KR20000068876A

KR20000068876A - 단결정탄화규소 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR20000068876A
Application number: KR1019997003831A
Authority: KR
Inventors: 다니노기치야
Original assignee: 이와나미 기요히사; 니폰 필라고교 가부시키가이샤
Priority date: 1997-09-10
Filing date: 1998-08-05
Publication date: 2000-11-25
Also published as: WO1999013139A1; US6143267A; TW514685B; RU2162902C1; JPH1192293A; JP3043675B2; KR100288473B1; CA2269709A1; EP0964084A1; CN1239519A

Abstract

본 발명은 적층밀착된 복수개의 판형상 α-탄화규소단결정편(2)의 한방향으로 통일된 결정방위면(2a) 위에 열CVD법에 의해 β-탄화규소다결정판(2)를 성막하여 적층해서 복합체(M)을 제조한다. 이 복합체(M)는 1850∼2400℃범위의 온도로 열처리하여 각 α-탄화규소단결정편(2)의 결정방위변(2a)로부터 β-탄화규소다결정판(2)를 향해서 α-탄화규소단결정편(2)의 결정축과 동일한 방향으로 배향된 단결정을 일체로 성장시킨다. 따라서, 계면에 결정핵이나 불순물 및 마이크로파이프결함등이 거의 없는 고품위의 단결정탄화규소를 고효율로 용이하고 고효율좋게 제조할수가 있게한 것이다.

Description

단결정탄화규소 및 그 제조방법 {SINGLE CRYSTAL SiC AND PROCESS FOR PREPARING THE SAME}

탄화규소(SiC)는 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs)등의 기존의 반도체 재료에 비해서, 내열성 및 기계적 강도가 뛰어날뿐 아니라, 고온특성, 고주파특성, 내압특성, 내환경특성에도 우수하고, 또한 불순물의 첨가에 의해서 전자나 정공(正孔)의 가전자제어(價電子制御)가 용이한데다, 넓은 금제대폭(禁制帶幅)을 갖기때문에(부연하면, 6H형의 탄화규소단결정에서 약 3.0eV이며, 4H형의 탄화규소단결정에서 3.26eV), 차세대의 파워디바이스용 반도체재료로서 주목되며 또한 기대되고 있다.

그런데, 이와같은 종류의 단결정탄화규소의 제조(성장)방법으로서, 종래에 탄화규소 연마재의 공업적제법으로서 일반적으로 알려져있는 것으로는, 애치슨(Acheson)법이나 이 애치슨법으로 만들어진 분말상의 탄화규소를 원료로 사용하여 단일의 결정핵위에 결정을 성장시키는 승화재결정법이 알려져있다.

그러나, 상기한 종래의 제조방법 중에서 애치슨법에 의한 경우는, 장시간에 걸쳐서 천천히 단결정이 성장하는 것으로서 결정성장속도가 대단히 낮을뿐만 아니라, 성장초기단계에서 다수의 결정핵이 발생하여 이것이 결정성장과 함께 결정의 상부에까지 전파되기 때문에 단독의 큰 단결정을 얻기가 곤란하다.

또 재승화결정법에 있어서는, 주로 경제적(생산비)이유 때문에 1mm/hr. 정도의 고속성장이 적용되므로 불순물 및 마이크로파이프결함이라고 불리며 반도체장치를 제작할때의 누설전류등의 원인이 되는 결정의 성장방향으로 관통하는 직경 수미크론의 핀 홀이 성장결정중에 잔존하기 쉽고 품질적으로 충분한 탄화규소단결정을 얻을 수 없다는 문제가 있으며, 이와같은 것이 상술한 바와 같이 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs)등의 기존의 반도체 재료에 비해서 많은 뛰어난 특징을 가지면서도, 그 실용화를 저지하는 요인으로 되고있다.

본 발명은, 단결정탄화규소(SiC) 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 발광다이오드나 분광기(monochromator)등의 X선광학소자, 고온반도체 전자소자나 파워디바이스의 반도체 기판웨이퍼로서 사용되는 단결정탄화규소 및 그 제조방법에 관한 것이다.

