の樹脂層を除去することにより、
比誘電率が大きく膜厚が薄い誘電体を作成することがで
きるという効果がある。また、この誘電体を用いること
により容量の大きなコンデンサを作製することができる
という効果がある。
【図１】本発明の実施の形態のコンデンサ製造工程を説
明する図である。
明する図である。
【図２】図１（ｂ）の工程における断面ＳＥＭ写真を模
式的に示した図である。
式的に示した図である。
【図３】本発明の方法により誘電体を作製したしたとき
のＢａＴｉＯ3 粉体の体積率と作製された誘電体の比誘
電率との関係を示す図である。
のＢａＴｉＯ3 粉体の体積率と作製された誘電体の比誘
電率との関係を示す図である。
【図４】従来の方法により誘電体を作製したときの混合
体中のセラミック質粉体の体積率と作製された誘電体の
比誘電率との関係を示した図である。
体中のセラミック質粉体の体積率と作製された誘電体の
比誘電率との関係を示した図である。
【図５】従来の方法における混合体中のセラミック質粉
体の体積率と混合体の粘度との関係を示す図である。
体の体積率と混合体の粘度との関係を示す図である。
１ 基板、 ２ 下部電極、 ３ 混合体、 ３ａ 沈
殿層、 ３ｂ 樹脂層、 ４ 誘電体、 ５ 上部電
極。
殿層、 ３ｂ 樹脂層、 ４ 誘電体、 ５ 上部電
極。
フロントページの続き (72)発明者 荒井 徹 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 鮎澤 一年 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 樹脂にセラミック質粉体を混合してなる
誘電体の作製方法において、 セラミック質粉体を樹脂溶液に混合した混合体中に前記
セラミック質粉体を沈殿させることにより、前記誘電体
となる沈殿層を形成する工程と、 前記沈殿層上の樹脂層を除去する工程とを含むことを特
徴とする誘電体作製方法。 - 【請求項２】 前記樹脂として、感光性樹脂を用い、 前記沈殿層を形成した前記混合体に光を照射して前記樹
脂層を感光させ、この樹脂層を現像することにより除去
することを特徴とする請求項１記載の誘電体作製方法。 - 【請求項３】 前記セラミック質粉体が、強誘電体であ
ることを特徴とする請求項１記載の誘電体作製方法。 - 【請求項４】 前記沈殿層を形成する前に、前記混合体
を基板上に印刷する工程をさらに含むことを特徴とする
請求項１記載の誘電体作製方法。 - 【請求項５】 前記樹脂層を除去する前または除去した
あとに、前記セラミック質粉体を沈殿させた前記混合体
を硬化させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項
１記載の誘電体作製方法。 - 【請求項６】 セラミック質粉体を樹脂溶液に混合した
混合体を、表面に第１電極を形成した基板上に印刷する
工程と、 前記印刷された混合体中に前記セラミック質粉体を沈殿
させることにより、沈殿層を形成する工程と、 前記沈殿層上の樹脂層を除去し、前記沈殿層からなる誘
電体を形成する工程と、 前記誘電体上に第２電極を設ける工程とを含むことを特
徴とするコンデンサ作製方法。 - 【請求項７】 前記樹脂として、感光性樹脂を用い、 前記沈殿層を形成した前記混合体に光を照射して前記樹
脂層を感光させ、この樹脂層を現像することにより除去
することを特徴とする請求項６記載のコンデンサ作製方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25823697A JPH1197286A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 誘電体作製方法およびコンデンサ作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25823697A JPH1197286A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 誘電体作製方法およびコンデンサ作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197286A true JPH1197286A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17317424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25823697A Withdrawn JPH1197286A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 誘電体作製方法およびコンデンサ作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1197286A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1139460A2 (en) * | 2000-03-31 | 2001-10-04 | Sony Corporation | Separator, gelated electrolyte, non-aqueous electrolyte, electrode and non-aqueous electrolyte cell employing the same |
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| CN108570160A (zh) * | 2017-03-13 | 2018-09-25 | 苏州市迈尔特材料科技有限公司 | 具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法 |
-
1997
- 1997-09-24 JP JP25823697A patent/JPH1197286A/ja not_active Withdrawn
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