JP2822018B2 - ＳｉＣ複合体およびその製造方法 - Google Patents
ＳｉＣ複合体およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2822018B2 JP2822018B2 JP7234455A JP23445595A JP2822018B2 JP 2822018 B2 JP2822018 B2 JP 2822018B2 JP 7234455 A JP7234455 A JP 7234455A JP 23445595 A JP23445595 A JP 23445595A JP 2822018 B2 JP2822018 B2 JP 2822018B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- thin film
- composite
- interface
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/0072—Heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
- C04B41/5057—Carbides
- C04B41/5059—Silicon carbide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＳｉＣ複合体および
その製造方法で、例えば超平面を必要とするシンクロト
ロンやサイクロトン放射光の反射鏡などとして用いられ
るＳｉＣ複合体およびその製造方法に関するものであ
る。
その製造方法で、例えば超平面を必要とするシンクロト
ロンやサイクロトン放射光の反射鏡などとして用いられ
るＳｉＣ複合体およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、シンクロトロン放射光の反射鏡な
どとして、ＳｉＣ焼結材を母材とし、この母材の表面
に、該母材と熱的性質などの物性が類似していることか
ら母材との馴じみ易いＳｉＣ薄膜を化学的蒸着法（以
下、ＣＶＤ法と称す）で成膜してなる複合体が知られて
いる。
どとして、ＳｉＣ焼結材を母材とし、この母材の表面
に、該母材と熱的性質などの物性が類似していることか
ら母材との馴じみ易いＳｉＣ薄膜を化学的蒸着法（以
下、ＣＶＤ法と称す）で成膜してなる複合体が知られて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような同材質か
らなるＳｉＣ複合体においては、母材と薄膜との馴染み
性がよいことから、両者の接合強度にはほとんど問題が
ないと考えられていた。しかしながら、同材質のＳｉＣ
複合体であっても、母材であるＳｉＣ焼結材とＳｉＣ薄
膜とは、それらの結晶状態の違いにより熱的な性質に大
きな差異があるため、最も高い接合強度が得られるＣＶ
Ｄ法による成膜手段を採用したとしても、接合強度が不
十分で、例えばＳｉＣ薄膜の研削、ブラスト加工、研磨
などの後加工時の加工応力の程度によってはＳｉＣ薄膜
が母材から剥離する可能性がある。
らなるＳｉＣ複合体においては、母材と薄膜との馴染み
性がよいことから、両者の接合強度にはほとんど問題が
ないと考えられていた。しかしながら、同材質のＳｉＣ
複合体であっても、母材であるＳｉＣ焼結材とＳｉＣ薄
膜とは、それらの結晶状態の違いにより熱的な性質に大
きな差異があるため、最も高い接合強度が得られるＣＶ
Ｄ法による成膜手段を採用したとしても、接合強度が不
十分で、例えばＳｉＣ薄膜の研削、ブラスト加工、研磨
などの後加工時の加工応力の程度によってはＳｉＣ薄膜
が母材から剥離する可能性がある。
【０００４】詳述すると、母材となるＳｉＣ焼結材はＳ
ｉＣ粒子を結合させたものであり、この母材の表面を構
成するＳｉＣ粒子は互いに方位の違う結晶面が接してい