도 1은 본 발명의 단결정탄화규소의 제조방법으로 사용하는 판상α-탄화규소단결정편의 근원이 되는 애치슨법으로 만들어진 α-탄화규소단결정괴(덩어리)를 나타내는 개략사시도.

도 2는 상기 α-탄화규소단결정괴로부터 절취한 판상의 α-탄화규소단결정편의 정면도.

도 3은 상기 판상의 α-탄화규소단결정편의 측면도.

도 4는 상기 판상의 α-탄화규소단결정편으로부터 절취되고, 또한 규격이 정리된 α-탄화규소단결정편의 정면도.

도 5는 상기 α-탄화규소단결정편의 측면도.

도 6은 상기 α-탄화규소단결정편의 복수개를 적층밀착상태로 고정한 상태를 나타내는 개략사시도.

도 7은 적층밀착고정된 복수개의 α-탄화규소단결정편의 결정방위면에 열화학적증착법에 의해 β-탄화규소다결정판이 성막된 상태를 나타내는 개략측면도.

도 8은 복합체의 열처리상황을 나타내는 개략측면도.

도 9는 열처리에 의해서 단결정탄화규소가 성장하는 상태를 나타내는 요부의 확대측면도.

본 발명은, 상기와 같은 종래기술의 배경을 감안하여 이루어진 것으로서, 결정방위를 특정하게 하기쉽고 또 크게하며, 게다가 품질이 대단히 높은 단결정탄화규소와 이 단결정탄화규소의 성장속도를 높여서 고품질의 단결정을 생산성좋게 제조할 수 있는 단결정탄화규소의 제조방법을 제공하는것을 목적으로 하는것이다.

본원의 제1발명에 있어서의 단결정탄화규소는, 판형상의 탄화규소단결정편의 복수개를 그들의 결정방위면이 거의 동일한 평면안에 나란하게하여 결정방위가 한방향으로 통일되도록 적층함과 동시에, 이들 적층된 복수의 탄화규소단결정편의 결정방위면에 Si원자와 C원자에 의해서 구성되는 다결정판이 적층되어서 된 복합체를 열처리하므로서, 상기 복수개의 탄화규소단결정편의 결정방위면으로부터 다결정판을 향해서 단결정을 성장시키는 것을 특징으로 한다.

또, 제2발명에 있어서의 단결정탄화규소의 제조방법은 판형상의 탄화규소단결정편의 복수개를 그들의 결정방위면이 거의 동일한 평면안에 나란하게하여 결정방위가 한방향으로 통일되도록 적층시켜서 소결카본 지그로 고정한 후, 그들 적층상태로 고정된 복수의 탄화규소단결정편의 결정방위면에 Si원자와 C원자에 의해서 구성되는 다결정판을 적층하고, 이어서 그 복합체를 열처리하므로서 상기 복수개의 탄화규소단결정편의 결정방위면으로부터 다결정판을 향해서 단결정을 성장시키는것을 특징으로 하는것이다.

이와같은 구성의 제1 및 제2발명에 의하면, 판형상의 복수개의 탄화규소단결정편을 적층상태로 사용함으로서, 그들 복수개의 탄화규소단결정편의 결정방위를 한방향으로 용이하게 특정시키기 쉽다는 성질을 유효하게 활용하며, 그 특정된 결정방위면에 Si원자와 C원자로되는 다결정판을 적층한 후에 열처리를 시행하므로서, 상기 다결정판의 다결정체가 상변태에 의해서 복수개의 탄화규소단결정편의 결정축으로부터 모두가 동일한 방위로 배향되어 다결정판을 향해서 고속성장하는 단결정을 일체화할 수가 있다.

따라서, 계면에 결정핵이나 불순물 및 마이크로파이프 결함등이 발생하지않은 고품질이며, 또한 두께가 큰 단결정탄화규소를 효율좋게 성장시킬 수 있다.

이에의해서, 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs)등의 기존의 반도체재료에 비해서 고온특성, 고주파특성, 내압특성, 내환경특성등 뛰어난 파워디바이스용 반도체재료로서 기대되고있는 단결정탄화규소의 실용화를 촉진할수 있다는 효과를 발휘한다.

