JPH1121173A - ＳｉＣ複合体およびその製造方法 - Google Patents
ＳｉＣ複合体およびその製造方法Info
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- JPH1121173A JPH1121173A JP9212405A JP21240597A JPH1121173A JP H1121173 A JPH1121173 A JP H1121173A JP 9212405 A JP9212405 A JP 9212405A JP 21240597 A JP21240597 A JP 21240597A JP H1121173 A JPH1121173 A JP H1121173A
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 α−ＳｉＣ焼結基材とその表面にＣＶＤ法に
より成膜されるβ−ＳｉＣ層との境界層の結晶組織を機
械的にも化学的にも安定した単結晶粒子による連続組織
として、歪の発生および高エネルギー付与時の応力集中
を除去でき、超平滑面の鏡面を容易に加工し、かつ所望
の平坦度を長期に亘って保持できるようにする。 【解決手段】 α−ＳｉＣ焼結基材１の表面にＣＶＤ法
によりβ−ＳｉＣ層２を成膜してなるＳｉＣ複合体Ｍを
１８５０〜２０００℃の範囲の温度で、かつ、ＳｉＣ飽
和蒸気圧の雰囲気中で熱処理することにより、両者１，
２の境界層における結晶組織に機械的にも化学的にも安
定したα−ＳｉＣ単結晶粒子による連続性を持たせた複
合体Ｍを製造させる。
より成膜されるβ−ＳｉＣ層との境界層の結晶組織を機
械的にも化学的にも安定した単結晶粒子による連続組織
として、歪の発生および高エネルギー付与時の応力集中
を除去でき、超平滑面の鏡面を容易に加工し、かつ所望
の平坦度を長期に亘って保持できるようにする。 【解決手段】 α−ＳｉＣ焼結基材１の表面にＣＶＤ法
によりβ−ＳｉＣ層２を成膜してなるＳｉＣ複合体Ｍを
１８５０〜２０００℃の範囲の温度で、かつ、ＳｉＣ飽
和蒸気圧の雰囲気中で熱処理することにより、両者１，
２の境界層における結晶組織に機械的にも化学的にも安
定したα−ＳｉＣ単結晶粒子による連続性を持たせた複
合体Ｍを製造させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＳｉＣ複合体および
その製造方法で、例えば超平滑面を必要とするシンクロ
トロン放射光等の高輝度光の反射鏡などとして用いられ
るＳｉＣ複合体およびその製造方法に関するものであ
る。
その製造方法で、例えば超平滑面を必要とするシンクロ
トロン放射光等の高輝度光の反射鏡などとして用いられ
るＳｉＣ複合体およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、シンクロトロン放射光等の高輝度
光の反射鏡として、ＳｉＣ焼結材を基材とし、このＳｉ
Ｃ基材の表面にＳｉＣ薄膜を熱化学的蒸着法（以下、熱
ＣＶＤ法と称す）で成膜してなるＳｉＣ複合体が知られ
ている。
光の反射鏡として、ＳｉＣ焼結材を基材とし、このＳｉ
Ｃ基材の表面にＳｉＣ薄膜を熱化学的蒸着法（以下、熱
ＣＶＤ法と称す）で成膜してなるＳｉＣ複合体が知られ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなＳｉＣ複
合体においては、熱ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＣ薄
