JPH1192293A - 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 - Google Patents
単結晶ＳｉＣ及びその製造方法Info
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- JPH1192293A JPH1192293A JP9245432A JP24543297A JPH1192293A JP H1192293 A JPH1192293 A JP H1192293A JP 9245432 A JP9245432 A JP 9245432A JP 24543297 A JP24543297 A JP 24543297A JP H1192293 A JPH1192293 A JP H1192293A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
Abstract
(57)【要約】
【課題】 切出したα−ＳｉＣ単結晶片の性質を有効に
活用することで、厚さが大きく、しかも品質の非常に高
い単結晶ＳｉＣを生産性よく製造できるようにする。 【解決手段】 α−ＳｉＣ単結晶塊１からサイズを整え
て結晶方位面２ａに沿って矩形板状に切り出したα−Ｓ
ｉＣ単結晶片２の複数枚を結晶方位が統一されるように
積層密着し、これら積層密着された複数枚のα−ＳｉＣ
単結晶片２の結晶方位面２ａにβ−ＳｉＣ膜４を形成し
てなる複合体Ｍをカーボン製容器６に入れて熱処理する
ことにより、α−ＳｉＣ単結晶片２の結晶方位面２ａか
らβ−ＳｉＣ膜４に向けてα−ＳｉＣ単結晶片２の結晶
軸と同方位に配向されたα−ＳｉＣ単結晶２´を一体に
成長させる。
活用することで、厚さが大きく、しかも品質の非常に高
い単結晶ＳｉＣを生産性よく製造できるようにする。 【解決手段】 α−ＳｉＣ単結晶塊１からサイズを整え
て結晶方位面２ａに沿って矩形板状に切り出したα−Ｓ
ｉＣ単結晶片２の複数枚を結晶方位が統一されるように
積層密着し、これら積層密着された複数枚のα−ＳｉＣ
単結晶片２の結晶方位面２ａにβ−ＳｉＣ膜４を形成し
てなる複合体Ｍをカーボン製容器６に入れて熱処理する
ことにより、α−ＳｉＣ単結晶片２の結晶方位面２ａか
らβ−ＳｉＣ膜４に向けてα−ＳｉＣ単結晶片２の結晶
軸と同方位に配向されたα−ＳｉＣ単結晶２´を一体に
成長させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶ＳｉＣおよ
びその製造方法に関するもので、詳しくは、発光ダイオ
ードやモノクロソーターなどのＸ線光学素子、高温半導
体電子素子やパワーデバイスの半導体基板ウエハなどと
して用いられる単結晶ＳｉＣおよびその製造方法に関す
るものである。
びその製造方法に関するもので、詳しくは、発光ダイオ
ードやモノクロソーターなどのＸ線光学素子、高温半導
体電子素子やパワーデバイスの半導体基板ウエハなどと
して用いられる単結晶ＳｉＣおよびその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣ（炭化珪素）は、耐熱性および機
械的強度に優れているだけでなく、放射線にも強く、さ
らに不純物の添加によって電子や正孔の価電子制御が容
易である上、広い禁制帯幅を持つ（因みに、６Ｈ型のＳ
ｉＣ単結晶で約３．０ｅＶ、４Ｈ型のＳｉＣ単結晶で
３．２６ｅＶ）ために、Ｓｉ（シリコン）やＧａＡｓ
（ガリウムヒ素）などの既存の半導体材料では実現する
ことができない大容量、高周波、耐圧、耐環境性を実現
することが可能で、次世代のパワーデバイス用半導体材
料として注目され、かつ期待されている。
械的強度に優れているだけでなく、放射線にも強く、さ
らに不純物の添加によって電子や正孔の価電子制御が容
易である上、広い禁制帯幅を持つ（因みに、６Ｈ型のＳ
ｉＣ単結晶で約３．０ｅＶ、４Ｈ型のＳｉＣ単結晶で
３．２６ｅＶ）ために、Ｓｉ（シリコン）やＧａＡｓ
（ガリウムヒ素）などの既存の半導体材料では実現する
ことができない大容量、高周波、耐圧、耐環境性を実現
することが可能で、次世代のパワーデバイス用半導体材
料として注目され、かつ期待されている。
【０００３】ところで、この種のＳｉＣ単結晶の成長
（製造）方法として、従来、ＳｉＣ研磨材の工業的製法
として一般的に知られているもので、種結晶基材をそれ
の外周から高周波電極で加熱することにより該種結晶基
材の中心部で多くの核発生を起こして、種結晶基材の中
央部を中心として複数の渦巻き状の結晶成長を進行させ
るアチソン法や、アチソン法で作られた粉状のＳｉＣを
原料として用い、単一の結晶核上に結晶を成長させる昇
華再結晶法とが知られている。
（製造）方法として、従来、ＳｉＣ研磨材の工業的製法
として一般的に知られているもので、種結晶基材をそれ
の外周から高周波電極で加熱することにより該種結晶基
材の中心部で多くの核発生を起こして、種結晶基材の中
央部を中心として複数の渦巻き状の結晶成長を進行させ
るアチソン法や、アチソン法で作られた粉状のＳｉＣを
原料として用い、単一の結晶核上に結晶を成長させる昇
華再結晶法とが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の製造方法のうちアチソン法による場合は長時間
に亘ってゆっくりと単結晶が成長するもので結晶成長速
度が非常に低いだけでなく、成長初期の段階で多数の結
晶核が発生してこれが結晶成長とともに結晶の上部にま
で伝播されることになるため、単独で大きな単結晶を得
ることが困難である。また、昇華再結晶法にあっては、
主として経済的（生産コスト）理由によって１ｍｍ／ｈ
ｒ．程度の高速成長が採用されるために、不純物および
マイクロパイプ欠陥と呼ばれ半導体デバイスを作製した
際の漏れ電流等の原因となる結晶の成長方向に貫通する
直径数ミクロンのピンホールが成長結晶中に残存しやす
く、品質的に十分なＳｉＣ単結晶が得られないという問