제1발명의 단결정탄화규소 및 제2발명의 단결정탄화규소의 제조방법에 있어서, 상기의 복합체를 형성하는 복수개의 탄화규소단결정편의 결정방위면을 연삭 또는 연마가공에 의해 RMS1000옹스트럼 미만의 표면거칠기, 특히 RMS100∼500옹스트럼의 범위의 표면거칠기로 조정하므로서, 다결정판이 적층되는 복수개의 탄화규소단결정편의 결정방위면을 물리적 요철(凹凸)이 적은 면으로 용이하게 가공할수 있는 것이면서, 그 계면에 결정핵이 발생하는 것을 충분히 억제하여 단결정탄화규소의 품질향상을 도모할 수 있다는 효과를 발휘한다.

또, 제1발명의 단결정탄화규소 및 제2발명의 단결정탄화규소의 제조방법에 있어서, 상기 복합체를 형성하는 다결정판을 열화학적 증착법에 의해서 막을 형성(성막)하고, 그 막의두께를 300∼700μm, 특히, 500μm정도가 되도록 연마하므로서, 복수개의 탄화규소단결정편의 결정방위면의 격자의 일그러짐에 기인하는 결정격자의 부정합(不整合)을 단시간의 열처리에 의하여 해소할수 있게되며, 고품질의 단결정탄화규소를 생산성있게 얻을 수 있다는 효과를 발휘한다.

또, 제2발명의 단결정탄화규소의 제조방법에 있어서, 복합체의 열처리에서 복합체를 카본제용기내에 수용하고, 또, 그 카본제용기의 바깥측을 탄화규소의 분체로 에워덮은 상태로 1850∼2400℃범위의 온도로 열처리하므로서, 특히, 다결정판이 열화학적 증착법에 의해 성막된 β-탄화규소 다결정판일때에는, 그 β-탄화규소다결정판의 표면을 연마하고, 또한, 그 연마한 β-탄화규소다결정판의 표면에 카본을 올려놓은후에, 복합체를 카본제용기내에 수용하고, 또 그 카본제용기의 바깥측을 탄화규소의 분체로 에워덮은 상태로 1850∼2400℃범위의 온도로 열처리하므로서, 열처리시에 고온분위기에 놓여지는 탄화규소분체를 분해시켜, 그 분해된 Si, C의 적어도 일부를 카본제용기를 통해서 용기내로 이입시켜서 포화탄화규소증기의 분위기하에서의 열처리를 할수 있게되며, 이에의해서 탄화규소단결정편 및 다결정판의 분해로인한 품질열화를 억제하여 품질이 더욱 양호한 단결정탄화규소를 확실하게 제조할수 있다는 효과를 발휘한다.

또한, 제3발명에 있어서의 단결정탄화규소의 제조방법은 제2발명에 의한 제조방법으로 제조된 단결정탄화규소의 표면을 재차 연삭 또는 연마한후, 그 연삭 또는 연마된 단결정탄화규소의 표면에 다결정판을 적층하고, 이어서 그 복합체를 열처리하므로서 상기 단결정탄화규소의 결정방위면으로부터 다결정판을 향해서 단결정을 성장시키는 것을 특징으로 한다.

이와같은 구성의 제3발명에 의하면, 고품질일뿐아니라 두께가 대단히 커서 반도체재료로서 광범한 적용성을 갖는 단결정탄화규소를 용이하게 얻을수있다는 효과를 발휘한다.

이하, 본발명의 실시예에 대하여 설명한다.

도 2∼도 9는 본 발명에 있어서의 단결정탄화규소의 제조방법을 제조공정순으로 설명한 도면이며, 도 1에 있어서 (1)은 애치슨법에 의해 만들어진 6방정계(6H형, 4H형)의 α-탄화규소단결정괴로서 그 α-탄화규소단결정괴(1)은 도 1중의 화살표로 나타내는 바와같이 그 규격이 다종다양한 다수의 판상탄화규소단결정편(1A)를 가지며, 결정방위를 특정하기쉽다는 특징을 구비하고있다.