膜が硬くて脆いうえ、ＳｉＣ薄膜には面方向の引張応力
が残留するため、平坦度のよい超平滑面の鏡面を得るた
めに行なわれる研削中にＳｉＣ薄膜に亀裂を生じやす
い。その亀裂の深さは、時としてＳｉＣ基材との境界面
にまで達することがあり、一旦、亀裂が入ると、最早、
研削によって所定の平面に修復することは不可能とな
る。また、亀裂を生じないまでも鏡面のうねりを解消す
ることが難しく、それゆえに、鏡面加工が非常に難し
く、所定の平坦度の鏡面を得るためには多大な時間と精
密加工を要し、製造コストの著しい上昇を招くという問
題があった。
合体においては、熱ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＣ薄
膜が硬くて脆いうえ、ＳｉＣ薄膜には面方向の引張応力
が残留するため、平坦度のよい超平滑面の鏡面を得るた
めに行なわれる研削中にＳｉＣ薄膜に亀裂を生じやす
い。その亀裂の深さは、時としてＳｉＣ基材との境界面
にまで達することがあり、一旦、亀裂が入ると、最早、
研削によって所定の平面に修復することは不可能とな
る。また、亀裂を生じないまでも鏡面のうねりを解消す
ることが難しく、それゆえに、鏡面加工が非常に難し
く、所定の平坦度の鏡面を得るためには多大な時間と精
密加工を要し、製造コストの著しい上昇を招くという問
題があった。
【０００４】また、基材となるＳｉＣ焼結材はＳｉＣ粒
子を結合させたものであり、この基材の表面は互いに方
位の違う結晶粒子で構成されている一方、熱ＣＶＤ法に
より成膜されたＳｉＣ薄膜は、最初に生成された結晶核
から結晶が成長するために、柱状で結晶に異方性を有す
るとともに、上記基材の表面とは明らかに結晶組織が異
なっており、このように結晶組織が不安定、不整合な界
面で接しているだけの従来のＳｉＣ複合体においては、
両者の境界層に歪が残留しており、上述した研削等の後
加工時や高輝度光等の高エネルギーが付与された時、そ
の境界層に応力が集中して破壊や剥離しやすいばかりで
なく、鏡面のうねりの解消が難しいうえ高エネルギーに
よって歪が増長して反射鏡としての要求性能を全く達成
することができないという問題があった。
子を結合させたものであり、この基材の表面は互いに方
位の違う結晶粒子で構成されている一方、熱ＣＶＤ法に
より成膜されたＳｉＣ薄膜は、最初に生成された結晶核
から結晶が成長するために、柱状で結晶に異方性を有す
るとともに、上記基材の表面とは明らかに結晶組織が異
なっており、このように結晶組織が不安定、不整合な界
面で接しているだけの従来のＳｉＣ複合体においては、
両者の境界層に歪が残留しており、上述した研削等の後
加工時や高輝度光等の高エネルギーが付与された時、そ
の境界層に応力が集中して破壊や剥離しやすいばかりで
なく、鏡面のうねりの解消が難しいうえ高エネルギーに
よって歪が増長して反射鏡としての要求性能を全く達成
することができないという問題があった。
【０００５】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、ＳｉＣ基材とＳｉＣ薄膜との界面における結晶組織
の不整合による歪の残留および高エネルギー付与時の応
力集中を除去して、平坦度のよい超平滑面の鏡面を容易
に加工し、かつ、所望の平坦度を保持することができる
ＳｉＣ複合体およびその製造方法を提供することを目的
としている。
で、ＳｉＣ基材とＳｉＣ薄膜との界面における結晶組織