る。つまり、ばらばらな方向を向いた結晶粒子で母材表
面が構成されている。一方、ＣＶＤ法により気相成長さ
せたＳｉＣ薄膜は、最初に生成された結晶核から結晶が
成長するために、柱状で結晶に方向性を有しており、上
記母材の表面とは明らかに結晶形態が異なっており、こ
のように結晶形態が異なる界面で接しているだけの従来
のＳｉＣ複合体においては、上述した後加工時や熱エネ
ルギーの付与時に界面に応力が集中して剥離しやすく、
両者間に十分な接合強度が得られないという問題があっ
た。
ｉＣ粒子を結合させたものであり、この母材の表面を構
成するＳｉＣ粒子は互いに方位の違う結晶面が接してい
る。つまり、ばらばらな方向を向いた結晶粒子で母材表
面が構成されている。一方、ＣＶＤ法により気相成長さ
せたＳｉＣ薄膜は、最初に生成された結晶核から結晶が
成長するために、柱状で結晶に方向性を有しており、上
記母材の表面とは明らかに結晶形態が異なっており、こ
のように結晶形態が異なる界面で接しているだけの従来
のＳｉＣ複合体においては、上述した後加工時や熱エネ
ルギーの付与時に界面に応力が集中して剥離しやすく、
両者間に十分な接合強度が得られないという問題があっ
た。
【０００５】そこで、本発明のうち請求項１および請求
項２記載の発明は上記実情に鑑みてなされたもので、母
材であるＳｉＣ焼結材とＳｉＣ薄膜との界面における結
晶の不整合な形態を除去して、膜剥離のない大きな接合
強度を得ることができるＳｉＣ複合体を提供することを
目的としている。また、請求項３および請求項４記載の
発明は、ＳｉＣ焼結材とＳｉＣ薄膜との接合強度が非常
に高いとともに、両者の界面の残留応力の除去も可能な
ＳｉＣ複合体の製造方法を提供することを目的としてい
る。
項２記載の発明は上記実情に鑑みてなされたもので、母
材であるＳｉＣ焼結材とＳｉＣ薄膜との界面における結
晶の不整合な形態を除去して、膜剥離のない大きな接合
強度を得ることができるＳｉＣ複合体を提供することを
目的としている。また、請求項３および請求項４記載の
発明は、ＳｉＣ焼結材とＳｉＣ薄膜との接合強度が非常
に高いとともに、両者の界面の残留応力の除去も可能な
ＳｉＣ複合体の製造方法を提供することを目的としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のうち請求項１記載の発明に係るＳｉＣ複合
体は、母材としてのＳｉＣ焼結材の表面にＳｉＣ薄膜を
成膜してなるＳｉＣ複合体を２０００〜２４００℃の温
度で１〜３時間熱処理することにより、両者の界面にお
ける結晶成長を促進してＳｉＣ焼結体の内部とＳｉＣ薄
膜の内部とに亘って結晶が相互に入り組んだ境界部を形
成したことを特徴とするもので、ＳｉＣ複合体に対する
上記のような温度および時間条件での熱処理によって、
ＳｉＣ焼結体とＳｉＣ薄膜との界面における結晶形態の
不整合が除去されて両者の接合強度を飛躍的に増大され
ることになる。
に、本発明のうち請求項１記載の発明に係るＳｉＣ複合
体は、母材としてのＳｉＣ焼結材の表面にＳｉＣ薄膜を
成膜してなるＳｉＣ複合体を２０００〜２４００℃の温
度で１〜３時間熱処理することにより、両者の界面にお
ける結晶成長を促進してＳｉＣ焼結体の内部とＳｉＣ薄
膜の内部とに亘って結晶が相互に入り組んだ境界部を形
成したことを特徴とするもので、ＳｉＣ複合体に対する
上記のような温度および時間条件での熱処理によって、
ＳｉＣ焼結体とＳｉＣ薄膜との界面における結晶形態の
不整合が除去されて両者の接合強度を飛躍的に増大され
ることになる。
【０００７】また、請求項２記載の発明に係るＳｉＣ複
合体は、請求項１記載の発明の構成のうち、上記ＳｉＣ
薄膜がＣＶＤ法により成膜されたものであり、ＳｉＣ焼
結体とＳｉＣ薄膜との接合強度を一層大きくすることが
可能である。
合体は、請求項１記載の発明の構成のうち、上記ＳｉＣ
薄膜がＣＶＤ法により成膜されたものであり、ＳｉＣ焼