그뒤에, 상기 α-탄화규소단결정괴(1)로부터 도 2 및 도 3에 나타내는 바와같이 다수의 판상탄화규소단결정편(1A)를 절단하여 끌어낸후 이들 판상탄화규소단결정편(1A)로부터 도 4 및 도 5에 나타내는 바와같이, 한변의 길이(L)가 1cm정도, 두께(T)가 0.5mm정도의 구형으로된 판상의 α-탄화규소단결정편(2)를 (110) 결정방위면(2a)를 따라서 절단하고 동시에, 그 결정방위면(2a)를 연마가공하여 같은 규격으로 다듬는다.

이어서, 상기와 같이 규격이 다듬어진 α-탄화규소단결정편(2)의 복수개 예를들면, 20매정도를 그들의 결정방위면(2a)가 거의 동일한 평면안으로 세워져서 결정방위가 한방향으로 통일되도록 C축방향, 즉, (0001)면을 적층밀착시켜서 도 6에 나타내는 바와 같이, 소결카본지그(3)에 고정한다. 이 소결카본지그(3)에 고정된 복수메의 α-탄화규소단결정편(2)의 결정방위면(2a)은 연마 또는 연마가공에 의해서 물리적인 요철(凹凸)울 제거한다.

상세하게는, 이들 결정방위면(2a)를 RMS1000옹스트럼 미만, 바람직하게는 RMS100∼500옹스트럼의 범위의 표면거칠기로 조정한다.

그후, 상기 적층밀착된 복수개의 α-탄화규소단결정편(2)의 결정방위면(2a)에 열화학적 증착법(이하, 열CVD법이라 한다)에 의해 도 7에 나타내는 바와같이 β-탄화규소판(4)를 형성한다.

이 β-탄화규소판(4)는 열CVD법에 의한 성막후에 그 막의 두께(t)가 300∼700μm, 바람직하게는 500μm정도가 되도록 표면연마된다.

다음에, 상기 복수개의 α-탄화규소단결정편(2)와 β-탄화규소판(4)로 되는 복합체(M)에 있어서의 β-탄화규소판(4)의 연마표면에 카본(5)를 올린후에, 그 복합체(M)을 도 8에 나타내는 바와같이 카본제용기(6)내에 수용하고, 또한, 그 카본제용기(6)의 바깥측을 α-탄화규소분체(7)로 에워덮은 상태로 1850∼2400℃, 바람직하게는 2200℃의 온도하에 20시간정도 유지시켜 열처리하므로서, 도 9에 나타내는 바와같이, 상기 α-탄화규소단결정편(2)의 결정방위면(2a)로부터 각각 β-탄화규소판(4)를 향해서 상기 각 α-탄화규소단결정편(2)의 결정축과 동일방위로 배향된 α-탄화규소단결정편(2')이 일체로 성장된다.

이상의 제조공정을 거쳐서 제조된 단결정탄화규소를 냉각시킨후, 그 표면을 연마하여 용융수산화칼륨(KOH)로 에칭하여, 노말스키현미경으로 확대하여 관찰한 결과 결정입계는 보이지않고, 6각형 동일방위의 에치피트가 확인되어, 이것으로, α-탄화규소단결정이 육성되었다는것이 인정되었다.

상기와 같이, 애치슨법으로 만들어진 α-탄화규소단결정괴(1)로부터 구형의 판상으로 끊어낸 복수개의 α-탄화규소단결정편(2)를 적층밀착상태로 사용하므로서, 그들 복수개의 α-탄화규소단결정편(2)의 결정방위를 한방향으로 용이하게 특정하는것이 가능하며, 그 특정된 결정방위면(2a)에 열CVD법에 의해 β-탄화규소판(4)를 형성해서되는 복합체(M)을 열처리하므로서, 상기 β-탄화규소판(4)의 다결정체의 재결정화에 의해서 복수개의 α-탄화규소단결정편(2)의 결정축으로부터 모두가 동알방위로 배향되어 β-탄화규소판(4)를 향해 고속성장하는 단결정(2')를 일체화할 수가 있으며, 이에의해 계면에 결정핵이나 불순물 및 마이크로파이프결함등이 발생하지않는 고품질 및 두께가 큰 단결정탄화규소를 효율좋게 제조할 수가 있다.