題があり、このことが既述のようにＳｉやＧａＡｓなど
の既存の半導体材料に比べて多くの優れた特徴を有しな
がらも、その実用化を阻止する要因になっている。
た従来の製造方法のうちアチソン法による場合は長時間
に亘ってゆっくりと単結晶が成長するもので結晶成長速
度が非常に低いだけでなく、成長初期の段階で多数の結
晶核が発生してこれが結晶成長とともに結晶の上部にま
で伝播されることになるため、単独で大きな単結晶を得
ることが困難である。また、昇華再結晶法にあっては、
主として経済的（生産コスト）理由によって１ｍｍ／ｈ
ｒ．程度の高速成長が採用されるために、不純物および
マイクロパイプ欠陥と呼ばれ半導体デバイスを作製した
際の漏れ電流等の原因となる結晶の成長方向に貫通する
直径数ミクロンのピンホールが成長結晶中に残存しやす
く、品質的に十分なＳｉＣ単結晶が得られないという問
題があり、このことが既述のようにＳｉやＧａＡｓなど
の既存の半導体材料に比べて多くの優れた特徴を有しな
がらも、その実用化を阻止する要因になっている。
【０００５】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、結晶方位を特定しやすく、かつ大きくて、しかも品
質の非常に高い単結晶ＳｉＣと、この単結晶ＳｉＣの成
長速度を上げて高品質な単結晶を生産性よく製造するこ
とができる単結晶ＳｉＣの製造方法を提供することを目
的としている。
で、結晶方位を特定しやすく、かつ大きくて、しかも品
質の非常に高い単結晶ＳｉＣと、この単結晶ＳｉＣの成
長速度を上げて高品質な単結晶を生産性よく製造するこ
とができる単結晶ＳｉＣの製造方法を提供することを目
的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明に係る単結晶ＳｉＣは、板状
のα−ＳｉＣ単結晶片の複数枚を結晶方位が一方向に統
一されるように積層密着するとともに、それら積層密着
された複数枚のα−ＳｉＣ単結晶片の結晶方位面にβ−
ＳｉＣ膜が形成されてなる複合体を熱処理することによ
り、上記α−ＳｉＣ単結晶片の結晶方位面から上記β−
ＳｉＣ膜に向けて上記α−ＳｉＣ単結晶片の結晶軸と同
方位に配向されたα−ＳｉＣ単結晶が形成されているこ
とを特徴とするものであり、また、請求項４に記載の発
明に係る単結晶ＳｉＣの製造方法は、α−ＳｉＣ単結晶
から結晶方位面に沿って板状のα−ＳｉＣ単結晶片を切
り出すとともにサイズを整え、そのサイズの整えられた
α−ＳｉＣ単結晶片の複数枚を結晶方位が一方向に統一
されるように積層密着させてカーボン治具で固定した
後、それら積層密着固定された複数枚のα−ＳｉＣ単結
晶片の結晶方位面にβ−ＳｉＣ膜を形成し、次いで、そ
の複合体を熱処理することにより、上記α−ＳｉＣ単結
晶片の結晶方位面から上記β−ＳｉＣ膜に向けて上記α
−ＳｉＣ単結晶片の結晶軸と同方位に配向されたα−Ｓ
ｉＣ単結晶を一体に成長させることを特徴とするもので
ある。
に、請求項１に記載の発明に係る単結晶ＳｉＣは、板状
のα−ＳｉＣ単結晶片の複数枚を結晶方位が一方向に統
一されるように積層密着するとともに、それら積層密着
された複数枚のα−ＳｉＣ単結晶片の結晶方位面にβ−
ＳｉＣ膜が形成されてなる複合体を熱処理することによ
り、上記α−ＳｉＣ単結晶片の結晶方位面から上記β−
ＳｉＣ膜に向けて上記α−ＳｉＣ単結晶片の結晶軸と同
方位に配向されたα−ＳｉＣ単結晶が形成されているこ
とを特徴とするものであり、また、請求項４に記載の発
明に係る単結晶ＳｉＣの製造方法は、α−ＳｉＣ単結晶
から結晶方位面に沿って板状のα−ＳｉＣ単結晶片を切
り出すとともにサイズを整え、そのサイズの整えられた
α−ＳｉＣ単結晶片の複数枚を結晶方位が一方向に統一
されるように積層密着させてカーボン治具で固定した
後、それら積層密着固定された複数枚のα−ＳｉＣ単結
晶片の結晶方位面にβ−ＳｉＣ膜を形成し、次いで、そ
の複合体を熱処理することにより、上記α−ＳｉＣ単結
晶片の結晶方位面から上記β−ＳｉＣ膜に向けて上記α
−ＳｉＣ単結晶片の結晶軸と同方位に配向されたα−Ｓ
ｉＣ単結晶を一体に成長させることを特徴とするもので
ある。
【０００７】上記のような構成要件を有する請求項１及
び請求項４に記載の発明によれば、板状の複数枚のα−
ＳｉＣ単結晶片を積層状態で用いることにより、それら
複数枚のα−ＳｉＣ単結晶片の結晶方位を一方向に容易
に特定することが可能であり、その特定された結晶方位
面にβ−ＳｉＣ膜を形成して熱処理することによって、
上記β−ＳｉＣ膜が再結晶化されて複数枚のα−ＳｉＣ
単結晶片の結晶軸から全てが同方位に配向されてβ−Ｓ
ｉＣ膜に向け高速成長する単結晶を一体化することが可
能であり、これによって、界面に結晶核や不純物および
マイクロパイプ欠陥などが発生しない高品質で、かつ、
厚みの大きな単結晶ＳｉＣを生産性よく得ることができ
る。
び請求項４に記載の発明によれば、板状の複数枚のα−
ＳｉＣ単結晶片を積層状態で用いることにより、それら
複数枚のα−ＳｉＣ単結晶片の結晶方位を一方向に容易
に特定することが可能であり、その特定された結晶方位
面にβ−ＳｉＣ膜を形成して熱処理することによって、
上記β−ＳｉＣ膜が再結晶化されて複数枚のα−ＳｉＣ
単結晶片の結晶軸から全てが同方位に配向されてβ−Ｓ
ｉＣ膜に向け高速成長する単結晶を一体化することが可
能であり、これによって、界面に結晶核や不純物および
マイクロパイプ欠陥などが発生しない高品質で、かつ、
厚みの大きな単結晶ＳｉＣを生産性よく得ることができ
る。
【０００８】上記請求項１に記載の発明に係る単結晶Ｓ
ｉＣ及び請求項４に記載の発明に係る単結晶ＳｉＣの製
造方法において、上記積層密着された複数枚のα−Ｓｉ
Ｃ単結晶片の結晶方位面を、請求項２および請求項５に
記載のように、研削または研磨加工によりＲＭＳ１００
０オングストローム未満の表面粗さに調整することが望
ましく、特に好ましくは、ＲＭＳ１００〜５００オング