結体とＳｉＣ薄膜との接合強度を一層大きくすることが
可能である。
【０００８】さらに、請求項３記載の発明に係るＳｉＣ
複合体の製造方法は、母材としてのＳｉＣ焼結材の表面
にＳｉＣ薄膜を成膜した後、そのＳｉＣ複合体を２００
０〜２４００℃の温度で１〜３時間熱処理して、両者の
界面においてＳｉＣ焼結体の内部とＳｉＣ薄膜の内部と
に亘って結晶が相互に入り組んだ境界部を形成すること
を特徴とするものであって、請求項１記載の発明でいう
ところの接合強度の大きいＳｉＣ複合体を容易に製造す
ることができるとともに、その製造時においてＳｉＣ焼
結体とＳｉＣ薄膜との間の残留応力も除去することが可
能である。
複合体の製造方法は、母材としてのＳｉＣ焼結材の表面
にＳｉＣ薄膜を成膜した後、そのＳｉＣ複合体を２００
０〜２４００℃の温度で１〜３時間熱処理して、両者の
界面においてＳｉＣ焼結体の内部とＳｉＣ薄膜の内部と
に亘って結晶が相互に入り組んだ境界部を形成すること
を特徴とするものであって、請求項１記載の発明でいう
ところの接合強度の大きいＳｉＣ複合体を容易に製造す
ることができるとともに、その製造時においてＳｉＣ焼
結体とＳｉＣ薄膜との間の残留応力も除去することが可
能である。
【０００９】さらにまた、請求項４記載の発明に係るＳ
ｉＣ複合体の製造方法は、請求項３記載の発明の構成の
うち、上記ＳｉＣ薄膜を減圧熱ＣＶＤ法により成膜する
ものであり、接合強度の一層高い複合体を容易に製造す
ることが可能である。
ｉＣ複合体の製造方法は、請求項３記載の発明の構成の
うち、上記ＳｉＣ薄膜を減圧熱ＣＶＤ法により成膜する
ものであり、接合強度の一層高い複合体を容易に製造す
ることが可能である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
にもとづいて説明する。図１の（Ａ）は本発明に係るＳ
ｉＣ複合体の熱処理前の状態を示す模式図であり、同図
において、１は母材としてのβ−ＳｉＣの常圧焼結体
（ｄ（密度）＝３．０５g/cc）であり、その表面はダイ
ヤモンド研削により、０．５Ｓの表面粗度に形成されて
いる。２は上記β−ＳｉＣ常圧焼結体１の表面に減圧熱
ＣＶＤ法により、厚さ２００μｍに成膜されたβ−Ｓｉ
Ｃ薄膜２であり、これらによってＳｉＣ複合体Ｍ１が構
成されている。このようなＳｉＣ複合体Ｍ１における上
記β−ＳｉＣ常圧焼結体１とβ−ＳｉＣ薄膜２との界面
３は、結晶形態が互いに異なる結晶面で接しており、図
１の（Ｂ）の顕微鏡による断面エッチング写真で明示さ
れていうるように、界面３が直線状に明瞭に現れてい
る。
にもとづいて説明する。図１の（Ａ）は本発明に係るＳ
ｉＣ複合体の熱処理前の状態を示す模式図であり、同図
において、１は母材としてのβ−ＳｉＣの常圧焼結体
（ｄ（密度）＝３．０５g/cc）であり、その表面はダイ
ヤモンド研削により、０．５Ｓの表面粗度に形成されて
いる。２は上記β−ＳｉＣ常圧焼結体１の表面に減圧熱
ＣＶＤ法により、厚さ２００μｍに成膜されたβ−Ｓｉ
Ｃ薄膜２であり、これらによってＳｉＣ複合体Ｍ１が構
成されている。このようなＳｉＣ複合体Ｍ１における上
記β−ＳｉＣ常圧焼結体１とβ−ＳｉＣ薄膜２との界面
３は、結晶形態が互いに異なる結晶面で接しており、図
１の（Ｂ）の顕微鏡による断面エッチング写真で明示さ
れていうるように、界面３が直線状に明瞭に現れてい
る。
【００１１】この後、上記ＳｉＣ複合体Ｍ１を、２２０
０℃のＮ2 雰囲気中で２時間に亘って熱処理することに
より、図２の（Ａ）の模式図で示すような界面３をもつ
最終製品としてのＳｉＣ複合体Ｍを製造する。
０℃のＮ2 雰囲気中で２時間に亘って熱処理することに
より、図２の（Ａ）の模式図で示すような界面３をもつ
最終製品としてのＳｉＣ複合体Ｍを製造する。
【００１２】上記のように成膜後のＳｉＣ複合体Ｍ１に
熱処理を施すと、母材であるＳｉＣ焼結体１の表面とＳ