여기서, 특히 복수개의 α-탄화규소단결정편(2)의 결정방위면(2a)를 연삭 또는 연마가공에 의하여 RMS1000옹스트럼 미만, 보다 바람직하게는 RMS100∼500옹스트럼의 표면거칠기로 조정해두는것이 바람직하다.

이와같은 표면거칠기의 조정으로, 적은 가공노력으로도 결정격자의 부정합을 해소하여 계면에 결정핵등이 발생하지않은 고품질의 단결정탄화규소를 얻을 수 있다.

즉, 열CVD법에 의해 β-탄화규소판(4)가 성막되어있는 α-탄화규소단결정편(2)의 결정방위면(2a)의 물리적인 요철이 작을수록 결정핵의 발생이 적어서 바람직 하지만, RMS100옹스트럼 미만의 표면거칠기가 될때까지 가공하는데는 많은 노력과 시간을 필요로하며, 또 RMS1000옹스트럼을 넘는 거친면이 되면, 열처리시에 오목부의 저면과 측면으로부터 동시에 상변태가 생기기 때문에, 결정격자의 부정합을 해소하는 가능성이 작아져서, 계면에 결정핵이 발생한 저품질의 제품이 되어버리기 때문이다.

또, 상기 β-탄화규소판(4)은 성막후의 막두께(t)가 300∼700μm 보다 바람직하게는 500μm정도로 연마해두는 것이 바람직하다.

이와같이 성막후에 연마를 시행하므로서, 비교적 단시간의 열처리에 의해서 격자일그러짐으로 기인하는 결정격자의 부정합을 해소하고, 보다 고품질의 단결정탄화규소의 생산성을 향상시키는것이 가능하다.

즉, β-탄화규소판(4)가 700μm을 넘는 두꺼운 막인 경우는, 열처리시에 원래의 결정격자의 일그러짐을 유지한채로 상변태가 생기기때문에, 격자일그러짐을 해소하는데는 장시간에 걸친 열처리가 필요하게되어, 고품질의 단결정탄화규소의 생산성이 악화할 우려가 있으며, 또 β-탄화규소판(4)의 기반으로 되어있는 복수개의 α-탄화규소단결정편(2)의 결정방위면(2a)의 격자일그러짐에 기인하는 결정격자의 부정합은 α-탄화규소단결정편으로부터 두께가 300∼700μm정도의 범위에 있어서 급격히 해소되는 경향이 있으며, 700μm을 초과하면, 격자결함의 부정합 해소정도가 작게 되기때문이다.

또한, 상기 복합체(M)의 열처리에 있어서 성막후의 상기 β-탄화규소판(4)의 표면을 연마하고, 또한 그 연마한 표면에 카본을 올린후에 복합체(M)을 카본제용기(6)에 넣고 그 카본제용기(6)의 바깥측을 α-탄화규소분체(7)로 덮은상태로 소정의 열처리를 시행하므로서, 고온분위기에서 α-탄화규소분체(7)이 분해되며, 그 분해된 Si, C의 적어도 일부가 다공성카본제용기(6)을 통해서 용기(6)내에 이입되어 포화탄화규소증기중에서 소정의 열처리가 시행되며, 이에 의해서 α-탄화규소단결정편(2) 및 β-탄화규소판(4)의 분해를 억제하여 품질이 좋은 단결정탄화규소를 제조하는것이 가능함과 동시에, 다공성카본제용기(6)을 통해서 용기(6)내에 이입되는 Si, C가 상 변태전에 탄화규소에 부착하는것도 방지할 수 있고, 이에의해서 품질이 좋고 또한 미려한 단결정탄화규소를 제조하는것이 가능하다.