ストロームの表面粗さに調整されていることである。そ
の理由は次のとおりである。即ち、β−ＳｉＣ膜を形成
する面の物理的な凹凸は小さいほど結晶核の発生が少な
くて好ましいが、ＲＭＳ１００オングストローム未満の
表面粗さになるまで加工するには大きな労力と時間を必
要とし、またＲＭＳ１０００オングストロームを越える
粗い面になると、熱処理時に凹部の底面と側面から同時
に相変態が生じるために、結晶格子の不整合を解消する
可能性が小さくなって、界面に結晶核が発生した品質の
悪い製品になってしまうからである。
ｉＣ及び請求項４に記載の発明に係る単結晶ＳｉＣの製
造方法において、上記積層密着された複数枚のα−Ｓｉ
Ｃ単結晶片の結晶方位面を、請求項２および請求項５に
記載のように、研削または研磨加工によりＲＭＳ１００
０オングストローム未満の表面粗さに調整することが望
ましく、特に好ましくは、ＲＭＳ１００〜５００オング
ストロームの表面粗さに調整されていることである。そ
の理由は次のとおりである。即ち、β−ＳｉＣ膜を形成
する面の物理的な凹凸は小さいほど結晶核の発生が少な
くて好ましいが、ＲＭＳ１００オングストローム未満の
表面粗さになるまで加工するには大きな労力と時間を必
要とし、またＲＭＳ１０００オングストロームを越える
粗い面になると、熱処理時に凹部の底面と側面から同時
に相変態が生じるために、結晶格子の不整合を解消する
可能性が小さくなって、界面に結晶核が発生した品質の
悪い製品になってしまうからである。
【０００９】また、上記請求項１に記載の発明に係る単
結晶ＳｉＣ及び請求項４に記載の発明に係る単結晶Ｓｉ
Ｃの製造方法において、上記β−ＳｉＣ膜は、請求項３
および請求項６に記載のように、３００〜７００μｍの
厚さに研磨されていることが望ましい。その理由は次の
とおりである。即ち、β−ＳｉＣ膜が７００μｍを越え
るような厚い膜である場合は、熱処理時に元の結晶の格
子歪みを温存したままで相変態を生じるために、格子歪
みを解消するには長時間に亘る熱処理が必要となって、
高品質の単結晶ＳｉＣの生産性が悪化するからであり、
また、β−ＳｉＣ膜の下地となっている複数枚のα−Ｓ
ｉＣ単結晶片の結晶方位面の格子歪みに起因する結晶格
子の不整合は、α−ＳｉＣ単結晶片から厚さが３００〜
７００μｍ程度の範囲において急激に解消される傾向に
あり、７００μｍを越えると、格子欠陥の不整合の解消
度合が小さくなるからである。
結晶ＳｉＣ及び請求項４に記載の発明に係る単結晶Ｓｉ
Ｃの製造方法において、上記β−ＳｉＣ膜は、請求項３
および請求項６に記載のように、３００〜７００μｍの
厚さに研磨されていることが望ましい。その理由は次の
とおりである。即ち、β−ＳｉＣ膜が７００μｍを越え
るような厚い膜である場合は、熱処理時に元の結晶の格
子歪みを温存したままで相変態を生じるために、格子歪
みを解消するには長時間に亘る熱処理が必要となって、
高品質の単結晶ＳｉＣの生産性が悪化するからであり、
また、β−ＳｉＣ膜の下地となっている複数枚のα−Ｓ
ｉＣ単結晶片の結晶方位面の格子歪みに起因する結晶格
子の不整合は、α−ＳｉＣ単結晶片から厚さが３００〜
７００μｍ程度の範囲において急激に解消される傾向に
あり、７００μｍを越えると、格子欠陥の不整合の解消
度合が小さくなるからである。
【００１０】さらに、上記請求項４ないし６のいずれか
に記載の発明において、上記複合体の熱処理は、請求項
７に記載のように、複合体をカーボン製容器に入れ、か
つ、そのカーボン製容器の外側をα−ＳｉＣ粉体により
覆った状態で１８５０〜２４００℃の範囲の温度で行な
うことが好ましい。その理由は次のとおりである。即
ち、単にカーボン製容器に入れて熱処理するだけの場合
は、該容器内に収納されているＳｉＣがＳｉとＣに分解
し、ポーラスなカーボン製容器を通じて容器の外部に露
出するために、ＳｉＣの相変態以前に分解が促進されて
しまう。これに対して、カーボン製容器の外側をα−Ｓ
ｉＣ粉体により覆っておくば、高温雰囲気におかれてい
るα−ＳｉＣ粉体が分解され、その分解されたＳｉ、Ｃ
の少なくとも一部がポーラスなカーボン製容器を通じて
容器内に移入して、飽和ＳｉＣ蒸気雰囲気の中で熱処理
が行われることになり、これによって、α−ＳｉＣ単結
晶片およびβ−ＳｉＣの分解を抑えて品質の良い単結晶
ＳｉＣを確実に製造することができる。
に記載の発明において、上記複合体の熱処理は、請求項
７に記載のように、複合体をカーボン製容器に入れ、か
つ、そのカーボン製容器の外側をα−ＳｉＣ粉体により
覆った状態で１８５０〜２４００℃の範囲の温度で行な
うことが好ましい。その理由は次のとおりである。即
ち、単にカーボン製容器に入れて熱処理するだけの場合
は、該容器内に収納されているＳｉＣがＳｉとＣに分解
し、ポーラスなカーボン製容器を通じて容器の外部に露
出するために、ＳｉＣの相変態以前に分解が促進されて
しまう。これに対して、カーボン製容器の外側をα−Ｓ
ｉＣ粉体により覆っておくば、高温雰囲気におかれてい
るα−ＳｉＣ粉体が分解され、その分解されたＳｉ、Ｃ
の少なくとも一部がポーラスなカーボン製容器を通じて
容器内に移入して、飽和ＳｉＣ蒸気雰囲気の中で熱処理
が行われることになり、これによって、α−ＳｉＣ単結
晶片およびβ−ＳｉＣの分解を抑えて品質の良い単結晶
ＳｉＣを確実に製造することができる。
【００１１】また、上記請求項４ないし６のいずれかに
記載の発明において、上記複合体の熱処理に際して、請
求項８に記載のように、成膜後の上記β−ＳｉＣ膜の表
面を研磨し、かつ、その研磨した表面にカーボンを乗せ
た上で、上記複合体をカーボン製容器に入れ、かつ、そ
のカーボン製容器の外側をα−ＳｉＣ粉体により覆った
状態で１８５０〜２４００℃の範囲の温度で行なう場合
は、上述のように、カーボン製容器の外側を覆うα−Ｓ
ｉＣ粉体が高温雰囲気で分解され、ポーラスなカーボン
製容器を通じて容器内に移入されるＳｉ、Ｃが相変態前
にＳｉＣに付着し、その結果、結晶核が発生して格子の