ｉＣ薄膜２との界面３で優先的に結晶成長が促進され
る。これは、ＳｉＣ焼結体１とＳｉＣ薄膜２との界面３
には不純物の介在が少なく、かつＳｉＣ焼結体１の表面
にＳｉＣ薄膜２が高圧で押し付けられている状況が生じ
ているからであり、このような状況下では、界面でラン
ダムな方向を向いて接していた結晶界面の原子は、それ
が運動できる程度の熱エネルギーが与えられることによ
り、一方の原子の格子に沿うように並び変って再配列が
可能となる。したがって、一方の結晶の方位に沿って他
方の結晶が融合させられ、両者１，２の界面３には、図
２の（Ａ）に示すように、結晶が互いに入り組んだ状態
の境界部分４が形成され、ＳｉＣ焼結体１の表面とＳｉ
Ｃ薄膜２の界面３の原子の不整合が解消されるため、結
晶形態の不整合による応力集中が解消されて、ＳｉＣ複
合体Ｍに外部から作用する応力に対してＳｉＣ薄膜２が
簡単に剥がれるようなことがなくなり、両者１，２の接
合強度が飛躍的に増大されることになる。その結果、上
記ＳｉＣ薄膜２に対する研磨などの後工程時に該ＳｉＣ
薄膜２が剥離されることを有効に防止することができ
る。
熱処理を施すと、母材であるＳｉＣ焼結体１の表面とＳ
ｉＣ薄膜２との界面３で優先的に結晶成長が促進され
る。これは、ＳｉＣ焼結体１とＳｉＣ薄膜２との界面３
には不純物の介在が少なく、かつＳｉＣ焼結体１の表面
にＳｉＣ薄膜２が高圧で押し付けられている状況が生じ
ているからであり、このような状況下では、界面でラン
ダムな方向を向いて接していた結晶界面の原子は、それ
が運動できる程度の熱エネルギーが与えられることによ
り、一方の原子の格子に沿うように並び変って再配列が
可能となる。したがって、一方の結晶の方位に沿って他
方の結晶が融合させられ、両者１，２の界面３には、図
２の（Ａ）に示すように、結晶が互いに入り組んだ状態
の境界部分４が形成され、ＳｉＣ焼結体１の表面とＳｉ
Ｃ薄膜２の界面３の原子の不整合が解消されるため、結
晶形態の不整合による応力集中が解消されて、ＳｉＣ複
合体Ｍに外部から作用する応力に対してＳｉＣ薄膜２が
簡単に剥がれるようなことがなくなり、両者１，２の接
合強度が飛躍的に増大されることになる。その結果、上
記ＳｉＣ薄膜２に対する研磨などの後工程時に該ＳｉＣ
薄膜２が剥離されることを有効に防止することができ
る。
【００１３】上記熱処理後のＳｉＣ複合体Ｍを顕微鏡に
よる断面エッチング写真で観察すると、図２の（Ｂ）の
ように、ＳｉＣ薄膜２の表面側の結晶成長は余り見られ
ないが、ＳｉＣ焼結体１の表面との界面３における結晶
成長が著しい。このような形態は、ＳｉＣ薄膜２のＣＶ
Ｄ法による成膜時の種々条件の制御により得られるもの
ではなく、成膜後に上記熱処理を施すことで初めて得ら
れるものである。このように、ＳｉＣ焼結体１の表面と
ＳｉＣ薄膜２との界面３に、薄膜２内部とＳｉＣ焼結体
１内部とに亘って単結晶が存在していることで上述した
ように接合強度が顕著に増大されることに特徴を有して
いる。
よる断面エッチング写真で観察すると、図２の（Ｂ）の
ように、ＳｉＣ薄膜２の表面側の結晶成長は余り見られ
ないが、ＳｉＣ焼結体１の表面との界面３における結晶
成長が著しい。このような形態は、ＳｉＣ薄膜２のＣＶ
Ｄ法による成膜時の種々条件の制御により得られるもの
ではなく、成膜後に上記熱処理を施すことで初めて得ら
れるものである。このように、ＳｉＣ焼結体１の表面と
ＳｉＣ薄膜２との界面３に、薄膜２内部とＳｉＣ焼結体
１内部とに亘って単結晶が存在していることで上述した
ように接合強度が顕著に増大されることに特徴を有して
いる。
【００１４】なお、上記熱処理の条件としては、温度が
２０００〜２４００℃、処理時間が１〜３時間であるこ
とが最も好ましい。熱処理温度が２０００℃未満である
と、ＳｉＣの理論的分解エネルギーに近く、原子の運動
エネルギーを界面を形成する多くのＳｉＣに与えること
ができない。また、２４００℃を超えると、ＳｉＣの分