또한, 상기와 같은 공정을 거쳐서 제조된 단결정탄화규소의 표면을 재차 연삭 또는 연마하여, 그 연마된 표면에 열CVD법에 의해 β-탄화규소판(4)를 형성하는 공정 및 그 β-탄화규소판(4)를 포함하는 복합체(M)의 열처리를 반복하므로서, 결정방위에 놓인 두께가 큰 단결정탄화규소를 얻을 수 있으며, 또 적층α-탄화규소단결정편(2)를 병설하고, 병설한 적층α-탄화규소단결정편(2)군의 결정방위면(2a)의 전역에 열CVD법에 의하여 β-탄화규소판(4)를 형성한후, 상기한 바와 같은 열처리를 시행하므로서, 면적에 있어서도 큰 단결정탄화규소를 얻을 수 있다.

또한, 탄화규소단결정편으로서, 상기 실시예에서는 판상의 α-탄화규소단결정편(2)를 사용하였으나 이외에도 예를들면 α-탄화규소소결체나 β-탄화규소단결체등의 판상결정편을 사용하여도 좋고, 또 다결정판으로서 상기 실시예에서는 열CVD법에 의하여 복수개의 α-탄화규소단결정편(2)의 결정방위면(2a)에 성막되는 β-탄화규소결정판(2)를 사용하였으나 이외에도 α-탄화규소다결정판이나 고순도의 탄화규소소결체, 고순도(10^14atm/ cm³)이하의 비정질판을 사용해도 상기 실시예와 동일한 고품질의 단결정탄화규소를 얻을수가 있다.

또, 상기 실시예에 있어서 α-탄화규소단결정편(2)으로서는 6H형, 4H형 어느것을 사용해도 좋고 6H형을 사용할때에는, 열처리에 수반하여 β-탄화규소다결정판(2)의 다결정체로부터 α-탄화규소로 바뀌는 단결정이 6H형 단결정과 동일한 형태로 육성되기쉽고, 또 4H형 단결정편을 사용할때에는 열처리에 수반하여 4H형 단결정과 동일한 단결정이 전화육성되기 쉽게된다.

이상과 같이, 본 발명은 결정방위가 통일되도록 적층밀착된 복수개의 판상탄화규소단결정편의 결정방위면에 Si원자와 C원자에 의해서 구성되는 다결정판을 적층해서되는 복합체를 열처리하여 각 탄화규소단결정편의 결정방위면으로부터 다결정판을 향해서 각 단결정편의 결정축과 동일방위로 배향된 단결정을 일체로 성장시키므로서, 계면에 결정핵이나 불순물 및 마이크로파이프결함등이 발생하지않은 고품질이며, 또한 두께가 큰 단결정탄화규소를 효율좋게 제조할 수 있는 기술이다.

Claims

복수개의 판형상의 탄화규소단결정편을 그들의 결정방위면이 거의 동일한 평면상에서 평행하게하여 결정방위가 한방향으로 통일되도록 적층함과 동시에, 적층된 복수개의 탄화규소단결정편의 결정방위면에 Si원자와 C원자에 의해서 구성되는 다결정판이 적층되어서 된 복합체를 열처리하여 상기 복수개의 탄화규소단결정편의 결정방위면으로부터 다결정판을 향해서 단결정을 성장시키는 것을 특징으로하는 단결정탄화규소.
제1항에 있어서,

상기 복합체를 형성하는 복수개의 탄화규소단결정편이 α-탄화규소단결정인것을 특징으로하는 단결정탄화규소.
제1항에 있어서,

상기 복합체를 형성하는 다결정판이 복수개의 탄화규소단결정편의 거의 동일한 평면내에서 평행한 결정방위면에 열화학적증착법에 의해 성막된 β-탄화규소다결정판인 것을 특징으로하는 단결정탄화규소.
제1항에 있어서,

상기 복합체를 형성하는 복수개의 탄화규소단결정편의 결정방위면은 연삭 또는 연마가공에 의해 RMS1000 옹스트럼 미만의 표면거칠기로 조정되어있는 것을 특징으로하는 단결정탄화규소.
제4항에 있어서,

상기 복합체를 형성하는 복수개의 탄화규소단결정편의 결정방위면은 연삭 또는 연마가공에 의해 RMS100∼500 옹스트럼의 범위의 표면거칠기로 조정되어있는 것을 특징으로하는 단결정탄화규소.
제3항에 있어서,

상기 열화학적증착법에 의해 성막된 β-탄화규소다결정판은 그 막두께가 300∼700μm이 되도록 표면연마되어있는 것을 특징으로하는 단결정탄화규소.
제6항에 있어서,