の不整合による歪の残留および高エネルギー付与時の応
力集中を除去して、平坦度のよい超平滑面の鏡面を容易
に加工し、かつ、所望の平坦度を保持することができる
ＳｉＣ複合体およびその製造方法を提供することを目的
としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明に係るＳｉＣ複合体は、α−
ＳｉＣ結晶基材の表面に熱ＣＶＤ法でβ−ＳｉＣ層を形
成してなるＳｉＣ複合体を１８５０〜２０００℃の温度
で熱処理することにより、上記β−ＳｉＣ層の多結晶体
の一部または全部をα−ＳｉＣに転化させて両者の境界
層における結晶組織に単結晶粒子による連続性を持たせ
ていることを特徴とするものであり、α−ＳｉＣ焼結基
材とその表面に熱ＣＶＤ法によって形成されたβ−Ｓｉ
Ｃ層からなるＳｉＣ複合体を上記のような温度条件で熱
処理することによって、焼結基材を構成する結晶の粒子
成長と共に多結晶体β−ＳｉＣ層を構成するＳｉとＣの
原子配列をα−ＳｉＣへ転化し両者の境界層において基
材を構成するα−ＳｉＣ単結晶粒子がβ−ＳｉＣ層の表
面またはその近くまで一体に成長することにより界面を
消失するとともに、結晶形態の不整合による歪の残留が
除去され機械的にも化学的にも安定したα−ＳｉＣ単結
晶粒子から構成される連続組織とし、これによって、平
坦度のよい超平滑面鏡面の加工性の向上が図れると共
に、その加工時や高輝度光等の高エネルギーの付与時に
おける境界層への応力集中を除去してビーム反射効率の
高い、つまり高性能な製品（鏡面）を確保することが可
能である。
に、請求項１に記載の発明に係るＳｉＣ複合体は、α−
ＳｉＣ結晶基材の表面に熱ＣＶＤ法でβ−ＳｉＣ層を形
成してなるＳｉＣ複合体を１８５０〜２０００℃の温度
で熱処理することにより、上記β−ＳｉＣ層の多結晶体
の一部または全部をα−ＳｉＣに転化させて両者の境界
層における結晶組織に単結晶粒子による連続性を持たせ
ていることを特徴とするものであり、α−ＳｉＣ焼結基
材とその表面に熱ＣＶＤ法によって形成されたβ−Ｓｉ
Ｃ層からなるＳｉＣ複合体を上記のような温度条件で熱
処理することによって、焼結基材を構成する結晶の粒子
成長と共に多結晶体β−ＳｉＣ層を構成するＳｉとＣの
原子配列をα−ＳｉＣへ転化し両者の境界層において基
材を構成するα−ＳｉＣ単結晶粒子がβ−ＳｉＣ層の表
面またはその近くまで一体に成長することにより界面を
消失するとともに、結晶形態の不整合による歪の残留が
除去され機械的にも化学的にも安定したα−ＳｉＣ単結
晶粒子から構成される連続組織とし、これによって、平
坦度のよい超平滑面鏡面の加工性の向上が図れると共
に、その加工時や高輝度光等の高エネルギーの付与時に
おける境界層への応力集中を除去してビーム反射効率の
高い、つまり高性能な製品（鏡面）を確保することが可
能である。
【０００７】また、請求項２に記載の発明に係るＳｉＣ
複合体は、請求項１に記載の発明の構成のうち、上記β
−ＳｉＣ層が、１３００〜１６５０℃範囲の熱ＣＶＤ法
により上記α−ＳｉＣ焼結基材の表面に成膜されたもの
であり、この熱ＣＶＤ法により成膜されたβ−ＳｉＣ層
の多結晶体のＳｉとＣの原子配列がα−ＳｉＣの原子配
列に転化されて連続した結晶組織に成長するために、焼
結基材の不純物原子の拡散が抑えられ、α−ＳｉＣ焼結
基材よりも不純物や欠陥などのない高純度の単結晶の集
合体が得られる。
複合体は、請求項１に記載の発明の構成のうち、上記β
−ＳｉＣ層が、１３００〜１６５０℃範囲の熱ＣＶＤ法