解エネルギーをはるかに超える熱エネルギーが供給さ
れ、ＳｉＣの結晶そのものが分解される。
２０００〜２４００℃、処理時間が１〜３時間であるこ
とが最も好ましい。熱処理温度が２０００℃未満である
と、ＳｉＣの理論的分解エネルギーに近く、原子の運動
エネルギーを界面を形成する多くのＳｉＣに与えること
ができない。また、２４００℃を超えると、ＳｉＣの分
解エネルギーをはるかに超える熱エネルギーが供給さ
れ、ＳｉＣの結晶そのものが分解される。
【００１５】また、上記熱処理時間が１時間未満である
と、界面において十分な結晶成長がなされず、十分な接
合強度を発揮させることができない。また、３時間を超
えると、結晶が成長過度になる。結晶が成長過度になっ
て、大きな結晶粒ができると、応力の分散が悪く、却っ
てＳｉＣ薄膜２とＳｉＣ焼結体１の界面３の接合強度が
低下する。さらに、３時間を超えるような長時間の熱処
理は、ＳｉＣ薄膜２を構成する柱状結晶の結晶成長を促
し、粗大化した結晶柱でＳｉＣ薄膜２が構成されること
になって、高精度の平面を必要とするシンクロトロン放
射光の反射鏡などにおいては、結晶の方位による表面の
段差が大きくなり、所望の平面精度が得られないといっ
た問題が生じる。したがって、ＳｉＣ薄膜２の表面の結
晶成長を制御し、ＳｉＣ焼結体１とＳｉＣ薄膜２の界面
３の結晶成長を促すことを達成するために、上記した数
値範囲の熱処理条件が好ましい。
と、界面において十分な結晶成長がなされず、十分な接
合強度を発揮させることができない。また、３時間を超
えると、結晶が成長過度になる。結晶が成長過度になっ
て、大きな結晶粒ができると、応力の分散が悪く、却っ
てＳｉＣ薄膜２とＳｉＣ焼結体１の界面３の接合強度が
低下する。さらに、３時間を超えるような長時間の熱処
理は、ＳｉＣ薄膜２を構成する柱状結晶の結晶成長を促
し、粗大化した結晶柱でＳｉＣ薄膜２が構成されること
になって、高精度の平面を必要とするシンクロトロン放
射光の反射鏡などにおいては、結晶の方位による表面の
段差が大きくなり、所望の平面精度が得られないといっ
た問題が生じる。したがって、ＳｉＣ薄膜２の表面の結
晶成長を制御し、ＳｉＣ焼結体１とＳｉＣ薄膜２の界面
３の結晶成長を促すことを達成するために、上記した数
値範囲の熱処理条件が好ましい。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、母材としてのＳｉＣ焼結体とその表面に成膜され
たＳｉＣ薄膜とからなるＳｉＣ複合体を特定数値範囲の
温度および時間条件で熱処理することにより、ＳｉＣ焼
結体とＳｉＣ薄膜との界面における結晶形態の不整合を
除去して両者の接合強度を飛躍的に増大させることがで
き、後加工時や熱エネルギー付与時の応力によって膜剥
離を生じることがなく、また、平面精度も高くて多目的
用途をもつ複合体を得ることができるという効果を奏す
る。
れば、母材としてのＳｉＣ焼結体とその表面に成膜され
たＳｉＣ薄膜とからなるＳｉＣ複合体を特定数値範囲の
温度および時間条件で熱処理することにより、ＳｉＣ焼
結体とＳｉＣ薄膜との界面における結晶形態の不整合を
除去して両者の接合強度を飛躍的に増大させることがで
き、後加工時や熱エネルギー付与時の応力によって膜剥
離を生じることがなく、また、平面精度も高くて多目的
用途をもつ複合体を得ることができるという効果を奏す
る。
【００１７】また、請求項２記載の発明によれば、請求
項１記載の発明で得られる複合体を構成するＳｉＣ焼結
体とＳｉＣ薄膜との接合強度を一層大きくすることがで
きるという効果を奏する。
項１記載の発明で得られる複合体を構成するＳｉＣ焼結
体とＳｉＣ薄膜との接合強度を一層大きくすることがで
きるという効果を奏する。
【００１８】さらに、請求項３記載の発明によれば、請
求項１記載の発明でいうところの接合強度の大きいＳｉ