상기 열화학적증착법에 의해 성막된 β-탄화규소다결정판은 그 막두께가 500μm정도가 되도록 표면연마되어있는 것을 특징으로하는 단결정탄화규소.
복수개의 판형상의 탄화규소단결정편을 그들의 결정방위면이 거의 동일한 평면상에서 평행하게하여 결정방위가 한방향으로 통일되도록 적층시켜서, 소결카본지그로 고정한 후, 적층상태로 고정된 복수개의 탄화규소단결정편의 결정방위면에 Si원자와 C원자에 의해서 구성되는 다결정판을 적층하고, 계속해서 이 복합체를 열처리하여 상기 복수개의 탄화규소단결정편의 결정방위면으로부터 다결정판을 향해서 단결정을 성장시키는 것을 특징으로하는 단결정탄화규소의 제조방법.
제8항에 있어서,

상기 복합체를 형성하는 복수개의 탄화규소단결정편으로서 α-탄화규소단결정을 사용하는것을 특징으로하는 단결정탄화규소의 제조방법.
제8항에 있어서,

상기 복합체를 형성하는 다결정판으로서 복수개의 탄화규소단결정편의 거의 동일한 평면내에서 평행한 결정방위면에 열화학적증착법에 의해 성막된 β-탄화규소다결정판을 사용하는 것을 특징으로하는 단결정탄화규소의 제조방법.
제8항에 있어서,

상기 복합체를 형성하는 복수개의 탄화규소단결정편의 결정방위면은 연삭 또는 연마가공에 의해 RMS1000 옹스트럼 미만의 표면거칠기로 조정되어있는 것을 특징으로하는 단결정탄화규소의 제조방법.
제11항에 있어서,

상기 복합체를 형성하는 복수개의 탄화규소단결정편의 결정방위면은 연삭 또는 연마가공에 의해 RMS100∼500 옹스트럼의 범위의 표면거칠기로 조정되어있는 것을 특징으로하는 단결정탄화규소의 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 열화학적증착법에 의해 성막된 β-탄화규소다결정판은 성막후 그 막두께가 300∼700μm이 되도록 표면연마되어있는 것을 특징으로하는 단결정탄화규소의 제조방법.
제13항에 있어서,

상기 열화학적증착법에 의해 성막된 β-탄화규소다결정판은 성막후에 그 막두께가 500μm정도가 되도록 표면연마되어있는 것을 특징으로하는 단결정탄화규소의 제조방법.
제9항에 있어서,

상기 복합체를 형성하는 복수개의 탄화규소단결정편으로서, α-탄화규소단결정괴로부터 결정방위면을 따라서 판상으로 절취되고 또한 동일한 규격으로 정리된 α-탄화규소단결정편을 사용하는것을 특징으로하는 단결정탄화규소의 제조방법.
제8항에 있어서,

상기 복합체의 열처리는 그 복합체를 카본제용기내에 수용하고 또한 그 카본제용기의 바깥측이 탄화규소분체에 의해 에워싸인 상태로 1850∼2400℃범위의 온도에서 시행되는것을 특징으로하는 단결정탄화규소의 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 복합체의 열처리는 열화학적증착법에 의해 성막된 β-탄화규소다결정판의 표면을 연마하고, 또한 그 연마한 β-탄화규소다결정판의 표면에 카본을 올려놓은 후 그 복합체를 카본제용기내에 수용하고, 이 카본제용기의 바깥측을 탄화규소분체로 에워싼 상태에서 1850∼2400℃범위의 온도로 시행되는것을 특징으로하는 단결정탄화규소의 제조방법.
제8항에 있어서,

상기의 제조방법으로 제조된 단결정탄화규소의 표면을 재차 연삭 또는 연마한후, 이 연마된 단결정탄화규소의 표면에 다결정판을 적층하고, 계속해서 그 복합체를 열처리하므로서 상기 단결정탄화규소의 결정방위면으로부터 다결정판을 향해서 단결정을 성장시키는것을 특징으로하는 단결정탄화규소의 제조방법.