により上記α−ＳｉＣ焼結基材の表面に成膜されたもの
であり、この熱ＣＶＤ法により成膜されたβ−ＳｉＣ層
の多結晶体のＳｉとＣの原子配列がα−ＳｉＣの原子配
列に転化されて連続した結晶組織に成長するために、焼
結基材の不純物原子の拡散が抑えられ、α−ＳｉＣ焼結
基材よりも不純物や欠陥などのない高純度の単結晶の集
合体が得られる。
【０００８】さらに、請求項３に記載の発明に係るＳｉ
Ｃ複合体の製造方法は、α−ＳｉＣ焼結基材の表面に熱
ＣＶＤ法でβ−ＳｉＣ層を形成した後、そのＳｉＣ複合
体を１８５０〜２０００℃の温度で熱処理して、上記多
結晶体のβ−ＳｉＣ層の多結晶体の一部または全部をα
−ＳｉＣに転化することにより両者の境界層における結
晶組織に単結晶粒子による連続性を持たせることを特徴
とするものであって、請求項１に記載の発明でいうとこ
ろの機械的にも化学的にも安定したα−ＳｉＣ単結晶の
粒子により連結された連続組織を持つＳｉＣ複合体を容
易に製造することができ、その製造時においてα−Ｓｉ
Ｃ焼結基材とβ−ＳｉＣ層との間の残留応力を除去する
ことが可能である。
Ｃ複合体の製造方法は、α−ＳｉＣ焼結基材の表面に熱
ＣＶＤ法でβ−ＳｉＣ層を形成した後、そのＳｉＣ複合
体を１８５０〜２０００℃の温度で熱処理して、上記多
結晶体のβ−ＳｉＣ層の多結晶体の一部または全部をα
−ＳｉＣに転化することにより両者の境界層における結
晶組織に単結晶粒子による連続性を持たせることを特徴
とするものであって、請求項１に記載の発明でいうとこ
ろの機械的にも化学的にも安定したα−ＳｉＣ単結晶の
粒子により連結された連続組織を持つＳｉＣ複合体を容
易に製造することができ、その製造時においてα−Ｓｉ
Ｃ焼結基材とβ−ＳｉＣ層との間の残留応力を除去する
ことが可能である。
【０００９】さらにまた、請求項４に記載の発明に係る
ＳｉＣ複合体の製造方法は、請求項３に記載の発明の構
成のうち、上記熱処理温度を熱化学蒸着の温度よりも高
温で、かつＳｉＣ飽和蒸気圧の雰囲気中で熱処理を行な
うものであり、焼結基材との連続組織となる単結晶粒子
の品質を一層良好なものとすることが可能である。
ＳｉＣ複合体の製造方法は、請求項３に記載の発明の構
成のうち、上記熱処理温度を熱化学蒸着の温度よりも高
温で、かつＳｉＣ飽和蒸気圧の雰囲気中で熱処理を行な
うものであり、焼結基材との連続組織となる単結晶粒子
の品質を一層良好なものとすることが可能である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
にもとづいて説明する。図１は本発明に係るＳｉＣ複合
体の熱処理前の状態を示す模式図であり、同図におい
て、１は六方晶系（６Ｈ型または４Ｈ型）のα−ＳｉＣ
焼結基材で、その表面に１３００〜１６５０℃の範囲の
熱ＣＶＤ法により立方晶系のβ−ＳｉＣ層２を成膜する
ことにより、図２（Ａ）の模式的断面図および図２
（Ｂ）の顕微鏡による断面エッチング写真で明示されて
いるように、格子欠陥を含むα−ＳｉＣ焼結基材１の表
面に配向性を有するβ−ＳｉＣ層２の多結晶体４を成長
させて、結晶形態が互いに異なる結晶面で接して直線状
に明瞭な界面３を有する複合体Ｍ１が形成されている。
にもとづいて説明する。図１は本発明に係るＳｉＣ複合
体の熱処理前の状態を示す模式図であり、同図におい
て、１は六方晶系（６Ｈ型または４Ｈ型）のα−ＳｉＣ
焼結基材で、その表面に１３００〜１６５０℃の範囲の
熱ＣＶＤ法により立方晶系のβ−ＳｉＣ層２を成膜する
ことにより、図２（Ａ）の模式的断面図および図２
（Ｂ）の顕微鏡による断面エッチング写真で明示されて
いるように、格子欠陥を含むα−ＳｉＣ焼結基材１の表
面に配向性を有するβ−ＳｉＣ層２の多結晶体４を成長
させて、結晶形態が互いに異なる結晶面で接して直線状
に明瞭な界面３を有する複合体Ｍ１が形成されている。
【００１１】この後、上記ＳｉＣ複合体Ｍ１の全体を、
１８５０〜２０００℃、好ましくは１９００℃の温度
で、かつＳｉＣ飽和蒸気圧の雰囲気中で熱処理すること
により、上記β−ＳｉＣ層２の多結晶体４を構成するＳ
ｉとＣはα−ＳｉＣの原子配列に転化すると共に上記α
−ＳｉＣ焼結基材１の結晶軸と同方位に配向して基材１
の単結晶粒子と一体化し両者１，２の境界層から上記β
−ＳｉＣ層２の表面またはその近くにまで大きな単結晶
５が連続性をもって成長し、α−ＳｉＣ単結晶粒子によ
り結晶組織を連結させ境界層を消失させて結晶組織が一
様になった最終製品としてのＳｉＣ複合体Ｍを製造す
る。
１８５０〜２０００℃、好ましくは１９００℃の温度
で、かつＳｉＣ飽和蒸気圧の雰囲気中で熱処理すること
により、上記β−ＳｉＣ層２の多結晶体４を構成するＳ
ｉとＣはα−ＳｉＣの原子配列に転化すると共に上記α
−ＳｉＣ焼結基材１の結晶軸と同方位に配向して基材１
の単結晶粒子と一体化し両者１，２の境界層から上記β
−ＳｉＣ層２の表面またはその近くにまで大きな単結晶
５が連続性をもって成長し、α−ＳｉＣ単結晶粒子によ
り結晶組織を連結させ境界層を消失させて結晶組織が一
様になった最終製品としてのＳｉＣ複合体Ｍを製造す
る。
【００１２】上記のようにα−ＳｉＣ焼結基材１の表面
に熱ＣＶＤ法によりβ−ＳｉＣ層２の多結晶体４を成長
させたＳｉＣ複合体Ｍ１に熱処理を施すことにより、熱
処理前の界面３にある種の固相エピタキシャル成長を生
じさせて図３（Ａ）の模式的断面図および図３（Ｂ）の
顕微鏡による断面エッチング写真で明示されているよう
に、基材１側の多結晶がβ−ＳｉＣ層２の表面またはそ
の近くまで一体に成長して基材１との境界面として形成
される結晶粒界の集中箇所を消失させて、界面での結晶
組織の不整合によるうねりや歪の発生もなく機械的にも
化学的にも安定したα−ＳｉＣ単結晶粒子の連続組織を
持つＳｉＣ複合体Ｍが得られる。このように製造された
ＳｉＣ複合体Ｍによれば、その表面を精密研磨すること
で亀裂の発生を伴うことなく、平坦度のよい超平滑面の
鏡面に容易に加工することが可能であると共に、その加
工時や実使用に伴う高輝度光等の高エネルギーの付与時
においても境界層へ応力集中による歪の増長がなく、ビ
ーム反射効率が高い、つまり高性能な製品（鏡面）を長
期に亘って維持することが可能である。
に熱ＣＶＤ法によりβ−ＳｉＣ層２の多結晶体４を成長
させたＳｉＣ複合体Ｍ１に熱処理を施すことにより、熱
処理前の界面３にある種の固相エピタキシャル成長を生
じさせて図３（Ａ）の模式的断面図および図３（Ｂ）の
顕微鏡による断面エッチング写真で明示されているよう
に、基材１側の多結晶がβ−ＳｉＣ層２の表面またはそ
の近くまで一体に成長して基材１との境界面として形成
される結晶粒界の集中箇所を消失させて、界面での結晶
組織の不整合によるうねりや歪の発生もなく機械的にも
化学的にも安定したα−ＳｉＣ単結晶粒子の連続組織を
持つＳｉＣ複合体Ｍが得られる。このように製造された
ＳｉＣ複合体Ｍによれば、その表面を精密研磨すること
で亀裂の発生を伴うことなく、平坦度のよい超平滑面の
鏡面に容易に加工することが可能であると共に、その加
工時や実使用に伴う高輝度光等の高エネルギーの付与時
においても境界層へ応力集中による歪の増長がなく、ビ
ーム反射効率が高い、つまり高性能な製品（鏡面）を長
期に亘って維持することが可能である。
【００１３】なお、上記熱処理の条件としては、温度が
１８５０〜２０００℃、処理時間が１〜３時間であるこ
とが最も好ましい。熱処理温度が１８５０℃未満である
と、界面を形成する多くのＳｉＣにＳｉＣの理論的分解
エネルギーに近い原子の運動エネルギーを与えることが
できない。また、２０００℃を超えると、ＳｉＣの分解
エネルギーをはるかに超える熱エネルギーが供給され、
境界層以外の部分からもβ−ＳｉＣ層２を構成するＳｉ
とＣの原子配列がα−ＳｉＣの原子配列に転化するため
に、新たな結晶界の集中する境界層を形成する恐れがあ
るほか、ＳｉＣの結晶そのものが分解される恐れがあ
る。
１８５０〜２０００℃、処理時間が１〜３時間であるこ
とが最も好ましい。熱処理温度が１８５０℃未満である
と、界面を形成する多くのＳｉＣにＳｉＣの理論的分解
エネルギーに近い原子の運動エネルギーを与えることが
できない。また、２０００℃を超えると、ＳｉＣの分解
エネルギーをはるかに超える熱エネルギーが供給され、
境界層以外の部分からもβ−ＳｉＣ層２を構成するＳｉ
とＣの原子配列がα−ＳｉＣの原子配列に転化するため
に、新たな結晶界の集中する境界層を形成する恐れがあ
るほか、ＳｉＣの結晶そのものが分解される恐れがあ
る。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の発明に
よれば、α−ＳｉＣ焼結基材とその表面に熱ＣＶＤ法に
よって形成されたβ−ＳｉＣ層からなるＳｉＣ複合体を
特定の温度条件で熱処理することにより、α−ＳｉＣ焼
結基材側のα−ＳｉＣ単結晶粒子と同等の単結晶を焼結
基材側とβ−ＳｉＣ層の表面またはその近くまで一体に
成長させて界面の消失とともに、境界層における結晶組
織を機械的にも化学的にも安定したα−ＳｉＣ単結晶粒
子の連続組織により連結させた複合体とすることができ
る。したがって、境界層における結晶組織の不整合によ
る歪の残留を除去し平坦度のよい超平滑面の鏡面であっ
ても亀裂の発生を伴わずに容易に加工でき、製造コスト
の著しい低減を図ることができると共に、その加工時や
実使用時における高輝度光等の高エネルギーの付与時に
おいても境界層への応力集中およびそれによる歪の増長
がなく、長期に亘ってビーム反射効率の高い、つまり高
性能な製品（鏡面）を確保することができるという効果
を奏する。
よれば、α−ＳｉＣ焼結基材とその表面に熱ＣＶＤ法に
よって形成されたβ−ＳｉＣ層からなるＳｉＣ複合体を
特定の温度条件で熱処理することにより、α−ＳｉＣ焼
結基材側のα−ＳｉＣ単結晶粒子と同等の単結晶を焼結
基材側とβ−ＳｉＣ層の表面またはその近くまで一体に
成長させて界面の消失とともに、境界層における結晶組
織を機械的にも化学的にも安定したα−ＳｉＣ単結晶粒
子の連続組織により連結させた複合体とすることができ
る。したがって、境界層における結晶組織の不整合によ
る歪の残留を除去し平坦度のよい超平滑面の鏡面であっ
ても亀裂の発生を伴わずに容易に加工でき、製造コスト
の著しい低減を図ることができると共に、その加工時や
実使用時における高輝度光等の高エネルギーの付与時に
おいても境界層への応力集中およびそれによる歪の増長
がなく、長期に亘ってビーム反射効率の高い、つまり高
性能な製品（鏡面）を確保することができるという効果