組替え現象を生じることも防止でき、これによって、品
質がよく、かつ美麗な単結晶ＳｉＣを製造することがで
きる。
記載の発明において、上記複合体の熱処理に際して、請
求項８に記載のように、成膜後の上記β−ＳｉＣ膜の表
面を研磨し、かつ、その研磨した表面にカーボンを乗せ
た上で、上記複合体をカーボン製容器に入れ、かつ、そ
のカーボン製容器の外側をα−ＳｉＣ粉体により覆った
状態で１８５０〜２４００℃の範囲の温度で行なう場合
は、上述のように、カーボン製容器の外側を覆うα−Ｓ
ｉＣ粉体が高温雰囲気で分解され、ポーラスなカーボン
製容器を通じて容器内に移入されるＳｉ、Ｃが相変態前
にＳｉＣに付着し、その結果、結晶核が発生して格子の
組替え現象を生じることも防止でき、これによって、品
質がよく、かつ美麗な単結晶ＳｉＣを製造することがで
きる。
【００１２】さらにまた、請求項９に記載の発明に係る
単結晶ＳｉＣの製造方法は、上記請求項４ないし８のい
ずれかに記載の方法で製造された単結晶ＳｉＣの表面を
再度、研削もしくは研磨し、その研磨された表面に対す
る熱化学的蒸着法によるβ−ＳｉＣ膜の形成および熱処
理を繰り返してα−ＳｉＣ単結晶を一体に成長させるこ
とを特徴とするものであり、この請求項９に記載の発明
によれば、高品質で、しかも非常に厚みの大きい単結晶
ＳｉＣを得ることができる。
単結晶ＳｉＣの製造方法は、上記請求項４ないし８のい
ずれかに記載の方法で製造された単結晶ＳｉＣの表面を
再度、研削もしくは研磨し、その研磨された表面に対す
る熱化学的蒸着法によるβ−ＳｉＣ膜の形成および熱処
理を繰り返してα−ＳｉＣ単結晶を一体に成長させるこ
とを特徴とするものであり、この請求項９に記載の発明
によれば、高品質で、しかも非常に厚みの大きい単結晶
ＳｉＣを得ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
にもとづいて説明する。図１〜図７は本発明に係る単結
晶ＳｉＣの製造方法を製造工程順に説明する図であり、
図１において、１はアチソン法により作られた六方晶系
（６Ｈ型、４Ｈ型）のα−ＳｉＣ単結晶塊で、該α−Ｓ
ｉＣ単結晶塊１は図１中の矢印で示すように、サイズが
多種多用な多数の板状ＳｉＣ単結晶片１Ａを有し、結晶
方位を特定しやすいという特長を備えている。次に、上
記α−ＳｉＣ単結晶塊１から図２（ａ），（ｂ）に示す
ように、多数の板状ＳｉＣ単結晶片１Ａを切断して取り
出した後、それら板状ＳｉＣ単結晶片１Ａから図３
（ａ），（ｂ）に示すように、一辺長さＬが１ｃｍ程
度、厚さＴが０．５ｍｍ程度の矩形板状のα−ＳｉＣ単
結晶片２を（１１０）結晶方位面２ａに沿って切り出す
とともに、その結晶方位面２ａを研磨加工して同じサイ
ズに整える。
にもとづいて説明する。図１〜図７は本発明に係る単結
晶ＳｉＣの製造方法を製造工程順に説明する図であり、
図１において、１はアチソン法により作られた六方晶系
（６Ｈ型、４Ｈ型）のα−ＳｉＣ単結晶塊で、該α−Ｓ
ｉＣ単結晶塊１は図１中の矢印で示すように、サイズが
多種多用な多数の板状ＳｉＣ単結晶片１Ａを有し、結晶
方位を特定しやすいという特長を備えている。次に、上
記α−ＳｉＣ単結晶塊１から図２（ａ），（ｂ）に示す
ように、多数の板状ＳｉＣ単結晶片１Ａを切断して取り
出した後、それら板状ＳｉＣ単結晶片１Ａから図３
（ａ），（ｂ）に示すように、一辺長さＬが１ｃｍ程
度、厚さＴが０．５ｍｍ程度の矩形板状のα−ＳｉＣ単
結晶片２を（１１０）結晶方位面２ａに沿って切り出す
とともに、その結晶方位面２ａを研磨加工して同じサイ
ズに整える。
【００１４】ついで、上記のようにサイズが整えられた
α−ＳｉＣ単結晶片２の複数枚、例えば２０枚程度をそ
れらの結晶方位面２ａがほぼ同一平面内に並べられて結
晶方位が一方向に統一されるようにＣ軸方向、すなわ
ち、（０００１）面を積層密着させて図４に示すよう
に、焼結カーボン治具３に固定する。この焼結カーボン
治具３に固定された複数枚のα−ＳｉＣ単結晶片２の結
晶方位面２ａは、研削または研磨加工により物理的な凹
凸を除去する。詳しくは、それら結晶方位面２ａをＲＭ
Ｓ１０００オングストローム未満、好ましくはＲＭＳ１
００〜５００オングストロームの範囲の表面粗さに調整
する。
α−ＳｉＣ単結晶片２の複数枚、例えば２０枚程度をそ
れらの結晶方位面２ａがほぼ同一平面内に並べられて結
晶方位が一方向に統一されるようにＣ軸方向、すなわ
ち、（０００１）面を積層密着させて図４に示すよう
に、焼結カーボン治具３に固定する。この焼結カーボン
治具３に固定された複数枚のα−ＳｉＣ単結晶片２の結
晶方位面２ａは、研削または研磨加工により物理的な凹
凸を除去する。詳しくは、それら結晶方位面２ａをＲＭ
Ｓ１０００オングストローム未満、好ましくはＲＭＳ１
００〜５００オングストロームの範囲の表面粗さに調整
する。
【００１５】その後、上記積層密着された複数枚のα−
ＳｉＣ単結晶片２の結晶方位面２ａに熱化学的蒸着法
（以下、熱ＣＶＤ法という）により図５に示すように、
β−ＳｉＣ膜４を形成する。このβ−ＳｉＣ膜４は熱Ｃ
ＶＤ法による成膜後に、その膜厚さｔが３００〜７００
μｍ、好ましくは５００μｍ程度になるように表面研磨
される。
ＳｉＣ単結晶片２の結晶方位面２ａに熱化学的蒸着法
（以下、熱ＣＶＤ法という）により図５に示すように、
β−ＳｉＣ膜４を形成する。このβ−ＳｉＣ膜４は熱Ｃ
ＶＤ法による成膜後に、その膜厚さｔが３００〜７００
μｍ、好ましくは５００μｍ程度になるように表面研磨
される。
【００１６】次いで、上記複数枚のα−ＳｉＣ単結晶片
２とβ−ＳｉＣ膜４とからなる複合体Ｍにおけるβ−Ｓ
ｉＣ膜４の研磨表面にカーボン５を乗せた上で、該複合
体Ｍを図６に示すように、カーボン製容器６に収容し、
かつ、そのカーボン製容器６の外側をα−ＳｉＣ粉体７
により囲い覆った状態で１８５０〜２４００℃、好まし
くは２２００℃の温度下に２０時間程度保持させて熱処
理することにより、図７に示すように、上記各α−Ｓｉ