Ｃ複合体を容易に製造することができるとともに、その
製造時においてＳｉＣ焼結体とＳｉＣ薄膜との間の残留
応力も除去することが可能であるという効果を奏し、さ
らにまた、請求項４記載の発明によれば、接合強度の一
層高い複合体を容易に製造することができる。
求項１記載の発明でいうところの接合強度の大きいＳｉ
Ｃ複合体を容易に製造することができるとともに、その
製造時においてＳｉＣ焼結体とＳｉＣ薄膜との間の残留
応力も除去することが可能であるという効果を奏し、さ
らにまた、請求項４記載の発明によれば、接合強度の一
層高い複合体を容易に製造することができる。
【図１】（Ａ）は本発明に係るＳｉＣ複合体の熱処理前
の模式的断面図、（Ｂ）はＳｉＣ複合体の熱処理前の顕
微鏡による断面エッチング写真である。
の模式的断面図、（Ｂ）はＳｉＣ複合体の熱処理前の顕
微鏡による断面エッチング写真である。
【図２】（Ａ）は本発明に係るＳｉＣ複合体の熱処理後
の模式的断面図、（Ｂ）はＳｉＣ複合体の熱処理後の顕
微鏡による断面エッチング写真である。
の模式的断面図、（Ｂ）はＳｉＣ複合体の熱処理後の顕
微鏡による断面エッチング写真である。
１ ＳｉＣ焼結体（母材） ２ ＳｉＣ薄膜 ３ 界面 ４ 入り込み境界部 Ｍ ＳｉＣ複合体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C04B 35/565 - 35/576 C04B 41/87
Claims (4)
- 【請求項１】 母材としてのＳｉＣ焼結材の表面にＳｉ
Ｃ薄膜を成膜してなるＳｉＣ複合体を２０００〜２４０
０℃の温度で１〜３時間熱処理することにより、両者の
界面における結晶成長を促進してＳｉＣ焼結体の内部と
ＳｉＣ薄膜の内部とに亘って結晶が相互に入り組んだ境
界部を形成したことを特徴とするＳｉＣ複合体。 - 【請求項２】 上記ＳｉＣ薄膜が、化学的蒸着法により
成膜されたものである請求項１に記載のＳｉＣ複合体。 - 【請求項３】 母材としてのＳｉＣ焼結材の表面にＳｉ
Ｃ薄膜を成膜した後、そのＳｉＣ複合体を２０００〜２
４００℃の温度で１〜３時間熱処理して、両者の界面に
おいてＳｉＣ焼結体の内部とＳｉＣ薄膜の内部とに亘っ
て結晶が相互に入り組んだ境界部を形成することを特徴
とするＳｉＣ複合体の製造方法。 - 【請求項４】 上記ＳｉＣ薄膜が、減圧熱化学的蒸着法
により成膜されるものである請求項３に記載のＳｉＣ複
合体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7234455A JP2822018B2 (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | ＳｉＣ複合体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7234455A JP2822018B2 (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | ＳｉＣ複合体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0977577A JPH0977577A (ja) | 1997-03-25 |
| JP2822018B2 true JP2822018B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=16971275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7234455A Expired - Fee Related JP2822018B2 (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | ＳｉＣ複合体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2822018B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5466087B2 (ja) * | 2010-06-07 | 2014-04-09 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