を奏する。
【００１５】また、請求項２に記載の発明によれば、請
求項１に記載の発明で得られる連続組織の複合体の単結
晶粒子中での不純物原子の拡散が抑えられ、β−ＳｉＣ
層よりも不純物や欠陥などのない高品位の単結晶粒子に
よる連続組織を持つＳｉＣ複合体とすることができると
いう効果を奏する。
求項１に記載の発明で得られる連続組織の複合体の単結
晶粒子中での不純物原子の拡散が抑えられ、β−ＳｉＣ
層よりも不純物や欠陥などのない高品位の単結晶粒子に
よる連続組織を持つＳｉＣ複合体とすることができると
いう効果を奏する。
【００１６】さらに、請求項３に記載の発明によれば、
請求項１に記載の発明でいうところの機械的にも化学的
にも安定した単結晶粒子の連続組織を持つＳｉＣ複合体
を容易に製造することができ、かつ、その製造時にα−
ＳｉＣ焼結基材とβ−ＳｉＣ層との間の残留応力も除去
することが可能であるという効果を奏し、さらにまた、
請求項４に記載の発明によれば、連続組織の単結晶粒子
の品質を一層良好なものとすることができる。
請求項１に記載の発明でいうところの機械的にも化学的
にも安定した単結晶粒子の連続組織を持つＳｉＣ複合体
を容易に製造することができ、かつ、その製造時にα−
ＳｉＣ焼結基材とβ−ＳｉＣ層との間の残留応力も除去
することが可能であるという効果を奏し、さらにまた、
請求項４に記載の発明によれば、連続組織の単結晶粒子
の品質を一層良好なものとすることができる。
【図１】本発明に係るＳｉＣ複合体の熱処理前の状態を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】（Ａ）は本発明に係るＳｉＣ複合体の熱処理前
の模式的断面図、（Ｂ）はそれの顕微鏡による断面エッ
チング写真である。
の模式的断面図、（Ｂ）はそれの顕微鏡による断面エッ
チング写真である。
【図３】（Ａ）は本発明に係るＳｉＣ複合体の熱処理後
の模式的断面図、（Ｂ）はそれの顕微鏡による断面エッ
チング写真である。
の模式的断面図、（Ｂ）はそれの顕微鏡による断面エッ
チング写真である。
１ α−ＳｉＣ単結晶基材 ２ β−ＳｉＣ層 ３ 界面 ４ 多結晶体 ５ 単結晶 Ｍ，Ｍ１ ＳｉＣ複合体
Claims (4)
- 【請求項１】 α−ＳｉＣ焼結基材の表面に熱化学的蒸
着法でβ−ＳｉＣ層を形成してなるＳｉＣ複合体を１８
５０〜２０００℃の温度で熱処理することにより、上記
β−ＳｉＣ層の多結晶体の一部または全部をα−ＳｉＣ
に転化させて両者の境界層における結晶組織に単結晶粒
子による連続性を持たせていることを特徴とするＳｉＣ
複合体。 - 【請求項２】 上記β−ＳｉＣ層が、１３００〜１６５
０℃範囲の熱化学的蒸着法により上記α−ＳｉＣ焼結基
材の表面に成膜されたものである請求項１に記載のＳｉ
Ｃ複合体。 - 【請求項３】 α−ＳｉＣ焼結基材の表面に熱化学的蒸
着法でβ−ＳｉＣ層を形成した後、 そのＳｉＣ複合体を１８５０〜２０００℃の温度で熱処
理して、上記β−ＳｉＣ層の多結晶体の一部または全部
をα−ＳｉＣに転化することにより両者の境界層におけ
る結晶組織に単結晶粒子による連続性を持たせることを
特徴とするＳｉＣ複合体の製造方法。 - 【請求項４】 上記熱処理温度が、熱化学的蒸着の温度
よりも高温で、かつＳｉＣ飽和蒸気圧の雰囲気中で熱処
理を行なう請求項３に記載のＳｉＣ複合体の製造方法。
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