Ｃ単結晶片２の結晶方位面２ａからそれぞれ上記β−Ｓ
ｉＣ膜４に向けて上記各α−ＳｉＣ単結晶片２の結晶軸
と同方位に配向されたα−ＳｉＣ単結晶２´が一体に成
長される。
２とβ−ＳｉＣ膜４とからなる複合体Ｍにおけるβ−Ｓ
ｉＣ膜４の研磨表面にカーボン５を乗せた上で、該複合
体Ｍを図６に示すように、カーボン製容器６に収容し、
かつ、そのカーボン製容器６の外側をα−ＳｉＣ粉体７
により囲い覆った状態で１８５０〜２４００℃、好まし
くは２２００℃の温度下に２０時間程度保持させて熱処
理することにより、図７に示すように、上記各α−Ｓｉ
Ｃ単結晶片２の結晶方位面２ａからそれぞれ上記β−Ｓ
ｉＣ膜４に向けて上記各α−ＳｉＣ単結晶片２の結晶軸
と同方位に配向されたα−ＳｉＣ単結晶２´が一体に成
長される。
【００１７】以上の製造工程を経て製造された単結晶Ｓ
ｉＣを冷却後、その表面を研磨し溶融水酸化カリウム
（ＫＯＨ）でエッチングして、ノマルスキー顕微鏡で拡
大し観察したところ結晶粒界は認められず、六角形同方
位のエッチピットが確認され、これによって、α−Ｓｉ
Ｃ単結晶が育成されたことが認められた。
ｉＣを冷却後、その表面を研磨し溶融水酸化カリウム
（ＫＯＨ）でエッチングして、ノマルスキー顕微鏡で拡
大し観察したところ結晶粒界は認められず、六角形同方
位のエッチピットが確認され、これによって、α−Ｓｉ
Ｃ単結晶が育成されたことが認められた。
【００１８】上記のように、アチンソ法により作られた
α−ＳｉＣ単結晶塊１から矩形板状に切り出した複数枚
のα−ＳｉＣ単結晶片２を積層状態で用いることによ
り、それら複数枚のα−ＳｉＣ単結晶片２の結晶方位を
一方向に容易に特定することが可能であり、その特定さ
れた結晶方位面２ａに熱ＣＶＤ法によりβ−ＳｉＣ膜４
を形成してなる複合体Ｍを熱処理することによって、上
記β−ＳｉＣ膜４の再結晶化によって複数枚のα−Ｓｉ
Ｃ単結晶片２の結晶軸から全てが同方位に配向されてβ
−ＳｉＣ膜４に向け高速成長する単結晶２´を一体化す
ることが可能であり、これによって、界面に結晶核や不
純物およびマイクロパイプ欠陥などが発生しない高品質
で、かつ、厚みの大きな単結晶ＳｉＣを効率よく製造す
ることができる。
α−ＳｉＣ単結晶塊１から矩形板状に切り出した複数枚
のα−ＳｉＣ単結晶片２を積層状態で用いることによ
り、それら複数枚のα−ＳｉＣ単結晶片２の結晶方位を
一方向に容易に特定することが可能であり、その特定さ
れた結晶方位面２ａに熱ＣＶＤ法によりβ−ＳｉＣ膜４
を形成してなる複合体Ｍを熱処理することによって、上
記β−ＳｉＣ膜４の再結晶化によって複数枚のα−Ｓｉ
Ｃ単結晶片２の結晶軸から全てが同方位に配向されてβ
−ＳｉＣ膜４に向け高速成長する単結晶２´を一体化す
ることが可能であり、これによって、界面に結晶核や不
純物およびマイクロパイプ欠陥などが発生しない高品質
で、かつ、厚みの大きな単結晶ＳｉＣを効率よく製造す
ることができる。
【００１９】ここで、特に複数枚のα−ＳｉＣ単結晶片
２の結晶方位面２ａを研削または研磨加工によりＲＭＳ
１０００オングストローム未満、好ましくはＲＭＳ１０
０〜５００オングストロームの表面粗さに調整しておく
ことにより、少ない加工労力でありながら、結晶格子の
不整合を解消して界面に結晶核などが発生していない高
品質の単結晶ＳｉＣを得ることができる。
２の結晶方位面２ａを研削または研磨加工によりＲＭＳ
１０００オングストローム未満、好ましくはＲＭＳ１０
０〜５００オングストロームの表面粗さに調整しておく
ことにより、少ない加工労力でありながら、結晶格子の
不整合を解消して界面に結晶核などが発生していない高
品質の単結晶ＳｉＣを得ることができる。
【００２０】また、上記β−ＳｉＣ膜４の成膜後にその
膜厚さｔを３００〜７００μｍに研磨することにより、
比較的短時間の熱処理によって格子歪みに起因する結晶
格子の不整合を解消して、より高品質の単結晶ＳｉＣの
生産性を向上することが可能である。
膜厚さｔを３００〜７００μｍに研磨することにより、
比較的短時間の熱処理によって格子歪みに起因する結晶
格子の不整合を解消して、より高品質の単結晶ＳｉＣの
生産性を向上することが可能である。
【００２１】さらに、上記複合体Ｍの熱処理にあたっ
て、成膜後の上記β−ＳｉＣ膜４の表面を研磨し、か
つ、その研磨した表面にカーボン５を乗せた上で複合体
Ｍをカーボン製容器６に入れ、かつ、そのカーボン製容
器６の外側をα−ＳｉＣ粉体７により覆った状態で所定
の熱処理を行なうことによって、高温雰囲気でα−Ｓｉ
Ｃ粉体７が分解され、その分解されたＳｉ、Ｃの少なく
とも一部をポーラスなカーボン製容器６を通じて容器６
内に移入させて飽和ＳｉＣ蒸気雰囲気の中で所定の熱処
理を行なえ、これによって、α−ＳｉＣ単結晶片２およ
びβ−ＳｉＣ膜４の分解を抑えて品質の良い単結晶Ｓｉ
Ｃを製造することが可能であるとともに、ポーラスなカ
ーボン製容器６を通じて容器６内に移入されるＳｉ、Ｃ
が相変態前にＳｉＣに付着することも防止でき、これに
よって、品質がよく、かつ美麗な単結晶ＳｉＣを製造す
ることが可能である。
て、成膜後の上記β−ＳｉＣ膜４の表面を研磨し、か
つ、その研磨した表面にカーボン５を乗せた上で複合体
Ｍをカーボン製容器６に入れ、かつ、そのカーボン製容
器６の外側をα−ＳｉＣ粉体７により覆った状態で所定
の熱処理を行なうことによって、高温雰囲気でα−Ｓｉ
Ｃ粉体７が分解され、その分解されたＳｉ、Ｃの少なく
とも一部をポーラスなカーボン製容器６を通じて容器６
内に移入させて飽和ＳｉＣ蒸気雰囲気の中で所定の熱処
理を行なえ、これによって、α−ＳｉＣ単結晶片２およ
びβ−ＳｉＣ膜４の分解を抑えて品質の良い単結晶Ｓｉ
Ｃを製造することが可能であるとともに、ポーラスなカ
ーボン製容器６を通じて容器６内に移入されるＳｉ、Ｃ
が相変態前にＳｉＣに付着することも防止でき、これに
よって、品質がよく、かつ美麗な単結晶ＳｉＣを製造す
ることが可能である。
【００２２】なお、上記のように製造された単結晶Ｓｉ
Ｃの表面を再度、研削もしくは研磨し、その研磨された
表面に熱ＣＶＤ法によってβ−ＳｉＣ膜４を形成する工
程およびそのβ−ＳｉＣ膜４を含む複合体Ｍの熱処理を
繰り返すことによって、結晶方位に沿った厚みが大きい
単結晶ＳｉＣを得ることが可能であり、また、積層α−
ＳｉＣ単結晶片２を並設し、それら並設した積層α−Ｓ
ｉＣ単結晶片２群の結晶方位面２ａの全域に熱ＣＶＤ法
によってβ−ＳｉＣ膜４を形成した後、上述したような
熱処理を行うことによって、面積的にも大きい単結晶Ｓ
ｉＣを得ることが可能である。
Ｃの表面を再度、研削もしくは研磨し、その研磨された
表面に熱ＣＶＤ法によってβ−ＳｉＣ膜４を形成する工
程およびそのβ−ＳｉＣ膜４を含む複合体Ｍの熱処理を
繰り返すことによって、結晶方位に沿った厚みが大きい
単結晶ＳｉＣを得ることが可能であり、また、積層α−
ＳｉＣ単結晶片２を並設し、それら並設した積層α−Ｓ
ｉＣ単結晶片２群の結晶方位面２ａの全域に熱ＣＶＤ法
によってβ−ＳｉＣ膜４を形成した後、上述したような
熱処理を行うことによって、面積的にも大きい単結晶Ｓ
ｉＣを得ることが可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、請求項１および請求項４
に記載の発明によれば、板状の複数枚のα−ＳｉＣ単結
晶片を用いることにより、積層された複数枚のα−Ｓｉ
Ｃ単結晶片の結晶方位を一方向に容易に特定しやすいと
いう性質を有効に活用して、その特定された結晶方位面
にβ−ＳｉＣ膜を形成したうえで熱処理を行うことによ
り、β−ＳｉＣ膜の再結晶化により複数枚のα−ＳｉＣ
単結晶片の結晶軸から全てが同方位に配向されてβ−Ｓ
ｉＣ膜に向け高速成長する単結晶を一体化することがで
きる。したがって、界面に結晶核や不純物およびマイク
ロパイプ欠陥などが発生しない高品質で、かつ、厚みの
大きな単結晶ＳｉＣを生産性よく得ることができる。こ
れによって、Ｓｉ（シリコン）やＡｓ（ガリウムヒ素）
などの既存の半導体材料に比べて大容量、高周波、耐
圧、耐環境性に優れパワーデバイス用半導体材料として
期待されている単結晶ＳｉＣの実用化を促進することが
できるという効果を奏する。
に記載の発明によれば、板状の複数枚のα−ＳｉＣ単結
晶片を用いることにより、積層された複数枚のα−Ｓｉ
Ｃ単結晶片の結晶方位を一方向に容易に特定しやすいと
いう性質を有効に活用して、その特定された結晶方位面
にβ−ＳｉＣ膜を形成したうえで熱処理を行うことによ
り、β−ＳｉＣ膜の再結晶化により複数枚のα−ＳｉＣ
単結晶片の結晶軸から全てが同方位に配向されてβ−Ｓ
ｉＣ膜に向け高速成長する単結晶を一体化することがで
きる。したがって、界面に結晶核や不純物およびマイク
ロパイプ欠陥などが発生しない高品質で、かつ、厚みの
大きな単結晶ＳｉＣを生産性よく得ることができる。こ
れによって、Ｓｉ（シリコン）やＡｓ（ガリウムヒ素）
などの既存の半導体材料に比べて大容量、高周波、耐
圧、耐環境性に優れパワーデバイス用半導体材料として
期待されている単結晶ＳｉＣの実用化を促進することが
できるという効果を奏する。
【００２４】また、請求項２および５に記載の発明なら
びに請求項３および６に記載の発明によれば、複数枚の
α−ＳｉＣ単結晶片の結晶方位面の格子歪みに起因する
結晶格子の不整合を容易に解消することができて、界面
に結晶核などが発生していない高品質の単結晶ＳｉＣを
得ることができる。
びに請求項３および６に記載の発明によれば、複数枚の
α−ＳｉＣ単結晶片の結晶方位面の格子歪みに起因する
結晶格子の不整合を容易に解消することができて、界面
に結晶核などが発生していない高品質の単結晶ＳｉＣを
得ることができる。
【００２５】さらに、請求項７および請求項８に記載の
発明によれば、所定の熱処理を飽和ＳｉＣ蒸気雰囲気の
中で行なえて、α−ＳｉＣ単結晶片およびβ−ＳｉＣ膜
の分解による品質の劣化を防止することができ、また、
分解したＳｉ，Ｃが相変態前にＳｉＣに付着することも
防止でき、これによって、品質がよく、かつ美麗な単結
晶ＳｉＣを製造することができる。
発明によれば、所定の熱処理を飽和ＳｉＣ蒸気雰囲気の
中で行なえて、α−ＳｉＣ単結晶片およびβ−ＳｉＣ膜
の分解による品質の劣化を防止することができ、また、
分解したＳｉ，Ｃが相変態前にＳｉＣに付着することも
防止でき、これによって、品質がよく、かつ美麗な単結
晶ＳｉＣを製造することができる。
【００２６】さらにまた、請求項９に記載の発明によれ
ば、高品質で、しかも非常に厚みの大きい単結晶ＳｉＣ
を容易に得ることができる。
ば、高品質で、しかも非常に厚みの大きい単結晶ＳｉＣ
を容易に得ることができる。
【図１】単結晶ＳｉＣの製造方法のうちアチソン法で作
られたα−ＳｉＣ単結晶塊を示す概略斜視図である。
られたα−ＳｉＣ単結晶塊を示す概略斜視図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は同上α−ＳｉＣ単結晶塊から
切断により取り出された板状ＳｉＣ単結晶片を示す正面
図とその側面図である。
切断により取り出された板状ＳｉＣ単結晶片を示す正面
図とその側面図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は同上板状ＳｉＣ単結晶片から
矩形板状に切り出され、かつ、サイズが整えられたα−
ＳｉＣ単結晶片を示す正面図とその側面図である。
矩形板状に切り出され、かつ、サイズが整えられたα−
ＳｉＣ単結晶片を示す正面図とその側面図である。
【図４】同上α−ＳｉＣ単結晶片の複数枚を積層密着固
定した状態を示す概略斜視図である。
定した状態を示す概略斜視図である。
【図５】積層密着固定されたα−ＳｉＣ単結晶片の結晶
方位面に熱ＣＶＤ法によりβ−ＳｉＣ膜が形成された状
態を示す概略側面図である。
方位面に熱ＣＶＤ法によりβ−ＳｉＣ膜が形成された状
態を示す概略側面図である。
【図６】複合体の熱処理状況を示す概略側面図である。
【図７】同上熱処理により単結晶ＳｉＣが成長する状態
を示す要部の拡大側面図である。
を示す要部の拡大側面図である。
１ アチソン法で作られたα−ＳｉＣ単結晶塊 ２ 矩形板状のα−ＳｉＣ単結晶片 ２ａ 結晶方位面 ３ カーボン治具 ４ β−ＳｉＣ膜 ５ カーボン ６ カーボン製容器 ７ α−ＳｉＣ粉体 Ｍ 複合体
Claims (9)
- 【請求項１】 板状のα−ＳｉＣ単結晶片の複数枚を結
晶方位が一方向に統一されるように積層密着するととも
に、それら積層密着された複数枚のα−ＳｉＣ単結晶片
の結晶方位面にβ−ＳｉＣ膜が形成されてなる複合体を
熱処理することにより、上記α−ＳｉＣ単結晶片の結晶
方位面から上記β−ＳｉＣ膜に向けて上記α−ＳｉＣ単
結晶片の結晶軸と同方位に配向されたα−ＳｉＣ単結晶
が形成されていることを特徴とする単結晶ＳｉＣ。 - 【請求項２】 上記積層密着された複数枚のα−ＳｉＣ
単結晶片の結晶方位面は、研削または研磨加工によりＲ
ＭＳ１０００オングストローム未満の表面粗さに調整さ
れている請求項１に記載の単結晶ＳｉＣ。 - 【請求項３】 上記β−ＳｉＣ膜は、３００〜７００μ
ｍの厚さに研磨されている請求項１または２に記載の単
結晶ＳｉＣ。 - 【請求項４】 α−ＳｉＣ単結晶から結晶方位面に沿っ
て板状のα−ＳｉＣ単結晶片を切り出すとともにサイズ
を整え、 そのサイズの整えられたα−ＳｉＣ単結晶片の複数枚を
結晶方位が一方向に統一されるように積層密着させてカ
ーボン治具で固定した後、 それら積層密着固定された複数枚のα−ＳｉＣ単結晶片
の結晶方位面にβ−ＳｉＣ膜を形成し、 次いで、その複合体を熱処理することにより、上記α−
ＳｉＣ単結晶片の結晶方位面から上記β−ＳｉＣ膜に向
けて上記α−ＳｉＣ単結晶片の結晶軸と同方位に配向さ
れたα−ＳｉＣ単結晶を一体に成長させることを特徴と
する単結晶ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項５】 上記積層密着された複数枚のα−ＳｉＣ
単結晶片の結晶方位面が、研削または研磨加工によりＲ
ＭＳ１０００オングストローム未満の表面粗さに調整さ
れている請求項４に記載の単結晶ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項６】 上記β−ＳｉＣ膜の成膜後に、その膜厚
さを３００〜７００μｍの厚さに研磨する請求項４また
は５に記載の単結晶ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項７】 上記複合体の熱処理は、該複合体をカー
ボン製容器に入れ、かつ、そのカーボン製容器の外側を
α−ＳｉＣ粉体により覆った状態で１８５０〜２４００
℃の範囲の温度で行なわれる請求項４ないし６のいずれ
かに記載の単結晶ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項８】 上記複合体の熱処理は、成膜後の上記β
−ＳｉＣ膜の表面を研磨し、かつ、その研磨した表面に
カーボンを乗せた上で、上記複合体をカーボン製容器に
入れ、かつ、そのカーボン製容器の外側をα−ＳｉＣ粉
体により覆った状態で１８５０〜２４００℃の範囲の温
度で行なわれる請求項４ないし６のいずれかに記載の単
結晶ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項９】 上記請求項４ないし８のいずれかに記載
の方法で製造された単結晶ＳｉＣの表面を再度、研削も
しくは研磨し、その研磨された表面に対する熱化学的蒸
着法によるβ−ＳｉＣ膜の形成および熱処理を繰り返し
てα−ＳｉＣ単結晶を一体に成長させることを特徴とす
る単結晶ＳｉＣの製造方法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9245432A JP3043675B2 (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 |
| CN98801298A CN1239519A (zh) | 1997-09-10 | 1998-08-05 | 单晶SiC及其制造方法 |
| EP98936661A EP0964084A1 (en) | 1997-09-10 | 1998-08-05 | SINGLE CRYSTAL SiC AND PROCESS FOR PREPARING THE SAME |
| RU99112120/12A RU2162902C1 (ru) | 1997-09-10 | 1998-08-05 | Монокристаллический карбид кремния sic и способ его получения (варианты) |
| US09/284,484 US6143267A (en) | 1997-09-10 | 1998-08-05 | Single crystal SiC and a method of producing the same |
| PCT/JP1998/003480 WO1999013139A1 (fr) | 1997-09-10 | 1998-08-05 | SiC MONOCRISTALLIN ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| KR1019997003831A KR100288473B1 (ko) | 1997-09-10 | 1998-08-05 | 단결정탄화규소 및 그 제조방법 |
| CA002269709A CA2269709A1 (en) | 1997-09-10 | 1998-08-05 | Single crystal sic and process for preparing the same |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1192293A true JPH1192293A (ja) | 1999-04-06 |
| JP3043675B2 JP3043675B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=17133580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9245432A Expired - Fee Related JP3043675B2 (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP0964084A1 (ja) |
| JP (1) | JP3043675B2 (ja) |
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| CN (1) | CN1239519A (ja) |
| CA (1) | CA2269709A1 (ja) |
| RU (1) | RU2162902C1 (ja) |
| TW (1) | TW514685B (ja) |
| WO (1) | WO1999013139A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001009412A1 (fr) * | 1999-07-30 | 2001-02-08 | Nippon Pillar Packing Co., Ltd. | Materiau de tirage de sic monocristallin et procede de preparation associe |
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| JP3087070B1 (ja) * | 1999-08-24 | 2000-09-11 | 日本ピラー工業株式会社 | 半導体デバイス製作用単結晶ＳｉＣ複合素材及びその製造方法 |
| US6706114B2 (en) | 2001-05-21 | 2004-03-16 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide crystals |
| US7314520B2 (en) | 2004-10-04 | 2008-01-01 | Cree, Inc. | Low 1c screw dislocation 3 inch silicon carbide wafer |
| CN100400723C (zh) * | 2006-05-29 | 2008-07-09 | 中国科学院物理研究所 | 一种碳化硅单晶生长后的热处理方法 |
| KR101597537B1 (ko) * | 2013-09-27 | 2016-02-25 | 정진 | 핸드레일 걸이 장치 |
| CN103940837A (zh) * | 2014-04-01 | 2014-07-23 | 中国科学院物理研究所 | 一种SiC晶体单色器 |
| JP6544166B2 (ja) * | 2015-09-14 | 2019-07-17 | 信越化学工業株式会社 | ＳｉＣ複合基板の製造方法 |
| JP6515757B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2019-05-22 | 信越化学工業株式会社 | ＳｉＣ複合基板の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5915194A (en) * | 1997-07-03 | 1999-06-22 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | Method for growth of crystal surfaces and growth of heteroepitaxial single crystal films thereon |
| JP3043689B2 (ja) * | 1997-11-17 | 2000-05-22 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 |
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- 1997-09-10 JP JP9245432A patent/JP3043675B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1998-08-05 CA CA002269709A patent/CA2269709A1/en not_active Abandoned
- 1998-08-05 KR KR1019997003831A patent/KR100288473B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-08-05 RU RU99112120/12A patent/RU2162902C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1998-08-07 TW TW087113065A patent/TW514685B/zh active
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|---|---|---|---|---|
| WO2001009412A1 (fr) * | 1999-07-30 | 2001-02-08 | Nippon Pillar Packing Co., Ltd. | Materiau de tirage de sic monocristallin et procede de preparation associe |
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