| JP5948071B2 (ja) * | 2012-02-01 | 2016-07-06 | オリンパス株式会社 | 光学素子成形用型、光学素子の製造方法、および光学素子成形用型の製造方法 |
-
1995
- 1995-09-12 JP JP7234455A patent/JP2822018B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0977577A (ja) | 1997-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105452543B (zh) | 金刚石涂层及沉积该涂层的方法 | |
| JP2822018B2 (ja) | ＳｉＣ複合体およびその製造方法 | |
| JP2012199510A (ja) | 複合基体および複合基板 | |
| JP7372312B2 (ja) | ＳｉＣ複合基板及び半導体デバイス用複合基板 | |
| KR100288473B1 (ko) | 단결정탄화규소 및 그 제조방법 | |
| KR101930812B1 (ko) | 입방정계 질화붕소(cBN) 박막의 합성 방법 | |
| RU99112120A (ru) | Монокристаллический карбид кремния sic и способ его получения (варианты) | |
| JP2891978B1 (ja) | 炭化珪素質構造体 | |
| JP3649597B2 (ja) | 化学蒸着法ＳｉＣ膜の製造方法 | |
| US6924509B2 (en) | Monoatomic and moncrystalline layer of large size, in diamond type carbon, and method for the manufacture of this layer | |
| JP2009149474A (ja) | 成型用金型及び該金型の製造方法 | |
| JP3154053B2 (ja) | ＳｉＣ複合体およびその製造方法 | |
| JP7177248B2 (ja) | ＳｉＣ複合基板及び半導体デバイス用複合基板 | |
| EP0540366A1 (en) | Tool insert | |
| JP3756567B2 (ja) | 光学素子成形用型 | |
| TW200914653A (en) | Semiconductor wafer and its manufacturing method | |
| TWI706632B (zh) | 複合基板、壓電元件及複合基板的製造方法 | |
| CN117660879B (zh) | 一种AlN薄膜及其制备方法和应用 | |
| JPS63236757A (ja) | 多結晶セラミツクス製品及びその製造方法 | |
| JP2649582B2 (ja) | ＳｉＣコーテイングＳｉＣセラミックスの製造方法 | |
| JPH06172087A (ja) | 人工ダイヤモンド被覆膜 | |
| JPH0583511B2 (ja) | ||
| JPH0318487Y2 (ja) | ||
| JPH035370A (ja) | 窒化珪素焼結体用原料粉末、それを用いた焼結体およびその製造方法 | |
| JPS60148128A (ja) | 半導体基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |